Bài viết nghiên cứu ảnh hưởng biến dạng lên tính chất điện tử của vật liệu hai chiều MGe2N4 (M=Mo, W) bằng DFT. Kết quả cho thấy biến dạng ảnh hưởng lớn đến vùng cấm.

Luận án nghiên cứu tính chất điện tử và đặc trưng tiếp xúc của cấu trúc van der Waals MA2Z4, sử dụng DFT, VASP, Quantum Espresso. Tập trung vào MoSH/MoSi2N4, GR/MoGeSiN4, BP/MoGe2N4, C3N4/MoSi2N4, luận án khảo sát ảnh hưởng của điện trường và biến dạng cơ học.

Luận án nghiên cứu tính chất điện tử và đặc trưng tiếp xúc của cấu trúc vdW dựa trên vật liệu MA2Z4, sử dụng phương pháp DFT. Kết quả cho thấy tiềm năng ứng dụng trong thiết bị điện tử nano.

Mục tiêu chính của luận án "Tính chất điện tử và các đặc trưng tiếp xúc trong cấu trúc xếp lớp van der Waals dựa trên MA2Z4 (M = kim loại chuyển tiếp; A = Si, Ge; Z = N, P)" là nghiên cứu tính chất điện tử và sự hình thành tiếp xúc kim loại−bán dẫn và bán dẫn−bán dẫn trong dị cấu trúc vdW được thiết kế và xây dựng từ họ vật liệu MA2Z4 (M = kim loại chuyển tiếp; A = Si, Ge; Z = N, P): MoSH/MoSi2N4, GR/MoGeSiN4, BP/MoGe2N4, C3N4/MoSi2N4.

Tóm tắt Luận án Tiến sĩ Vật lý "Tính chất điện tử và các đặc trưng tiếp xúc trong cấu trúc xếp lớp van der Waals dựa trên MA2Z4 (M = kim loại chuyển tiếp; A = Si, Ge; Z = N, P)" trình bày các nội dung chính sau: Các vấn đề tổng quan của họ vật liệu MA2Z4, các cấu trúc dị thể vdW và cơ sở lý thuyết của phương pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ; tính chất điện tử và sự hình thành tiếp xúc kim loại−bán dẫn trong dị cấu trúc vdW giữa họ vật liệu MA2Z4;... Mời các bạn cùng tham khảo!

Đề tài có cấu trúc gồm 3 chương trình bày tổng quan về pin mặt trời DSSC và vật liệu TiO2; giới thiệu vềcác phương pháp tính toán cấu trúc điện tử và phương pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ; kết quả và thảo luận. Mời các bạn cùng tham khảo nội dung chi tiết.

Trong bài viết này, các đặc tính cấu trúc, điện tử và truyền dẫn của đơn lớp hai chiều HfSiSP2 được khảo sát bằng lí thuyết phiếm hàm mật độ (DFT). Phân tích phổ phonon và mô phỏng động lực phân tử ab-initio cho thấy, đơn lớp HfSiSP2 có cấu trúc bền vững về mặt động học và có độ ổn định nhiệt tốt.

Mục tiêu của đề tài "Nghiên cứu tính chất điện tử của graphene biến dạng với các liên kết đan xen" là khảo sát tính chất điện tử của graphene biến dạng với các liên kết đan xen bằng cách kết hợp lý thuyết biến dạng đồng nhất và mô hình điện tử liên kết mạnh.

Mục tiêu của luận án "Nghiên cứu tính chất điện tử của vật liệu hai chiều monochalcogenide" là sử dụng lý thuyết phiếm hàm mật độ để nghiên cứu tính chất điện tử của các vật liệu monochalcogenide nhóm III MX và các cấu trúc bất đối xứng Janus dựa trên các vật liệu monochalcogenide nhóm III. Mời các bạn cùng tham khảo!

