ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN ----------------

NGUYỄN THỊ THU THẢO

NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT ĐIỆN TỬ CỦA

PEROVSKITE BISMUTH TITANATE PHA TẠP KIM LOẠI KIỀM

nguye

LUẬN VĂN THẠC SỸ KHOA HỌC

Hà nội - 2017

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN ----------------

NGUYỄN THỊ THU THẢO

NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT ĐIỆN TỬ CỦA

PEROVSKITE BISMUTH TITANATE PHA TẠP KIM LOẠI KIỀM nguye

Chuyên ngành: Vật lý chất rắn Mã số:60.44.01.04 LUẬN VĂN THẠC SỸ KHOA HỌC Ngƣời hƣớng dẫn khoa học:GS. TS. BẠCH THÀNH CÔNG

Hà nội - 2017

LỜI CẢM ƠN

Trước tiên, Em xin bày tỏ lòng kính trọng và biết ơn sâu sắc nhất tới GS. TS.

Bạch Thành Công, người thầy đã hướng dẫn, chỉ bảo và tạo mọi điều kiện thuận lợi để

em hoàn thành tốt luận văn này.

Em xin trân trọng cảm ơn sự giúp đỡ, động viên quý báu từ các thầy cô trong

khoa Vật lí, Trường Đại học Khoa học Tự Nhiên - ĐHQGHN, đặc biệt là các thầy

cô trong Bộ môn Vật lí Chất rắn đã dạy cho em những kiến thức khoa học vô cùng

quý báu trong suốt thời gian học tập tại Bộ môn.

Em xin gửi lời cảm ơn chân thành tới các thầy cô, anh chị và các bạn làm việc tại

PTN Tính toán trong Khoa học Vật liệu đã giúp đỡ và tạo điều kiện thuận lợi trong suốt

quá trình học tập và nghiên cứu. Cảm ơn đề tài NAFOSTED 103.01-2015.92 đã hỗ trợ

để tôi tham gia nghiên cứu và thực hiện luận văn này.Xin cảm ơn TS.Nguyễn Hoàng

Linh đã chỉ bảo và giúp đỡ tận tình trong giai đoạn đầu làm luận văn.

Cuối cùng, Em xin gửi lời cảm ơn sâu sắc tới các thành viên trong gia đình,

đặc biệt là Bố, Mẹ và Chồng đã luôn ở bên động viên, giúp đỡ, chia sẻ trong suốt

quá trình học tập và làm luận văn.

Xin trân trọng cảm ơn!

Hà Nội, ngày 28 tháng 11 năm 2017

Tác giả

Nguyễn Thị Thu Thảo

DANH MỤC BẢNG BIỂU

Bảng 2.1: Các phiếm hàm GGA trong Dmol3 .............................................................. 22

Bảng 3.1: Các mô hình tính toán cấu trúc và sự ổn định pha của Bi4Ti3O12nguyên thủy….. .......................................................................................................................... 26

Bảng 3.2: So sánh các thông số của các mô hình Bi4Ti3O12 sau khi đã tối ưu hóa hình học ......................................................................................................................... 30

Bảng 3.3:Sự phụ thuộc của khe năng lượng (eV) vào việc pha tạp các kim loại kiềm 38

Bảng 3.4:Một số thông tin hóa học cơ bản của Bi và các kim loại kiềm ..................... 38

Bảng 3.5:Phân bố điện tích nguyên tử Mulliken của (Bi0.5M0.5)4Ti3O12 ...................... 41

DANH MỤC HÌNH VẼ

Hình 1.1:Cấu trúc Sillenite của Bi12TiO20 và Perovskite của Bi4Ti3O12 ...................... .3

Hình 1.2:Các cấu trúc Perovskite của Bi4Ti3O12 .......................................................... .5

Hình 3.1: Mô hình chuyển đổi từ nhóm B1a1 sang P1n1 .......................................... . 27

Hình 3.2: Cấu hình hình học đã tối ưu của các mô hình M1, M2 và M3 .................... 28

Hình 3.3: Năng lượng theo các bước tối ưu hóa của các mô hình M1, M2 và M3 ..... 29

Hình 3.4:(a) Mô hình phân loại và vị trí các nguyên tử, (b) Cấu trúc hình học của

M2, (c) Cấu trúc hình học của M3 ................................................................................ 31

Hình 3.5: Cấu trúc vùng năng lượng và mật độ trạng thái tương ứng của Bi4Ti3O12 nguyên thủy ................................................................................................................... 34

Hình 3.6: Cấu trúc vùng năng lượng và mật độ trạng thái của (Bi0.5Li0.5)4 Ti3O12 ...... 35

Hình 3.7: Cấu trúc vùng năng lượng và mật độ trạng thái của (Bi0.5Na0.5)4 Ti3O12 ..... 35

Hình 3.8: Cấu trúc vùng năng lượng và mật độ trạng thái của (Bi0.5K0.5)4 Ti3O12 ....... 36

Hình 3.9: Cấu trúc vùng năng lượng và mật độ trạng thái của (Bi0.5Rb0.5)4 Ti3O12 ..... 36

Hình 3.10: Cấu trúc vùng năng lượng và mật độ trạng thái của (Bi0.5Cs0.5)4 Ti3O12 ... 37

Hình 3.11: Cấu trúc vùng năng lượng và mật độ trạng thái của (Bi0.5Fr0.5)4 Ti3O12 .... 37

Hình 3.12:: Cấu trúc hình học của Bi4Ti3O12 nguyên thủy và pha tạp kim loại kiềm dạng (Bi0.5M0.5)4 Ti3O12 ................................................................................................. 39

Hình 3.13: Phân bố điện tích nguyên tử Mulliken của ion dương

của (Bi0.5M0.5)4Ti3O12 .................................................................................................... 39

Hình 3.14: Phân bố điện tích nguyên tử Mulliken của ion âm

của (Bi0.5M0.5)4Ti3O12 .................................................................................................... 39

DANH MỤC CÁC THUẬT NGỮ VIẾT TẮT

DFT: Density functional theory

DOS: Density of states

GGA: Generalize gradient approximation

LDA: Local density approximation

LSDA: Local spin density approximation

The exchange correlation functional of Perdew, Burke and Ernzerhof PBE:

BTO: Bi4Ti3O12

NvFRAM: Nonvolatile Ferroelectric Random Access Memory

MỤC LỤC

MỞ ĐẦU ........................................................................................................................................... 1

CHƢƠNG I: TỔNG QUAN VỀ BISMUTH TITANATE ............................................................ 3

1.1.Bismuth Titanate ...................................................................................................................... 3

1.2.Perovskite Bismuth Titanate .................................................................................................... 4

1.2.1.Phương pháp tổng hợp Bi4Ti3O12 ...................................................................................... 4

1.2.2.Cấu trúc tinh thể của Bi4Ti3O12 ......................................................................................... 4

1.2.3.Ứng dụng của vật liệu Bi4Ti3O12 ....................................................................................... 6

1.3.Tổng quan các nghiên cứu về Perovskite Bismuth Titanate .................................................... 6

1.3.1.Các nghiên cứu về sự ổn định pha của Bi4Ti3O12 .............................................................. 6

1.3.2.Các nghiên cứu về Bi4Ti3O12pha tạp ................................................................................. 7

CHƢƠNG II: PHƢƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU .......................................................................... 9

2.1. Bài toán hệ nhiều hạt ............................................................................................................... 9

2.1.1. Phương trình Schrodinger ............................................................................................... 9

2.1.2. Gần đúng Born-Oppenheimer ........................................................................................ 10

2.2. Nguyên lý biến phân cho trạng thái cơ bản ........................................................................... 10

2.3. Phương pháp Hartree-Fock ................................................................................................... 11

2.4. Phương pháp phiếm hàm mật độ ........................................................................................... 13

2.4.1. Mật độ electron .............................................................................................................. 13

2.4.2. Mô hình Thomas-Fermi .................................................................................................. 14

2.4.3. Lý thuyết của Hohenberg-Kohn ..................................................................................... 14

2.4.4. Phương trình Kohn-Sham .............................................................................................. 17

2.5. Phiếm hàm tương quan trao đổi ............................................................................................ 19

2.5.1. Gần đúng mật độ địa phương......................................................................................... 19

2.5.2. Gần đúng Gradient suy rộng .......................................................................................... 20

2.6. Chương trình tính toán Materials Studio ............................................................................... 21

2.6.1. Giới thiệu về Materials studio ........................................................................................ 21 2.6.2. Tính toán theo lý thuyết phiếm hàm mật độ trong Dmol3 .............................................. 22

CHƢƠNG III: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN ............................................................................. 25

3.1. Mô hình hóa và các tham số tính toán ................................................................................... 25

3.1.1. Mô hình hóa ................................................................................................................... 25

3.1.2. Các tham số tính toán .................................................................................................... 28

3.2. Cấu trúc và sự ổn định pha của Bi4Ti3O12 ............................................................................. 28

3.2.1. Tối ưu hóa hình học ....................................................................................................... 28

3.2.2. Cấu trúc hình học và tính chất phân cực ....................................................................... 31

3.3. Tính chất điện tử của Bi4Ti3O12pha tạp kim loại kiềm .......................................................... 33

3.3.1. Cấu trúc vùng năng lượng và mật độ trạng thái ............................................................ 33

3.3.2. Khe năng lượng .............................................................................................................. 38

3.3.3. Độ dài và góc liên kết ..................................................................................................... 38

3.3.4. Phân bố điện tích nguyên tử ........................................................................................... 40

KẾT LUẬN ..................................................................................................................................... 43

TÀI LIỆU THAM KHẢO ............................................................................................................. 45

MỞ ĐẦU

Bismuth titanate là một hợp chất vô cơ gồm các nguyên tố Bismuth,

Titaniumvà Oxygen với nhiều công thức hóa học khác nhau.Vật liệu Bismuth

titanate nói chung thể hiện các hiệu ứng điện di (electrooptical effect), hiệu ứng

quang chiết (photorefractive effect) nên được dùngđể ghi thuận nghịch (reversible

recording) cho ứng dụng lưu trữ dữ liệu toàn ký (holographic data storage)

[10,11,24]. Ngoài ra, Bismuth titanate là vật liệu tiềm năng trong nhiều ứng dụng

khác như làm bộ nhớ (memory), máy biến năng (transducers), tụ điện (capacitors),

các thiết bị áp điện (piezoelectric devices) [27,32].Trong các vật liệu Bismuth

titanate thì Bi4Ti3O12 có cấu trúc Perovskite được quan tâm nghiên cứu nhiều do các tính chất vật lý và hóa học lý thú của nó.

Peroveskite Bismuth titanate Bi4Ti3O12 (BTO) là một oxít sắt điện (ferroelectric perovskite oxide) nên được nghiên cứu nhiều cho ứng dụng làm

NvFRAM (nonvolatile ferroelectric random access memory) [24]. Gần đây, BTO

đang được quan tâm nghiên cứu làm vật liệu quang xúc tác (photocatalytic

materials) cho các vấn đề môi trường như giảm thiểu ô nhiễm hữu cơ (degrade

organic pollutants) [12,21,25,35,36].BTO là vật liệu thân thiện với môi trường và có

các tính chất điện tử và tính chất quang phù hợp cho ứng dụng quang xúc tác.Trong

các ứng dụng quang xúc tác, việc điều khiển khe năng lượng của vật liệu là rất quan

trọng.Cấu trúc vùng năng lược của Perovskite Bismuth titanate có thể điều khiển

được khá dễ dàng bằng cách pha tạp. Các kim loại kiềm (akali metals) gồm Li, Na,

K, Rb,… thường được dùng để pha tạp trong vật liệu Bismuth titanate do chúng có

hoạt tính hóa học tốt. Hơn thế nữa, tính chất sắt điện của BTO khi pha tạp kim loại

kiềm có thể được tăng cường. Đã có nhiều nghiên cứu về BTO nguyên thủy cả thực

nghiệm và tính toán lý thuyết liên quan đến phân tích cấu trúc, sự ổn định pha, tính

chất điển tử, tính chất quang, sự phân cực tự phát (spontaneous polarization),… của

sắt điện Bismuth titanate. Các nghiên cứu về Bi4Ti3O12 và Bi2Ti2O7pha tạp kim loại hoặc kim loại chuyển tiếp như Co, Fe, Mn, Ni, Cr,…và các nguyên tố đất hiếm La,

1

Nd, Sm, Gd,…cho các ứng dụng khác nhau cũng đã được tiến hành. Bi4Ti3O12 và

các vật liệu Perovskite sắt điện tương tựpha tạp kim loại kiềm(Li, Na, K) đã được

tổng hợp thành công trong thực nghiệm. Tuy nhiên chưa có nhiều nghiên cứu tính

toán lý thuyết để hiểu rõ ảnh hưởng của sự pha tạp kim loại kiềm lên các tính chất

điện tử, quang, quang xúc tác của vật liệu Perovskite Bismuth titanate. Do đó, đề tài

“Nghiên cứu tính chất điện tử của Perovskite Bismuth Titanate pha tạp kim loại

kiềm”được chọn để nghiên cứu trong luận văn này.

Mục tiêu của luận văn: (1) Nghiên cứu tính toán cấu trúc và sự ổn định pha

của vật liệu sắt điện Perovskite Bismuth Titanate nguyên thủy. (2) Nghiên cứu ảnh

hưởng của của sự pha tạp kim loại kiềm (Li, K, Na, Rb, Cs, Fr) lên tính chất điện tử

của vật liệu Perovskite Bismuth titanate.

