BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM TP.HCM KHOA VẬT LÍ

ĐỀ TÀI:

MỘT SỐ CÂU HỎI TRẮC NGHIỆM KHÁCH QUAN CHƯƠNG ĐIỆN TRƯỜNG – ĐIỆN THẾ - HIỆU ĐIỆN THẾ TRONG CHƯƠNG TRÌNH VẬT LÍ ĐẠI CƯƠNG

GVHD: THS TRƯƠNG ĐÌNH TÒA SVTH: BÙI THỊ HẢI LỚP: LÍ V-VT KHÓA: 31

Tp.HCM, Tháng 05/2010

LỜI CẢM ƠN

Trong năm năm học vừa qua, em đã tích lũy được rất nhiều kiến thức chuyên môn cũng như kĩ năng sư phạm. Đây chính là hành trang quí báu nhất để em có thể tự tin bước vào nghề và thành công trong sự nghiệp trồng người. Em đạt được thành quả này là nhờ sự hướng dẫn và dạy bảo nhiệt tình của các thầy cô cùng sự giúp đỡ của bạn bè. Trước những công lao to lớn đó, em không biết nói gì hơn, chỉ kính mong gửi lời cảm ơn chân thành và sâu sắc đến:

 Các thầy cô trong trường Đại học Sư phạm Tp.HCM đã tạo điều kiện tốt nhất để chúng em

học tập tốt trong thời gian vừa qua.

 Thầy Trương Đình Tòa đã hết sức nhiệt tình hướng dẫn, giúp đỡ em hoàn thành đề tài này.  Tập thể lớp Lí năm nhất hệ cử nhân và chính qui đã nhiệt tình cộng tác để em hoàn thành

phần thực nghiệm sư phạm.

 Tập thể Lí V- VT đã nhiệt tình đóng góp ý kiến.  Thư viện trường Đại học Sư phạm Tp.HCM đã tạo điều kiện để em có đầy đủ tài liệu thực

hiện đề tài này. Trong quá trình hoàn thành đề tài này, tuy đã cố gắng hết sức nhưng chắc hẳn em không tránh khỏi những sai sót. Em rất mong nhận được sự ủng hộ, đóng góp ý‎ kiến của thầy cô cùng các bạn.

DANH SÁCH CÁC TỪ VIẾT TẮT TRONG LUẬN VĂN

VIẾT TẮT

VIẾT ĐẦY ĐỦ

AD B GV H PTKQ KS Tp.HCM TNKQNLC SV VD

Áp dụng Biết Giáo viên Hiểu Phân tích kết quả Khảo sát Thành phố Hồ Chí Minh Trắc nghiệm khách quan nhiều lựa chọn Sinh viên Vận dụng

PHẦN MỞ ĐẦU

I. LÍ DO CHỌN ĐỀ TÀI: Ngày nay, xã hội càng phát triển thì chất lượng giáo dục càng được quan tâm. Đó cũng chính là lí do khiến chúng ta chú ‎ý nhiều hơn tới các hình thức kiểm tra, đánh giá trong học tập. Một trong những hình thức đó là trắc nghiệm khách quan. Ở các nước phát triển trên thế giới, trắc nghiệm khách quan đã được hình thành và phát triển trước đây một thời gian khá lâ u. Đối với Việt Nam, với mục đích xây dựng một nền giáo dục đổi mới và hoàn thiện hơn, trắc nghiệm cũng đã được đưa vào sử dụng ở các trường phổ thông, cũng như bậc đại học. Đặc biệt, đối với các môn tự nhiên, hình thức trắc nghiệm khách quan đã được áp dụng trong các kì thi tuyển đại học. Không phải ngẫu nhiên mà hình thức thi trắc nghiệm khách quan lại thu hút được nhiều sự quan tâm đến vậy mà bởi vì những ưu điểm điển hình của nó như: Hình thức trắc nghiệm khách quan cho kết quả phản hồi nhanh, chính xác, bao quát kiến thức rộng và phát huy được yếu tố công bằng, vô tư, có thể ngăn ngừa nạn học tủ, học vẹt và gian lận trong thi cử. Trắc nghiệm là một dụng cụ đo lường khả năng của người học có phạm vi áp dụng rộng rãi ở các cấp học và rất nhiều lĩnh vực của cuộc sống. Chính vì vậy mà nhiệm vụ đặt ra cho những người thực hiện công tác giáo dục đó là phải trau dồi kiến thức, kĩ năng đánh giá, soạn thảo các câu trắc nghiệm đạt tiêu chuẩn. Nhưng điều đó thực sự không đơn giản khi mà các tài liệu bổ trợ để soạn thảo một bài trắc nghiệm thật khoa học, khách quan đặc thù cho từng môn học, phù hợp với từng mục tiêu học tập cụ thể lại rất ít. Để soạn một câu trắc nghiệm thì không khó, nhưng để soạn một câu trắc nghiệm có thể kiểm tra, đánh giá cũng như phân loại được trình độ của người học thì đòi hỏi khá nhiều công sức của người soạn thảo. Với mong muốn được thử sức mình và góp một phần nhỏ kinh nghiệm trong việc soạn thảo và đưa vào sử dụng các câu hỏi trắc nghiệm, em đã chọn đề tài :” Một số câu hỏi trắc nghiệm khách quan chương Điện trường - Điện thế - Hiệu điện thế trong chương trình vật lí đại cương.” Đề tài này một mặt góp phần giúp cho việc thu thập những phản hồi về việc học chương trình điện đại cương c hương” Điện trường - Điện thế - Hiệu điện thế” của sinh viên năm nhất hệ cử nhân và chính qui, mặt khác em cũng có cơ hội tìm hiểu sâu hơn và được thực hành rèn luyện về phương pháp trắc nghiệm khách quan để có thể ứng dụng cho công việc dạy học trong tương lai. II. NHIỆM VỤ NGHIÊN CỨU CỦA ĐỀ TÀI: – Nghiên cứu một số hình thức phổ biến của đo lường đánh giá, các vấn đề của kĩ thuật trắc nghiệm. – Phân tích nội dung, xây dựng mục tiêu nhận thức cần đ ạt được cho các kiến thức chương "Điện trường - Điện thế - Hiệu điện thế". – Xây dựng hệ thống 48 câu hỏi trắc nghiệm khách quan nhiều lựa chọn trong chương "Điện trường - Điện thế - Hiệu điện thế". – Phân tích đánh giá kết quả thu được để đưa ra những nhận xét về trình độ kiến thức của SV năm nhất về chương " Điện trường - Điện thế- Hiệu điện thế ". III. ĐỐI TƯỢNG NGHIÊN CỨU CỦA ĐỀ TÀI:

– Quá trình dạy học chương "Điện tr ường - Điện thế - Hiệu điện thế" trong chương trình vật lí đại cương của SV đại học sư phạm TP.HCM. – Xây dựng và sử dụng hệ thống câu hỏi trắc nghiệm khách quan. IV. PHẠM VI NGHIÊN CỨU CỦA ĐỀ TÀI.

Xây dựng hệ thống câu hỏi trắc nghiệm khách quan theo các mức độ nhận thức ở chương " Điện trường và điện thế- hiệu điện thế " và thực nghiệm đánh giá 143 SV hệ chính quy và 63 SV hệ cử nhân khóa 35 của trường Đại học sư phạm TP.HCM. V. PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU – Phương pháp nghiên cứu luận. – Phương pháp nghiên cứu điều tra, phỏng vấn. – Phương pháp nghiên cứu thực nghiệm. – Phương pháp bổ trợ (phần mềm xử lý thống kê Test và phần mềm đảo đề). – Phương pháp thống kê toán học.

PHẦN NỘI DUNG CHƯƠNG I CƠ SỞ LÝ LUẬN VỀ KIỂM TRA–ĐÁNH GIÁ BẰNG TRẮC NGHIỆM KHÁCH QUAN

I. TỔNG QUAN VỀ ĐO LƯỜNG VÀ ĐÁNH GIÁ: 1.1 Nhu cầu đo lường và đánh giá trong giáo dục: - Trong cuộc sống thường ngày, nhu cầu về đo lường và đánh giá chiếm một tỉ lệ lớn. Con người luôn phải đối chiếu các hoạt động đang triển khai với các mục đích đã định, hoặc thẩm định với các kết quả đã làm để từ đó cải tiến.

- Muốn đánh giá được chính xác thì phải đo lường trước. Không có số đo thì không thể đưa ra n hững

nhận xét hữu ích.

- Trong giáo dục, việc đo lường và đánh giá đóng vai trò rất quan trọng bởi nhờ đó mà giáo viên hiểu được trình độ, khả năng tiếp thu của học sinh, từ đó đề ra hình thức dạy học phù hợp với từng đối tượng học sinh nhằm phát huy tính tích cực của học sinh và nâng cao hiệu quả dạy và học.

1.2 Các dụng cụ đo lường:

Trong giáo dục, dụng cụ đo lường chính là các hình thức kiểm tra đánh giá. Một dụng cụ đo

lường tốt cần có trước hết những đặc điểm : tính tin cậy và tính giá trị.

Câu 2 lựa chọn

Quan sát

Câu điền khuyết

Trắc nghiệm khách quan

Câu nhiều lựa chọn

Viết

Trắc nghiệm

Câu ghép cặp

Báo cáo khoa học

Luận đề

Tiểu luận

Vấn đáp

Từ trước đến nay trong giáo dục đã có những hình thức đo lường kết quả học tập cơ bản như sau:

1.3 Đối chiếu giữa hình thức luận đề và trắc nghiệm khách quan: 1.3.1 Sự giống nhau giữa luận đề và trắc nghiệm

- Có thể đo lường mọi thành quả học tập quan trọng. - Có thể được sử dụng để thuyết trình học sinh học tập nhằm đạt các mục tiêu: Hiểu biết các nguyên lý, tổ chức và phối hợp các ý tưởng, ứng dụng kiến thức trong việc giải quyết các vấn đề. - Đều đòi hỏi sự vận dụng ít nhiều phán đoán chủ quan. - Giá trị của chúng phụ thuộc vào tính khách quan và đáng tin cậy của chúng. Cả trắc nghiệm lẫn luận đề đều có thể sử dụng để : - Đo lường mọi thành quả học tập mà một bài khảo sát viết có thể đo lường được. - Khảo sát khả năng hiểu và áp dụng các nguyên lý. - Khảo sát khả năng suy nghĩ có phê phán. - Khảo sát khả năng giải quyết các vấn đề mới. - Khảo sát khả năng lựa chọn các sự kiện thích hợp và các nguyên tắc để phối hợp chúng lại với nhau

nhằm giải quyết các vấn đề phức tạp.

- Khuyến khích học tập để nắm vững kiến thức. 1.3.2 Sự khác nhau giữa luận đề và trắc nghiệm:

TRẮC NGHIỆM KHÁCH QUAN – Thí sinh chỉ cần lựa chọn câu trả lời đúng nhất trong các câu trả lời cho sẵn. – Số câu hỏi trong một bài nhiều, có tính chuyên biệt. –Thí sinh dùng nhiều thời gian để đọc và suy nghĩ. – Chất lượng bài xác định phần lớn do kĩ năng của người soạn thảo. –Bài thi khó soạn, chấm và cho điểm tương đối dễ dàng và chính xác. –Thí sinh tự do chứng tỏ mức độ hiểu biết của mình qua tỷ lệ câu làm đúng, người soạn thảo tự do bộc lộ kiến thức của mình qua việc đặt câu hỏi. –Cho phép đôi khi khuyến khích sự phỏng đoán. –Sự phân bố điểm hầu như hoàn toàn quyết định do bài trắc nghiệm.

LUẬN ĐỀ – Thí sinh phải tự mình soạn ra câu trả lời và diễn tả bằng ngôn ngữ của chính mình. – Số câu hỏi trong một bài tương đối ít, có tính tổng quát. –Thí sinh bỏ ra phần lớn thời gian để suy nghĩ và viết. –Chất lượng bài không những phụ thuộc vào bài làm của thí sinh mà còn phụ thuộc vào kĩ năng của người chấm bài. –Bài thi tương đối dễ soạn, khó chấm, khó cho điểm chính xác. –Thí sinh tự bộc lộ cá tính của mình trong câu trả lời, người chấm bài cho điểm theo các đáp án sẵn và theo xu hướng riêng của mình. –Cho phép và đôi khi khuyến khích sự "lừa phỉnh". –Sự phân bố điểm kiểm soát một phần do người chấm. Theo ý kiến của các chuyên gia về trắc nghiệm, ta nên sử dụng luận đề và trắc nghiệm để khảo sát

kết quả học tập trong những trường hợp dưới đây:

TRẮC NGHIỆM KHÁCH QUAN – Khi ta cần khảo sát thành quả học tập của một số đông học sinh, hay muốn bài khảo sát thấy có thể sử dụng vào một lúc khác. – Khi ta muốn có những điểm số đá ng tin cậy, không phụ thuộc vào chủ quan của người chấm bài. – Khi những yếu tố công bằng, vô tư chính xác là những yếu tố quan trọng nhất của việc thi cử. – Khi có nhiều câu trắc nghiệm tốt đã được dự trữ sẵn để có thể lựa chọn và soạn lại một bài trắc nghiệm mới, và muốn chấm nhanh để sớm công bố kết quả. – Khi muốn ngăn ngừa nạn học tủ, học vẹt và gian lận thi cử.

LUẬN ĐỀ – Khi nhóm học sinh dự thi hay kiểm tra không quá đông và đề thi ch ỉ được sử dụng một lần không dùng lại nữa. – Khi giáo viên tìm mọi cách có thể được để khuyến khích và khen thưởng sự phát triển kỹ năng diễn tả bằng văn viết. – Khi giáo viên muốn thăm dò thái độ hay tìm hiểu tư tưởng của học sinh về một vấn đề nào đó hơn là thành quả học tập của chúng. – Khi giáo viên tin tưởng vào tài năng phê phán và chấm bài luận đề một cách vô tư và chính xác hơn là vào khả năng soạn thảo những câu trắc nghiệm tốt. – Khi không có nhiều thời gian cho soạn thảo và khảo sát nhưng lại có nhiều thời gian cho chấm bài.

II. CÁC BƯỚC SOẠN THẢO MỘT BÀI TRẮC NGHIỆM Để soạn thảo một bài trắc nghiệm cần thực hiện 6 bước cơ bản sau:

- Bước 1: Xác định mục đích bài kiểm tra. - Bước 2: Phân tích nội dung, lập bảng phân tích nội dung. - Bước 3: Xác định mục tiêu học tập. - Bước 4: Thiết kế dàn bài trắc nghiệm. - Bước 5: Lựa chọn câu hỏi cho bài trắc nghiệm. - Bước 6: Trình bày bài kiểm tra. 2.1 Xác định mục đích bài kiểm tra:

Trắc nghiệm có thể phục vụ cho nhiều mục đích khác nhau. Tùy theo từng mục đích, mà bài trắc

nghiệm sẽ có nội dung, mức độ khó dễ của bài, số lượng câu và thời gian làm bài thích hợp. Ví dụ: + Bài thi cuối kì nhằm mục đích phát hiện ra được sự khác biệt giữa các học sinh giỏi và kém. + Bài kiểm tra thông thường nhằm mục đích kiểm tra những hiểu biết tối thiểu về phần nào đó. + Mục đích chuẩn đoán, tìm ra những chỗ mạnh, chỗ yếu của HS để giúp ta quy hoạch việc giảng dạy có hiệu quả hơn. + Mục đích tập luyện, hiểu thêm bài học, làm quen với lối thi trắc nghiệm.... 2.2 Phân tích nội dung, lập bảng phân tích nội dung chương trình cần kiểm tra: 2.2.1 Các bước phân tích nội dung: Phân tích nội dung gồm 4 bước: – Tìm ra những ý tưởng chính yếu của nội dung cần kiểm tra.

– Tìm ra những khái niệm quan trọng để đem ra khảo sát trong các câu trắc nghiệm (tức là lựa chọn những từ, nhóm chữ, ký hiệu mà học sinh cần giải nghĩa). – Phân loại hai hạng thông tin: (1) Những thông tin nhằm mục đích giải nghĩa hay minh họa và (2)

những khái luận quan trọng để lựa chọn những điều quan trọng mà học sinh cần phải nhớ.

– Lưạ chọn một số thông tin và ý tưởng đòi hỏi học sinh phải có khả năng ứng dụng những điều đã biết để giải quyết vấn đề trong những tình huống mới.

