LỜI CAM ĐOAN
Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cu của tôi, dưới s hướng dn ca
PGS.TS. Nguyễn Thanh Tùng GS.TS. Đình Lãm. Các số liu, kết qu nêu
trong luận án là trung thực và chưa được công bố bởi các tác giả khác.
NGHIÊN CỨU SINH
TRẦN VĂN HUNH
LI CM ƠN
Lời đầu tiên, tôi xin được gi li cảm ơn chân thành sâu sắc nht ti GS.TS.
Vũ Đình Lãm PGS.TS. Nguyễn Thanh Tùng, các thầy đã luôn tận tình hướng dn,
định hướng kp thi và tạo điều kin thun li nht đ tôi hoàn thành luận án này.
Tôi xin chân thành cảm ơn TS. Bùi Xuân Khuyến, TS. Bùi Sơn Tùng (Vin
Khoa hc vt liu) các anh chị em trong Nhóm nghiên cứu Meta-Group đã giúp
đỡ và động viên tôi trong quá trình thực hin luận án.
Tôi xin chân thành cảm ơn các thầy/cô và anh/ch/em trong Phòng Vật Vt
liu t siêu dẫn, Phòng Công nghệ Plasma, Phòng thí nghiệm Trọng điểm v vt
liệu linh kiện điện tử, Phòng thí nghim Linh kin thiết b quang-điện t ng
dụng cho nông-y-sinh năng lượng, Vin Khoa hc vt liu, đã tạo điều kin cho
tôi về sở vt chất để hc tập, nghiên cứu và động viên giúp đỡ tôi trong quá trình
thc hin luận án.
Tôi xin chân thành cm ơn Hc vin Khoa học và Công nghệ, Vin Khoa hc
vt liu đã tạo điều kin thun li v sở vt cht, h tr kinh phí các thủ tc
hành chính tt nhất cho tôi trong suốt quá trình tôi thc hin luận án.
Tôi xin chân thành cảm ơn Trưng Đại học Phòng cháy chữa cháy, Khoa Khoa
hc cơ bản và Ngoại ng - nơi tôi đang công tác đã tạo điều kiện cho tôi về thi gian
và công việc ti cơ quan trong sut quá trình thc hin luận án.
Cuối cùng, tôi xin cảm ơn gia đình, các quan nhân đã giúp đ, to
điều kin tt đ tôi hoàn thành luận án y.
NGHIÊN CỨU SINH
TRẦN VĂN HUNH
DANH MỤC CÁC KÍ HIỆU VIT TT
Ch viết
tt
Tiếng Anh
Tiếng Vit
AFM
Atomic Force Microscopy
Kính hin vi lực nguyên tử
ALD
Atomic Layer Deposition
Lắng đọng lớp nguyên tử
2D
Two-Dimensional
Hai chiu
3D
Three-Dimensional
Ba chiu
CR
Copper Ring
Vòng Cu
CSR
Continuous Squares Resonator
B cộng hưởng hình vuông lin k
CW
Cut Wire
Thanh kim loi
CWP
Cut-Wire Pair
Cp thanh kim loi
CWT
Cut-Wire Triple
B ba thanh kim loi
DS
Disk Shape
Hình đĩa
DP
Disk Pair
Cặp đĩa
EM
Electromagnetic
Đin t
FIT
Finite Integration Technique
K thuật tích phân hữu hn
FWHM
Full Width at Half Maximum
Độ rng na cc đi
GHMA
Graphene-Integrated
Hybridized Metamaterial
Absorber
B hp th dựa trên vật liu biến
hóa lai hóa tích hợp graphene
HMA
Hybridized Metamaterial
Absorber
B hp th dựa trên vật liu biến
hóa lai hóa
ICP
Inductively Coupled Plasma
Plasma cm ng t
LHM
Left-handed Material
Vt liu chiết suât âm
MEMS
Microelectromechanical
Systems
H thống vi cơ điện t
MMs
Metamaterials
Vt liu biến hóa
MPA
Metamaterials Perfect Absorber
B hp th tuyệt đối dựa trên vật
liu biến hóa
PCB
Printed Circuit Board
Bng mch in
RHM
Right-handed Material
Vt liu chiết suất dương
PR
Polymer Ring
Vòng polymer
SEM
Scanning Electron Microscopy
Kính hiển vi điện t quét
SR
Spiral Resonator
B cộng hưởng xon c
SRR
Split-Ring Resonator
B cộng hưởng vòng h
SSR
Square-Shaped Resonator
B cộng hưởng hình vuông
UV
Ultra Violet
T ngoi
WPT
Wireless Power Transfer
Truyn năng lượng không dây
DANH MC CÁC HÌNH VẼ VÀ ĐỒ TH