Phƣơng pháp nghiên cứu: Nghiên cứu tính toán mô phỏng sử dụng lý

thuyết phiếm hàm mật độ (DFT) và chương trình tính toán Materials Studio/Dmol3

Bố cục của luận văn: Ngoài phần mở đầu, kết luận, tài liệu tham khảo, luận

văn gồm có 3 chương:

- Chƣơng 1: Tổng quan về Bismuth titanate

Trình bày tóm lượcvềvật liệu Bismuth titanate nói chung.Trình bày chi tiết về

cấu trúc hóa học, tính chất vật lý của vật liệu Perovskite Bismuth Titanate. Giới

thiệu tổng quan các nghiên cứu cả thực nghiệm và tính toán lý thuyết về Perovskite

Bismuth Titanate nguyên thủy và pha tạp.

- Chƣơng 2: Phƣơng pháp nghiên cứu

Trình bày tổng quan về cơ sở của lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT) và chương

trình tính toán Material Studio/Dmol3.

- Chƣơng 3: Kết quả và thảo luận

Trình bày về:Mô hình hóa và chi tiết các tham số tính toán; Các kết quả nghiên

cứu tính toán cấu trúc và sự ổn định pha của vật liệu sắt điện Perovskite Bismuth

Titanate nguyên thủy; Các kết quả nghiên cứu ảnh hưởng của sự pha tạp kim loại

2

kiềm (Li, K, Na, Rb, Cs, Fr) lên tính chất điện tử của Perovskite Bismuth titanate.

CHƢƠNG I: TỔNG QUAN VỀ BISMUTH TITANATE

1.1. Bismuth Titanate

Bismuth titanate là một hợp chất vô cơ gồm các nguyên tố Bismuth, Titanium,

và Oxygen với công thức hóa học dạng Bi12TiO20, Bi4Ti3O12, Bi2Ti2O7, Bi2Ti4O11 hoặc Bi8TiO14 [5,15,20,23,26,29] tùy thuộc vào điều kiện tổng hợp vật liệu. Trong đó, Bi12TiO20 có cấu trúc Sillenite và Bi4Ti3O12 có cấu trúc Perovskite được được quan tâm nghiên cứu nhiều hơn [12,21,25,35,36]. Hình 1.1.biểu diễn một dạng cấu

trúc tinh thể phổ biến của (a)Bi12TiO20và (b) Bi4Ti3O12.

Hình 1.1: (a) Cấu trúc Sillenite của Bi12TiO20 và (b)Cấu trúc Perovskite của Bi4Ti3O12[7] tạo thể được Bismuth titanate có thành bằng việc nung nóng hỗn

hợpgồmBismuth oxít vàTitan oxít. Bi12TiO20được hình thành ở 730–850 °C, vàbị nóng chảy khi nhiệt độ tăng lên trên 875 °C, sự phân hủy trong quá trình nóng chảy

này tạo thành Bi4Ti3O12và Bi2O3[13].Đơn tinh thểMillimeter-sized Bi12TiO20có thể được hình thành bởiquá trình Czochralski từ việc núng nóng chảy ở 880–900

3

°C[15]

Vật liệu Bismuth titanate nói chung thể hiện các hiệu ứng điện di (electrooptical

effect), hiệu ứng quang chiết (photorefractive effect). Điện di là hiện tượng dịch

chuyển của các hạt mang điện tích dưới tác dụng của điện trường. Sự dịch chuyển

này do lực Lorentz gây ra. Hiệu ứng quang chiết là một hiệu ứng quang học phi

tuyến xảy ra với một số tinh thể mà các vật liệu phản ứng lại với ánh sáng bằng

cách thay đổi chiết xuất của chúng. Dựa trên các tính chất này, Bismuth titanate

được dùng để ghi thuận nghịch (reversible recording) cho ứng dụng lữu trữ dữ liệu

toàn ký (holographic data storage) [10,11,24].Ngoài ra, Bismuth titanate là vật liệu

tiềm năng trong nhiều ứng dụng khác như làm máy biến năng (transducers), tụ điện

(capacitors), thiết áp điện (piezoelectric devices) [27,32].Trong các vật liệu Bismuth

titanate thì Bi4Ti3O12 có cấu trúc Perovskite được quan tâm nghiên cứu nhiều do các tính chất vật lý và hóa học lý thú của nó.

1.2. Perovskite Bismuth Titanate

1.2.1. Phương pháp tổng hợpBi4Ti3O12

Bi4Ti3O12 có thể được tổng hợp bằng phương pháp phản ứng ở thể rắn của Bi2O3và TiO2ở nhiệt độ cao [37].Quá trình này sẽ cho kết quảcó ít Bi khi nhiệt độ phản ứng cao.Tùy vào nhiệt độ khi tổng hợp mà Bi4Ti3O12có thể tồn tại ở các cấu trúc tinh thể khác nhau.Bi4Ti3O12tồn tại ở cấu trúc tinh thể Tetragonal khi tổng hợp ở trên nhiệt độ Curie 948K [17]. Khi nhiệt độ giảm, nó chuyển sang 2 dạng cấu trúc

có tính đối xứng ít hơn là Orthorhombic và Monoclinic. Gần đây, một vài phương

pháp hóa ướt (wet-chemical methods) như sol-gen cũng được phát triển để tổng hợp

Bi4Ti3O12 [22]

1.2.2. Cấu trúc tinh thể của Bi4Ti3O12

4

Bi4Ti3O12có cấu trúc tinh thể dạng Aurivililius. Tinh thể Aurivililius có công thức tổng quát dạng (M2O2)2+(An-1BnO3n+1)2- với n = 1→8 là số lớp Perovskite (An- 1BnO3n+1)2-nằm xen kẽ với các lớp (M2O2)2+dọc trục c của mạng tinh thể. M thường là Bi3+, A là các nguyên tố thuộc nhóm II hoặc kim loại Lanthanide, B là các nguyên tố chuyển tiếp d0. Khi n=3, M và A đều là Bi, B là Ti ta có thể viết Bi4Ti3O12dạng (Bi2O2)2+(Bi2Ti3O10)2-[39].Để biểu diễn cấu trúc của một tinh thể ta dùng các nhóm đối xứng.Tùy vào điều kiện nhiệt độ tổng hợp mà Bi4Ti3O12 có các

cấu trúc đối xứng khác nhau.Cấu trúc gốc của tinh thể Bi4Ti3O12là Tetragonal I4/mmm (nhóm đối xứng 139) khi tổng hợp ở trên nhiệt độ Curie 948K [17]. Khi

nhiệt độ giảm, nó chuyển sang 2 dạng cấu trúc có tính đối xứng ít hơn là

Orthorhombic B2cb (nhóm đối xứng 41) và Monoclinic A1b1 (nhóm đối xứng 7).

Hình 1.2, biểu diễn 3 cấu trúc Tetragonal I4/mmm, Orthorhombic B2cb, và

Monoclinic A1b1 của Bi4Ti3O12với 1 ô cơ sở cho Tetragonal và 1/2 ô cơ sở cho Orthorhombic và Monoclinic. Chúng ta thấy rằng, Bi4Ti3O12gồm 3 lớp dạng Pervoskite (được hành thành bởi khối bát giác (TiO6) ở giữa và các ion Bi3+ xung quang) nằm xen kẽ với các lớp (Bi2O2). Ở các lớp (Bi2O2) ion Bi3+ liên kết với 4 nguyên tử Oxygen tạo hành cấu trúc kim tự tháp (Pyramid structure).

Hình 1.2: Các cấu trúc Perovskite của Bi4Ti3O12(a) Tetragonal, (b)Orthorhombic và (c) Monoclinic [23]. Các nguyên tử màu đỏ là Oxygen,

màu xanh là Titanium và màu tím là Bismuth

Sự giống và khác nhau cơ bản giữa 3 cấu trúc nêu trên của Bi4Ti3O12 như sau:

- Đều có cấu trúc dạng Perovskite

- Tetragonal có tính đối xứng cao nhất sau đó đến Orthorhombic và ít đối xứng

nhất là Monoclinic

- Trong một ô cơ sở của Tetragonal có chứa (Bi4Ti3O12)2 gồm 38 nguyên tử. Còn với cấu trúc Orthorhombic và Monoclinic có chứa (Bi4Ti3O12)4 gồm 76 nguyên tử

- Ở các cấu trúc Orthorhombic và Monoclinic, các nhóm TiO6 bị nghiêng nhiều hơn,các nguyên tử Bi3+ở các khe (Bi interstitial) giữa các lớp

5

Perovskite và ở các lớp (Bi2O2) bị dịch đi do sự đối xứng bị phá vỡ khi nhiệt độ thấp hơn nhiệt độ Curie

1.2.3. Ứng dụng của vật liệu Bi4Ti3O12

Pervoskite Bi4Ti3O12giống như các vật liệu Bismuth titanate khác thể hiện các hiệu ứng điện di (electrooptical effect), hiệu ứng quang chiết (photorefractive

effect) nên được dùngđể ghi thuận nghịch (reversible recording) cho ứng dụng lưu

trữ dữ liệu toàn ký (holographic data storage) [10,11,24].Perovskite Bismuth

titanate là vật liệu tiềm năng trong nhiều ứng dụng khác như làm bộ nhớ (memory),

máy biến năng (transducers), tụ điện (capacitors), các thiết bị áp điện (piezoelectric

devices) [27,32].Về tính chất vật lý, Peroveskite Bi4Ti3O12 là một vật liệu oxít sắt điện (ferroelectric perovskite oxide) điển hình nên được nghiên cứu nhiều cho ứng

dụng làm NvFRAM (nonvolatile ferroelectric random access memory) [31].Gần

đây, Bi4Ti3O12 đang được quan tâm nghiên cứu làm vật liệu quang xúc tác (photocatalytic materials) cho các vấn đề môi trường như giảm thiểu ô nhiễm hữu

cơ (degrade organic pollutants) [12,21,25,35,36]. Ngoài ra, nó còn được nghiên cứu

trong công nghiệp bán dẫn để làm Pin năng lượng mặt trời (Solar Cell)

1.3. Tổng quan các nghiên cứu về Perovskite Bismuth Titanate

Đã có nhiều nghiên cứu về Perovskite Bismuth Titanate nguyên thủy cả thực

nghiệm và tính toán lý thuyết liên quan đến phân tích cấu trúc, sự ổn định pha, tính

chất điển tử, tính chất quang, sự phân cực tự phát (spontaneous polarization) của sắt

điện Bismuth titanate. Dưới đây xin trình bày tổng quan một số nghiên cứu về tính

chất cấu trúc, sự ổn định pha của Bi4Ti3O12 nguyên thủy và các nghiên cứu liên quan đến vấn đề pha tạp kim loại trong vật liệu Perovskite Bismuth titanate.

1.3.1. Các nghiên cứu về sự ổn định pha của Bi4Ti3O12

Như đã đề cập ở trên, tinh thể Bi4Ti3O12tồn tại ở cấu trúc Tetragonal I4/mmm (nhóm đối xứng 139) khi tổng hợp ở nhiệt độ cao (trên nhiệt độ Curie 948K) [17].Ở

nhiệt độ thấp hơn, Bi4Ti3O12có khả năng tồn tại ở 2 cấu trúc Orthorhombic B2cb (nhóm đối xứng 41) và Monoclinic A1b1 (nhóm đối xứng 7). Đã có rất nhiều

nghiên cứu trước đây thảo luận về vấn đề “Nhóm đối xứng nào mô tả đúng hơn về

6

cấu trúc của Bi4Ti3O12ở nhiệt độ thấp hơn nhiệt độ Curie?”.Dưới đây xin nêu tổng quan một số nghiên cứu điển hình.

Năm 1949, Aurivullus là người đầu tiên mô tả cấu trúc Bi4Ti3O12. Ông cho rằng tính đối xứng của vật liệu này không cao hơn pha Orthorhombic ở nhiệt độ phòng

[31]. Dựa trên dữ liệu nhiễu xạ tia X (X-ray powder difraction), Aurivullus cho rằng

Bi4Ti3O12 tồn tại ở pha Orthorhombic với nhóm đối xứng Fmmm với hằng số mạng lần lượt là a=5.410Å, b=5.448Å và c=32.8Å. Năm 1971, Dorrian cũng thông qua

phép phân tích dữ liệu nhiễu xạ tia X chỉ ra rằng Bi4Ti3O12 tồn tại ở pha Orthorhombic với nhóm đối xứng B2cb với hằng số mạng lần lượt là a=5.448(2) Å,

b=5.411(2)Å và c=32.83(1)Å [3]. Hervoches và Lightfoot thông qua phép phân tích

dữ liệu nhiễu xạ neutron (neutron powder diffraction) lại cho rằng Bi4Ti3O12 tồn ở pha Orthorhombic với nhóm đối xứng B2cb với hằng số mạng lần lượt là

a=5.4444(1) Å, b=5.4086(1)Å và c=32.8425(6)Å [14]. Chakraborty, nghiên cứu cấu

trúc của Bi4Ti3O12 ở nhiệt độ thấp trong khoảng từ 15-300K, cũng đưa ra kết luận Bi4Ti3O12 tồn ở pha Orthorhombic thông qua phép phân tích dữ liệu nhiễu xạ neutron [41].Năm 1990, Rea thông qua phép phân tích dữ liệu nhiễu xạ electron

(electron diffraction) trên đơn tinh thể Bismuth titanate cho rằng Bi4Ti3O12 tồn ở pha Monoclinic với nhóm đối xứng B1a1 với hằng số mạng lần lượt là a=5.450(1) Å,

b=5.4059(6)Å và c=32.832(3)Å [28]. Năm 2004, Jeon thông qua phép phân tích dữ

liệu nhiễu xạ tia X và tiến hành làm khớp với cả 2 pha Orthorhombic và Monoclinic

thì thấy rằng hệ số làm khớp của mô hình Monoclinic là tốt hơn Orthorhombic ở

nhiệt độ phòng [1]. Nghiên cứu cấu trúc của Bi4Ti3O12bằng phân tích phổ Ramman được tiến hành bởi Du [21]. Kết quả chỉ ra rằng có 2 phổ Ramman rộng nằm ở 57 và 93cm-1, chúng bị tách ra thành nhiều peak khi nhiệt độ xuống 90K. Kết quả này

hàm ý rằng pha Monoclinic tồn tại ở nhiệt độ thấp hơn pha Orthorhombic. Năm

2008, Shrinagar tiến hành các nghiên cứu tính toán về sự ổn đinh pha của

Bi4Ti3O12ở nhiệt độ thấp [2]. Kết quả tính toán chỉ ra rằng pha Monoclinic có năng lượng thấp hơn pha Orthorhombic, tuy nhiên sự sai khác này là tương đối nhỏ.