2.2.2 Bảng phân tích nội dung:

Nội dung Sự kiện Khái niệm Ý tưởng quan trọng (quy luật)

Đề mục

2.3 Xác định mục tiêu học tập: 2.3.1 Tầm quan trọng của việc xây dựng mục tiêu:

Xác định mục tiêu cụ thể cho từng môn học hay chương trình học là vô cùng quan trọng. Xây dựng mục tiêu có nghĩa là phải xác định những tiêu chí, kỹ năng, kiến thức học sinh cần đạt khi kết thúc chương trình đào tạo và sau đó xây dựng quy trình công cụ đo lường, đánh giá xem học sinh có đạt được những tiêu chí đó không. 2.3.2 Những lợi điểm khi khi xác định rõ ràng các mục tiêu cần đạt: - Tạo dễ dàng cho việc kiểm tra và chấm điểm công bằng. - Mục đích của môn học, nội dung môn học và qui trình đánh giá vừa nhất quán vừa quan hệ chặt chẽ

với nhau.

- Mục tiêu cho phép người đánh giá xác định hoạt động giảng dạy và tài liệu học tập nào có hiệu quả. - Cho thấy rõ ràng sự đối chiếu kết quả đào tạo giữa nội dung giảng viên truyền đạt và nội dung học

sinh tiếp thu và có thể thực hành được.

- Mô hình giảng dạy hợp lí phải xác định được trình tự giữa mục tiêu và nội dung. - Khuyến khích học sinh tự đánh giá vì họ biết phải đạt cái gì. - Hỗ trợ hiệu quả việc học của học sinh và giảm bớt lo lắng vì có hướng dẫn và xác định rõ các tri thức

ưu tiên trong giảng dạy.

- Học sinh hiểu rõ các môn học có liên thông với nhau và gắn với mục đích đào tạo. 2.3.3 Đặc điểm của mục tiêu học tập:

Mục tiêu học tập phải cụ thể, có thể đo được, có thể đạt được, phải hướng vào kết quả, phải giới

hạn thời gian. 2.3.4 Phân loại mục tiêu giảng day: - Theo Bloom, mục tiêu thuộc lĩnh vực nhận t hức có 6 mức độ từ thấp đến cao: Biết, thông hiểu, áp dụng, phân tích, tổng hợp và đánh giá. - Một số hành động ứng với từng mức độ nhận thức của Bloom: KIẾN THỨC Định nghĩa Thuật lại Mô tả Viết

Nhớ lại Tìm kiếm Chỉ ra Kể ra Kể lại Tóm lược Gọi tên Tìm ra cái phù hợp Phát biểu

So Sánh Suy luận Phân biệt Đối chiếu Đánh giá Tóm tắt

Cắt nghĩa Minh họa Chỉ rõ Đọc

Vận Dụng Hoàn thiện

Thiết kế Chứng minh Làm Điều khiển Tính toán Ghi lại Tìm ra Thay đổi Sắp xếp thứ tự

Tìm ra Lập giả thuyết Chọn lọc Phân loại Phân cách Tách bạch So sánh Đối chiếu Phân chia

Đặt kế hoạch Giảng giải Thiết kế Kết luận Tổ chức Kể lại Soạn Đề xuất Làm ra

Đánh giá Tranh luận Xác định Thảo luận Phán đoán Ủng hộ So sánh Cân nhắc Bảo vệ

Nhận biết Lựa chọn Chỉ rõ vị trí THÔNG HIỂU Giải thích Chỉ ra Cho ví dụ Trình bày ÁP DỤNG Sử dụng Giải quyết Dự đoán Ước Tính PHÂN TÍCH Phân tích Phân biệt Lập sơ đồ TỔNG HỢP Tạo nên Kết hợp Thực hiện ĐÁNH GIÁ Chọn Quyết định Phê phán 2.4 Thiết kế dàn bài trắc nghiệm: - Dàn bài trắc nghiệm thành quả học tập là bảng dự kiến phân bố hợp lí các câu hỏi của bài trắc nghiệm theo mục tiêu (hay quá trình tư duy) và nội dung của môn học sao cho có thể đo lường chính xác các khả năng mà ta muốn đo.

- Giáo viên cần chú ý các vấn đề liên quan đến dàn bài trắc nghiệm:

+ Tầm quan trọng thuộc phần nào, ứng với mục tiêu nào. + Cần trình bày câu hỏi dưới hình thức nào để có hiệu quả nhất. + Xác định trước mức độ khó dễ của bài trắc nghiệm…

- Thiết kế dàn bài trắc nghiệm nhằm quy định số câu trắc nghiệm cho mỗi phần và lập bảng quy định

hai chiều để thể hiện số câu và tỉ lệ % cho từng nội dung mục tiêu nhận thức.

- Minh họa thiết kế dàn bài trắc nghiệm:

Nội Dung A B C D Tổng cộng Tỉ lệ Mục Tiêu

4 6 11 21 20% 28% 52% 100% 2 5 3 10 3 2 10 15 10 14 26 50 1 1 2 4

Biết Hiểu Áp Dụng Tổng Cộng - Số câu của một bài trắc nghiệm tùy thuộc vào lượng thời gian dành cho việc kiểm tra. Thời gian càng dài thì số câu càng nhiều.

+ Bài kiểm tra từ 80-100 phút số câu có thể từ 40 đến 50 câu. + Bài kiểm tra khoảng 2 giờ số câu có thể từ 60 câu trở lên.

2 phút cho một câu nhiều lựa chọn 1 phút cho câu đúng - sai.

Cấu trúc Đặc điểm cơ bản III. CÁC HÌNH THỨC CÂU TRẮC NGHIỆM. 3.1. Các loại câu trắc nghiệm cơ bản: –Loại câu hai lựa chọn. –Loại câu nhiều lựa chọn. –Loại đối chiếu cặp đôi. –Loại câu ghép cặp. Hình thức câu trắc nghiệm

Gồm 2 phần: - Phần gốc: Một câu phát biểu - Phần lựa chọn: Đúng (Đ)-Sai(S)

Câu hai lựa chọn

Câu nhiều lựa chọn

Gồm 2 phần : - Phần gốc: là một câu hỏi hay câu bỏ lửng. - Phần lựa chọn : Một lựa chọn đúng (đáp án), những lựa chọn còn lại là sai nhưng có vẻ đúng và hấp dẫn( mồi nhử, câu nhiễu)

Câu đối chiếu cặp đôi – Có thể đặt được nhiều câu trong một bài trắc nghiệm. – Là hình thức đơn giản nhất, có thể áp dụng rộng rãi – Độ may rủi 50%, nên khuyến khích đoán mò. – Phổ biến nhất hiện nay. – Độ phân cách lớn (nếu soạn thảo đúng kỹ thuật) – Độ may rủi thấp (25% với câu 4 lựa chọn, 20% với câu 5 lựa chọn.) – Càng nhiều lựa chọn, tính chính xác càng cao. – Số câu ở hai cột không bằng nhau – Các lựa chọn không quá dài làm mất thì giờ của học sinh.

Gồm 3 phần: - Phần chỉ dẫn cách trả lời - Phần gốc (cột 1): gồm những câu ngắn, đoạn, chữ… - Phần lựa chọn (cột 2): cũng gồm

Cấu trúc Đặc điểm cơ bản Hình thức câu trắc nghiệm

Câu điền khuyết

những câu ngắn, chữ, số… Có hai dạng: - Dạng 1: gồm những câu hỏi với lời giải đáp ngắn. - Dạng 2: Câu phát biểu với một hay nhiều chỗ để trống người trả lời điền vào một từ hay một nhóm từ

– Chỗ để trống điền vào chỉ có một đáp án duy nhất – Thường thể hiện ở mục tiêu nhận thức thấp.

3.2. Ưu, nhược điểm của loại câu nhiều lựa chọn: Ưu điểm:

+ Rất linh động có thể được trình bày dưới nhiều dạng khác nhau. + Có thể đánh giá những mục tiêu giảng dạy và học tập khác nhau. + Độ tin cậy cao, yếu tố đoán mò, may rủi của học sinh giảm. + Học sinh phải xét đoán và phân biệt kỹ càng khi trả lời câu hỏi. + Tính chất giá trị tốt hơn các loại câu khác, có thể dùng để đo lường mức độ đạt được nhiều

mục tiêu giáo dục.

+ Có thể phân tích được tính chất của câu hỏi, có thể xác định được câu nào là quá khó, mơ hồ

hay không giá trị đối với mục tiêu cần khảo sát.

+ Tính chất khách quan khi chấm. + Do đó hình thức nhiều lựa chọn cho phép sử dụng rộng rãi hơn.

Nhược điểm:

+ Khó soạn câu hỏi. + Không đo được khả năng phán đoán tinh vi và khả năng giải quyết vấn đề khéo léo một cách

hiệu nghiệm bằng câu hỏi tự luận..

+ Thí sinh tìm ra cách trả lời hay hơn nên họ không thỏa mãn với đáp án cho sẵn. + Đôi khi câu hỏi đặt ra tối nghĩa, câu trả lời được cho là đúng thực sự là sai, các câu nhiễu được

cho là sai thực ra là đúng.

Kết luận: Thật ra không có bài trắc nghiệm nào là hoàn hảo. Vấn đề căn bản là các câu trắc nghiệm phải soạn thảo như thế nào để có hiệu quả nhất. Do những ưu điểm trên của câu trắc nghiệm nhiều lựa chọn so với các loại khác nên trong đề tài này đã sử dụng loại câu này cho cả hệ thống 48 câu trắc nghiệm. IV. ĐÁNH GIÁ KẾT QUẢ BÀI TRẮC NGHIỆM. 4.1. Phân tích câu trắc nghiệm. - Phân tích câu trắc nghiệm sẽ giúp người soạn thảo : + Biết được độ khó, độ phân cách của mỗi câu.

+ Biết được giá trị của đáp án và mồi nhử, đánh giá được câu trắc nghiệm. + Ra quyết định chọn, sửa hay bỏ câu trắc nghiệm ấy. + Làm gia tăng tính tin cậy ( hệ số tin cậy ) của bài trắc nghiệm.

- Để phân tích câu trắc nghiệm cần thực hiện 3 bước cơ bản sau:

+ Thẩm định độ khó của từng câu trắc nghiệm. + Xác định độ phân cách của từng câu trắc nghiệm. + Phân tích các mồi nhử, từ đó đưa ra kết luận chung. (Đồng ý hay phải sửa chữa).

=

4.1.1 Độ khó của câu trắc nghiệm: 4.1.1.1 Công thức tính:

Soá ngöôøi traû lôøi ñuùng caâu i Toång soá ngöôøi laøm baøi traéc nghieäm

P = Độ khó câu i

=

(0 ≤ P ≤ 1) P=0: Câu hỏi quá khó P=1: Câu hỏi quá dễ. Những câu hỏi loại này không có giá trị đánh giá, cần phải xem xét lại.

100%+% may ruûi 2

Độ khó vừa phải câu i

=

=

DKVP

0,625

+ 100% 25% 2

– Loại câu đúng –sai tỉ lệ may rủi :50% – Loại câu 4 lựa chọn tỉ lệ may rủi :25% – Loại câu 5 lựa chọn tỉ lệ may rủi :20% Đối với câu trắc nghiệm 4 lựa chọn thì độ khó vừa phải là:

ĐKVP

4.1.1.2 Các bước phân tích độ khó của câu. –Bước 1: Xác định độ khó của câu trắc nghiệm (ĐKC). –Bước 2: So sánh với độ khó vừa phải (ĐKVP) của câu trắc nghiệm ấy + ĐKC > ĐKVP ⇒ Câu trắc nghiệm dễ so với trình độ học sinh + ĐKC < ĐKVP ⇒ Câu trắc nghiệm khó so với trình độ học sinh . + ĐKC ≈ ĐKVP ⇒ Câu trắc nghiệm vừa sức so với trình độ học sinh

Câu trắc nghiệm vừa sức

Câu trắc nghiệm dễ

Câu trắc nghiệm khó

4.1.2 Độ phân cách câu trắc nghiệm (D)

4.1.2.1 Công thức tính : Sau khi đã chấm cộng điểm từng bài, để biết độ phân cách ta thực hiện : Bước 1 : Xếp bài của HS từ điểm thấp đến điểm cao. Bước 2 : Lấy 27% tổng số bài có điểm từ cao nhất trở xuống xếp vào nhóm cao. Lấy 27% tổng số bài

có điểm thấp nhất lên trên xếp vào nhóm thấp.

×

100%

D = Độ phân cách câu i =

Ñuùng (cao) - Ñuùng (thaáp) Soá ngöôøi trong moät nhoùm

Chú thích: Có thể tính độ phân cách của một số câu trắc nghiệm theo cách tương đương: Thực hiện bước 1 và 2 như mô tả trên, trong bước 3, tính tỉ lệ phần trăm học sinh làm đúng câu trắc nghiệm riêng cho từng nhóm (cao, thấp) bằng cách đếm số người làm đúng trong mỗi nhóm và chia cho số người của nhóm (số người mỗi nhóm = 27% tổng số bài làm học sinh). Sau đó thay vào công thức (bước 4):

Bước 3 : Đếm số người làm đúng trong mỗi nhóm, gọi là đúng (cao), đúng (thấp). Bước 4 :Tính D theo công thức:

D = Tỉ lệ % nhóm cao làm đúng câu trắc nghiệm- Tỉ lệ % nhóm thấp làm đúng câu trắc nghiệm.

≥ 0.4: Câu có độ phân cách rất tốt.

4.1.2.2 Ý nghĩa độ phân cách: Độ phân cách của một câu trắc nghiệm nằm trong giới hạn từ -1.00 đến +1.00

+ D + 0.3 ≤ D ≤ 0.39: Câu có độ phân cách khá tốt nhưng có thể làm cho độ phân cách tốt hơn. + 0.2 ≤ D ≤ 0.29 : Câu có độ phân cách tạm được, cần phải điều chỉnh + D ≤ 0.19 : Câu có độ phân cách kém, cần phải loại bỏ hay gia công sửa chữa. + D < 0 : Câu có độ phân cách âm, khi số HS nhóm thấp làm đúng câu i nhiều hơn số HS nhóm cao

làm đúng câu i

y

=

r s

2

2

2

2

y

x

)

)

(

∑ N x

∑ ∑ x   ∑ N y    

  

  

Chú ý: Trong luận văn này, đã sử dụng phần mềm Test. Độ phân cách D của câu có thể thay bằng hệ số tương quan câu hỏi-tổng điểm (rs ∑ N x.y ( ) ∑

x: Tổng điểm của HS trong nhóm. y: Điểm số mỗi câu

>0 : Câu hỏi phân biệt được học sinh giỏi-kém

• rs • r • r <0 : Điểm mỗi câu và tổng điểm không tương hợp với nhau. s s=0 : Câu hỏi không phân biệt được giữa điểm số cao và thấp.

4.1.3. Phân tích đáp án và mồi nhử: 4.1.3.1 Phân tích đáp án: - Đáp án là lựa chọn được xác định là đúng nhất trong số các lựa chọn của phần trả lời câu trắc nghiệm

(hoặc là giá trị đúng của mệnh đề trong câu Đúng- Sai)

- Câu trả lời đúng (đáp án) được coi là giá trị khi số học sinh trả lời đúng trong nhóm cao phải nhiều

hơn số học sinh trả lời đúng trong nhóm thấp (tương quan thuận).

4.1.3.2 Phân tích mồi nhử: - Mồi nhử là những lựa chọn được xác định là sai trong phần trả lời. - Một mồi nhử được gọi là tốt khi học sinh thuộc nhóm cao ít chọn nó, còn học sinh thuộc nhóm thấp

chọn nó nhiều hơn (tương quan nghịch).

4.1.4 Một số tiêu chuẩn để chọn được câu trắc nghiệm tốt: - Độ khó không quá cao hoặc quá thấp, đạt khoảng 40% hoặc 60% - Đối với đáp án, độ phân cách dương, khá cao. - Với các mồi nhử, số người trong nhóm cao chọn phải ít hơn số người trong nhóm thấp. 4.2 Phân tích bài trắc nghiệm: 4.2.1 Ứng dụng điểm số trung bình để đánh giá bài trắc nghiệm.