Hình 1.1. Đường đi của tia sáng khi qua thấu kính được làm t LHM đặt trong chân
không [1]. ......................................................................................................... 7
Hình 1.2. (a) Phn thc của độ t thm μ và độ điện thm ε ca LHM; (b) Phn thc
ca chiết sut ca LHM [51]. ........................................................................... 8
Hình 1.3. (a) Cấu trúc của MPA do Landy đ xut [9]; (b) và (c) lần lượt là cấu trúc
ô cơ sở phổ hp th của MPA được nghiên cứu, chế to ti Vin Khoa hc
vt liu [52]. ..................................................................................................... 9
Hình 1.4. Cấu trúc cộng hưởng trong vt liu MPAs: (a) thiết kế ban đu ca Landy;
(b) dạng vòng cộng hưởng đơn; (c) ng cộng ng hở; (d) vòng cộng hưởng
kín; (e) cấu trúc thanh kim loi; (f) cấu trúc chữ I; (g) cấu trúc dấu cng; (h)
cấu trúc dấu cng rng [56]. .......................................................................... 10
Hình 1.5. Mt s kết qu nghiên cứu vt liu MPAs hoạt động vùng tần s THz: (a)
hình cấu trúc của mt MPA; (b) nh SEM b mt ca mt MPA; (c) ph
hp th mô phỏng ca các MPAs; (d) ph hp th thc nghim ca các MPAs
[14]. ................................................................................................................ 11
Hình 1.6. Các thiết kế thông thường cho MPA hp th băng tần rng: (a) sp xếp các
b cộng hưởng trên một mt phng; (b) sp xếp các bộ cộng hưởng theo
phương dọc; (c) tích hợp các phần t điện tr, t điện; (d) s dụng các vật liu
nano plasmonic [63]. ...................................................................................... 12
Hình 1.7. Ph hp th của MPA mà cấu trúc ô cơ sở gm hai b cộng hưởng hình dấu
cộng có kích thước khác nhau [66]. ............................................................... 13
Hình 1.8. Ph hp th mô phỏng của MPA mà cấu trúc gồm bn b cộng hưởng hình
du cộng có kích thước khác nhau [66]. ........................................................ 13
Hình 1.9. Ph hp th thc nghim của các MPAs hấp th di tn rộng cùng với nh
SEM b mt của chúng [66]. .......................................................................... 14
Hình 1.10. (a) nh b mt của MPA nhìn theo hướng ti của sóng đin t; (b) Ph
hp th của MPA khi góc phân cực của sóng điện t thay đổi [78]. ............. 15
Hình 1.11. Ph hp th phỏng của MPA khi góc tới của sóng điện t thay đổi
trong hai trưng hợp: (a) phân cực TE và (b) phân cực TM [78]. ................. 16
Hình 1.12. Ph phn x đo được của MPA khi góc tới của sóng điện t thay đổi trong
hai trường hợp: (a) phân cực TE và (b) phân cc TM [78]. .......................... 16
Hình 1.13. (a) Cấu trúc 3D của MPA; (b) Cấu trúc bề mặt MPA theo ng ti ca
sóng đin t [80]. ........................................................................................... 17
Hình 1.14. Ph hp th ca MPA khi nhiệt độ của nước thay đổi: (a) kết qu
phỏng và (b) kết qu thc nghim [80]. ......................................................... 17
Hình 1.15. Độ điện thm của nước khi nhiệt độ thay đổi, đường nét liền là phần thc,
đường nét đứt là phần o [80]. ....................................................................... 18