1.3.2. Các nghiên cứu về Bi4Ti3O12pha tạp

Các nghiên cứu về Bi4Ti3O12 pha tạp kim loại hoặc kim loại chuyển tiếp như Co, Fe, Mn, Ni, Cr,… và các nguyên tố đất hiếm La, Nd, Sm, Gd,… cho các ứng

7

dụng khác nhau cũng đã được tiến hành. Bi4Ti3O12 và các vật liệu Perovskite sắt điện tương tự khác có pha tạp kim loại kiềm (Li, Na, K) cũng đã được tổng hợp

thành công trong thực nghiệm. Dưới đây xin đưa ra tổng quan một số nghiên cứu

gần đây

Năm 2000, Noguchi tiến hành nghiên cứu việc điều khiển các sai hỏng (defect) trong các vật liệu sắt điện Bismuth titanate bằng việc pha tạp Ln3+ ở site A để có độ

phân cực dư (remanent polarization) lớn [18]. Các nghiên cứu của Chon năm 2002

[19] và Zhang năm 2004 [30] về tính chất sắt điện của màng mỏng Bi4Ti3O12 khi pha tạp La và Zr nhằm tạo ra vật liệu có độ phân cực lớn để ứng dụng trong bộ nhớ

bất khả biến (nonvolatile memory). Kết quả chỉ ra rằng, Bi0.25La0.75TiO3 có độ phân cực dư lớn và trường liên kết (cohesive field) nhỏ. Các kết quả tương tự cũng được ghi nhận khi pha tạp Bismuth titanate với các ion như Nd3+, Pr3+, Sm3+, Gd3+

[4,8,16,34]. Các nghiên cứu về Bismuth titanate pha tạp các nguyên tố đất hiếm

cũng được tiến hành bởi Wolfe [38]. Kết quả chỉ ra rằng Bismuth titanate pha tạp Ln3+ làm giảm nhiệt độ Curie của vật liệu này. Các nghiên cứu về vật liệu Bismuth

titanate pha tạp Na như Na0.5Bi0.5TiO3 để tạo thành các vật liệu không chì (lead- free) thân thiệt với môi trường cũng đã được tiến hành [6,9]. Gần đây,Bismuth

titanate pha tạpcác kim loại kiềm (Li, Na, K)đã được tổng hợp thành công trong

thực nghiệm để ứng dụng làm vật liệu PTRC (positive temperature coefficient of

resistance) [33]. Tuy nhiên các nghiên cứu tính toán lý thuyết để hiểu rõ ảnh hưởng

của sự pha tạp kim loại kiềm lên các tính chất điện tử, quang, quang xúc tác của

8

Perovskite Bismuth titanate chưa có nhiều.

CHƢƠNG II: PHƢƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU

Lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT) là một lý thuyết hiện đại dựa trên nền tảng

của cơ học lượng tử đã được chứng minh là một công cụ tính toán có hiệu quả cao

trong việc khám phá các tính chất nhiệt động, tính chất điện tử và cấu trúc của các

hệ vật lý, đặc biệt trong việc nghiên cứu và mô phỏng vật liệu mới.Chương nàysẽ

trình bày tổng quan về lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT) và chương trình tính toán

Materials studio/Dmol3 dựa trên việc lược dịchtài liệu [42, 43] và tham khảo các tài

liệu [44-46]

2.1. Bài toán hệ nhiều hạt

Khi mô tả các hệ phân tử và chất rắn, việc quan trọng là phải xác định được

năng lượng tổng cộng của hệ đã cho. Biết được năng lượng tổng cộng và vị trí các

hạt nhân sẽ cho phép xác định năng lượng liên kết, chiều hướng phản ứng, lực

tương tác giữa các nguyên tử và nhiều đại lượng quan trọng khác. Theo cơ học

lượng tử, để tìm được năng lượng tổng cộngchúng ta phải tiến hànhgiải phương

trình Schrodinger.

2.1.1. Phương trình Schrodinger

Hầu hết những nghiên cứu trong vật lý chất rắn và hóa học lượng tử là đi tìm lời

giải cho phương trình Schrodinger phi tương đối không phụ thuộc vào thời gian:

(2.1)

là Hamiltonian cho hệ có M hạt nhân và N electron.

(2.2)

Trong biểu thức (2.2), hai số hạng đầu tiên mô tả động năng của các electron và

động năng của các hạt nhân.Ba số hạng cuối là tương tác Coulomb giữa điện tử và

hạt nhân, điện tử với điện tử và hạt nhân với hạt nhân.Tuy nhiên, để giải chính xác

9

phương trình Schrodinger cho bài toán hệ nhiều hạt với toán tử này là không thể

thực hiện được.Phương pháp xấp xỉ Born-Oppenheimer được sử dụng để đơn giản

hóa lời giải.

2.1.2. Gần đúng Born-Oppenheimer

Phương pháp Born-Oppenheimer dựa vào một thực tế là khối lượng của điện tử nhỏ hơn khối lượng của hạt nhân rất nhiều: Mi/me cỡ 103 đến 104, hệ quả là các hạt nhân chuyển động chậm hơn rất nhiều so với các electron. Chính vì vậy, ta có thể

coi các điện tử chuyển động trong trường mà ở đó các hạt nhân coi như cố định.Khi

hạt nhân được giữ cố định thì động năng của các hạt nhân bằng 0, thế năng của

chúng đơn thuần là một hằng số. Như vây, Hamiltonian của hệ có thể viết ngắn gọn

như sau:

(2.3)

Việc giải phương trình Schrodinger với toán tử (2.3) sẽ tìm được hàm sóng

điện tử và năng lượng điện tử Eelec.Năng lượng tổng cộng của hệ lúc nàyEtot là

tổng của Eelec và năng lượng tương tác giữa các hạt nhân không đổi Enuc.

(2.4)

(2.5) Trong đó:

2.2. Nguyên lý biến phân cho trạng thái cơ bản

Năng lượng của hệ ở trạng thái được cho bởi biểu thức:

, ở đó (2.6)

Nguyên lý biến phân phát biểu rằng: Năng lượng tính toán từ một hàm sóng

cho trước là giới hạntrên đối với năng lượng ở trạng thái cơ bản E0. Cực tiểu hóa

đối với phiếm hàm ứng với các hàm sóng của hệ N electron sẽ cho chúng ta

10

hàm sóng của trạng thái cơ bản và năng lượng có thể viết:

(2.7)

Như vậy, người ta có thể thay thế phương trình Schrodinger bằng nguyên lý

biến phân:

(2.8)

Sử dụng phương pháp nhân tử bất định Lagrange trong đó thay thế khi

bằng đại lượng mà không cần điều kiện ràng buộc nào,

với E là nhân tử Lagrange cho ta biểu thức:

(2.9)

Giải phương trình này ta tìm được như là hàm của E sau đó điều chỉnh E cho

đến khi đạt được sự chuẩn hóa.

phân xác định một phương pháp để xác định hàm sóng ở trạng thái cơ bản

Đối với một hệ N electron và thế năng hạt nhân đã cho Vext, nguyên lý biến 0, năng lượng trạng thái ứng với trạng thái cơ bản E0[N,Vext], và các tính chất quan trọng khác. Mặt khác, năng lượng trạng thái cơ bản là một phiếm hàm của số electron N

và thế năng hạt nhân Vext:

(2.10) E0=E [N, Vext]

2.3. Phƣơng pháp Hartree – Fock

Để chuyển bài toán hệ nhiều hạt thành bài toán hệ một hạt, phương pháp

Hatree– Fock (H-F) giả thiết rằng mỗi điện tử chiếm một orbital và chịu một thế

năng hiệu dụng gây bởi tất cả các điện tử còn lại. Mỗi orbital, theo đó chịu tác động

bởi sự có mặt của các điện tử trong các orbital khác.

Xuất phát điểm của phương pháp H – F là viết một hàm sóng biến phân, được

xây dựng từ các orbital một hạt.Hàm sóng này phải thỏa mãn tính phản đối xứng

của hàm sóng điện tử. Một hàm toán học thỏa mãn các điều kiện trên là định thức

11

Slater với các thành phân trong ma trận là các hàm sóng một điện tử:

(2.11)

Gần đúng H – F là phương pháp dựa vào các orbital trực giao được tìm ra

mà cực tiểu hóa năng lượng là hàm đã xác định của :

(2.12)

Năng lượng H-F được xác định bởi:

(2.13)

Với là trị riêng của T, là trị riêng của U tại hàm sóng

Năng lương tương tác Hartree-Fock giữa các electron-electron là:

(2.14)

Ở đây, các biến chỉ số a,b lấy tất cả các trạng thái đơn hạt bị chiếm đóng .

Mật độ electron từ phương pháp Hartree-Fock, , được cho bởi:

(2.15)

Số hạng đầu của biểu thức (2.14) gọi là năng lượng Hartree tương đương với

tương tác Coulomb cổ điển giữa 2 mật độ điện tích.Số hạng thứ hai gọi là năng

lượng trao đổi Hartree-Fock, đây là hàm không dương. Ta nhận thấy khi a=bthì số

hạng hai bằng số hạng thứ nhất, tức là với một electron sẽ không có bất kì lực đẩy

nào từ chính nó.

Năng lượng Hartree-Fock có sự sai lệch với năng lượng cơ bản gọi là năng

lượng tương quan :

12

(2.16)

Đây là vấn đề chính trong lý thuyết hệ nhiều hạt, đã có nhiều nghiên cứu để tính

toán đại lượng này.

2.4. Phƣơng pháp phiếm hàm mật độ

Phương pháp Hartree-Fock cho kết quả tốt với độ dài liên kết trong các phân tử,

nhưng năng lượng liên kết nhìn chung không phù hợp tốt với các kết quả thu được

từ thực nghiệm. Phương pháp Hartree-Fock gặp vấn đề khó khăn khi mô tả cấu trúc

vùng năng lượng.Phương pháp phiếm hàm mật độ (DFT),trong đó năng lượng được

tìm thông qua một phiếm hàm của mật độ electron, đã giải quyết được các khó khăn

gặp phải của phương pháp Hartree-Fock.

2.4.1. Mật độelectron

Mật độ electron là đại lượng đóng vai trò chủ đạo trong DFT. Nó được xác định

bằng tích phân trên toàn bộ các tọa độ của tất cả các electron

(2.20)

xác định xác xuất có thể tìm kiếm electron (trong tổng số N electron) bên trong

đơn vị thể tích .

Một vài tính chất của mật độ electron

là hàm không âm của các biến không gian, bằng không ở vô hạn và -

bằng tổng số electron khi lấy tích phân toàn miền không gian:

(2.21)

là đại lượng có thể quan sát được và có thể được đo bằng thực nghiệm, -

ví dụ như phép đo nhiễu xạ tia X.

Ở bất kì vị trí nào của một nguyên tử, gradient của có một điểm gián -

đoạn : (2.22)

Trong đó, Z là điện tích của hạt nhân và là giá trị trung bình trên mặt

cầu bán kính rcủa .

13

- sẽ giảm theo tiệm cận của hàm mũ khi ra xa tất cả các hạt nhân:

(2.23)

Ở đó, I là năng lượng ion hóa

2.4.2. Mô hình Thomas – Fermi

Những phương pháp thông thường như Cơ học lượng tử sử dụng hàm sóng

là đại lượng trung tâm, vì hàm sóng có chứa đầy đủ thông tin của hệ. Tuy nhiên,

hàm sóng là một đại lượng phức tạp, chúng ta không thể đo đạc, kiểm tra bằng

thực nghiệm, và nó phụ thuộc vào 3N biến, với N là số các electron.

Mô hình Thomas – Fermi: được coi là mô hình về lý thuyết phiếm hàm mật độ đầu

tiên (năm 1927), với nội dung cơ bản như sau:

- Dựa vào khí electron đồng nhất, người ta đề xuất phiếm hàm dưới đây cho

năng lượng động năng:

(2.24)

- Năng lượng của một nguyên tử thu được cuối cùng dùng công thức cổ điển

cho thế năng hạt nhân – hạt nhân và thế năng tương tác electron – electron:

(2.25)

Biểu thức năng lượng đã cho là hàm của chỉ mật độ electron.