=

Mean LT

Ñieåm toái ña+Ñieåm may ruûi 2

× % may rủi)

(Điểm may rủi= Điểm tối đa - Đối với luận văn này có 48 câu loại 4 lựa chọn thì :

×

+

=

30

Điểm số trung bình tính trên toàn thể học sinh tham gia làm bài trắc nghiệm dùng để đánh giá bài trắc nghiệm vừa sức với học sinh hay khó hoặc dễ. Để thực hiện điều đó ta đối chiếu điểm trung bình làm bài của học sinh với điểm trung bình lý thuyết (trung bình mong đợi). 4.2.1.1 Điểm trung bình lý thuyết (Mean LT) - Công thức :

48 48 25% 2

Mean LT =

N

X

i

= i 1

Mean =

N

4.2.1.2 Điểm trung bình bài trắc nghiệm (Mean): - Công thức:

X N: Tổng số học sinh làm bài - Lưu ý: Tính điểm trung bình khi mỗi điểm số có hệ số khác nhau, ta nhân hệ số với điểm số trước khi cộng và mẫu số bây giờ là tổng các hệ số. Nếu là phân bố tần số, ta nhân từng điểm số với tần số sau đó mới cộng chúng lại. Tổng này sẽ chia với tổng các tần số, ta được Mean. 4.2.1.3 Đánh giá độ khó bài trắc nghiệm. - Để đánh giá độ khó bài trắc nghiệm căn cứ trên điểm trung bình, ta so sánh Mean và Mean LT:

i : Số điểm bài trắc nghiệm của học sinh thứ i

+ Mean>Mean LT ⇒Bài trắc nghiệm dễ so với trình độ học sinh. + Mean

+ Mean ≈ Mean LT⇒Bài trắc nghiệm vừa sức so với trình độ học sinh.

- Để chính xác hơn ta sử dụng trục số sau:

Khó

Dễ

Vừa Sức

Biên dưới

Biên trên

Với : Giá trị biên dưới = Mean –Z x S/ N

Giá trị biên trên = Mean +Z x S/ N

+ N: Số học sinh + Z: Trị số tùy thuộc vào xác suất tin cậy định trước. Ta thường chọn xác suất tin cậy 95% thì

Z=1.96. Nếu chọn mức xác suất cao hơn, tin cậy 99% thì Z= 2.58

+ S: Độ lệch tiêu chuẩn.(được xét trong phần sau)

Hàng số = Max - Min

4.2.2 Các số đo độ phân tán: Là các số đo tính chất biến thiên của điểm số quanh trung tâm. 4.2.2.1. Hàng số: - Công thức: Min : Điểm số thấp nhất Max: Điểm số cao nhất - Ý nghĩa: Hàng số cho biết độ phân tán điểm số của học sinh trong một lớp: +Nếu giá trị của hàng số lớn : các điểm số phân tán xa trung tâm. +Nếu giá trị của hàng số bé : các điểm số tập trung gần trung tâm.

2

2

=

X

i

i

)

∑ N X

= σ =

SD

( ∑ ) ( − N N 1

Ta thường dùng hàng số để so sánh mức phân tán điểm số giữa các lớp với nhau. Ngoài ra nó

i

: Tổng điểm bài trắc nghiệm câu i.

σlà nhỏ : điểm số tập trung quanh trung bình.

còn giúp chúng ta nhận xét chất lượng tiếp thu bài của hai hay nhiều lớp trong trường. 4.2.2.2 Độ lệch tiêu chuẩn.(SD) - Công thức : X N: Số người làm bài trắc nghiệm . - Công dụng: Độ lệch tiêu chuẩn là một số đo lường cho biết điểm số trong một phân bố lệch đi so với trung bình là bao nhiêu.

+ Nếu giá trị + Nếu giá trị σ là lớn: điểm số lệch xa trung bình.

- Dùng độ lệch tiêu chuẩn khi:

+ Cần so sánh mức phân tán hay đồng nhất của hai hay nhiều nhóm điểm số (cùng đơn vị đo và có

trung bình xấp xỉ bằng nhau)

+ Dùng độ lệch tiêu chuẩn để xét tính chất tượng trưng của trung bình cộng. Nếu hai hay nhiều phân bố gần giống nhau, có trung bình như nhau, phân bố nào có SD nhỏ nhất thì trung bình cộng của phân bố ấy có tính chất tượng trưng nhiều nhất.

+ Độ lệch tiêu chuẩn có thể giúp ta xác định vị trí của một điểm số trong phân bố.

= σ

SEM

− 1 r

σ : Độ lệch tiêu chuẩn bài trắc nghiệm r : hệ số tin cậy bài trắc nghiệm.

4.2.2.3 Sai số tiêu chuẩn đo lường.(SEM) - Công thức :

- Ý nghĩa:

=

R

TC

2* + 1

r XY r XY

Sai số này cho ta biết mức biến thiên mà ta có thể kỳ vọng ở điểm số của một học sinh nào đó mà

TC: Hệ số tin cậy

được khảo sát trên bài trắc nghiệm đó nhiều lần. 4.2.3 Hệ số tin cậy của bài trắc nghiệm: - Công thức tính (Công thức Spearman- Brown) Trong đó: R

X: Tổng điểm các câu lẻ. Y: Tổng điểm các câu chẵn RXY: Hệ số tương quan Pearson giữa X và Y trong bài Test.

- Nếu RTC > 0.8: Hệ số tin cậy của bài trắc nghiệm cao. - Nếu 0.7 < RTC < 0.8: Hệ số tin cậy của bài trắc nghiệm là tạm chấp nhận. - Nếu 0.5 < RTC < 0.7: Hệ số tin cậy của bài trắc nghiệm ở mức trung bình. Bài trắc nghiệm có nhiều câu hỏi cần phải chỉnh sửa. 4.3 Các loại điểm số trắc nghiệm. 4.3.1 Điểm thô: - Tổng cộng các điểm số từng câu trắc nghiệm được gọi là điểm thô. - Để so sánh giữa các bài trắc nghiệm có độ khó khác nhau, ta phải quy đổi điểm thô sang các loại điểm tiêu chuẩn khác. 4.3.2 Các loại điểm tiêu chuẩn: 4.3.2.1 Điểm phần trăm đúng: - Điểm số này tính bằng tỉ lệ phần trăm, theo công thức:

X=100 Đ/T

=

Z

− X X s

X: Điểm tính theo tỉ lệ phần trăm Đ : Số câu học sinh làm đúng T: Tổng số câu bài trắc nghiệm - Ý nghĩa: Điểm phần trăm đúng so sánh điểm của học sinh này với điểm số tối đa có thể đạt được. 4.3.2.2 Điểm Z (Z score):

X là điểm thô trung bình của nhóm làm trắc nghiệm. s: độ lệch tiêu chuẩn của nhóm làm trắc nghiệm. - Ý nghĩa: Điểm Z cho biết vị trí của một học sinh có điểm thô X so với trung bình của nhóm học sinh cùng làm bài trắc nghiệm. - Bảng Z : Cho ta tính ước lượng tỉ lệ % học sinh ở phía dưới hay phía trên một học sinh đạt điểm số Z nào đó. 4.3.2.3 Điểm tiêu chuẩn V - Căn bản giống điểm Z, nhưng quy về phân bố bình thường có trung bình là 5, độ lệch tiêu chuẩn là 2 (Với hệ thống điểm cho từ 0 →10).

Điểm tiêu chuẩn V= 2Z+5

X: là một điểm thô.

- Đề tài này đã quy đổi điểm bài TNKQ sang điểm tiêu chuẩn V (Xử lý bằng phần mềm Test).

CHƯƠNG II NỘI DUNG CHƯƠNG ĐIỆN TRƯỜNG VÀ ĐIỆN THẾ - HIỆU ĐIỆN THẾ PHẦN A: LÍ THUYẾT

I. ĐIỆN TÍCH- TƯƠNG TÁC GIỮA CÁC ĐIỆN TÍCH: 1.1 Điện tích: 1.1.1 Các loại điện tích:

Như chúng ta đều biết, một số vật khi đem cọ xát vào len, dạ, lụa, lông thú…sẽ có khả năng hút

được các vật nhẹ. Ta nói những vật này đã bị nhiễm điện hay trên vật đã có điện tích.

Trong tự nhiên có hai loại điện tích: điện tích dương và điện tích âm. Theo qui ước, điện tích dương là loại điện tích giống điện tích xuất hiện trên thanh thủy tinh sau khi cọ xát nó vào lụa; còn điện tích âm giống điện tích xuất hiện trên thanh ebonit sau khi cọ xát nó vào dạ. 1.1.2 Điện tích nguyên tố - Điện tích nguyên tố là điện tích nhỏ nhất đã được biết đến trong tự nhiên mà không thể bị tách ra thành lượng nhỏ hơn, có độ lớn là e= 1,6.10-19C. - Khi một vật bất kỳ mang điện, thì điện tích của nó luôn là một số nguyên lần điện tích nguyên tố q = ne. 1.1.3 Thuyết electron: - Ở trạng thái bình thường, số prôtôn và số electron trong nguyên tử là bằng nhau. Khi đó ta nói

nguyên tử trung hòa về điện.

- Nếu nguyên tử mất một hay vài electron, nó sẽ mang điện dương và trở thành ion dương. - Nếu nguyên tử nhận thêm electron, nó sẽ tích điện âm và trở thành ion âm. Quá trình nhiễm điện của các vật chính là quá trình các vật ấy thu thêm hay mất đi một số electron. - Thuyết electron dựa vào sự di chuyển của các electron để giải thích các hiện tượng về điện. 1.1.4 Chất dẫn điện và chất cách điện: - Theo tính chất dẫn điện, người ta phân biệt hai loại vật:

+ Vật dẫn: là những vật để cho điện tích chuyển động tự do trong toàn bộ thể tích của vật + Điện môi: là những vật mà điện tích xuất hiện ở đâu chỉ định xứ ở đó.

- Ngoài ra, còn có các chất bán dẫn điện là những chất ở điều kiện vật lí này nó là điện môi còn ở điều kiện vật lí khác nó là chất dẫn điện. 1.1.5 Ðịnh luật bảo toàn điện tích:

Tổng đại số các điện tích trong một hệ cô lập là không đổi.

1.2 Các cách nhiễm điện cho vật: - Sự nhiễm điện do cọ xát: Ta có thể làm cho các vật nhiễm điện bằng cách cọ xát chúng với nhau.

- Sự nhiễm điện do tiếp xúc: Một vật nhiễm điện bằng cách cho nó tiếp xúc với một vật khác đã nhiễm điện gọi là sự nhiễm điện do tiếp xúc. - Sự nhiễm điện do hưởng ứng: Khi đặt vật dẫn ở gần một vật mang điện thì trên hai đầu của vật dẫn xuất hiện các điện tích trái dấu. 1.3 Định luật Coulomb: 1.3.1 Điện tích điểm:

Điện tích điểm là một vật mang điện có kích thước nhỏ không đáng kể so với khoảng cách từ điện

tích đó tới những điểm hoặc những vật mang điện khác mà ta đang khảo sát. 1.3.2 Định luật Coulomb:

- Tương tác tĩnh điện: Các điện tích luôn luôn tương tác với nhau: Các điện tích cùng dấu đẩy nhau, các điện tích khác dấu hút nhau. Tương tác giữa các điện tích đứng yên được gọi là tương tác tĩnh điện (hay tương tác Coulomb)

 = F k

q q 1 2 3 r

- Định luật Coulomb: Lực tương tác giữa hai điện tích điểm, đứng yên tương đối với nhau trong chân không tỉ lệ với tích độ lớn của hai điện tích và tỉ lệ nghịch với bình phương khoảng cách giữa chúng. Lực tương tác có phương nằm trên đường thẳng vạch qua hai điện tích điểm, là lực đẩy nếu hai điện tích cùng loại, là lực hút nếu hai điện tích khác loại.  r

: giá trị đại số của hai điện tích (C)

2

Trong đó: q1, q2 r: khoảng cách giữa hai điện tích (m) k: hệ số tỉ lệ phụ thuộc vào hệ đơn vị

.N m 2 C

1 4πε 0

trái dấu

(a) q1, q2 cùng dấu

(b) q1, q2

k = = 9.109 , với ε0 = 8,86.10-12 C2/N.m2 gọi là hằng số điện.

=

 F

 r

q q 1 1 2 3 rπε ε 4 0

Trong môi trường điện môi, lực tương tác giữa các điện tích giảm đi ε so với lực tương tác giữa chúng trong chân không.

ε: Độ thẩm điện môi tỉ đối (hay hằng số điện môi ) của môi trường, đặc trưng cho tính chất điện của môi trường. 1.3.3 Nguyên lý chồng chất:

n

+ +

+

  = F F 1

 F 2

 ... F n

 F i

= ∑

= i 1

sẽ là: Giả sử có một hệ điện tích điểm q1, q2…,qn được phân bố gián đoạn trong không gian và một điện tích q0 đặt trong không gian đó. Gọi F1, F2,…,Fn lần lượt là các lực tác dụng của q1, q2…,qn lên điện tích q0. Các lực này được xác định bởi định luật Coulomb. Khi đó, lực tổng hợp tác dụng lên điện tích q0

Ðịnh luật Coulomb và nguyên lí chồng chất các lực điện, về nguyên tắc, cho phép ta tính được

=

 E

 F q 0

lực tương tác giữa các vật thể mang điện có kích thước, hình dạng và vị trí tương đối bất kì. II. ĐIỆN TRƯỜNG – CƯỜNG ĐỘ ĐIỆN TRƯỜNG: 2.1 Điện trường: Điện trường là môi trường vật chất đặc biệt bao quanh các điện tích mà bất cứ điện tích nào khác đặt trong nó đều chịu một lực tác dụng. Vận tốc lan truyền tương tác trong điện trường đúng bằng vận tốc ánh sáng. 2.2 Vectơ cường độ điện trường: 2.2.1 Định nghĩa : Vectơ cường độ điện trường tại một điểm là một đại lượng đặc trưng cho điện trường về phươn g diện tác dụng lực, có trị vectơ bằng lực tác dụng của điện trường lên một đơn vị điện tích dương đặt tại điểm đó.

V m

  

  

Trong hệ đơn vị SI, cường độ điện trường được tính bằng vôn trên mét

 E

=

2.2.2 Điện trường của một điện tích điểm:

 r

3

1 q rπε ε 4 0

- Vectơ cường độ điện trường gây ra bởi điện tích điểm q tại điểm M cách q một khoảng r:  E

 + Nếu q là điện tích dương (q>0), thì vectơ cường độ điện trường E

 bán kính vectơ r

 nghĩa là E

do nó gây ra sẽ cùng hướng với

hướng ra xa điện tích q.

 + Nếu q là điện tích âm (q<0), thì vectơ cường độ điện trường E

 bán kính vectơ r

 nghĩa là E

do nó gây ra sẽ ngược hướng với

hướng vào điện tích q.

=

E

2

q 1 rπε ε 4 0

- Cường độ điện trường tại điểm M tỉ lệ thuận với độ lớn của điện tích q và tỉ lệ nghịch với bình phương khoảng cách từ điểm đang xét tới điện tích q:

n

+ +

+

  = E E 1

 E 2

 ... E n

 E i

= ∑

= i 1

2.2.3 Điện trường của một hệ điện tích điểm - Nguyên lý chồng chất điện trường - Nguyên lí chồng chất của điện trường: "Vectơ cường độ điện trường gây bởi một hệ điện tích điểm tại một điểm nào đó bằng tổng các vectơ cường độ điện trường gây ra bởi từng điện tích điểm của hệ tại điểm đó.”

 Trong đó: E  iE

là vectơ cường độ điện trường gây ra bởi hệ điện tích điểm

. là vectơ cường độ điện trường gây ra bởi điện tích qi

 dE

- Trường hợp hệ điện tích được phân bố liên tục (chẳng hạn một vật mang điện có kích thước bất kì): Ta tưởng tượng chia vật mang điện thành những phần nhỏ, sao cho mỗi phần mang điện tích dq có thể

=

=

là vectơ cường độ điện trường do điện tích dq gây ra tại một

 E

4

 dq r 1 2 πε ε r r 0

toan bo vat

toan bo vat

coi như là một điện tích điểm. Gọi điểm M cách dq một khoảng r thì vectơ cường độ điện trường gây ra bởi vật mang điện tại M là:  dE

 E

= ∫

 λ dl r 1 2 πε ε r r 0

4C

)

(

+ Nếu vật mang điện là một dây (C) tích điện đều thì:

Với λ là mật độ điện dài của dây (C).

 E

 σ dS r 1 2 πε ε r r 0

= ∫ 4S

+ Nếu vật mang điện là một mặt (S) tích điện đều thì:

Với σ là mật độ điện mặt của (S).