Luận án được thực hiện với mục tiêu nhằm đề xuất mô hình, làm rõ cơ chế vật lý, thiết kế và nghiên cứu các đặc trưng điện từ của MPAs hấp thụ đẳng hướng hai chiều; đề xuất mô hình, làm rõ cơ chế vật lý, thiết kế và nghiên cứu khả năng điều khiển các đặc trưng điện từ của MPAs hấp thụ đẳng hướng hai chiều bằng cách tích hợp vật liệu 2D graphene. Mời các bạn cùng tham khảo!

Mục tiêu nghiên cứu của đề tài là các tính chất cơ bản của điện tử bên trong các màng graphene dưới tác động của các điều kiện khác nhau từ bên ngoài để từ đó xem xét tiềm năng ứng dụng của loại vật liệu này trong lĩnh vực điện tử và quang điện tử. Thực hiện các nghiên cứu cho phép đóng góp tới việc khai thác và phát triển chương trình tính toán OPEDEVS.

Mục tiêu nghiên cứu của luận án là chế tạo các mẫu có cấu trúc perovskite nền aMnO3 và LaFeO3 pha tạp các nguyên tố La, Fe, Y, Nd... ở các vị trí khác nhau. Mẫu nghiên cứu có dạng khối, màng mỏng và bột có kích thước nanomet. Mời các bạn tham khảo!

Mục tiêu nghiên cứu của luận án nhằm tìm hiểu tính chất điện, từ của vật liệu có cấu trúc perovskite; các kỹ thuật thực nghiệm; nghiên cứu tính chất nhiệt điện, từ của vật liệu CaMnO3 pha tạp Y, Fe.

Một trong những vấn đề đang thu hút được sự quan tâm đặc biệt trong nghiên cứu các vật liệu từ là hiện tượng “từ trở khổng lồ” (CMR- Colossal Magnetoresistance) trong các vật liệu perovskite ABO3, trong đó A là các nguyên tố đất hiếm, B là các kim loại chuyển tiếp. Mời các bạn cùng tham khảo nội dung đề tài.

Luận văn "Tính toán tính chất điện tử của Perovskite nền ni-ken sử dụng DFT" nghiên cứu sự phụ thuộc của tính chất điện tử và năng lượng hình thành nút khuyết oxy của vật liệu LaNiO3 theo ứng suất sử dụng các tính toán dựa trên nguyên lý ban đầu. Mời các bạn cùng tham khảo.

Đề tài tiến hành nghiên cứu tính toán cấu trúc và sự ổn định pha của vật liệu sắt điện Perovskite Bismuth Titanate nguyên thủy. Nghiên cứu ảnh hưởng của của sự pha tạp kim loại kiềm(Li, K, Na, Rb, Cs, Fr)lên tính chất điện tử của vật liệu Perovskite Bismuth titanate. Mời các bạn cùng tham khảo.

Luận văn tập trung chủ yếu phân tích tính chất điện tử của vật liệu khối CaMnO3 pha trực thoi (orthorhombic), cấu trúc không từ tính (ở nhiệt độ cao vật liệu này là không từ tính) và ảnh hưởng của việc pha tạp một số kim loại đất hiếm và khuyết oxy dẫn đến tính chất dẫn điện của vật liệu.

Luận văn tập trung nghiên cứu tổng quan về cấu trúc, tính chất điện từ của hệ vật liệu BFO và các hạt BFO có kích thước nanomet; nghiên cứu chế tạo mẫu bột nano BiFe1-xMnxO3 với x = 0,00 đến 0,10 bằng phương pháp sol-gel sử dụng acid citric, nghiên cứu ảnh hưởng của chế độ xử lý nhiệt đối với sự hình thành pha, hình thái hạt và tính chất từ của mẫu bột nano BiFeO3... Mời các bạn cùng tham khảo.

Mục tiêu của luận văn là sử dụng trên phương pháp phiếm hàm mật độ và gói phần mềm AKAI-KKR để tính toán các tính chất điện từ của vật liệu permalloy và LaNiO3 nhằm góp phần làm sáng tỏ cơ chế vật lý của các kết quả thực nghiệm và góp phần định hướng ứng dụng các vật liệu này cho các mục đích khác nhau.