- Để xác định được mật độ chính xác có trong biểu thức (2.25), người ta sử

dụng nguyên lý biến phân. Họ giả sử rằng trạng thái cơ bản của hệ có liên

quan đến mật độ electron với việc cực tiểu hóa năng lượng dưới điều

.

kiện ràng buộc

2.4.3. Lý thuyết của Hohenberg – Kohn

Hohenberg và Kohn đã chứng minh hai định lý nổi tiếng vào năm 1964

2.4.3.1. Định lý Hohenberg – Kohn thứ nhất

Định lý Hohenberg – Kohn thứ nhất chỉ ra rằng mật độ electron xác định duy

14

nhất toán tử Hamiltonian và quyết định toàn bộ tính chất của hệ.

Định lý được phát biểu như sau: Với một hệ bất kỳ gồm các hạt tương tác với

nhau và với trường ngoài thì thế bên ngoài này được xác định duy nhất (sai khác

hằng số cộng) bởi mật độ điện tử ở trạng thái cơ bản của các hạt.

Chứng minh:

Giả sử rằng có hai hàm thế năng ngoài và khác nhau bởi nhiều

hơn một hằng số cộng. Ở trạng thái cơ bản của chúng, mỗi hàm đều là hàm của

cùng mật độ điện tử . Như vậy chúng ta sẽ có hai toán tử Hamiltonian và

sao cho mật độ trạng thái cơ bản của chúng là như nhau, dù cho các hàm sóng

chuẩn hóa và sẽ khác nhau. Lấy như là hàm sóng thử cho toán tử , ta

có:

(2.26)

Trong đó và là năng lượng ở trạng thái cơ bản lần lượt ứng với

Hamiltonian và . Một cách tương tự, lấy hàm sóng như là hàm thử cho

trường hợp :

(2.27)

Lấy tổng phương trình (2.26) và (2.27), chúng ta sẽ thu được

(mâu thuẫn), vì vậy, không thể có hai hàm thế năng ngoài khác nhau mà cho cùng

giá trị của hàm mật độ điện tử đối với trạng thái cơ bản của chúng.

Như vậy, hàm mật độ điện tử xác định số electron, hàm thế năng ngoài

và tất cả các tính chất của trạng thái cơ bản, bao gồm: động năng ,

năng lượng thế năng , và tổng năng lượng . Bây giờ, chúng ta có thể viết

lại biểu thức tổng năng lượng như sau:

(2.28)

15

(2.29)

Phiếm hàm là trung tâm của lý thuyết phiếm hàm mật độ.Nếu chúng ta

biết được phiếm hàm này, chúng ta sẽ giải được phương trình Schrodinger.

có chứa phiếm hàm đối với động năng và thế năng tương tác electron-electron

. Dạng tường minh của các phiếm hàm này vẫn còn chưa rõ ràng. Tuy nhiên,

chúng ta có thể xác định được phần tương tác cổ điển :

(2.30)

là phần đóng góp phi cổ điển trong tương tác electron – electron: phần tự

tương tác, trao đổi và tương quan Coulomb.

Dạng tường minh của các phiếm hàm và là thử thách lớn của lý

thuyết phiếm hàm mật độ.

2.4.3.2. Định lý Hohenberg – Kohn thứ hai

Định lý thứ 2 được phát biểu như sau: một phiếm hàm phổ dụng với năng lượng

có thể được xác định theo mật độ electron. Trạng thái cơ bản chính xác là

giá trị thấp nhất toàn cục của phiếm hàm này.Từ định lý thứ nhất, chúng ta nhận

thấy rằng thế ngoài được xác định duy nhất bởi hàm mật độ. Vì vậy trạng thái cơ

bản đầy đủ của hệ nhiều hạt là phiếm hàm duy nhất theo mật độ điện tử.

Theo nguyên lý biến phân:

(2.31)

Mặt khác điều này có nghĩa rằng, đối với bất kì một hàm mật độ điện tử thử nào

, mà thỏa mãn điều kiện biên cần thiết gồm có: , , và phù

hợp với một vài thế năng ngoài , năng lượng thu được từ phiếm hàm trong

phương trình (2.28) đại diện cho biên trên đối với năng lượng trạng thái cơ bản thực

E0. E0 cho kết quả nếu chỉ mật độ trạng thái cơ bản chính xác được đưa vào phương trình (2.24)

16

Chứng minh:

Chứng minh phương trình (2.31) giúp chúng ta hình thành nguyên lý biến phân

cho hàm sóng.Chúng ta gọi lại bất kì hàm mật độ trạng thái thử mà xác định

Hamiltonian riêng và hàm sóng riêng của nó.Hàm sóng này có thể được lấy như là

hàm sóng thử cho toán tử năng lượng được tạo thành từ hàm thế năng ngoài thực

Vext. Vì vậy:

(2.32)

Kết luận cho phần này, chúng ta thu được:

-

Tất cả các tính chất của một hệ được xác định bởi hàm thế năng ngoài Vext có thể tìm ra bằng cách sử dụng hàm mật độ trạng thái cơ bản. Cụ thể, năng

lượng trạng thái cơ bản tương đương với một hàm mật độ được xác định

thông qua phiếm hàm:

(2.33)

- Phiếm hàm này thu được giá trị nhỏ nhất có liên quan đến tất cả các mật độ

điện tử được cho phép nếu và chỉ nếu mật độ điện tử đầu vào là mật độ

điệntử trạng thái cơ bản thực, ví dụ: .

- Nguyên lý biến phân chỉ được áp dụng cho trạng thái cơ bản. Vì vậy, về cơ

bản, không dễ dàng tính toán các giá trị trong trường hợp hệ ở trạng thái kích

thích.

Dạng tường minh của phiếm hàm là thử thách lớn trong lý thuyết phiếm

hàm mật độ.

2.4.4. Phương trình Kohn – Sham

Chúng ta đã biết được năng lượng của trạng thái cơ bản được viết như sau:

(2.34)

Trong đó, phiếm hàm phổ dụng có chứa các sự đóng góp của năng lượng

động năng, tương tác Coulomb cổ điển và phần phi cổ điển:

17

(2.35)

Trong các đại lượng trên, chỉ có đã xác định. Vấn đề chính là cần tìm

được biểu thức cho hai thành phần còn lại trong phương trình (2.35)

Mô hình Thomas – Fermi cung cấp cho chúng ta một ví dụ của lý thuyết phiếm

hàm mật độ.Tuy nhiên, cách biểu diễn của mô hình này không cho kết quả cao bởi

phép gần đúng nghèo nàn đối với trường hợp năng lượng động năng.Để giải quyết

bài toán này, Kohn và Sham đã đề xuất một phương pháp sẽ được trình bày dưới

đây vào năm 1965.

Hai tác giả gợi ý rằng, để tính toán năng lượng động năng chính xác của hệ quy

chiếu không tương tác với cùng mật độ điện tử như là hệ thực – hệ tương tác:

(2.36)

Ở đó hàm sóng là những quỹ đạo của hệ không tương tác.Đương nhiên giá

trị của Ts thì không bằng chính xác năng lượng động năng thực của hệ. Kohn và

Sham đã tính toán đến điều đó bằng cách tách phiếm hàm thành các thành

phần dưới đây:

(2.37)

Ở đó, Exclà năng lượng tương quan trao đổi, được xác định thông qua phương

trình (2.37) như sau:

(2.38)

Năng lượng tương quan và trao đổi EXC là phiếm hàm có chứa mọi thứ mà chưa

được xác định.

Câu hỏi được đặt ra bây giờ là: chúng ta có thể xác định được các quỹ đạo một

cách duy nhất trong hệ tham chiếu không tương tác bằng cách nào? Mặt khác,

chúng ta xác định thế năng Vs để nó cung cấp cho chúng ta định thức Slater mà đặc trưng cho mật độ điện tử như trong hệ thực của chúng ta như thế nào? Để giải quyết

bài toán này, chúng ta viết lại công thức tính năng lượng của hệ tương tác với bốn

18

thành phần riêng rẽ được mô tả như trong phương trình (2.37)

(2.39)

(2.40)

Thành phần duy nhất chưa tường minh là EXC. Áp dụng nguyên lý biến phân, và

xem xét điều kiện cho hàm sóng thỏa mãn cực tiểu hóa biểu thức năng lượng:

, kết quả là chúng ta thu được các phương trình Kohn-Sham:

(2.41)

(2.42)

Để giải được các phương trình trên, cần biết được dạng của phiếm hàm tương

quan trao đổi. Có hai dạng cơ bản được đề xuất cho phiếm hàm này:

- Phiếm hàm mật độ địa phương LDA: chỉ phụ thuộc vào mật độ điện tích

- Phiếm hàm gradient suy rộng GGA: phụ thuộc cả vào mật độ điện tích và

gradient của nó.

Các phép gần đúng kể trên sẽ được trình bày ở phần tiếp theo.

2.5. Phiếm hàm tƣơng quan trao đổi

2.5.1. Gần đúng mật độ địa phương (LDA)

Phép gần đúng LDA là phép gần đúng cơ sở cho tất cả các phiếm hàm tương

quan trao đổi. Trong LDA, hệ được xem xét gần đúng là hệ khí điện tử đồng nhất.

Trong giới hạn đó, hiệu ứng tương quan và trao đổi mang tính cục bộ.Theo đó, năng

lượng tương quan trao đổi là tích phân trên toàn bộ không gian của mật độ năng

lượng tương quan trao đổi tại mỗi điểm trong không gian.Mật độ năng lượng này

được xem là như nhau trong khí điện tử đồng nhất. Ta có:

19

(2.43)

Ở đó, là mật độ năng lượng tương quan trao đổi của khí điện tử đồng

nhất. Đại lượng này có thể được tách thành hai phần riêng biệt là thành phần tương

quan và thành phần trao đổi như sau:

(2.44)

Phần đại diện cho năng lượng trao đổi của một electron trong khí điện

tử đồng nhất của một hàm mật độ cụ thể, xuất phát từ công thức được đưa ra bởi

Bloch và Dirac vào cuối năm 1920:

(2.45)

Thành phần chưa được xác định.Mô phỏng Monte – Carlo lượng tử số có độ

chính xác cao cho khí electron đồng nhất đã được đề xuất (CeperlyAlder, 1980).

Một vài nhận xét về phép gần đúng này:

Cơ sở cho phép gần đúng cục bộ này là mật độ điện tử chất rắn, khoảng tác

dụng của hiệu ứng tương quan và trao đổi khá ngắn.Tuy nhiên, không thể xác minh

tính đúng đắn của nó chỉ bằng sự mở rộng hình thức của một thông số nhỏ nào đó.

Ta cần thử nghiệm tính đúng đắn của nó bằng các ứng dụng thực tế. Ta có thể mong

đợi phép gần đúng này áp dụng tốt nhất với các chất rắn gần với khí điện tử đồng

nhất như kim loại với các điện tử gần tự do và kém nhất đối với các trường hợp

không đồng nhất như các nguyên tử trong đó mật độ tiến về không một cách liên tục

tại biên của nguyên tử.

Đối với hệ có xem xét đến sự phân cực spin, hàm năng lượng tương quan trao

đổi lúc này được viết lại như sau:

(2.46)

2.5.2. Gần đúng Gradient suy rộng (GGA)

Phép gần đúng GGA cải thiện độ chính xác của phương pháp LDA trong nhiều

trường hợp.Phương pháp này ngày nay có thể đạt được độ chính xác cần thiết để có

thể được áp dụng rộng rãi trong cộng đồng hóa học. Thuật ngữ gradient suy rộng

20

chỉ sự đa dạng của các phương pháp được sử dụng để thay đổi những lượng tương

quan trao đổi khi gradient lớn để thu được những tính chất mong muốn. Năng lượng

tương quan trao đổi được viết dưới dạng dưới đây:

(2.47)

Phiếm hàm tương quan trao đổi trong trường hợp này là phiếm hàm phụ thuộc

không chỉ vào hàm mật độ điện tử với cả spin up và spin down, còn phụ thuộc vào

đạo hàm bậc một của chúng nữa.

2.6. Chƣơng trình tính toán Materials Studio

2.6.1. Giới thiệu về Materials studio

Cùng với sự phát triển mạnh mẽ của lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT), hiện

có rất nhiều chương trình tính toán trên máy tính dựa trên lý thuyết này như VASP,

SIESTA, Quantum Espresso, OpenMX, ABINIT, Materials Studio, …Một trong

những phần mềm tính toán dựa trên DFT với độ tin cậy cao và dễ sử dụng là công cụ tính toán DMol3 trong chương trình Materials Studio [43].

Materials Studio là phần mềm dùng để mô phỏng và tính toán vật liệu.Nó được

phát triển và phân phối bởi BIOVIA (trước đây là Accelrys), một hãng chuyên viết

phần mềm cho hóa học tính toán(computational chemistry), sinh tin

học(bioinformatics), hóa tin học (cheminformatics), mô phỏng động học phân tử

(molecular dynamics simulation), vàcơ lượng tử (quantum mechanics). Phần mềm

này là công cụ mô phỏng và tính toán vật liệu hiệu quả cho nhiều loại vật liệu

nhưkim loại, polymers, carbon nanotubes, vật liệu xúc tác, vật liệu gốm,

…Materials Studio có thể chạy được trên máy tính chạm hoặc máy chủ trên cả hai

hệ điều hành Microsoft Windows và Linux. Công cụ tính toán DMol3trong Materials studio có thể mô phỏng tính toán để dự đoán được các quá trình xảy ra ở

cấp độ phân tử, các cấu trúc tinh thể của vật rắn và các tương tác bề mặt,... Khi biết

được hàm sóng của các điện tử chương trình sẽ cho ta biết được các thông tin khác

như mật độ điện tử, mật độ điện tích, tính chất quang, năng lượng của phản ứng,

mật độ trạng thái và cấu trúc vùng năng lượng….