 E

= ∫

τ

 ρ τ d r 1 2 πε ε r r 4 0

+ Nếu vật mang điện là một khối τ tích điện đều thì:

Với ρ là mật độ điện khối của vật.

2.3 Lưỡng cực điện đặt trong điện trường: 2.3.1 Định nghĩa:

Lưỡng cực điện là một hệ gồm hai điện tích điểm có độ lớn bằng nhau nhưng trái dấu - q và +q (q> 0), cách nhau một đoạn l rất nhỏ so với khoảng cách từ lưỡng cực điện tới những điểm đang xét của trường . 2.3.2 Vectơ momen lưỡng cực điện:

Để đặc trưng cho tính chất điện của lưỡng cực người ta dùng đại lượng vectơ momen lưỡng cực

=

 ql

 ep  ep

điện hay momen điện của lưỡng cực kí hiệu là

Trong đó:  l là một vec tơ hướng từ -q sang +q, có độ dài bằng khoảng cách l giữa –q và +q

+ + Đường thẳng nối hai điện tích được gọi là trục của lưỡng cực điện.

l

α

2.3.3 Lưỡng cực điện trong điện trường: 2.3.3.1 Trường hợp 1: Lưỡng cực điện đặt trong điện trường đều:

 ep

 0E

- Giả sử lưỡng cực điện được đặt trong điện trường đều và nghiêng với đường sức điện trường

một góc α.

 1F

 2F

= −

và - Lưỡng cực điện sẽ chịu một ngẫu lực

 - Momen µ

có cánh tay đòn bằng sinl α.   F qE= 0 1   qE F 0 2

=

    µ= ∧ = ∧ l F l 1

 qE 0

  ∧ ql E 0

 µ=

của ngẫu lực:

 ep

 E 0

α

 µ

Hay

= ep Eµ

0 sin

 Phương: Vuông góc với mặt phẳng xác định bởi l

có: Độ lớn:

 0E

 và µ

 ep

 0E

Chiều: Có chiều sao cho theo thứ tự lập thành tam diện thuận. ,

 ep

 0E

- Ngẫu lực này có tác dụng làm cho lưỡng cực quay trong điện trường sao cho vectơ và song

song với nhau. Vị trí cân bằng của lưỡng cực là vị trí ở đó momen ngẫu lực bằng không ứng với α = 0 hay α =π. Vị trí α = 0 là vị trí cân bằng bền, với α =π ta có trạng thái cân bằng không bền vì chỉ cần lưỡng cực quay lệch khỏi vị trí đó một chút là sẽ xuất hiện ngay momen ngẫu lực làm nó lệch thêm khỏi vị trí này. 2.3.3.2 Trường hợp 2: Lưỡng cực điện đặt trong điện trường không đều: - Khi đặt lưỡng cực điện trong điện trường, xuất hiện momen quay làm lưỡng cực điện có xu thế quay về vị trí cân bằng bền.

 1F

= −

 với: 2F   F qE= 1 1   qE F 2 2

- Lưỡng cực điện chịu tác dụng của 2 lực và

=

=

+

(

)

 − qE qE 2

 1

  q E E 2 1

 F

Lực tổng hợp tác dụng lên lưỡng cực điện:

   = F F F 2 1  1E

 cùng chiều với Giả sử E1>E2

Kết quả: Lưỡng cực điện bị hút về phía có điện trường mạnh. III. ĐIỆN THÔNG - ĐỊNH LUẬT GAUSS: 3.1 Đường sức điện trường: - Định nghĩa: Đường sức điện trường là đường mà tiếp tuyến với nó tại mỗi điểm trùng với phương của vectơ cường độ điện trường tại điểm đó, chiều của đường sức điện trường là chiều của vec tơ cường độ điện trường.

- Qui ước: Vẽ số đường sức điện trường qua một đơn vị diện tích đặt vuông góc với đường sức bằng cường độ điện trường E (tại nơi đặt điện trường). Nơi nào điện trường mạnh thì số đường sức dày, và thưa ở vùng có điện trường yếu.

- Tập hợp các đường sức điện trường được gọi là phổ đường sức điện trường hay điện phổ. - Các đường sức điện trường bao giờ cũng xuất phát từ các điện tích dương, tận cùng trên các điện tích âm, đi đến vô cùng hoặc đi ra v ô cùng, chúng luôn luôn là những đường cong không khép kín và bị hở tại các điện tích.

- Các đường sức điện trường không cắt nhau.

Điện trường của hai điện tích điểm cùng độ lớn và (a) cùng dấu, (b) trái dấu 3.2 Điện thông: 3.2.1 Vectơ cảm ứng điện : 3.2.1.1 Vectơ cảm ứng điện:

 - Để mô tả điện trường, ngoài vectơ cường độ điện trường E

= εε o

 D

 E

, người ta còn dùng một đại lượng vật lí  khác, không phụ thuộc vào tính chất của môi trường gọi là vectơ cảm ứng điện D :

 D được gọi là cảm ứng điện bằng:

D

Eεε= 0

Trong đó độ lớn của

 - Vectơ cảm ứng điện D

do điện tích điểm q gây ra tại một điểm cách q một khoảng r được xác định

=

 D

 r q 2 rπ 4 r

=

D

2

q rπ 4

bởi:

)

 , chiều của đường cảm ứng điện là chiều của D

- Trong hệ SI, cảm ứng điện được đo bằng Coulomb trên met vuông(C/m2 3.2.1.2. Đường cảm ứng điện: - Định nghĩa: Đường cảm ứng điện là đường cong mà tiếp tuyến tại mỗi điểm của nó trùng với phương

 của vectơ D vị diện tích đặt vuông góc với đường cảm ứng điện tỉ lệ với giá trị của cảm ứng điện D.

. Số đường cảm ứng điện vẽ qua một đơn

 E

qua diện tích dS là đại lượng có giá trị bằng tích của

 lên vectơ diện tích dS

 ( dS

- Khi đi qua mặt phân cách của hai môi trường khác nhau, phổ các đường cảm ứng điện là liên tục. 3.2.2 Thông lượng điện trường: 3.2.2.1 Định nghĩa: Thông lượng điện trường dφE diện tích dS với hình chiếu vectơ cường độ điện trường hướng theo pháp

 tuyến n

=

α

 E.dS E.dS.cos

Φ = Ed

 Trong đó, αlà góc hợp bởi E

 và dS

α

 dS

 E

của dS và có độ lớn bằng chính diện tích dS đó):

Điện thông (hay thông lượng điện trường) qua diện tích S:

E

  E.dS

Φ = ∫

(S)

Điện thông là một đại lượng đại số, dấu của nó phụ thuộc vào góc α. Đối với mặt kín ta luôn

 chọn chiều của n 3.2.2.2 Ý nghĩa:

là chiều hướng ra ngoài mặt đó.

Thông lượng điện trường cho ta biết số đường sức điện trường qua diện tích dS.

 D

qua diện tích dS là đại lượng có giá trị bằng tích của

α

=

 lên vectơ diện tích dS  D.dS DdScos

Φ = Dd

 Trong đó, αlà góc hợp bởi D

 và dS

α

 dS

 D

  D.dS

D

3.2.3 Thông lượng cảm ứng điện (Thông lượng điện cảm): 3.2.3.1 Định nghĩa: Thông lượng điện cảm dφD diện tích dS với hình chiếu vectơ điện cảm .

(S)

Thông lượng điện cảm qua diện tích S: Φ = ∫

3.2.3.2 Ý nghĩa: Thông lượng điện cảm cho ta biết số đường cảm ứng điện qua diện tích dS.

3.3 Ðịnh lí Ostrogradski – Gauss:

3.3.1 Phát biểu: Thông lượng điện cảm qua một mặt kín bằng tổng đại số các điện tích chứa trong

Φ =

 D.dS

q i

= ∑

∫ D

i

(S)

mặt kín đó.

Hay: " Điện thông qua một mặt kín bằng tổng đại số các điện tích nằ m chứa trong mặt kín đó

oεε "

q

i

=

  E.dS

Φ = E

∫ 

i εε o

(S)

chia cho

3.3.2 Dạng vi phân của định lí Ostrogradski- Gauss:

Nếu điện tích trong thể tích (V) giới hạn bởi mặt kín (S) được phân bố liên tục thì ta có thể biểu

ρ

x y z ( , , )

diễn định lí Ostrogradski- Gauss dưới dạng vi phân:  divD ρ=

Trong đó, : Hàm phân bố điện tích trong thể tích (V)

IV. CÔNG CỦA LỰC ĐIỆN TRƯỜNG - ĐIỆN THẾ - HIỆU ĐIỆN THẾ : 4.1 Công của lực tĩnh điện. Lưu số của điện trường: 4.1.1 Công của lực tĩnh điện:

trong điện trường của một điện tích điểm q từ điểm Giả sử ta dịch chuyển một điện tích điểm q0

 , trong đó E

0

0

M đến điểm N trên một đường cong (C) bất kì.   F q E= là vectơ cường độ điện trường gây ra bởi Lực tác dụng lên điện tích q là:

 F

α

 ds

. điện tích điểm q tại vị trí của q0

 ds

=

: nhỏ

  . q E ds 0

=

α

ds

 r ds .

cos

Công của lực tĩnh điện trong dịch chuyển vô cùng   = dA F ds .

= dA q 0

3

2

q πεε r 4 0

q q 0 πεε r 4 0

 Trong đó αlà góc giữa bán kính vectơ r

 và ds

Hay

=

=

dA

dr

.

ds α cos

q q dr 0 2 rπεε 04

với

N

r N

=

=

A

MN

  q E ds . 0

q q dr 0 2 rπεε 4 0

M

r M

r N

r N

=

=

A

MN

dr 2 r

1 r

 − 

  

q q 0 πεε 4 0

q q 0 πεε 4 0

r M

r M

=

A

MN

q 0

q πεε r 4 M 0

q πεε r 4 N 0

  

  

từ M tới N: Công của lực tĩnh điện trong sự chuyển dời điện tích q0

 Công của lực điện trường không phụ thuộc dạng đường đi mà chỉ phụ thuộc vào điểm đầu và điểm cuối.

Giả sử điện trường do n điện tích điểm gây ra, thì công của lực điện trường tổng hợp trong

n

n

=

A

MN

q 0

i

i

= 1

= 1

q i πεε 4 r iM 0

q i πεε 4 r iN 0

  

  

chuyển dời MN là:

 iF

Trong đó: là lực tác dụng của điện tích qi lên điện tích dịch chuyển q 0.

qi : điện tích điểm thứ i. riM : khoảng cách từ điện tích điểm qi đến điểm M riN : khoảng cách từ điện tích điểm qi đến điểm N

Nếu ta dịch chuyển q 0 theo một đường cong kín bất kì thì công của lực tĩnh điện trong dịch

N

N

=

=

=

A

  . F ds

  . q E ds 0

  ∫ . q E ds 0

M

M

M

N

từ MN dọc theo đường cong (C): chuyển đó sẽ bằng không. Vậy trường tĩnh điện là một trường thế. 4.1.2 Lưu số của điện trường: - Công của lực điện trường dịch chuyển điện tích q0 N

  E ds .

= ∫

A q 0

M

 . Đây được gọi là lưu số của vectơ cường độ điện trường.

- Định nghĩa: Lưu số của vectơ cường độ điện trường là công của lực điện trường làm dịch chuyển một đơn vị điện tích dương từ điểm này đến điểm kia trong điện trường.

  E ds = .

0

∫ 

Lưu số của vectơ cường độ điện trường dọc theo một đường cong kín bằng không.

4.2 Thế năng của một điện tích trong điện trường:

Điện trường là một trường thế nên công của lực tĩnh điện trong sự dịch chuyển một điện tích q0

dA

d= −

W

trong điện trường cũng bằng độ giảm thế năng W của điện tích đó trong điện trường.

Trong một chuyển dời nguyên tố ds, ta có:

N

=

dA

d W=W W M N

MNA

M

N ∫ = − M

=

A

 Trong chuyển dời hữu hạn từ điểm M đến điểm N trong điện trường:

MN

q q 0 πεε 4 r 0 M

q q 0 πεε 4 r 0 N

=

Mà ta có:

M

− W W N

q q 0 πεε 4 r 0 N

q q 0 πεε 4 r 0 M Vậy thế năng của điện tích q0

=

+

W

C

đặt trong điện trường của điện tích điểm q và cách điện tích này một

đoạn r là: q q 0 rπεε 4 0

+

C

W

∞ =

q q 0 ∞ πεε 4 0

C

khi nó ở cách xa q vô cùng bằng không, khi đó: Qui ước chọn thế năng của điện tích điểm q0

=

 W 0 = =

W

q q 0 rπεε 4 0

Nếu q0, q cùng dấu, thế năng tương tác của chúng dương. q0, q trái dấu, thế năng tương tác của chúng âm.

Sự phụ thuộc của thế năng tương tác của hệ hai điện tích vào khoảng cách giữa chúng được biểu

diễn bởi đồ thị:

Áp

n

n

=

W

=∑ W i

i=1

i

= 1

q q 0 i rπεε 4 0 i

d ụng trong nguyên lí chồng chất điện trường, thế năng của điện trường của hệ điện tích điểm: điện tích q0

Trong đó: khoảng cách từ điện tích q0 đến điện tích qi ri

  . q E ds 0

W M

= ∫

M

là Thế năng của điện tích điểm q0 trong một điện trường bất kì: ∞

tại một điểm trong điện trường là một đại lượng có giá trị bằng

=

  . E ds

Vậy: Thế năng của điện tích điểm q0 công của lực tĩnh điện trong sự dịch chuyển điện tích đó từ điểm đang xét ra xa vô cùng. 4.3 Điện thế - Hiệu điện thế: 4.3.1 Điện thế:

V M

= ∫

A M q 0

M

- Công thức:

=

V

q rπεε 04

- Định nghĩa: Điện thế tại một điểm trong điện trường là đại lượng đặc trưng cho điện trường về khả năng sinh công, có giá trị bằng công của lực điện trường làm dịch chuyển một đơn vị điện tích dương từ điểm đó ra xa vô cùng. - Giá trị của điện thế phụ thuộc vào vị trí gốc thế năng mà ta chọn. - Điện thế của điện trường gây ra bởi một điện tích điểm q tại điểm cách điện tích q một khoảng r bằng:

tại một điểm nào đó Điện thế của điện trường gây ra bởi một hệ điện tích điểm q1, q2,…,qn

n

n

=

V

=∑ ∑ V i

i

i

= 1

= 1

q i rπεε 04 i

trong điện trường bằng:

i Điện thế của điện trường gây ra bởi một hệ điện tích được phân bố liên tục trong không gian:

=

=

V

dV

1 dq rπεε 4 0

Với ri là khoảng cách từ điểm đang xét tới điện tích q

=

=

A

)

Trong đó r là khoảng cách từ điểm đang xét tới điện tích điểm dq.

MN

− W W N

M

q V ( 0 M

V N

- Ta có:

Vậy: Công của lực tĩnh điện trong sự dịch chuyển điện tích điểm q 0, từ điểm M tới điểm N trong điện trường bằng tích số của điện tích q0 với hiệu điện thế giữa hai điểm M và N đó. 4.3.2. Hiệu điện thế:

=

=

A

)

− W W N

M

q V ( 0 M

V N

MN

=

- Công thức:

V M

V N

A MN q 0

V 1

= ⇒ 1 Von là hiệu điện thế giữa hai điểm trong điện trường mà công của lực điện trường làm

1 J C 1

- Định nghĩa: Hiệu điện thế giữa hai điểm M và N trong điện trường là một đại lượng về trị số bằng công của lực tĩnh điện trong sự dịch chuyển một đơn vị điện tích dương từ điểm M tới điểm N. - Trong hệ SI, đơn vị của đhiệu điện thế là vôn (V)

dịch chuyển một đơn vị điện tích dương từ điểm này đến điểm kia là 1J. 4.3.3 Mặt đẳng thế: 4.3.3.1 Định nghĩa:

Mặt đẳng thế là quỹ tích của những điểm có cùng điện thế.

4.3.3.2. Tính chất của mặt đẳng thế: - Các mặt đẳng thế không cắt nhau, vì tại mỗi điểm của điện trường chỉ có một giá trị xác định của điện thế. - Công của lực tĩnh điện trong sự dịch chuyển một điện tích q0 trên một mặt đẳng thế bằng không.

Chứng minh:

từ điểm M đến điểm N trên một mặt đẳng thế thì công của lực tĩnh

=

A

)

MN

Giả sử ta dịch chuyển điện tích q0 điện bằng:

q V 0 ( V M N V=  N

MNA = 0

Vì M và N nằm trên cùng một mặt đẳng thế nên M V

- Vectơ cường độ điện trường tại một điểm trên mặt đẳng thế vuông góc với mặt đẳng thế tại điểm đó.

Chứng minh:

 ds

từ một điểm M nào đó của mặt đẳng thế Giả sử ta dịch chuyển một điện tích q0

một đoạn nhỏ

0

 lấy bất kì trên mặt đẳng thế nên E

 vuông góc với ds

 . Vì ds

 vuông góc với mọi ds

bằng: bất kì trên mặt đẳng thế.  Công của lực tĩnh điện trong chuyển dời ds

vẽ qua điểm

 = . dA q E ds 0   . E ds =   E M. 4.4 Liên hệ giữa vectơ cường độ điện trường và điện thế:

 Xét hai điểm M và N rất gần nhau trong điện trường E

. Giả sử điện thế tại các điểm M và N lần

từ điểm M tới

=

  ( với ds MN=

lượt bằng V và V+dV, với dV>0. Công của lực tĩnh điện khi dịch chuyển một điện tích q 0 điểm N:

 dA q Eds 0

)

= −

+ V dV (

)

[ = dA q V

]

0

q dV 0

α

= −

α

= −

   .E ds  E ds c .

. os

ds

dV

E . S

=

E α cos

dV α= (*)

 là hình chiếu của vectơ cường độ điện trường trên phương của ds

SE

c α α là góc tù.

Trong đó, ; -dV là độ

= −

giảm điện thế trên đoạn ds. Vì dV>0  os <0  Vectơ cường độ điện trường luôn luôn hướng theo chiều giảm của điện thế.

dV ds

(*) S E

+

+

= −

+

+

 = E iE

 jE

 kE

 i

 j

 k

Vậy: Hình chiếu của vectơ cường độ điện trường trên một phương nào đó về trị số bằng độ giảm điện thế trên một đơn vị dài của phương đó.

x

y

z

∂ V ∂ x

∂ V ∂ y

∂ V ∂ z

  

  

= −

  E

 gradV

Trong hệ trục tọa độ Descartes:

=

E

E

[

dV dn V V ] 1 = = m m 1 Vôn trên met là cường độ điện trườ ng của một điện trường đều mà hiệu điện thế dọc theo mỗi

Vậy: Vectơ cường độ điện trường tại một điểm bất kì trong điện trường bằng và ngược dấu với gradien của điện thế tại điểm đó. * Đơn vị cường độ điện trường:

met đường sức là 1 Vôn.

PHẦN B: PHƯƠNG PHÁP GIẢI BÀI TẬP

 = F k

 r

q q 1 2 3 r

I. ĐIỆN TÍCH – TƯƠNG TÁC GIỮA CÁC ĐIỆN TÍCH: 1.1 Dạng 1: Tính lực tương tác tĩnh điện giữa hai điện tích điểm theo định luật C oulomb: Trong chân không:

: giá trị đại số của hai điện tích (C)

2

Trong đó: q1, q2 r: khoảng cách giữa hai điện tích (m) k: hệ số tỉ lệ phụ thuộc vào hệ đơn vị

.N m 2 C

1 4πε 0

k = = 9.109 gọi là hằng số điện. , với ε0 = 8,86.10-12 C2/N.m2

 r

 F

Trong môi trường điện môi :

1 πε

4

q q 1 2 3 ε r

0

=

n

+ +

+

:

 ... F n

  = F F 1

 F 2

= ∑

= i 1

Trong đó, ε là hằng số điện môi tương đối của môi trường 1.2 Dạng 2: Tính lực tương tác do một hệ điện tích điểm tác dụng lên điện tích điểm q0  F i

 1F

 2F

 nF

Trong đó: , …, . , lần lượt là các lực tác dụng của q1, q2,…,qn lên điện tích q0

Để xác định lực tương tác tĩnh điện giữa hai vật mang điện bất kì, ta coi mỗi vật mang điện như

 = E k

 r

q 3 r

=

 E

 r

một hệ vô số các điện tích điểm, sau đó áp dụng nguyên lý chồng chất của điện trường Lưu ý: Định luật Coulomb chỉ được áp dụng cho điện tích điểm. II. ĐIỆN TRƯỜNG – CƯỜNG ĐỘ ĐIỆN TRƯỜNG: 2.1 Dạng 1: Tính cường độ đ iện trường gây ra bởi một điện tích điểm tại một điểm cách nó một khoảng r

3

q rπεε 4 0

n

hay

2.2 Dạng 2: Tính cường độ điện trường gây ra bởi một hệ điện tích điểm: Áp dụng nguyên lý chồng chất điện trường: 





3

1

2

n

=

+

+

+

  + E E E E ...... E

E i

= ∑

= i 1

 iE

Trong đó, gây ra tại điểm đang xét. là vectơ cường độ điện trường do điện tích qi

2.3 Dạng 3: Tính cường độ điện trường điện trường gây ra bởi một vật mang điện Để tính cường độ điện trường gây ra bởi một vật mang điện, ta chia vật thành nhiều phần nhỏ sao cho điện tích dq mang trên mỗi phần đó có thể coi là điện tích điểm, sau đó áp dụng nguyên lý chồng chất điện trường:

=

=

 E

 dE

4

 dq r 1 2 πε ε r r 0

vat

vat

 E

= ∫

 λ dl r 1 2 πε ε r r 0

4C

)

(

λ=

+ Nếu vật mang điện là một dây (C) tích điện đều thì:

dq dl

là mật độ điện dài của dây, biểu thị lượng điện tích trên một đơn vị dài của dây. Với

 E

 σ dS r 1 2 πε ε r r 0

= ∫ 4S

σ =

+ Nếu vật mang điện là một mặt (S) tích điện đều thì:

dq dS

là mật độ điện mặt của (S), biểu thị lượng điện tích trên một đơn vị diện tích của Với

 E

= ∫

τ

 ρ τ d r 1 2 πε ε 4 r r 0

ρ

=

(S). + Nếu vật mang điện là một khối τ tích điện đều thì:

dq τ d

là mật độ điện khối của vật, biểu thị lượng điện tích trên một đơn vị thể tích của Với

vật.

2.4 Dạng 4: Xét sự chuyển động của một hạt mang điện trong điện trường: – Phân tích chuyển động của hạt mang điện dưới tác dụng của lực điện trường. – Dùng các định luật cơ học để tìm các đại lượng yêu cầu III. ĐIỆN THÔNG - ĐỊNH LÝ GAUSS : 3.1 Dạng 1: Tính thông lượng cảm ứng điện và thông lượng điện trường qua một mặt kín bất kì dựa vào định lí Gauss:

Φ =

 D.dS

q i

= ∑

∫ D

i

(S)

q

i

=

  E.dS

Φ = E

∫ 

i εε o

(S)

∑ là phép lấy tổng đại số các điện tích chứa trong mặt kín đó.

i

Trong đó,

 , E

 3.2 Dạng 2: Xác định D gây ra bởi các vật mang điện có tính đối xứng. 1.Xác định yếu tố đối xứng của hệ điện tích, từ đó có thể suy ra một số đặc điểm của điện trường,

 chẳng hạn có thể dự đoán hướng của vectơ E không gian.

tại mỗi điểm, sự biến thiên độ lớn của nó theo vị trí trong

 3.Áp dụng công thức của định lý Gauss để xác định E

 hoặc D

2 Chọn một mặt kín (S) là mặt Gauss, chứa điểm mà tại đó ta cần xác định E. Người ta thường chọn mặt Gauss sao cho có thể tính toán dễ dàng điện thông qua S. Muốn vậy nó phải chứa yếu tố đối xứng của hệ điện tích

tùy theo yêu cầu của bài.

ρ

x y z ( , , )

Nếu điện tích trong thể tích (V) giới hạn bởi mặt kín (S) được phân bố liên tục với hàm phân bố

 divD ρ=

=

+

+

 divD

điện tích thì ta sử dụng định lí Gauss dạng vi phân:

∂ D x ∂ x

∂ D y ∂ y

∂ Dz ∂ z

Với

từ M đến N trong điện

IV.CÔNG CỦA LỰC ĐIỆN TRƯỜNG- ĐIỆN THẾ- HIỆU ĐIỆN THẾ: 4.1 Công của lực điện trường: 4.1.1 Dạng 1: Tính công của lực tĩnh điện trong sự dịch chu yển điện tích q0 trường gây ra bởi điện tích điểm q:

=

A

MN

q q 0 πεε 4 r M 0

q q 0 πεε 4 r N 0

Trong đó: rM: Khoảng cách từ q đến M rN: Khoảng cách từ q đến N

từ M đến N trong điện

n

n

=

A

MN

= 1

= 1

i

i

q q i 0 πεε r 4 0 iM

q q i 0 πεε 4 r 0 iN

4.1.2 Dạng 2: Tính công của lực tĩnh điện trong sự dịch chuyển điện tích q 0 trường gây ra bởi n điện tích điểm :

Trong đó: qi : điện tích điểm thứ i.

riM : khoảng cách từ điện tích điểm qi đến điểm M riN : khoảng cách từ điện tích điểm qi đến điểm N

=

V

q rπεε 04

4.2 Điện thế: 4.2.1 Dạng 1: Tính điện thế của điện trường gây ra bởi một điện tích điểm q tại một điểm nào đó:

n

n

=

V

=∑ ∑ V i

i

i

= 1

= 1

q i rπεε 04 i

Trong đó, r: Khoảng cách từ điện tích điểm q tới điểm đang xét. 4.2.2 Dạng 2: Tính điện thế của điện trường gây ra bởi một hệ điện tích điểm tại một điểm nào đó:

Với ri là khoảng cách từ điểm đang xét tới điện tích qi

4.2.3 Dạng 3: Tính điện thế của điện trường gây ra bởi một vật mang điện.

Ta lấy trên vật một phần tử điện tích dq, mỗi dq gây ra tại M một điện thế dV thì điện thế tại M

=

=

V

dV

1 dq rπεε 4 0

là:

Trong đó r là khoảng cách từ điểm đang xét tới điện tích điểm dq.

= −

 E

 gradV

, 0, 0 )

 Chọn trục tọa độ sao cho: E(

xE

= −

E

x

= −

4.2.4 Dạng 4: Tính điện thế hoặc cường độ điện trường dựa vào mối liên hệ giữa vectơ cường độ điện trường và điện thế:

E

dV dx dV dx

(2)

= −

V

+ Edx C

(1)

Lấy tích phân 2 vế ta được:

4.2 Hiệu điện thế:

= −

E

- Xác định cường độ điện trường tại hai điểm cần tính hiệu điện thế.

dV dx Lấy tích phân 2 vế ta được:

r 2

=

U

Edx

12

− V V 1 2

= ∫

r 1

- Áp dụng công thức:

CHƯƠNG III QUY HOẠCH BÀI TRẮC NGHIỆM CHO CHƯƠNG ĐIỆN TRƯỜNG- ĐIỆN THẾ - HIỆU ĐIỆN THẾ

I. NHẬN XÉT CHƯƠNG ĐIỆN TRƯỜNG - ĐIỆN THẾ - HIỆU ĐIỆN THẾ:

Đây là chương đầu tiên của chương trình điện đại cương. Ngoài những kiến thức SV đã được học ở phổ thông như: khái niệm điện tích nguyên tố, thuyết electron, chất dẫn điện, chất cách điện, các cách nhiễm điện cho vật, định luật Coulomb, định luật bảo toàn điện tích, điện trường, điện thế, hiệu điện thế…, chương này còn cung cấp cho SV những kiến thức nâng cao hơn dựa trên nền tảng những kiến thức đã biết.

Cấu trúc chương trình gồm những phần chính như sau:

- Phần 1: Điện tích- Tương tác giữa các điện tích - Phần 2: Điện trường- Cường độ điện trường - Phần 3: Điện thông- Định lí Gauss - Phần 4: Điện thế- Hiệu điện thế.

Các kiến thức trong bốn phần trên liên hệ chặt chẽ, bổ sung cho nhau. Từ sự tương tác giữa các điện tích, đưa ra khái niệm điện trường . Khái niệm điện thông được suy ra từ mô hình đường sức. Định lí Gauss bổ sung một cách khác dễ dàng hơn trong việc tính cường độ điện trường thay vì sử dụng nguyên lí chồng chất điện trường. Hay từ biểu thức tính công của lực tĩnh điện đưa ra biểu thức thế năng của một điện tích trong điện trường, từ đó suy ra biểu thức tính điện thế, hiệu điện thế…

Nhìn chung, kiến thức trong chương này tương đối đơn giản nhưng hết sức quan trọng trong chương trình điện đại cương cũng như áp dụng cho điện động lực học sau này. Do đó, SV cần phải nắm vững kiến thức để có thể học tốt các phần sau. Cũng chính vì vậy mà việc khảo sát xem SV có nắm vững kiến thức không là rất cần thiết. II. Ý TƯỞNG DỰ ĐỊNH KHẢO SÁT: - Khả năng nhớ, hiểu các định nghĩa, tính chất, công thức, đơn vị của các khái niệm : điện tích điểm, chất dẫn điện, chất cách điện, điện trường, đường sức điện trường , thông lượng điện trường, thông lượng điện cảm, thế năng, điện thế, hiệu điện thế, mặt đẳng thế, lưu số điện trường. - Giải thích được một số cách nhiễm điện của các vật. - Phát biểu và áp dụng định luật Coulomb, định lí Gauss để giải một số bài toán. - Chứng minh, giải thích được các tính chất cơ bản của điện trường, lưu số điện trường, mặt đẳng thế, và gradient điện thế. - Khả năng vận dụng các công thức của chương để giải bài tập. Cụ thể : 1. Điện tích- Tương tác giữa các điện tích : - Nhớ và hiểu các khái niệm : điện tích điểm, điện tích nguyên tố, ion dương, ion âm.

- Phân biệt chất dẫn điện, chất cách điện. - Phân biệt, giải thích các cách nhiễm điện cho vật. - Phát biểu và hiểu được định luật Coulomb, định luật bảo toàn điện tích. - Vận dụng được định luật bảo toàn điện tích để giải bài tập. - Vận dụng được định luật Coulomb để tìm lực tương tác tĩnh điện giữa hai điện tích điểm. - Vận dụng được nguyên lí chồng chất để tìm lực tĩnh điện tổng hợp do một hệ các điện tích điểm hay một vật mang điện tác dụng lên một điện tích điểm. 2. Điện trường - Cường độ điện trường : - Phát biểu và hiểu khái niệm điện trường. - Định nghĩa và viết được biểu thức tính cường độ điện trường. - Vận dụng công thức để tính cường độ điện trường gây ra bởi một điện tích điểm, một hệ các điện tích điểm, một vật mang điện gây ra. - Dự đoán chuyển động của một điện tích điểm, một lưỡng cực điện đặt trong điện trường. 3. Điện thông – Định lí Gauss : - Phát biểu và hiểu được định nghĩa, tính chất của đường sức điện trường. - Mô tả được hình ảnh đường sức điện trường của một điện tích điểm, một hệ điện tích điểm. - Hiểu được khái niệm vectơ cảm ứng điện, đường cảm ứng điện. - Phát biểu và hiểu được khái niệm, ý nghĩa của điện thông. - Phân biệt thông lượng cảm ứng điện và thông lượng điện trường. - Phát biểu và viết được biểu thức định lí Gauss. - Vận dụng được định lí Gauss để tính điện thông qua một mặt kín, cường độ điện trường gây ra bởi các vật mang điện có tính đối xứng. 4. Điện thế - Hiệu điện thế : - Chứng minh công của lực tĩnh điện không phụ thuộc vào dạng đường đi mà chỉ phụ thuộc vào điểm đầu và điểm cuối. Từ đó, suy ra tính chất thế của trường tĩnh điện. - Vận dụng công thức và tính chất công của lực tĩnh điện để giải bài tập. - Phát biểu được định nghĩa thế năng của một điện tích điểm đặt trong điện trường. - Tính được thế năng của một điện tích điểm đặt trong điện trường bất kỳ. - Trình bày khái niệm, công thức tính, ‎ ý nghĩa của điện thế, hiệu điện thế. - Tính được điện thế của điện trường gây ra bởi một điện tích điểm, một hệ điện tích điểm, một vật mang điện. - Tính được hiệu điện thế giữa hai điểm trong điện trường. - Phát biểu và hiểu được định nghĩa, tính chất mặt đẳng thế. - Viết và vận dụng được biểu thức liên hệ giữa vectơ cường độ điện trường và điện thế. III. BẢNG PHÂN TÍCH NỘI DUNG :

Đề mục

Khái niệm Ý tưởng quan trọng

Nội dung

1. Điện tích

- Điện tích nguyên tố là điện tích nhỏ nhất đã được biết đến trong tự nhiên mà không thể bị tách ra thành lượng nhỏ hơn, có độ lớn là e= 1,6.10-19C. - Là những vật để cho điện tích chuyển động tự do trong toàn bộ thể tích của vật. - Là những vật mà điện tích xuất hiện ở đâu chỉ định xứ ở đó. - Tổng đại số các điện tích trong một hệ cô lập là không đổi.