Công cụ tính toán DMol3 trong chương trình Materials Studio được sử dụng để

21

thực hiện các tính toán trong luận văn này.

2.6.2. Tính toán theo lý thuyết phiếm hàm mật độ trong Dmol3

*Thế tương quan trao đổi trong Dmol3.

Trong các tính toán DFT nói chung, việc lựa chọn thế tương quan trao đổi rất quan trọng. Dmol3 cung cấp một vài phiếm hàm tương quan trao đổi thuộc hai loại

LDA và GGA.Các phiếm hàm LDA bao gồm VWN và PWC. Các phiếm hàm GGA

được liệt kê trong Bảng 2.1

Tên

Mô tả

Tác giả

Phiếm hàm GGA được đề xuất bởi Perdew và

PW91

Perdew and Wang (1992)

Wang

Phiếm hàm trao đổi của Becke cùng với phiếm hàm

Becke

(1988), Perdew and

BP

tương quan của Perdew

Wang (1992)

Phiếm hàm tương quan của Perdew, Burke và

PBE

Perdew et al. (1996)

Ernzerhof

Phiếm hàm PBE được cải tiến bởi nhóm của

RPBE

Hammer et al. (1999)

Hammer

HCTH Phiếm hàm được đề xuất bởi Hamprecht, Cohen,

Boese and Handy (2001)

Tozec và Handy

BLYP Phiếm hàm trao đổi của Becke cùng với phiếm hàm

Becke (1988), Lee et al. (1988)

tương quan của Lee, Yang và Parr

BOP

Phiếm hàm một tham số của Becke

Tsuneda et al. (1999)

VWN-

Phiếm hàm BP cùng với thành phần tương quan

Vosko et al. (1980), Becke

BP

định xứ được thay thế bằng phiếm hàm tương quan

(1988), Perdew and Wang

VWN

(1992)

Bảng 2.1: Các phiếm hàm GGA trong Dmol3

Trong khóa luận này,phiếm hàm tương quan trao đổi GGA-PBEđược lựa

chọn để thực hiện các tính toán.

22

*Thế năng Coulomb của điện tử trong Dmol3

Dmol3 cho phép tính toán với các hệ tuần hoàn (sử dụng điều kiện biên tuần

hoàn) hoặc không tuần hoàn (các cluster nguyên tử hoặc phân tử) trong đó trường

thế gây ra bởi các điện tử có 4lựa chọn:

1. Effective core potentials:Cấp độ tiết kiệm thời gian tính toán nhất, nhưng kém

chính xác nhất. Thế gây ra bởi các điện tử trong lõi được thay thế bằng một thế

hiệu dụng

2. Semi – core Pseudopots: Cấp độ chính xác hơn, các điện tử lõi cũng được thay

thế bởi thế hiệu dụng trong đó có đưa vào phần thế hiệu chỉnh do hiệu ứng

tương đối tính trong phần lõi.

3. All Electron:Đưa hàm sóng của tất cả các điện tử vào quá trình tính toán.

4. All Electron Relativistic: Cấp độ chính xác nhất nhưng cũng đòi hỏi thời gian

tính toán cao nhất.Trong trường hợp này, không những đưa tất cả các điện tử

vào quá trình tính toán mà còn xem xét đến hiệu ứng tương đối tính.

Trong khóa luận này, cấp độ <>được lựa chọn để thực hiện các tính

toán.

*Hàm sóng trong Dmol3

Dmol3 xây dựng hàm sóng của hệ dựa trên phương pháp bằng phương pháp tổ

hợp tuyến tính các orbital nguyên tử (Linear Combination of Atomic Orbitals-

LCAO).Các orbital nguyên tử ở đây là các loại orbital định xứ dạng số (numerical

orbitals).

Phương pháp LCAO: Mô phỏng toán học của các orbital nguyên tử được gọi là

hàm cơ sở (basis funtion) 𝜒𝜇 . Tập hợp các hàm cơ sở là hệ cơ sở (basis set). Hệ cơ

sở càng lớn mô phỏng các orbital càng chính xác hơn (tuy nhiên thời gian tính toán

cũng tăng lên).

Các orbital của một hệ được xây dựng bằng phương pháp tổ hợp tuyến tính các

orbital nguyên tử (LCAO)∅𝑖 = 𝛴𝐶𝜇𝑖 𝜒𝜇 trong đó 𝐶𝜇𝑖 là các hệ số khai triển của các

orbital(the orbital expansion coefficients).

Orbital dạng số: Các hàm cơ sở được sử dụng trong Dmol3 có dạng các hàm cầu

23

dạng số 𝜒𝜇 = 𝑌𝑙𝑚 𝜃, 𝜇 𝐹(𝑟). Thành phần góc 𝑌𝑙𝑚 𝜃, 𝜇 là các hàm cầu.Thành phần bán kính 𝐹(𝑟) là các giá trị số.Như vậy, các orbital của Dmol3 được cho dưới dạng

các giá trị trên lưới chia cầu lấy tâm là nguyên tử. Dmol3 cung cấp các hệ cơ sở

khác nhau, như sau:

1. Hệ cơ sở tối thiểu (Minimal basis set - MIN): Sử dụng một hàm cơ sở cho mỗi

orbital nguyên tử.

2. Hệ cơ sở số nhân đôi (DN): Hệ tối thiểu cộng với một hệ thứ hai gồm các

orbital hóa trị.

3. Hệ cơ sở số nhân đôi bổ sung hàm d (DND): Hệ nhân đôi với một hàm d phân

cực trên tất cả các nguyên tử không phải là Hydro.

4. Hệ cơ sở số nhân đôi bổ sung sự phân cực (DNP): Giống hệ DND bổ sung thêm

hàm p phân cực trên tất cả các nguyên tử Hydro.

24

Trong luận văn này, hệ cơ sở số nhân đôi (DND) được sử dụng để tính toán.

CHƢƠNG III: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN

Trong chương này,mô hình hóa và chi tiết các tham số tính toán,các kết quả

nghiên cứu tính toán cấu trúc và sự ổn định pha của vật liệu Bi4Ti3O12 nguyên thủy,các kết quả nghiên cứu ảnh hưởng của sự pha tạp kim loại kiềm (Li, K, Na, Rb,

Cs, Fr) lên tính chất điện tử của Perovskite Bi4Ti3O12 sẽ được trình bày.

3.1. Mô hình hóa và các tham số tính toán

3.1.1. Mô hình hóa

Như đã đề cập ở mục 1.3, tinh thể Bi4Ti3O12tồn tại ở cấu trúc Tetragonal I4/mmm (nhóm đối xứng 139) khi tổng hợp ở nhiệt độ cao (trên nhiệt độ Curie

948K) [12].Ở nhiệt độ thấp hơn, Bi4Ti3O12có khả năng tồn tại ở 2 pha Orthorhombic B2cb (nhóm đối xứng 41) và Monoclinic A1b1 (nhóm đối xứng 7).

Aurivullus là người đầu tiên mô tả cấu trúc Bi4Ti3O12. Ông cho rằng tính đối xứng của vật liệu này không cao hơn phaOrthorhombic ở nhiệt độ phòng [1]. Dựa trên

phân tích dữ liệu nhiễu xạ tia X (X-ray powder difraction), Aurivullus cho rằng

Bi4Ti3O12 tồn tại ở pha Orthorhombic với nhóm đối xứng Fmmm. Dorrian thông qua phép phân tích dữ liệu nhiễu xạ tia X chỉ ra rằng Bi4Ti3O12 tồn tại ở pha Orthorhombic với nhóm đối xứng B2cb với hằng số mạng lần lượt là a=5.448(2) Å,

b=5.411(2)Å và c=32.83(1)Å [9]. Hervoches và Lightfoot thông qua phép phân tích

dữ liệu nhiễu xạ neutron (neutron powder diffraction) lại cho rằng Bi4Ti3O12 tồn ở pha Orthorhombic với nhóm đối xứng B2cb với hằng số mạng lần lượt là

a=5.4444(1) Å, b=5.4086(1)Å và c=32.8425(6)Å [14]. Chakraborty, nghiên cứu cấu

trúc của Bi4Ti3O12 ở nhiệt độ thấp trong khoảng từ 15-300K, cũng đưa ra kết luận Bi4Ti3O12 tồn cũng ở pha Orthorhombic thông qua phép phân tích dữ liệu nhiễu xạ neutron [4]. Năm 1990, Rea thông qua phép phân tích dữ liệu nhiễu xạ electron

(electron diffraction) trên đơn tinh thể Bismuth titanate cho rằng Bi4Ti3O12 tồn ở pha Monoclinic với nhóm đối xứng B1a1 [28]. Năm 2004, Jeon thông qua phép phân

25

tích dữ liệu nhiễu xạ tia X và tiến hành làm khớp với cả 2 pha Orthorhombic và

Monoclinic thì thấy rằng hệ số làm khớp của mô hình Monoclinic là tốt hơn

Orthorhombic ở nhiệt độ phòng [16].

Để nghiên cứu tính toán cấu trúc và sự ổn định pha của vật liệu Bi4Ti3O12,3 mô

hình cấu trúc Bi4Ti3O12 được xây dựng dựa trên các số liệu phân tích thực nghiệm

trước đây. Mô hình 1 (M1) là pha Orthorhombic B2cb được lấy số liệu tọa độ ban

đầu từ công trình của Dorrian [9], Mô hình 2 (M2) là pha Orthorhombic B2cb được

lấy số liệu từ công trình của Hervoches [14] và Mô hình 3 (M3) là pha Monoclinic

A1b1 được lấy số liệu từ công trình của Joen [16]. Bảng 3.1 dưới đây đưa ra các

thông tin cơ bản về 3 mô hình này.

Bảng 3.1:Các mô hình tính toán cấu trúc và sự ổn định pha

Pha

A

B

C

β

Mô hình

Nguồn lấy số liệu

Nhóm đối xứng

M1 Orthorhombic B2cb

5.4482 5.4112 32.831

-

Dorrian [9]

M2 Orthorhombic B2cb

5.4444 5.4086 32.8425

-

Hervoches [14]

M3 Monoclinic

B1a1

5.4496 5.4105 32.8136 89.96 Jeon [16]

của Bi4Ti3O12nguyên thủy

Với các mô hình M1 và M2, B2cb-nhóm đối xứng 41 với lựa chọn Origin-1 -c-

ab được lựa chọn để tạo ra một unit cell gồm 76 nguyên tử của cấu trúc (Bi4Ti3O12)4. Các nguyên tử được đưa vào theo tọa độ tinh thể từ nguồn lấy số liệu tương ứng.

Với mô hình M3, để giảm thời gian tính toán, một phép chuyển đổi hệ tọa độ từ

nhóm B1a1 sang P1n1 được tiến hành. Hình 3.1.biểu diễn cách chuyển đổi. Trong

phép biến đổi này, chúng ta lựa chọn một ô nguyên thủy (primitive cell) với các

vector mạng thuận a’, b’, c’ để thay thế cho ô cơ sở ban đầu (unit cell) với các các

26

vector mạng thuận a, b, c.

Hình 3.1: Mô hình chuyển đổi từ nhóm B1a1 sang P1n1 [33]

Từ hình 3.1.chúng ta có thể thấy rằng công thức chuyển đổivector mạng như

sau:

(3.1)

𝑎′ = (𝑎 − 𝑐 )/2 𝑏′ = 𝑏 𝑐′ = (𝑎 + 𝑐 )/2

Trong hệ tọa độ Cartesian, 2 phép biểu diễn này phải thỏa mãn phương trình

(3.2) x. 𝑎 + 𝑦. 𝑏 + 𝑧. 𝑐 = x′. 𝑎′ + 𝑦′. 𝑏′ + 𝑧′. 𝑐′

Giải hệ phương trình (3.1) và (3.2) chúng ta có kết quả biến đổi tọa độ

𝑥′ = (𝑥 − 𝑧) 𝑦′ = 𝑦 𝑧′ = (𝑥 + 𝑧)

Vậy với các mô hình M3, P1n1-nhóm đối xứng 7 với lựa chọn B-uique Cell2

được lựa chọn để tạo ra một unit cell gồm 38 nguyên tử của cấu trúc (Bi4Ti3O12)2.

Các nguyên tử được đưa vào theo tọa độ tinh thểđã chuyển đổi từ nguồn lấy số liệu

27

tương ứng.

3.1.2. Các tham số tính toán

Các tính toán trong bản luận văn này được thực hiện bằng DMol3 trong chương

trình Materials studio dựa trên phương pháp phiếm hàm mật độ.Tất cả các tính toán

đều được thiết lập với phiếm hàm tương quan trao đổi GGA-PBE, Basis set dạng

DND với giá trịBasis file là 4.4. Các tham số tính trường tự hợp để giải phương trình Kohn-Sham được thiết lập như sau: SCF tolerance là 10-5, sử dụng DISS với

DISS size là 6, sử dụng smearing với hệ số bằng 0.1, bán kính Orbital cutoff là 4.5Å.