2. Các cách nhiễm điện cho vật.

- Các vật bị nhiễm điện khi cọ xát với nhau. - Vật nhiễm điện bằng cách cho nó tiếp xúc với một vật khác đã nhiễm điện - Khi một vật dẫn đặt gần một vật mang điện thì trên hai đầu của vật dẫn xuất hiện các điện tích trái dấu.

- Vật mang điện có kích thước nhỏ không đáng kể so với khoảng cách từ điện tích đó tới những điểm hoặc những vật mang điện khác mà ta đang khảo sát. - Lực tương tác giữa hai điện tích điểm, đứng yên tương đối với nhau trong chân không tỉ lệ với tích độ lớn của hai điện tích và tỉ lệ nghịch với bình phương khoảng cách giữa chúng. Lực tương tác có phương nằm trên đường thẳng vạch qua hai điện tích, là lực đẩy nếu hai điện tích cùng loại, là lực hút nếu hai điện tích khác loại.

=

 F

 r

q q 1 1 2 3 rπε ε 4 0

3. Định luật Coulomb

- Điện tích nguyên tố - Chất dẫn điện - Chất cách điện - Định luật bảo toàn điện tích - Sự nhiễm điện do cọ xát - Sự nhiễm điện do tiếp xúc. - Sự nhiễm điện do hưởng ứng. - Điện tích điểm - Định luật Coulomb - Nguyên lí chồng chất

n

+ +

+

  = F F 1

 F 2

 ... F n

 F i

= ∑

= i 1

- Giả sử có một hệ điện tích điểm q1, q2…,qn được phân bố gián đoạn trong không gian và một điện tích q0 đặt trong không gian đó. Gọi F 1, F2,…,Fn lần lượt là các lực tác dụng của q1, q2…,qn lên điện tích q0 .Khi đó, lực tổng hợp tác dụng lên điện tích q0 sẽ là:

- Định nghĩa

4. Điện trường

=

 E

 F q 0

- Điện trường là môi trường vật chất đặc biệt bao quanh các điện tích mà bất cứ điện tích nào khác đặt trong nó đều chịu một lực tác dụng. Vận tốc lan truyền tương tác trong điện trường đúng bằng vận tốc ánh sáng. - Vectơ cường độ điện trường tại một điểm là một đại lượng đặc trưng cho điện trường về phương diện tác dụng lực, có trị vectơ bằng lực tác dụng của điện trường lên một đơn vị điện tích dương đặt tại điểm đó.

 - Vectơ cường độ điện trường E điểm M cách q một khoảng r:

=

 E

 r

3

q 1 rπε ε 4 0

gây ra bởi điện tích điểm q tại

n

+ +

+

5. Vectơ cường độ điện trường

 E i

 E 2

= ∑

= i 1

- Vectơ cường độ điện trường gây bởi một hệ điện tích điểm tại một điểm nào đó bằng tổng các vectơ cường độ điện trường gây ra bởi từng điện tích điểm của hệ tại điểm đó:    = ... E E E n 1

=

=

 E

 dE

4

 dq r 1 2 πε ε r r 0

toan bo vat

toan bo vat

- Cường độ điện trường gây ra bởi vật mang điện :

- Lưỡng cực điện là một hệ gồm hai điện tích điểm có độ lớn bằng nhau nhưng trái dấu -q và +q (q> 0), cách nhau một đoạn l rất nhỏ so với khoảng cách từ lưỡng cực điện tới những điểm đang xét của trường . 6. Lưỡng cực điện

- Để đặc trưng cho tính chất điện của lưỡng cực người ta dùng đại lượng vectơ momen lưỡng cực điện hay momen điện của

=

 ql

 ep :

 ep

- Định nghĩa - Điện trường gây ra bởi một điện tích điểm. - Điện trường gây ra bởi một hệ điện tích điểm. - Điện trường gây ra bởi vật mang điện. - Lưỡng cực điện - Vectơ momen lưỡng cực điện lưỡng cực kí hiệu là

7. Đường sức điện trường

- Định nghĩa - Đường sức điện trường là đường mà tiếp tuyến với nó tại mỗi điểm trùng với phương của vectơ cường độ điện trường tại điểm đó, chiều của đường sức điện trường là chiều của vec tơ cường độ điện trường.

- Tính chất

= εε o

 D

 E

- Xuất phát từ điện tích dương và kết thúc ở điện tích âm, đi đến từ vô cùng hoặc đi ra vô cùng. Các đường sức không cắt nhau Đường sức dày ở nơi có điện trường mạnh v à th ưa ở nơi có điện trường yếu

- Biểu thức - Đường cảm ứng điện là đường cong mà tiếp tuyến tại mỗi điểm

, chiều của đường cảm ứng

8. Vectơ cảm ứng điện

 của nó trùng với phương của vectơ D  . Số đường cảm ứng điện vẽ qua một đơn vị điện là chiều của D diện tích đặt vuông góc với đường cảm ứng điện tỉ lệ với giá trị của cảm ứng điện D. Khi đi qua mặt phân cách của hai môi trường khác nhau, phổ các đường cảm ứng điện là liên tục.

- Vectơ cảm ứng điện. - Đường cảm ứng điện

- Thông lượng điện trường d φE

 E

 lên vectơ diện tích dS

 ( dS

qua diện tích dS là đại lượng có giá trị bằng tích của diện tích dS và hình chiếu vectơ cường

hướng theo pháp

=

α

 E.dS E.dS.cos

Φ = Ed

E

  E.dS

của dS và có độ lớn bằng chính diện tích dS đó): độ điện trường  tuyến n

(S)

Điện thông (hay thông lượng điện trường) qua diện tích S: Φ = ∫

- Thông lượng điện cảm dφD 8. Điện thông

 lên vectơ diện tích dS

=

α

 D.dS DdScos

Φ = Dd  Thông lượng điện cảm qua diện tích S:

  D.dS

D

Φ = ∫

(S)

qua diện tích dS là đại lượng có giá trị bằng tích của diện tích dS và hình chiếu vectơ điện cảm  D .

- ‎Ý nghĩa: Thông lượng điện cảm cho ta biết số đường cảm ứng điện qua diện tích dS.

Φ =

- Thông lượng điện cảm qua một mặt kín bằng tổng đại số các

q i

= ∑

∫ D

i

(S)

điện tích chứa trong mặt kín đó.  D.dS

9. Định lí Gauss

Hay: " Điện thông qua một mặt kín bằng tổng đại số các

oεε "

điện tích nằm chứa trong mặt kín đó chia cho - Thông lượng điện trường - Thông lượng điện cảm. - Ý nghĩa - Phát biểu

q

i

=

  E.dS

Φ = E

∫ 

i εε o

(S)



ρ

- Biểu thức: divD ρ=

x y z ( , , )

- Dạng vi phân : Hàm phân bố điện tích trong thể tích(V).

=

A

MN

q q 0 πεε 4 r 0 M

q q 0 πεε 4 r 0 N

- Công của lực tĩnh điện làm dịch chuyển điện tích q 0 N trường do điện tích điểm q gây trong điện từ M đến : ra

n

=

A

MN

i

i

= 1

= 1

q q i 0 πεε 4 r iM 0

q q i 0 πεε 4 r iN 0

- Công của lực tĩnh điện làm dịch chuyển điện tích q 0 trường do n điện N tích điểm gây từ M đến : ra trong điện n

10. Công của lực tĩnh điện

- Công của lực tĩnh điện. - Lưu số của vectơ cường độ điện trường - Lưu số của vectơ cường độ điện trường là công của lực điện trường làm dịch chuyển một đơn vị điện tích dương từ điểm này đến điểm kia trong điện trường.

Lưu số của vectơ cường độ điện trường dọc theo một đường

  E ds = .

0

∫ 

cong kín bằng không.

=

W

trong điện trường gây ra bởi - Thế năng của điện tích điểm q0

q q 0 rπεε 4 0

điện tích điểm q :

trong điện trường gây ra bởi hệ điện

n

n

- Thế năng của điện tích q0 tích điểm:

=

W

=∑ W i

i

i=1

= 1

q q i 0 rπεε 4 i 0

11. Thế năng tĩnh điện - Thế năng tĩnh điện

  . q E ds 0

W M

= ∫

M

=

  E ds .

trong một điện trường bất kì: - Thế năng của điện tích điểm q0 ∞

V M

= ∫

A M q 0

M

- Công thức:

12. Điện thế - Điện thế

- Định nghĩa: Điện thế tại một điểm trong điện trường là đại lượng đặc trưng cho điện trường về khả năng sinh công, có giá trị bằng công của lực điện trường làm dịch chuyển một đơn vị điện tích dương từ điểm đó ra xa vô cùng. - Điện thế của điện trường gây ra bởi một điện tích điểm q tại

=

V

q rπεε 04

điểm cách điện tích q một khoảng r bằng:

n

n

=

V

=∑ ∑ V i

i

i

= 1

= 1

q i rπεε 04 i

tại một điểm nào đó trong điện trường bằng: - Điện thế của điện trường gây ra bởi một hệ điện tích điểm q1, q2,…,qn

=

=

V

dV

1 dq rπεε 4 0

=

=

A

)

- Điện thế của điện trường gây ra bởi một hệ điện tích được phân bố liên tục trong không gian:

− W W N

M

q V ( 0 M

V N

MN

=

- Công thức:

V M

V N

A MN q 0

- Hiệu điện thế 13. Hiệu điện thế

N

=

=

U

Edx

V M

V N

MN

= ∫

A MN q 0

M

- Định nghĩa: Hiệu điện thế giữa hai điểm M và N trong điện trường là một đại lượng về trị số bằng công của lực tĩnh điện trong sự dịch chuyển một đơn vị điện tích dương từ điểm M tới điểm N. - Hiệu điện thế giữa hai điểm M và N trong điện trường :

- Định nghĩa - Tính chất

14. Mặt đẳng thế

= −

E

S

dV ds

- Mặt đẳng thế là quỹ tích của những điểm có cùng điện thế : V=C=const - Mặt đẳng thế không cắt nhau, vì tại mỗi điểm của điện trường chỉ có một giá trị xác định của điện thế. Công của lực tĩnh điện trong sự dịch chuyển một điện tích q 0 trên một mặt đẳng thế bằng không. Vectơ cường độ điện trườn g tại một điểm trên mặt đẳng thế vuông góc với mặt đẳng thế tại điểm đó.

= −

 E

 gradV

Hình chiếu của vectơ cường độ điện trường trên một phương nào đó về trị số bằng độ giảm điện thế trên một đơn vị dài của phương đó.

- Liên hệ giữa vectơ cường độ điện trường và điện thế 15. Liên hệ giữa vectơ cường độ điện trường và điện thế

Vectơ cường độ điện trường tại một điểm bất kì trong điện trường bằng và ngược dấu với gradien của điện thế tại điểm đó.

IV. MỤC TIÊU CẦN ĐẠT ĐƯỢC CHO TỪNG LOẠI KIẾN THỨC :

A11 Chỉ ra các loại điện tích (B) A12 Nêu nội dung thuyết electron (B) A1 Điện tích

A13 Phát biểu định luật bảo toàn điện tích (B)

A14 Vận dụng định luật bảo toàn điện tích để giải bài tập (VD)

A21 Giải thích hiện tượng nhiễm điện do cọ xát (H)

A22 Giải thích hiện tượng nhiễm điện do tiếp xúc (H)

A2 Các cách nhiễm điện cho vật

A Điện tích Tương tác giữa các điện tích A23 Giải thích hiện tượng nhiễm điện do hưởng ứng (H)

A24 Nêu ra sự khác nhau giữa vật dẫn và điện môi (B) A31 Phát biểu định nghĩa điện tích điểm (B)

A32 Phát biểu định luật Coulomb (B)

A33 Viết biểu thức định luật Coulomb (B)

A3 Định luật Coulomb

A34 Vận dụng định luật Coulomb để tính lực tương tác giữa 2 điện tích điểm (VD)

A35 Vận dụng nguyên lý chồng chất để tính lực tác dụng tổng hợp do một hệ điện tích điểm, một vật mang điện lên một điện tích điểm (VD)

B11 Phát biểu định nghĩa điện trường (B)

B1 Điện trường

B12 Nêu tính chất cơ bản của điện trường (B)

B21 Phát biểu định nghĩa vectơ cường độ điện trường (B)

B Điện trường – Cường độ điện trường

B22 Viết biểu thức tính cường độ điện trường do một điện tích điểm, một hệ điện tích điểm gây ra tại một điểm (B)

B23 Vận dụng nguyên lí chồng chất để tính cường độ điện trường gây ra bởi một hệ điện tích điểm, một vật mang điện (VD)

B2 Vectơ cường độ điện trường

B24 Dự đoán chuyển động của một điện tích điểm đặt trong điện trường (VD)

B25 Dự đoán chuyển động của một lưỡng cực điện đặt trong điện trường (VD)

D11 Viết biểu thức tính công của lực tĩnh điện (B)

D12 Phát biểu định nghĩa lưu số của vectơ cường độ điện trường (B)

D1 Công của lực tĩnh điện

D13 Vận dụng công thức tính công của lực tĩnh điện để giải bài tập (VD)

D21 Viết biểu thức thế năng tương tác của hai điện tích điểm (B)

D2 Thế năng tĩnh điện D22 Định nghĩa thế năng của một điện tích điểm đặt trong điện trường (B)

D23 Tính thế năng của một điện tích điểm trong điện trường (VD)

D31 Phát biểu định nghĩa điện thế tại một điểm trong điện trường (B)

D32 Phát biểu định nghĩa hiệu điện thế trong điện trường (B)

D33 Tính điện thế của điện trường gây ra bởi một điện tích điểm, một hệ điện tích điểm (VD) D3 Điện thế- Hiệu điện thế

D34 Tính hiệu điện thế giữa hai điểm trong điện trường (VD)

D35 Phát biểu định nghĩa, tính chất mặt đẳng thế (B)

D41 Viết biểu thức liên hệ. (B)

D Điện thế - Hiệu điện thế D4 Liên hệ giữa cường độ điện trường và hiệu điện thế D42 Tính cường độ điện trường khi biết điện thế hoặc ngược lại tính điện thế khi biết cường độ điện trường(VD)

C B A D Tổng cộng Tỉ lệ

1 1 9 11 1 0 12 13 1 2 8 11 2 1 10 13 5 4 39 48 10,4% 8,3% 81,3% 100%

V. THIẾT KẾ DÀN BÀI TRẮC NGHIỆM : Dàn bài chung : Nội dung Mục tiêu Biết Hiểu Vận dụng Tổng cộng Dàn bài chi tiết cho các chủ đề: Chủ đề A :

Nội dung Mục tiêu Biết Hiểu Vận dụng Tổng cộng A A A 1 2 3 A34 A33 A32 A31 A24 A23 A22 A21 A14 A13 A12 A11 A 35 1 8 3 1 11 1 1 Tổng cộng 1 0 12 13

Chủ đề B :

1

2

B

11

12

Nội dung Mục tiêu B B B B B B B

24 1

25 1

22

B 21 1 1

23 7 11

Biết Hiểu Vận dụng Tổng cộng 0 Tổng cộng 1 2 8 11

Chủ đề C :

2

1

3

C

Nội dung Mục tiêu C C C C C C C C C

13

22

21

31

33 1 8

C 11 1

12 1

32 1 10

Biết Hiểu Vận dụng Tổng cộng 0 Tổng cộng 1 1 9 11

Chủ đề D : Nội dung Mục tiêu

Biết D D D D 3 2 1 4 D41 D35 D34 D33 D32 D31 D23 D22 D21 D13 D12 D11 D 42 1 1 Tổng cộng 2

2 1 3 1

3 4 7 1 1 10 13 2

Hiểu Vận dụng Tổng cộng

CHƯƠNG IV HỆ THỐNG CÂU TRẮC NGHIỆM CHƯƠNG ĐIỆN TRƯỜNG – ĐIỆN THẾ - HIỆU ĐIỆN THẾ

A1 : Điện tích (VD) A14

 F

Câu 1 : Hai quả cầu nhỏ 1 và 2 giống nhau, dẫn điện, cô lập, có một lượng điện tích bằng nhau và đặt cách nhau một khoảng lớn so với đường kính của chúng. Lực tĩnh điện do quả cầu 1 tác dụng lên quả

 'F

cầu 2 bằng . Bây giờ giả thiết có một quả cầu thứ 3 giống hai quả cầu trên được gắn vào một cán cách điện và mới đầu trung hòa điện. Quả cầu thứ 3 trước hết được chạm vào quả cầu 1 sau đó vào quả

bây giờ tác dụng lên quả cầu 2 có độ lớn bằng

cầu 2 và cuối cùng được đưa ra xa. Hỏi lực tĩnh điện bao nhiêu?