Thế năng Coulomb của các điện tử lõi (core treatment) được xử lý bằng lựa chọn

.Lưới Monkhorst-Pack được chọn là 4x4x1.Trong cáctính toán tối ưu hóa cấu trúc hình học, điều kiện hội tụ về năng lượng là10–4 Ha.Trong tính toán cấu

trúc vùng năng lượng (Band structure) và mật độ trạng thái (Density of state), k-

point set là 5x5x1, tọa độ của các điểm đối xứng cao của ô mạng đảo và đường đi

khảo sát được lấy từ tài liệu tham khảo số [46].

3.2. Cấu trúc và sự ổn định pha của Bi4Ti3O12

3.2.1. Tối ưu hóa hình học

Hình 3.2đưa ra cấu trúc hình học đã tối ưu hóa.Hình 3.3.vẽ năng lượng theo các

c

a

bước tối ưu hóa của các mô hình M1, M2 và M3.

Hình 3.2:Cấu hình hình học đã tối ưucủa các mô hình M1, M2 và M3

28

(Các nguyên tử màu đỏ là O, màu bạc là Ti và màu tím là Bi)

-334735.

M1

-335406.

-336076.

0

10

20

30

40

50

60

-334735.

M2

-335406.

-336076.

0

10

20

30

40

-167367.

M3

-167703

-168038.

-10

10

30

50

70

29

Hình 3.3:Năng lượng theo các bước tối ưu hóacủa các mô hình M1, M2 và M3

Bảng 3.2 đưa ra các thông tin so sánh chi tiết giữa 3 mô hình M1, M2 và M3

sau khi đã tối ưu hóa cấu trúc hình học.

So sánh 2 cấu hình cùng nhóm đối xứng M1 (Hình 3.2a) và M2 (Hình 3.2b),

xuất phát từ các dữ liệu phân tích từ thực nghiệm của Dorrian và Hervoches, sau khi

tối ưu hóa hình học chúng ta thu được 2 cấu hình gần giống nhau. Nếu tiến hành tối

ưu hóa hình học với độ chính xác cao hơn nữa, thì kết quả năng lượng theo các

bước tối ưu như trên hình 3.3a và 3.3b sẽ hội tụ về cùng một giá trị. Khi đó chúng ta

sẽ thu được cùng một cấu trúc hình học.Điều này cũng được khẳng định bởi kết quả

giá trị hằng số mạng và tổng năng lượng của 2 cấu hình M1 và M2 (được chỉ ra ở

bảng 3.2) có sự chênh lệch rất nhỏ. Kết quả này chỉ ra rằng tinh thể Bi4Ti3O12thu được trong các thực nghiệm của Dorrian và Hervoches có cùng pha Orthorhombic

với nhóm đối xứng B2cb. Do đó, các tính toán tiếp theo của luận văn chỉ được tiến

hành cho cấu hình M2 (là cấu hình có mức năng lượng thấp hơn) để đại diện cho

pha Orthorhombic.

Năng lượng (Ha)

Pha

a

b

c

β

Mô hình

trên 1 (Bi4Ti3O12)

Nhóm đối xứng

M1 Orthorhombic B2cb

5.4376 5.4142 32.8131 -

-83851.5131715

M2 Orthorhombic B2cb

5.4372 5.4271 32.7416 -

-83851.5131787

M3 Monoclinic

B1a1

5.4086 5.4018 32.8669 90.06 -83851.5149850

Bảng 3.2:So sánh các thông số của các mô hình Bi4Ti3O12 sau khi đã tối ưu hóa hình học

So sánh giữa cấu hình M2 (B2cb) và M3 (B1a1), chúng ta thấy rằng tổng năng

lượng của M3 thấp hơn M2 chứng tỏ rằng cấu trúc B1a1 bền vững hơn B2cb (Bảng

3.2).Tuy nhiên, sự chênh lệch này rất nhỏ chỉ là 0.0018Ha(khoảng 0.04904eV) cho

1 nhóm (Bi4Ti3O12) gồm 19 nguyên tử. Điều này chứng tỏ Perovskite Bistmuth Titanate có thể tồn tại ở cả 2 pha Orthorhombic (B2cb) và Monoclinic (B1a1). Kết

quả này phù hợp và góp phần giải thích tại sao nhiều kết quả thực nghiệm cho rằng

30

Bi4Ti3O12 tồn tại ở pha Orthorhombic trong khi một số kết quả khác lại cho rằng nó

tồn tại ở pha Monoclinic. Kết quả nghiên cứu của Rea năm 1990, thông qua phép

phân tích dữ liệu nhiễu xạ electron (electron diffraction) trên đơn tinh thể Bismuth

titanate, cho rằng Bi4Ti3O12 tồn ở pha Monoclinic [28]. Năm 2004, Jeon thông qua phép phân tích dữ liệu nhiễu xạ tia X và tiến hành làm khớp với cả 2 pha

Orthorhombic và Monoclinic thì thấy rằng hệ số làm khớp của mô hình Monoclinic

là tốt hơn Orthorhombic ở nhiệt độ phòng [16]. Kết quả nghiên cứu tính toán năm

2008 của Shrinagar [33] cũng chỉ ra rằng pha Monoclinic có năng lượng thấp hơn

pha Orthorhombic, tuy nhiên sự sai khác này là tương đối nhỏ.

3.2.2. Cấu trúc hình học và tính chất phân cực

Để phân tích sự giống và khác nhau chi tiết giữa 2 pha này về cấu trúc hình

học,hình 3.4 đưa ra mô hình phân loại và vị trí các nguyên tử (a), cũng như so sánh

c

a

cấu trúc hình học giữa M2 (b) và M3 (c).

(a) (b) (c)

Hình 3.4. (a) Mô hình phân loại và vị trí các nguyên tử [16],

(b) Cấu trúc hình học của M2, (c) Cấu trúc hình học của M3

(Các nguyên tử màu đỏ là O, màu bạc là Ti và màu tím là Bi)

31

Như đã trình bày trong phần 1.2.2, cấu trúc hình học của Bi4Ti3O12ở cả 2 mô hình M2 và M3 đềugồm 3 lớp dạng Pervoskite (được hành thành bởi khối bát diện (TiO6) ở giữa và các ion Bi3+ xung quanh) nằm xen kẽ với các lớp (Bi2O2) với ion

Bi3+ liên kết với 4 nguyên tử Oxygen tạo hành cấu trúc kim tự tháp (Pyramid

structure). Trong đó cấu trúc của các khối bát diện (Octahedral) TiO6ảnh hưởng mạnh lên các tính chất của vật liệu Pervoskite này.Hình 3.4 (b) và (c) đưa ra so sánh

cấu trúc hình học giữa M2 và M3 ở các lớp chứa khối bát diện này.Với cấu trúc

M2,ở khối bát diện giữa, chúng ta thấy rằng góc liên kết giữa O(3)-Ti(1)-O(3’) là 171.131o (khác 180o) chứng tỏ rằng Ti đã bị lệnh ngang theo trục a một đoạn nhưng

không bị dịch theo chiều dọc.Ti(2) ở khối bát diện trên thì bị dịch lênh và ngược lại

Ti(2’) ở khối bát diện dưới bị dịch xuống với các khoảng dịch chuyển bằng nhau.

Điều này giải thích các kết quả thực nghiệm cho rằng Bi4Ti3O12ở pha Orthorhombic

có phân cực đáng kể theo trục a, tuy nhiên lại phân cực bị triệt tiêu dọc theo trục c.

Với cấu trúc M3, cả 3 khối bát diện (TiO6) đều có tính đối xứng thấp hơn trong cấu trúc M2.Chúng ta thấy rằng các ion Ti đều bị dịch theo trục a ở cả 3 khối bát diện.

Xét theo chiều dọc, độ dài liên kết giữa các Ti và O tương ứng ở khối bát diện trên

và dưới không bằng nhau (không đỗi xứng với nhau) như trong cấu trúc M2. Ở khối

bát diện giữa, độ dài liên kết Ti(1)-O(3) và Ti(1’)-O(3’) là khác nhau. Chứng tỏ các

ion Ti cũng bị dịch theo trục c ở cả 3 khối bát diện. Kết quả này phù hợp với kết

quả đo trong thực nghiệm cho rằng ở pha Monoclinic Bi4Ti3O12có sự phân cực theo

cả trục a và trục c. Các kết quả tính toán này cũng góp phần giải thích cho kết quả

nghiên cứu cấu trúc của Bi4Ti3O12bằng phân tích phổ Ramman được tiến hành bởi Du [8]. Kết quả của Du chỉ ra rằng 2 phổ Ramman rộng nằm ở 57 và 93cm-1đã bị

tách ra thành nhiều peak khi nhiệt độ xuống 90K. Kết quả này hàm ý rằng ở nhiệt

độ <90K các tần số dao động Ramman ở các vùng này bị tách chứng tỏ có nhiều

hơn các tần số dao động liên kết ở các vùng này.Nói cách khác, tính đối xứng tinh

thể bị giảm đi khi nhiệt độ giảm haypha Monoclinic (có tính đối xứng thấp hơn) sẽ

tồn tại ở nhiệt độ thấp hơn so với pha Orthorhombic.

Như vậy các nghiên cứu tính toán về cấu trúc và sự ổn định phađã chỉ ra rằng:

Bi4Ti3O12 có thể tồn tại ở cả 2 pha là Monoclinic (B2cb) và Orthorhombic (B1a1) với cấu trúc hình học khá giống nhau. Pha B1a1 có tính đối xứng thấp hơn và có

năng lượng thấp hơn (nên ổn định hơn)pha B2cb. Tuy nhiên giá trị chênh lệch năng

32

lượng giữa 2 pha là rất nhỏ chỉ ~ 0.04904eV cho 1 nhóm (Bi4Ti3O12) gồm 19 nguyên tử. Kết quả này góp phần giải thích vì sao các nghiên cứu thực nghiệm

trước đây cho rằngBi4Ti3O12có thể tồn tại ở cả 2 pha B2cb (có phân cực theo trục a) và pha B1a1 (có phân cực theo cả 2 trục a và c).

Như đã trình bày ở phần 1.1,Bismuth titanate có thể được tạo thành bằng việc

nung nóng hỗn hợpgồmBismuth vàoxít Titan.Bi12TiO20được hình thành ở 730–850 °C.Khi tăng lên trên 875 °C nóbị nóng chảy và tạo thành Bi4Ti3O12và Bi2O3[4].Như vậy, Perovskite Bi4Ti3O12thường được tạo thành ở nhiệt độ khá cao.Do đó, các phân tích thực nghiệm thường thu được kết quả Bi4Ti3O12ở pha B2cb. Trong nghiên cứu tiếp theo với Bi4Ti3O12 pha tạp kim loại kiềm, các tính toán được tiến hành với pha B2cb.

3.3. Tính chất điện tử của Bi4Ti3O12pha tạp kim loại kiềm

Trong phần này sẽ trình bày các kết quả nghiên cứu tính toán cho vật liệu

Bi4Ti3O12(ở pha B2cb) pha tạp kim loại kiềm gồm Li, Na, K, Rb, Cs, và Fr

3.3.1. Cấu trúc vùng năng lượng và mật độ trạng thái

a/ Bi4Ti3O12nguyên thủy

Hình 3.4 đưa ra kết quả tính cấu trúc vùng năng lượng và mật độ trạng thái

tương ứng của Bi4Ti3O12nguyên thủy

Hình 3.5:Cấu trúc vùng năng lượng và mật độ trạng thái tương ứng

33

của Bi4Ti3O12 nguyên thủy

Từ cấu trúc vùng năng lượng, chúng ta thấy rằngBi4Ti3O12nguyên thủy là một bán dẫn gián tiếp với độ rộng khe năng lượng là 1.222ev. Từ mật độ trạng thái,

chúng ta thấy rằng mức Fermi nằm sát đỉnh của vùng hóa trị. Ở vùng xung quanh

mức Fermi,mật độ trạng thái được đóng góp chủ yếu bởi các orbital p. Tuy nhiên, ở

sâu hơn trong vùng hóa trị, có một vùng mật độ dài rộng với năng lượng từ -20 đến

-16 (eV) với sự đóng góp chủ yếu bới các orbital s.

b/ Bi4Ti3O12pha tạp

Hình 3.4a đưa ra mô hình phân loại và vị trí các nguyên tử, có 2 nhóm Bi là Bi

nhóm 1 (Bi1, Bi1’) và Bi nhóm 2 (Bi2, Bi2’). Các nguyên tử Bi nhóm 1 nằm ở lớp

Perovskite, xen kẽ giữa các khối bát diện (TiO6), liên kết với 5 nguyên tử Oxygen xung quang. Còn các nguyên tử Bi nhóm 2 nằm ở lớp (BiO2) liên kết với 4 nguyên tử Oxygen xung quanh tạo thành cấu trúc kim tự tháp. Nhằm giữ tính đối xứng của

mạng tinh thể để giảm thời gian tính toán, mô hình pha tạp 50% -50%

(Bi0.5M0.5)4Ti3O12với M là các kim loại kiềm (Li, Na, K, Rb, Cs, và Fr) được đưa ra để tính toán. Trong mô hình pha tạp 50% -50%, kim loại kiềm M có thể thay thế

cho các Bi ở nhóm 1 hoặc nhóm 2. Trong phần này chúng tôi chọn thay thế M cho

Bi nhóm 1 vì nhóm này sẽ ảnh hưởng mạnh lên cấu trúc của các khối bát diện

(TiO6)là nhân tố ảnh hưởng mạnh đến các tính chất lý thú của vật liệu này.

Các hình từ 3.6 đến 3.11 đến đưa ra kết quả tính cấu trúc vùng năng lượng và

mật độ trạng thái tương ứng của Bi4Ti3O12pha tạp dạng (Bi0.5M0.5)4Ti3O12với M là các kim loại kiềm Li, Na, K, Rb, Cs, và Fr. Chúng ta thấy rằng

+ Giống như Bi4Ti3O12 nguyên thủy, ở vùng xung quanh mức Fermi mật độ trạng thái được đóng góp chủ yếu bởi các orbital p. Tuy nhiên, ở sâu hơn trong vùng

hóa trị là sự đóng góp chủ yếu bởi các orbital s.

+ Độ rộng khe năng lượng tăng lên khi pha tạp các kim loại kiềm có số khối

tăng từ 1.783eV khi pha tạp Li đến 2.544eV khi pha tạp Fr.

+ Khi pha tạp Li, Na, K và Rb, mức Fermi ở gần vùng dẫn hơn vùng hóa trị.

Trong khi mức Fermi ở giữa khi pha tạp Cs và ở gần vùng dẫn hơn khi pha tạp Fr

+ Khi pha tạp K và Rb có xuất hiện thêmmột vùng trạng thái hẹp ở dải năng

34

lượng [-12:-14]eVkhi pha tạp K và [-10:-12]eV khi pha tạp Rb.

+ Khi pha tạp Cs và Fr vùng trạng thái xuất hiện thêm [-8:-10]eV đã hợp với

vùng trạng thái [-7.5:-9.0]eV tạo thành một vùng trạng thái rộng và cao hơn. Ngoài

ra, trường hợp pha tạp Fr còn có thêm một vùng trạng thái nữa xuất hiện trong dải

[-16:-18]eV.

Hình 3.6:Cấu trúc vùng năng lượng và mật độ trạng thái tương ứng

của(Bi0.5Li0.5)4 Ti3O12

Hình 3.7:Cấu trúc vùng năng lượng và mật độ trạng thái tương ứng

35

của(Bi0.5Na0.5)4 Ti3O12

Hình 3.8:Cấu trúc vùng năng lượng và mật độ trạng thái tương ứng

của(Bi0.5K0.5)4 Ti3O12

Hình 3.9:Cấu trúc vùng năng lượng và mật độ trạng thái tương ứng

36

của(Bi0.5Rb0.5)4 Ti3O12

Hình 3.10:Cấu trúc vùng năng lượng và mật độ trạng thái tương ứng

của(Bi0.5Cs0.5)4 Ti3O12

Hình 3.11:Cấu trúc vùng năng lượng và mật độ trạng thái tương ứng

37

của(Bi0.5Fr0.5)4 Ti3O12

3.3.2. Khe năng lượng

Bảng 3.3đưa ra sự phụ thuộc của khe năng lượng (Bi0.5M0.5)4 Ti3O12vào thứ tự của các kim loại kiềm pha tạp với M là các kim loại kiềm từ Li, Na, K, Rb, Cs, đến

Fr.

Vật liệu

Pha tạp

Pha tạp

Pha tạp

Pha tạp

Pha tạp

Pha tạp

Không pha tạp

Li

Na

K

Rb

Cs

Fr

Khe năng lượng (eV)

1.222

1.873

1.964

2.077

2.140

2.370

2.544

Bảng 3.3:Sự phụ thuộc của khe năng lượng (eV) vào việc pha tạp các kim loại kiềm

Qua bảng 3.3 chúng ta thấy rằng khe năng lượng có xu hướng mở rộng khi pha

tạp các kim loại kiềm có số khối tăng lên.

3.3.3. Độ dài và góc liên kết

Để xem xét sự ảnh hưởng của chất pha tạp lên cấu trúc hình học và tính chất

phân cực của vật liệu Perovskite Bi4Ti3O12, độ dài và góc liên kết được phân tích. Để thuận tiện trong việc phân tích, bảng 3.4 đưa ra một số thông tin hóa học cơ bản

của Bi và các kim loại kiềm.

Bi

Li

Na

K

Rb

Cs

Fr

83

Số nguyên tử

3

11

19

37

55

87

Cấu hình điện tử

[Xe] 4f145d106s26p3

[He] 2s1

[Ne] 3s1

[Ar] 4s1

[Kr] 5s1

[Xe] 6s1

[Rn] 7s1

156

Bán kính nguyên tử (pm)

167

190

243

265

298

x

2.02

Độ âm điện

0.98

0.93

0.82

0.82

0.79

0.70

Bảng 3.4 Một số thông tin hóa học cơ bản của Bi và các kim loại kiềm

Qua bảng 3.4 chúng ta thấy rằng Bi có cấu hình điện tử khác biệt so với các

nguyên tố trong nhóm kim loại kiềm nên khi chúng ta thay Bi bằng một kim loại

kiềm thì cấu trúc hình học và tính chất điện tử của hệ sẽ thay đổi đáng kể. So sánh

giữa các kim loại kiềm, dễ dàng thấy rằng theo chiều tăng của số nguyên tử, bán

38

kính nguyên tử tăng lên còn độ âm điện giảm đi.

c

a

(a) (b) (c) (d)

(e) (f) (g)

Hình 3.12: Cấu trúc hình học của (a) Bi4Ti3O12, (b) (Bi0.5Li0.5)4Ti3O12 (c) (Bi0.5Na0.5)4Ti3O12, (d) (Bi0.5K0.5)4Ti3O12, (e) (Bi0.5 Rb0.5)4Ti3O12, (f) (Bi0.5 Cs0.5)4 Ti3O12, (g) (Bi0.5 Fr0.5)4Ti3O12 (Các nguyên tử màu đỏ là O, màu bạc là Ti và màu tím là Bi hoặc M)

Hình 3.12 đưa ra cấu trúc hình học, một số thông tin về độ dài và góc liên kết

39

của Bi4Ti3O12nguyên thủy và khi pha tạp các kim loại kiềm (Li, Na, K, Rb,Cs,Fr), chúng ta thấy rằng:

+ Trong dãy kim loại kiềm Na và Li có bán kính nguyên tử nhỏ và độ âm điện

lớn nên khi pha tạp các nguyên tử này có xu hướng kéo ngắn 5 liên kết xung quanh

với Oxy kéo theo các khối bát diện (TiO6) bị biến dạng mạnh làm tăng tính phân cực theo cả 3 trục a, b, và c.

+ Khi pha tạp K và Rb, các nguyên tử này có độ dài liên kết với 5 Oxy xung

quanh khá tương đồng với khi chưa pha tạp dẫn đến khối bát diện (TiO6) nên ít bị biến dạng. Trong cả 2 trường hợp, khối bát diện giữa gần như hoàn hảo với góc liên kết O(3)-Ti(1)-O(3’) xấp xỉ 180 o (179.771o với pha tạp K và 178.801o với pha tạp

Rb). Trong trường hợp pha tạp K, do các khối bát diện trên và dưới vẫn bị biến

dạng nhiều và trục bị lệch khỏi phương thẳng đứng nên vật liệu pha tạp này vẫn còn

tính chất phân cực đáng kể. Ngược lại, trong trường hợp pha tạp Rb, Ti(2) ở khối

bát diện trên bị dịch lên và ngược lại Ti(2’) ở khối bát diện dưới bị dịch xuống với

các khoảng dịch chuyển bằng nhau. Các khối bát diện trên và dướinày có các trục

theo phương gần như thẳng đứng dẫn tới sự phân cực theo trục c bị triệt tiêu. Như

vậy sự phân cực trong vật liệu pha tạp (Bi0.5 Rb 0.5)4Ti3O12 là không đáng kể theo tất cả các trục.

+ Khi pha tạp Cs và Fr, Ti ở bát diện giữa bị lệnh một lượng nhỏ theo trục a. Ti

ở các khối bát diện trên và dưới ít bị lệnh khỏi tâm theo phương thẳng đứng, tuy

nhiên các trục nối giữa Ti(2)-O(3) và Ti(2’)-O(3’) bị nghiêng khá nhiều so với

phương thẳng đứng dẫn tới sự phân cực vẫn còn đáng kể.

3.3.4. Phân bố điện tích nguyên tử

Bảng 3.5 đưa ra phân bố điện tích nguyên tử Mulliken của Bi4Ti3O12 nguyên

thủy và khi pha tạp các kim loại kiềm M (Li, Na, K, Rb, Cs, Fr). Chúng ta thấy

rằng: Bi, Ti và kim loại kiềm M đóng vai trò là các Iôn dương, O đóng vai trò là các

Iôn âm. Do tính đối xứng nên các nguyên tử cùng nhóm có điện tích xấp xỉ bằng

40

nhau.

Bi

Li

Na

K

Rb

Cs

Fr

M (1)

0.710

0.368

0.759

1.018

1.228

0.878

0.990

M (1’)

0.704

0.369

0.763

1.022

1.228

0.839

0.923

Bi (2)

0.729

0.555

0.602

0.687

0.612

0.900

1.014

Bi (2’)

0.725

0.552

0.599

0.678

0.612

0.894

1.010

Ti (1)

0.589

0.988

0.858

0.602

0.461

0.462

0.414

Ti (2)

0.695

0.768

0.736

0.681

0.497

0.699

0.668

Ti (2’)

0.693

0.767

0.737

0.680

0.497

0.693

0.660

O (1)

-0.466

-0.370

-0.529

-0.595

-0.590

-0.506

-0.524

O (1’)

-0.467

-0.370

-0.529

-0.591

-0.585

-0.505

-0.522

O (2)

-0.335

-0.269

-0.294

-0.316

-0.271

-0.395

-0.442

O (2’)

-0.335

-0.269

-0.294

-0.316

-0.271

-0.395

-0.442

O (3)

-0.371

-0.377

-0.482

-0.496

-0.471

-0.454

-0.490

O (3’)

-0.372

-0.377

-0.482

-0.495

-0.471

-0.455

-0.490

O (4)

-0.346

-0.331

-0.335

-0.348

-0.315

-0.376

-0.386

O (4’)

-0.346

-0.331

-0.335

-0.349

-0.315

-0.376

-0.386

O (5)

-0.460

-0.414

-0.453

-0.460

-0.461

-0.482

-0.511

O (5’)

-0.462

-0.413

-0.453

-0.461

-0.463

-0.486

-0.514

O (6)

-0.443

-0.425

-0.433

-0.470

-0.460

-0.469

-0.489

O (6’)

-0.442

-0.424

-0.433

-0.470

-0.459

-0.466

-0.485

Bảng 3.5:Phân bố điện tích nguyên tử Mulliken của (Bi0.5M0.5)4Ti3O12

Hình 3.13 và hình 3.14 lần lượt đưa ra sự thay đổi điện tích nguyên tử cùng

nhóm của các Iôn dương và Iôn âm theo chiều tăng số nguyên tử của kim loại kiềm

pha tạp (từ Li, Na, K, Rb, Cs, đến Fr), chúng ta thấy rằng

+ Các Iôn dương: các nguyên tử M và Bi có xu hướng tăng điện tích trong khi

các nguyên tử Ti giảm điện tích.

+ Các Iôn âm: tất cả các nguyên tử Oxy đều có xu hướng giảm điện tích

Cácnguyên tửpha tạp M có xu hướng tăng điện tích dương là do theo chiều tăng

của số nguyên tử thì các kim loại kiềm giảm độ âm điện. Điều này cũng dẫn đến các

41

nguyên tử Oxy xung quanh nó giảm điện tích (tăng điện tích âm)

1.4

1.2

1

M(1) 0.8 Bi(1)

Ti(1) 0.6

) e ( h c í t n ệ i Đ

Ti(2)

0.4

Bi

Li

Na

K

Rb

Cs

Fr

0.2

0

Hình 3.13: Phân bố điện tích nguyên tử Mulliken của ion dương của (Bi0.5M0.5)4Ti3O12

0

-0.1

1 2 3 4 5 6 7

O(1) -0.2

O(2) -0.3 O(3)

O(4) -0.4

) e ( h c í t n ệ i Đ

O(5)

-0.5 O(6)

Bi

Li

Na

K

Rb

Cs

Fr

-0.6

-0.7

42

Hình 3.14: Phân bố điện tích nguyên tử Mulliken của ion âm của (Bi0.5M0.5)4Ti3O12

KẾT LUẬN

Luận văn này đã tiến hành nghiên cứu tính toán cấu trúc và sự ổn định pha của

vật liệu sắt điện Perovskite Bi4Ti3O12nguyên thủy và sự ảnh hưởng của của pha tạp kim loại kiềm (Li, K, Na, Rb, Cs, Fr) lên tính chất điện tử của Perovskite Bismuth

titanate. Phương pháp nghiên cứu là tính toán mô phỏng sử dụng lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT) và chương trình tính toán Materials Studio/Dmol3.