F

F

F

F

A. B.

3 8 1 4

3 4 1 8

D. C.

A22 (B)

A2: Các cách nhiễm điện cho vật: Câu 2 : Cho vật dẫn A đã nhiễm điện dương tiếp xúc với vật dẫn B chưa nhiễm điện rồi tách ra thì B được nhiễm điện +q. Kết luận nào sau đây đúng? A. Một số điện tích dương đã chạy từ A sang B B. Điện tích của A còn lại là –q C. Một số điện tích âm đã chạy từ B sang A D. Có cả điện tích dương chạy từ A sang B và điện tích âm chạy từ B sang A A3: Định luật Coulomb:

A34(VD)

θ≈ sin

tgθ

của hai quả cầu? B. Hoặc -1/4 hoặc -4 D. Một đáp án khác

x

Câu 3: Hai quả cầu kim loại nhỏ giống hệt nhau, tích điện q 1, q2 đặt cách nhau một khoảng r trong không khí thì hút nhau một lực F 1. Nếu cho chúng chạm nhau rồi đưa về vị trí cũ thì chúng đẩy nhau một lực F2=9F1/16. Tính tỉ số điện tích q1/q2 A. Hoặc -1/2 hoặc -2 C. Hoặc -1/8 hoặc -8 Câu 4 : Hai quả cầu nhỏ dẫn điện có cùng khối lượng m, mỗi quả cầu tích điện là q được treo trên hai sợi dây dài bằng nhau và bằng L thì hai sợi dây lập với nhau một góc 2θ. Giả sử θ nhỏ sao cho . Khi đó khoảng cách giữa các quả cầu là:

2 2kq L mg

 =  

1/ 3   

A.

x

2 kq L mg 4

 =  

1/ 3   

x

B.

2 2kq L mg

 =  

1/ 2   

2

=

x

C.

kq mgL 2

D.

Câu 5: Một quả cầu nhỏ có khối lượng m=1,6g, tích điện q1=2.10-7 C được treo bằng sợi tơ mảnh. Ở phía dưới nó 30 cm theo phương thẳng đứng, cần đặt một điện tích q 2 có giá trị bằng bao nhiêu để sức căng của sợi dây giảm đi một nửa? Cho g= 10 m/s2. A. 4.10-7C B. 1,3. 10-6C D. 2,7. 10-6C C. 8. 10-7 C

A35(VD)

1, q2

q2

q1

y

x

1 2-y

tác dụng lên Q có đặc điểm gì?

Câu 6: Hai điện tích âm giống nhau được đặt cố định trên trục x. Nếu một điện tích thử dương được đặt nhẹ tại trung điểm của chúng thì điện tích thử này sẽ: A. Nằm yên cân bằng bền B. Nằm yên cân bằng không bền C. Không thể nằm yên vì cùng chịu tác dụng của lực đẩy D. Không thể nằm yên vì cùng chịu tác dụng của lực hút Câu 7 : Hai điện tích điểm tích điện dương q 1 và q2 với q1= 4q2 lần lượt đặt tại A và B cách nhau một khoảng 5a trong không khí. Đặt điện tích điểm Q trên đoạn AB, cách B một khoảng a. Lực tổng hợp do q1 và q2 A. Hướng về A nếu Q tích điện dương B. Hướng về B nếu Q tích điện âm C. Bằng không D. Cả A và B đều đúng Câu 8 : Hai điện tích điểm q có độ lớn bằng nhau nhưng trái dấu, đặt cố định trên đường thẳng xy như hình vẽ. Đặt thêm điện tích điểm Q < 0 trên đường thẳng xy. Kết luận nào sau đây là đúng khi nói về chiều của lực tác dụng tổng hợp lên Q? A. Về phía x nếu Q đặt trên đoạn x-q B. Về phía y nếu Q đặt trên đoạn q C. Về phía q1 nếu Q đặt trên đoạn q1-q2 D. Không xác định được nếu Q đặt trên đoạn x-q1 hoặc q2-y do không biết độ lớn của ba điện tích Câu 9 : Đặt lên mặt bàn trơn nhẵn ba viên bi nhỏ tích điện, khối lượng không đáng kể trên cùng một đường thẳng thì chúng nằm yên. Ba viên bi đó phải có đặc điểm là: A. Điện tích ở giữa trái dấu với hai điện tích hai bên B. Hai điện tích cạnh nhau cùng dấu và trái dấu với điện tích còn lại C. Ba điện tích cùng dấu D. A và C đều đúng

Câu 10: Ba điện tích điểm bằng nhau và bằng q đặt tại ba đỉnh của tam giác đều ABC cạnh a. Phải đặt thêm điện tích thứ tư Q bằng bao nhiêu, ở vị trí nào để nó cân bằng? A. Q= q, tại trọng tâm tam giác ABC B. Q= -q, tại trọng tâm tam giác ABC

q 3

C. Q= , tại trọng tâm tam giác ABC

B.450 D. Một giá trị khác

q =

D. Q có giá trị bất kì, tại trọng tâm tam giác ABC Câu 11: Đặt ba điện tích điểm qA= -5.10-8C, qB= +16.10-8C và qC= +9.10-8C lần lượt tại ba đỉnh A, B, C của tam giác ABC (AB= 8cm, AC= 6cm, BC=10cm). Hỏi lực tĩnh điện tác dụng lên qA có hướng tạo với cạnh AB một góc bằng bao nhiêu? A. 300 C. 600 Câu 12: Ở mỗi đỉnh trong hai đỉnh đối diện của một hình vuông có đặt điện tích Q. Ở hai đỉnh còn lại, mỗi đỉnh có điện tích q. Giá trị của q để cho lực tĩnh điện tổng hợp tác dụng lên mỗi điện tích trong cả bốn điện tích bằng không là:

Q 2 2

=

q

2 2

Q

A. q trái dấu với Q và có độ lớn

q =

B. q trái dấu với Q và có độ lớn

Q 2

C. q trái dấu với Q và có độ lớn

là: D. Không tìm được giá trị phù hợp của q Câu 13: Hai điện tích điểm tích điện dương q1= +nq; q2= +mq gắn cố định và cách nhau một đoạn d trên mặt bàn nhẵn. Đặt một viên bi tích điện lên mặt bàn thì bi nằm cân bằng. Khoảng cách từ viên bi đến q1

d m n

m+

d m m

n−

d n n

m+

d n n

B. A. D. C.

m− B2: Cường độ điện trường

 E

(B) B21

do điện tích điểm Q gây ra tại điểm M có đặc điểm: Câu 14: Vectơ cường độ điện trường

 F

A. Độ lớn tỉ lệ nghịch với khoảng cách từ Q đến M B. Độ lớn tỉ lệ với giá trị của điện tích thử đặt tại M

tác dụng lên điện tích thử đặt tại M

C. Cùng chiều với lực điện D. A, B, C đều sai

B21(H)

Câu 15a: Khi đưa thanh kim loại trung hoà về điện lại gần quả cầu nhiễm điện dương q thì thấy: A. Thanh kim loại nhiễm điện âm. B. Thanh kim loại nhiễm điện dương ở đầu gần với quả cầu và nhiễm điện âm ở đầu xa quả cầu.

 vào điện trường đều E

C. Thanh kim loại nhiễm điện âm ở đầu gần với quả cầu và nhiễm điện dương ở đầu xa quả cầu. D. Điện tích phân bố trên thanh kim loại không có gì thay đổi so với lúc đầu vì nó không tiếp xúc với quả cầu mang điện tích.

thì nó sẽ:

 Câu 15b: Bắn một electron với vận tốc đầu 0v

A. Bay thẳng nhanh dần đều nếu

 E↑↑  E↑↓  E⊥

B. Bay thẳng chậm dần đều nếu

 0v  0v  0v

C. Bay theo đường Parabol nếu

D. Cả 3 câu trên đều đúng

B23(VD)

Câu 16: Hai điểm A và B cách nhau một khoảng r trong không khí. Người ta lần lượt đặt tại A các điện tích điểm trái dấu q1 và q2 thì thấy cường độ điện trường tại B là E1=100kV/m và E2=80kV/m. Nếu đặt đồng thời tại A hai điện tích điểm trên thì độ lớn cường điện trường tại B sẽ là:

A.180kV/m C. 20 kV/m B. 0 kV/m D. 90 kV/m

λ

, tích điện đều với mật

B. 2,7.10-3 V/m D. 4,7.10-4 V/m

Câu 17: Gắn cố định hai điện tích điểm cùng độ lớn tại hai điểm A, B. Xét điểm M trên đoạn thẳng AB. Gọi cường độ điện trường tại M khi hai điện tích cùng dấu là E; khi hai điện tích trái dấu là E’. So sánh độ lớn E và E’. A. E < E’ B. E >E’ C. E =E’ D. A, B, C đều có thể xảy ra tùy vào vị trí của điểm M trên đoạn thẳng AB Câu 18: Một dây mảnh hình cung tròn tâm O, có bán kính R= 20cm, góc mở 600 độ điện dài =6.10-14C/m. Độ lớn cường độ điện trường tại tâm O là: A. 5,4.10-4 V/m C. 2,3.10-3 V/m Câu 19: Ở khoảng cách nào dọc theo trục qua tâm của một đĩa nhựa tròn tích điện đều, bán kính R thì cường độ điện trường bằng 1/2 giá trị của cường độ điện trường tại một điểm rất gần với tâm đĩa?

=

z

2

R

z =

R 2

=

z

3

R

z =

A. B.

R 3

Cµ = 8

C. D.

= -6 lần lượt đặt tại hai điểm A, B cách nhau 10 cm Câu 20: Hai điện tích điểm Q 1 , Q2

B. 7,2.106V/m D.1,8.105V/m

trong không khí. Tính cường độ điện trường do hai điện tích điểm này gây ra tại điểm M, biết MA=20cm, MB=10cm. A. 3,6.106V/m C. 9,0.105V/m Câu 21: Xác định cường độ điện trường tại điểm P do bốn điện tích điểm gây ra?

= E k

A. E=0

= E k

B.

10q 2 d 16q 2 d

= E k

C.

2 34q 2 d

σ

D.

=

=

BE

AE

σ 2 ε 0

σ ε 0

=

=

Câu 22: Hai mặt phẳng rộng vô hạn đặt trong không khí, tích điện đều với mật độ điện mặt σ>0 và 'σ = -3σ. Cường độ điện trường tại 2 vị trí A và B là: 'σ ; A.

AE

BE

σ 2 ε 0

σ ε 0

=

=

; B.

AE

BE

σ 2 ε 0

σ 4 ε 0

C. ;

D. Một đáp án khác

 E

B24(VD)

Câu 23: Một điện tích âm có độ lớn Q =1,5.10-13C, khối lượng m= 1,3.10-10 kg chuyển động ngang vào giữa 2 bản của một tụ điện phẳng được đặt nằm ngang với vận tốc 18 m/s. Biết chiều dài của bản tụ điện là 1,6 cm.Tụ điện được tích điện và tạo ra một điện trường có thể coi là đều. Cường độ điện trường hướng từ trên xuống dưới và có độ lớn là 1,4.106 V/m. Tính độ lệch theo phương thẳng đứng của điện tích ở mép ra của các bản? (Bỏ qua tác dụng của trọng lực)

B. 1,28.10-3m D. 3,2.10-3m

A. 4.10-2 m C. 6,4.10-4m B25(H)

Câu 24: Trong các kết luận sau đây về lưỡng cực điện, kết luận nào là sai? A. Cường độ điện trường gây ra bởi một lưỡng cực điện giảm nhanh hơn t heo khoảng cách so với cường độ điện trường gây ra bởi một điện tích điểm. B. Cường độ điện trường gây ra bởi một lưỡng cực điện tỉ lệ nghịch với khoảng cách từ lưỡng cực điện tới điểm đó. C. Vectơ momen điện đặc trưng cho tính chất điện của lưỡng cực điện. D. Lưỡng cực điện đặt trong điện trường không đều bị hút về phía có điện trường mạnh C1: Đường sức điện trường

C11(B)

Câu 25: Phát biểu nào sau đây là đúng?

A. Đường sức điện trường tĩnh không cắt nhau.

Cµ= -5

Cµ = 8

B. Đường sức điện trường tĩnh là những đường song song cách đều nhau C. Đường sức điện trường tĩnh chỉ chiều của lực tác dụng lên điện tích thử đặt tại một điểm trên đường sức đó.

đặt trong không khí và nằm trong mặt kín (S). Thông và Q2

C.13.10-6 Vm B. 3,4.105 Vm

D. A và C đều đúng C3: Định lí Gauss: C32 (VD) Câu 26: Hai điện tích Q 1 lượng điện trường Eφ do hai điện tích trên gửi qua mặt (S) có giá trị nào sau đây? A. 3,0.10-6 Vm D.1,5.106 Vm C33(H)

Câu 27: Tại điểm nào dưới đây sẽ không có điện trường: A. Ở bên ngoài gần một quả cầu nhựa nhiễm điện. B. Ở bên trong một quả cầu nhựa nhiễm điện. C1. Ở bên ngoài gần một quả cầu kim loại nhiễm điện. C2. Ở giữa hai mặt cầu kim loại đồng tâm, tích điện đều, có độ lớn điện tích bằng nhau nhưng trái dấu. D. Ở bên trong một quả cầu kim loại nhiễm điện.

σ

(VD) C33

, đặt trong không khí. Điện

 B. Tại mọi điểm, E

Câu 28: Mặt phẳng (P) rộng vô hạn, tích điện đều với mật độ điện mặt trường do mặt phẳng này gây ra tại những điểm nằm ngoài mặt phẳng đó có đặc điểm gì? A. Là điện trường đều

=

E

luôn vuông góc với mặt phẳng (P)

σ ε 02

ρ

C. Độ lớn

D. Cả 3 câu trên đều đúng Câu 29: Tấm kim loại (P) phẳng, rất rộng, tích điện đều. So sánh độ lớn cường độ điện trường do (P) gây ra tại các điểm A, B, C? A. EA> EB> E C B. E C A< EB< E C. E A= EB= EC D. E B A+ EC= 2E Câu 30: Khối cầu bán kính 10 cm, tích điện đều với mật độ điện khối = 9,0.10-5C/m3, được đặt trong không khí. Độ lớn của vectơ cảm ứng điện D tại vị trí cách tâm một đoạn 5cm là:

A. 1,5.10-6 C/m2 C. 1,2.10-3 C/m2

B. 1,2.10-5 C/m2 2 D. 4,5.10-6 C/m Câu 31: Điện tích Q phân bố đều trong thể tích của một khối cầu tâm O. Hằng số điện môi ở trong và ngoài quả cầu đều bằng nhau. Phát biểu nào sau đây đúng khi nói về cường độ điện trường E do khối cầu gây ra?

A1. Càng xa tâm O, cường độ điện trường E càng giảm

λ

ρ

. Cả 3 câu trên đều sai. A2. Bên trong khối cầu, E =0, bên ngoài khối cầu , E giảm dần khi ra xa tâm O B. Bên trong khối cầu, E giảm dần khi lại gần tâm O, bên ngoài khối cầu , E giảm dần khi ra xa tâm O C. Bên trong khối cầu, E như nhau tại mọi điểm, bên ngoài khối cầu , E giảm dần khi ra xa tâm O D1. Bên trong khối cầu, E =0, bên ngoài khối cầu , E giảm dần khi ra xa tâm O D2

 của vectơ cường độ điện trường E

Câu 32: Một sợi dây dài vô hạn, đặt trong không khí, tích điện đều với mật độ điện dài = - 6.10- 9 C/m. Cường độ điện trường do sợi dây này gây ra tại điểm M cách dây một đoạn h=20cm là: B. 1080 V/m A. 5395V/m D. 270 V/m C. 540 V/m Câu 33: Tấm điện môi phẳng, khá rộng, bề dày d, có hai mặt song song và hai mặt này cách đều mặt . Tính độ lớn phẳng Oxy. Tấm điện môi được đặt trong không khí, tích điện đều với mật độ điện khối

d 4

=

=

=

=

E

E

E

E

ở tọa độ (0,0, )?