1. Các nghiên cứu tính toán về cấu trúc và sự ổn định phachỉ ra rằng: Bi4Ti3O12 có thể tồn tại ở cả 2 pha là Monoclinic (B2cb) và Orthorhombic (B1a1) với cấu trúc

hình học khá giống nhau. Pha B1a1 có tính đối xứng thấp hơn và có năng lượng

thấp hơn (nên ổn định hơn) pha B2cb. Tuy nhiên giá trị chênh lệch năng lượng giữa

2 pha là rất nhỏ chỉ~ 0.04904eV cho 1 nhóm (Bi4Ti3O12) gồm 19 nguyên tử. Kết quả này phù hợpvới nghiên cứu tính toán trước đây của Shrinagar[33] và góp phần

giải thích tại sao có nhiều kết quả thực nghiệm cho rằng Bi4Ti3O12 tồn tại ở pha Orthorhombic (có phân cực theo trục a) trong khi một số kết quả khác lại cho rằng

nó tồn tại ở pha Monoclinic (có phân cực theo cả 2 trục a và c) [1,4,9,14,16,28].

2. Tính chất điện tử của Perovskite Bismuth titanate ở phaOrthorhombic pha tạp

kim loại kiềm dạng (Bi0.5M0.5)4Ti3O12 (với M là Li, Na, K, Rb, Cs và Fr) đã được nghiên cứu tính toán. Mật độ trạng thái, cấu trúc vùng năng lượng, độ rộng khe

năng lượng, độ dài và góc liên kết, phân bố điện tích nguyên tử Mulliken đã được

phân tích chi tiết. Các kết quả tính toán này chỉ ra rằngcác kim loại kiềm pha tạp

ảnh hưởng mạnh đến tính chất điện tử của vật liệu Bismuth titanate:

2.1. Khe năng lượng có xu hướng tăng theo chiều tăng số nguyên tử của các

kim loại kiềm pha tạp từ 1.783eV với pha tạp Li đến 2.544eV với pha tạp Fr

2.2. Khi pha tạp Li, Na, K và Rb, mức Fermi ở gần vùng dẫn hơn vùng hóa trị.

Mức Fermi ở giữa khi pha tạp Cs và ở gần vùng dẫn hơn khi pha tạp Fr

43

2.3. Khi pha tạp Li và Na, các khối bát diện (TiO6) bị biến dạng mạnh làm tăng tính phân cực theo cả 3 trục a, b, và c.

2.4. Khi pha tạp K khối bát diện giữa gần như hoàn hảo. Tuy nhiên, các khối bát

diện trên và dưới vẫn bị biến dạng nhiều và trục thẳng đứngbị lệch nên vẫn còn

tính chất phân cực đáng kể.

2.5. Khi pha tạp Rb khối bát diện giữa gần như hoàn hảo. Ti(2) ở khối bát diện

trên bị dịch lên và ngược lại Ti(2’) ở khối bát diện dưới bị dịch xuống với các

khoảng dịch chuyển bằng nhau. Hơn nữa, các khối bát diện trên và dưới này có

các trục theo phương gần như thẳng đứng dẫn tới sự phân cực theo trục c bị triệt

tiêu. Như vậy sự phân cực trong vật liệu pha tạp Rb là không đáng kể theo tất cả

các trục.

2.6. Khi pha tạp Cs và Fr, Ti ở bát diện giữa bị lệnh một lượng nhỏ theo trục a.

Ti ở các khối bát diện trên và dưới ít bị lệnh khỏi tâm theo phương thẳng đứng,

tuy nhiên các trục nối giữa Ti(2)-O(3) và Ti(2’)-O(3’) bị nghiêng khá nhiều so

với phương thẳng đứng dẫn tới sự phân cực mạnh.

Như vậy, chúng ta có thể pha tạp kim loại kiềm để điểu khiển cấu trúc điện tử,

độ rộng khe năng lượng, mức Fermi và tính chất phân cực của vật liệu Perovskite

Bismuth titanate. Như đã biết, trong các ứng dụng quang xúc tác việc điều khiển

khe năng lượng của vật liệu là rất quan trọng.Do đó, việc điều khiển được cấu trúc

điện tửvà độ rộng khe năng lượng của Perovskite Bismuth titanatebằng cách pha tạp

kim loại kiềm sẽ mang đến nhiều tiềm năng ứng dụng trong lĩnh vực quang xúc

tác.Ngoài ra, tính chất phân cực của vật liệu Bismuth titanatenày cũng có thể được

điều chỉnh theo từng trục,phụ thuộc vào loại kim loại kiềm pha tạp,điều này có thể

44

được ứng dụng cho bộ nhớ, máy biến năng, tụ điện và các thiết bị áp điện.

TÀI LIỆU THAM KHẢO

Tiếng Anh

[1] B. Aurivillius, Arkiv fur Kemi,1 [58] (1949)499

[2] L. H. Bac, L.T. H. Thanh, N.V. Chinh, N.T. Khoa, D.V. Thiet, T.V. Trung and D.D. Dung, Mater. Lett.164 (2016) 631

[3] S. Chuanying, Z. Huaijin, Z. Yuanyuan, X. Honghao, Y. Haohai, W. Jiyang, Z., Shujun Crystals. 4 (2014) 141

[4] K. R. Chakraborty, S. N. Achary, S. J. Patwe, P. S. R. Krishna, A. B. Shinde,and A. K. Tyagi, “Low temperature neutron diffraction studies on Bi4Ti3O12”, Ceramics International, 33 (2007) 601–604

spontaneous polarziations

[5] U. Chon, H. M. Jang, M. G. Kim, and C. H. Chang, “Layered perovskites for nonvolatile memories”,Physical withgiant ReviewLetters89(2002) 087601

[6] U. Chon, J. S. Shim, and H. M. Jang, “Ferroelectric properties and titanate”,Journal of crystalstructure of paraseodymium-modified bismuth AppliedPhysics93(2003)4769

[7] M. Chen, Z. L. Liu, Y. Wang, C. C. Wang, X. S. Yang, and K. L. Yao, “Ferroelectricproperties and microstructures of Sm-doped Bi4Ti3O12 ceramics”, Physica B: Consensed Matter352(2004)61

[8] Y. L. Du, G. Chen, and M. S. Zhang, “Raman study of low-temperature phase transitions in polycrystalline Bi4Ti3O12 thin films”, Chinese Physics Letters, 21 (2004) 1819

[9] Dorrian, J. F., Newnham, R. E.& Smith, D. K.,Ferroelectrics3(1971) 17

[10] Sh. M. Efendiev, T. Z. Kulieva, V. A. Lomonov, M. I. Chiragov, M. Grandolfo, P. Vecchia, Physica status solidi (a) 74 (1982) K17

[11] J. R. Esquivel-Elizondo, B. B. Hinojosa, and J. C. Nino, Chem. Mater.23 (2011) 4965

[12] T. Hirata and T. Yokokawa, Solid State Comminucations104 (1997) 673

[13] Haiming Lu, PhD. Thesis, Imperial College of Science, Technology and Medicine, UK

45

[14] Hervoches C. H. and Lightfoot P., “A variable-temperature powder neutron diffraction study of ferroelectric Bi4Ti3O12”,Chem. Mater. 11(1999) 3359

[15] H. Ji, W. Ren, L. Wang, P. Shi, X. Chen, X. Wu, X. Yao, S.T. Lau, Q. Zhou and K.K. Shung,“Lead-free BNT composite film for high-frequency broadband ultrasonic transducer applications”,IEEETrans. on Ultrason. Ferroelect. Freq. Control60 (2013) 1533

[16] M. K. Jeon, Y. Kim, and S. I. Woo, “Structure study of Bi4Ti3O12 using neutronpowder diffraction data”,Journal of Matererial Science Letter22 (2003) 1655

[17] M. Kemiha, E. Olmos, W. Fei, S. Poncin, and H. Z. Li,“Passage of a single bubble through a liquid-liquid interface”,Ind. Eng. Chem. Res.46 (2007) 6099

[18] T. Kidchob, L. Malfatti, D. Marongiu, S. Enzo, and P. Innocenzi, J. Am. Ceram. Soc.93 (2010) 2897

[19] S. S. Kim, J. C. Bae, and W. J. Kim. Fabrication and ferroelectric studies of(Bi, Gd)4Ti3O12 thin films grown on Pt/Ti/SiO2/Si and p-type Si substrates, Journal of Crystal Growth274 (2005)

[20] S. Lardhi, D. Noureldine, M. Harb, A. Ziani, L. Cavallo, and K. Takanabe, The J. of Chem. Phys.144 (2016) 134702 [21] P. Lightfoot, and C. H. Hervoches, 10th International Ceramics Congress - Part D, Advances in Science and Technology, 33, 623-630 (2003). Ed. P. Vincenzini, Techna. ISBN: 88-86538-35-9

[22] FengLiu, OliviaWahyudi, YiqingLu, YongxiangLi, “A new Na0.5Bi0.5TiO3 based lead-free piezoelectric system with calculated end-member Bi(Zn0.5Zr0.5)O3”, Ceramics International41 (2015) 31

MarlloryIsaza-Ruiz, JosephHenon,

[23] OlivierDurand-Panteix, GregoryEtchegoyen, FabriceRossignol, PascalMarchet, “Elaboration of lead-free Na0.5Bi0.5TiO3–BaTiO3 (NBT-BT) thick films by aerosol deposition method (ADM)”, Ceramics International42 (2016) 14635

[24] Y. Noguchi, I. Miwa, Y. Goshima, and M. Miyayama, “Defect control forlarge remanent polarization in bismuth titanate ferroelectrics-doping effectof hihger- valent cations”,Japanese Jounal of Applied Physics39 (2000) 1259

[25] B. H. Park, B. S. Kang, S. D. Bu, T. W. Noh, J. Lee, W. Jo,“Lanthanum- substituted bismuth titanate for use in non-volatile memories”,Nature401 (1999) 682

46

[26] J. S. Patwardhan and M. N. Rahaman, J. Mater. Sci.39 (2004) 133

[27] T. A. Plutenko, O. I. V’yunov, A. G. Belous, O. Z. Yanchevskii, “Semi-oxalate synthesis of (1−x)BaTiO3−xM0.5Bi0.5TiO3 (M = Li, Na, K) PTCR materials”, Journal of Advanced Ceramics5 (2016) 117

bismuth of

[28] A. D. Rae, J. G. Thompson, R. L. whithers, and A. C. Willis. “Structurerefinement strontium commensurately modulated tantalateBi2SrTa2O9”,Acta CrystallographicaB46(1990) 474 [29] J. F. Scott,“Applications of modern ferroelectrics”, Science315(2007)954

electronic structures and

of [30] Y. Shimakawa,Y. Kubo,“Crystal Bi4−xLaxTi3O12Bi4−xLaxTi3O12 ferroelectric materials”,Appl. Phys. Lett.79 (2001) 2791

[31] D. J. Santos, L. B. Barbosa, R. S. Silva, Z. S. MacEdo, Advances in Condensed Matter Physics 2013 (2013) 536754

[32] B. D. Stojanovic, C. O. Paiva-Santos, M. Cilense, C. Jovalekic, and Z. Z. Lazarevic, Materials Research Bulletin43 (2008) 7

[33] A. Shrinagar, A. Garg, R. Prasad, and S. Auluck, “Phase stability in titanate: a first-principles study”,Acta Crystallographica ferroelectricbismuth SectionA64(2008)368

[34] K. Uchino, Ferroelectric Devices Marcel Dekker, New York, 2000.

[35] S. H. Xu, W. F. Shangguan, J. Yuan, J. W. Shi, and M. X. Chen, Mater. Sci. Eng. B137 (2007) 108

[36] L. Wang, W. Ma, Y. Fang, Y. Zhang, M. Jia, R. Li, and Y. Huang, Proc. Environ. Sci.18 (2013) 547

[37] T. Watanabe, H. Funakubo, H. Osada, M. Uchida, and I. Okada, “The effectsof neodymium content and site occupancy on spontaneous polarizationof epitaxial (Bi4−xNdx)Ti3O12 films”,Journal of Applied Physics 98 (2005) 024110 [38] R. W. Wolfe and R. E. Newnham, “Rare earth bismuth titanates”,Journal ofElectrochemical Society116(1969)832

[39] W. F. Yao, H. Wang, X. H. Xu, X. F. Cheng, J. Huang, S. X. Shang, X. N. Yang, and M. Wang, Appl. Catal. A243 (2003) 185

[40] Zhang H., Lu M., Liu S., Xiu Z., Zhou G., Zhou Y., Qiu Z., Zhang A., and Ma Q.,“Preperationand photocatalytic properties of sillenite Bi12TiO20 film”,Surf. Coat. Technol.202 (2008) 4930

and Zr of La substituted Bi4Ti3O12

47

[41] S. T. Zhang, Y. F. Chen, J. Wang, G. X. Cheng, Z. G. Liu, and N. B. Ming, “Ferroelectric thin properties films”,AppliedPhysics Letters84(2004) 3660

Tiếng Việt

[42] Nguyễn Thị Len, “Nghiên cứu điều khiển khe năng lượng của Graphene sử dụng cấu trúc lai Armchair-Zigzag”, Luận văn Thạc sỹ khoa học, Trường Đại học Khoa học Tự Nhiên – ĐHQGHN, 2017

[43] Nguyễn Thị Thủy, “Tính toán phổ dao động của D-Glucose bằng phương pháp DFT”, Luận văn Thạc sỹ khoa học, Trường Đại học Khoa học Tự Nhiên – ĐHQGHN, 2015

Trang Web

[44] https://www.uam.es/personal_pdi/ciencias/jcuevas/Talks/JC-Cuevas-DFT.pdf

[45] http://accelrys.com/products/collaborative-science/biovia-materials-studio/

48

[46] https://arxiv.org/pdf/1004.2974.pdf