ρ d ε 08

ρ d ε 02

ρ ε 02

ρ d ε 04

A. B. C. D.

2

2

+

σ ε 0

z

R

z

Câu 34: Một mặt không dẫn điện rộng, phẳng, đặt trong không khí và tích điện đều với mật độ điện mặtσ. Một lỗ tròn nhỏ bán kính R được cắt ở tâm của bản như hình vẽ. Bỏ qua hiệu ứng mép của các đường sức quanh tất cả các mép, tính cường độ điện trường ở điểm P, cách tâm của lỗ và dọc theo trục của nó một khoảng z? z A.

2

2

+

z

R

σ ε 02

z

B.

2

2

+

σ 2 ε 0

z

R

z

C.

2

2

+

σ ε 02

z

R

D.

ρ=

Câu 35: Một quả cầu rắn không dẫn điện với bán kính R có một sự phân bố điện tích không đều với

sρ là một hằng số và r là khoảng cách tính từ điểm đang xét đến

ρ sr R

, trong đó mật độ điện khối

3

2

2

2

tâm của quả cầu. Cường độ điện trường tại một điểm bên trong quả cầu có độ lớn:

4

15

3

2

ρ sr ε R 0

ρ sr ε R 0

ρ sr ε R 0

ρ sr ε R 0

A. B. C. D.

D1: Công của lực tĩnh điện

D11(B)

=

=

A kqQ

A kqQ

trong không khí. Biểu thức tính công của lực điện trường là: Câu 36: Điện tích điểm q di chuyển trong điện trường của điện tích điểm Q, từ điểm M đến điểm N, cách Q những khoảng rM, rN

1 r M

1 r N

1 r N

1 r M

  

  

  

  

= A q

= A q

A. B.

kQ kQ − r M

r N

kQ kQ − r N

r M

  

  

  

  

C. D.

(VD) D13

Câu 37: Điện tích điểm Q= -5 đặt yên trong không khí. Điện tích điểm q=+8 Cµ di chuyển trên

đường tròn tâm Q, từ M cách Q 40cm, đến điểm N cách M là 20cm. Tính công của lực điện trường trong dịch chuyển đó?

A. 0,9J B. -0,9J C. 0,3J D. 0J

Câu 38: Ba điện tích điểm Q1=+5.10-9C, Q2= - 6.10-9C, Q3=+12.10-9C đặt tại ba đỉnh của một tam giác đều cạnh a=20cm trong không khí. Chọn gốc điện thế ở vô cùng. Công của lực điện trường khi một electron di chuyển từ rất xa đến trọng tâm tam giác là:

A. 1,37.10-16J C. 4,6.10-17J B. -1,37.10-16J D. - 4,6.10-17J

D2: Thế năng tĩnh điện

D22(B)

Câu 39: Phát biểu nào dưới đây sai?

A. Thế năng của một đơn vị điện tích ở một điểm trong điện trường được gọi là điện thế ở điểm đó. B. Thế năng của một điện tích điểm q0 ở một điểm nào đó trong điện trường là một đại lượng có giá trị bằng trừ công của lực tĩnh điện làm dịch chuyển điện tích đó từ vô cực đến điểm đang xét. C. Điện thế là một thuộc tính của chính điện trường, dù có hay không có một vật tích điện được đặt trong nó. D. Hiệu điện thế giữa hai điểm M và N trong điện trường là một đại lượng về trị số bằng công của lực tĩnh điện làm dịch chuyển một điện tích dương từ điểm M tới điểm N

D23(VD)

B. 4,06.10-5 m D. 8,25.10-10m

Câu 40: Một electron được bắn với vận tốc ban đầu 3,2.105 m/s hướng thẳng đến một proton được cố định tại chỗ. Nếu lúc đầu electron ở rất xa proton thì ở khoảng cách nào đối với proton, vận tốc tức thời của nó bằng hai lần vận tốc ban đầu? A.1,03.1010 m C. 1,65.10-9m D3: Điện thế - Hiệu điện thế

D33(VD)

Câu 41: Điện tích Q > 0 phân bố đều trên vòng dây tròn, tâm O, bán kính R. Chọn gốc điện thế ở vô cùng. Kết luận nào sau đây đúng?

A. Tại tâm vòng dây, cường độ điện trường có giá trị lớn nhất và điện thế có giá trị nhỏ nhất.

B. Tại tâm vòng dây, cường độ điện trường triệt tiêu và điện thế có giá trị lớn nhất. C. Tại tâm vòng dây, cường độ điện trường triệt tiêu và điện thế có giá trị nhỏ nhất.

=

ln

D. Tại tâm vòng dây, cường độ điện trường và điện thế đều triệt tiêu. Câu 42: Một dây thẳng rất dài, tích điện đều với mật độ điện dài λ>0 đặt trong không khí. Chọn gốc điện thế tại điểm M0 cách dây một đoạn x 0 . Tìm biểu thức của điện thế tại điểm M cách dây một đoạn x?

V M

λ πε 2 0

x x 0

=

ln

A.

V M

x 0 x

λ πε 2 0

=

B.

MV

λ πε 2 0

1 x 0

 1 − x 

  

=

(

)

C.

MV

1 x

λ πε 2 0

1 x 0

D.

σ

σ

σ

=550V. Chọn gốc điện

0

B. =5,57.10-7C/m 2 2 σD. =2,78.10-7C/m

V∞ =

Câu 43: Điện thế ở tâm của một đĩa tròn tích điện đều, bán kính R=3,5cm là V0 thế tại vô cùng . Mật độ điện tích mặt trên đĩa là: A. =2,78.10-9C/m2 C. =8,85.10-8C/m2 Câu 44: Cho 2 điện tích điểm +q và -3q đặt cách nhau một khoảng d trong không khí. Biết , hãy

=

=

=

=

;

;

xác định điểm M trên đường thẳng AB (không phải ở vô cực) mà ở đấy điện thế do hai điện tích điểm gây ra bằng 0?

M A 1

M B 1

M A 2

M B 2

=

=

=

=

;

;

A. hoặc

M A 1

M B 1

M A 2

M B 2

d 4 3 d 4

=

=

=

=

;

;

hoặc B.

M A 1

M A 2

M B 2

M B 1

d 3 4 d 4 3 d 4

=

=

=

=

;

;

C. hoặc

M A 1

M B 1

M A 2

M B 2

d 2 d 2 3 d 2 d 3 2

d 3 2 3 d 2 d 2 d 2

d 4

hoặc D.

d 4 d 3 4 D34(VD)

Câu 45: Tại hai đỉnh C, D của một hình chữ nhật ABCD (có các cạnh AB= 4m, BC=3m) người ta lần lượt đặt hai điện tích điểm q1= -3.10-8C, q2= 3.10-8C. Tính hiệu điện thế giữa hai điểm A và B? C. 72 V D. 45 V B. 36 V A. 0 V

− 9

− 9

λ

=

λ

=

5, 4.10

/C m

4,9.10

/C m

Câu 46: Một ống đếm Geiger có vỏ kim loại hình trụ đường kính 2 cm. Dọc theo trục của trụ có căng một sợi dây đường kính 1,3.10-4 cm. Nếu hiệu điện thế giữa chúng bằng 850V thì mật độ điện dài của sợi dây là:

− 9

− 9

λ

=

λ

=

1, 6.10

/C m

9,8.10

/C m

A. B.

D. C.

3

3

×

2 10×

10

Câu 47: Hai bản kim loại rộng, song song cách nhau 1,5 cm tích điện đều, bằng nhau và trái dấu. Lấy gốc điện thế ở bản âm thì điện thế ở bản dương bằng 10V. Cường độ điện trường trong miền giữa các bản và cách bản âm 0,5 cm có độ lớn là:

20 3

2 3

A. V/m B. V/m C. V/m D.20 V/m

D4: Liên hệ giữa cường độ điện trường và hiệu điện thế

E>

E

(H) D41

V< N

M

N

E>

Câu 48a: Vật bị nhiễm điện dương hoặc âm do cọ xát vì khi cọ xát: B. vật bị nóng lên A. electron chuyển từ vật này sang vật khác C. các điện tích tự do được tạo lên trong vật D. các điện tích bị mất đi Câu 48b: Xét hai điểm M, N trong điện trường có các đường sức được mô tả như hình vẽ. So sánh độ lớn cường độ điện trường và điện thế tại M và N? A. và M V

N

V> N

E<

B. M E và M V

N

V< N

E<

C. M E và M V

N

V> N

D. M E và M V

CHƯƠNG V PHÂN TÍCH VÀ ĐÁNH GIÁ KẾT QUẢ KHẢO SÁT

I .THỰC NGHIỆM SƯ PHẠM: 1.1.Mục đích của thực nghiệm sư phạm:. – Sử dụng hệ thống câu hỏi đã soạn thảo để kiểm tra đánh giá kết quả học tập của học sinh. – Đánh giá độ tin cậy của câu hỏi để từ đó lựa chọn những câu tốt có thể sử dụng cho những lần sau hoặc những câu chưa tốt để điều chỉnh, bổ sung. 1.2 Phương pháp thực nghiệm: 1.2.1 Trình bày bài trắc nghiệm: – Bài trắc nghiệm soạn theo mục tiêu đã đề ra được đánh máy, gồm 48 câu TNKQNLC , mỗi câu có 4 lựa chọn và mỗi SV chỉ lựa chọn một câu đúng nhất trong 4 lựa chọn đó. – Để đảm bảo tính trung thực của bài trắc nghiệm, hạn chế khả năng nhìn bài nhau., hai đợt khảo sát này, mỗi đợt đều có 4 đề dựa trên cơ sở xáo trộn thứ tự câu hỏi từ đề gốc (đề tài này sử dụng phần mềm đảo đề của thầy Hoàng Đức Tâm để hỗ trợ cho phần này). 1.2.2 Thời gian làm bài kiểm tra: Mỗi bài kiểm tra được thực hiện trong vòng 100 phút với 48 câu hỏi TNKQNLC. 1.2.3 Cách thức thực hiện khảo sát:

Bài kiểm tra được tiến hành lần lượt trên 2 đợt KS sau khi các sinh viên tiến hành ôn tập cẩn thận.

– Đợt KS 1 gồm 63 sinh viên lớp Lí cử nhân thực hiện vào ngày 10/04/2010. – Từ kết quả của lần thứ nhất, bài trắc nghiệm đã được sửa đổi cho hoàn chỉnh hơn, và tiếp tục được khảo sát ở 143 SV lớp Lý 1A, 1B và thi lại vào ngày 17/04/2010. 1.2.4 Chấm bài kiểm tra và xử lý số liệu thống kê: Trong đề tài đã sử dụng phần mềm Test để chấm điểm thô và xử lý các số liệu

II. PHÂN TÍCH BÀI TRẮC NGHIỆM (QUA KẾT QUẢ THỰC NGHIỆM SƯ PHẠM): 2.1. Đánh giá bài trắc nghiệm thông qua phân bố điểm số: 2.1.1 Thống kê điểm thô–điểm cơ số 10 qua phân bố điểm số.

STT STT STT

Điểm thô 16 18 14 12 22 13 21 22 22 23 27 24 23 14 21 20 17 17 18 20 17 17 Điểm hệ 10 3 4 2 1 6 1 6 6 6 7 9 7 7 2 6 5 3 3 4 5 3 3 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22

Lí cử nhân Điểm thô 22 30 28 26 23 17 20 21 22 21 28 21 19 17 17 23 23 17 14 16 16 19

Điểm hệ 10 6 10 9 8 7 3 5 6 6 6 9 6 4 3 3 7 7 3 2 3 3 4 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 Điểm thô 23 21 21 19 20 21 18 16 16 16 22 16 17 18 24 23 25 24 23 Điểm hệ 10 7 6 6 4 5 6 4 3 3 3 6 3 3 4 7 7 8 7 7 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63

STT STT STT STT Điểm thô Điểm lớp

Lí 1A – Lí 1B – Thi lại Điểm thô

Điểm lớp Điểm thô Điểm lớp Điểm thô Điểm lớp

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 25 16 22 17 13 16 16 21 21 20 8 15 21 24 19 18 17 19 24 14 18 17 16 12 21 16 29 33 13 22 12 18 27 18 23 27 7 4 6 4 3 4 4 5 5 5 1 3 5 6 5 4 4 5 6 3 4 4 4 3 5 4 8 9 3 6 3 4 7 4 6 7 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 27 37 19 30 15 18 17 20 17 12 19 18 26 22 25 21 19 16 19 11 11 14 18 19 22 25 29 31 29 19 15 13 19 41 26 14 7 10 5 8 3 4 4 5 4 3 5 4 7 6 7 5 5 4 5 2 2 3 4 5 6 7 8 8 8 5 3 3 5 10 7 3 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 42 19 14 23 19 17 14 17 15 18 15 17 15 24 15 32 27 18 19 21 11 15 19 26 20 17 14 18 26 21 28 18 27 15 11 32 10 5 3 6 5 4 3 4 3 4 3 4 3 6 3 9 7 4 5 5 2 3 5 7 5 4 3 4 7 5 7 4 7 3 2 9 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 13 16 17 20 17 18 20 15 23 15 23 12 12 35 21 32 16 9 21 20 31 34 8 21 23 23 16 30 24 15 23 19 25 10 31 3 4 4 5 4 4 5 3 6 3 6 3 3 10 5 9 4 2 5 5 8 9 1 5 6 6 4 8 6 3 6 5 7 2 8

Bảng phân bố các loại điểm số:

Điểm dưới TB (1-4) Điểm TB (5-6) Điểm khá (7-8) Điểm giỏi (9-10)

Các loại điểm

Số bài Tỉ lệ Lần 1 28 44,4 Lần 2 67 46,8 Lần 1 18 28,6 Lần 2 45 31,5 Lần 1 13 20,6 Lần 2 22 15,4 Lần 1 4 6,4 Lần 2 9 6,3

Diem duoi TB

Diem TB

Diem kha

Diem gioi

Lần 1 (Lí cử nhân):

Diem duoi TB

Diem TB

Diem kha

Diem gioi

Lần 2 (Lí 1A – Lí 1B – Thi lại):

2.1.2 Bảng phân bố điểm số của SV

Căn cứ vào bảng trên ta có phân bố điểm chuẩn theo số bài làm của SV qua hai đợt khảo sát :

Điểm Lần 1 Lần 2 0 0 0 1 2 2 2 3 6 3 16 27 4 7 32 5 4 30 6 14 15 7 11 14 8 2 8 9 3 5 10 1 4

Tacó thể biểu thị bảng phân bố tần số các loại điểm bằng đồ thị như sau:

35

30

25

20

Lan 1

V S o S

Lan 2

15

10

5

0

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

Diem

+

×

=

=

30

Mean LT1 Nhận xét : Đồ thị phân bố điểm số của hai lớp nhìn chung gần giống dạng hình chuông. Lớp lí cử nhân (Lần 1): - Điểm số của lớp lí cử nhân phân bố mạnh ở khu vực: 3-4-6-7, trong khi đó ở khu vực điểm 5 khá ít. - Trung tâm của các điểm số nằm hơi lệch về phía dưới so với giữa vùng thang đo. Điều này cho thấy bài này khó đối với lớp cử nhân. - Số sinh viên tập trung điểm giỏi( điểm 9-10) có 4 sinh viên (chiếm 6,4%). - Số sinh viên có điểm dưới trung bình (≤ 4 điểm) có 28 sinh viên (chiếm 44,4%). - Điểm bài trắc nghiệm phân bố từ điểm 1 đến điểm 10. Lớp lí 1A – Lí 1B – Thi lại ( Lần 2) - Điểm số của lớp lí 1A – Lí 1B – Thi lại tập trung quanh khu vực điểm 3-4-5.- Điểm chiếm tần số nhiều nhất là 4. Trung tâm của các điểm số nằm lệch phía dưới so với giữa vùng thang đo. Điều này cho thấy bài này khó so với trình độ của lớp lí 1A – Lí 1B – Thi lại. - Số sinh viên tập trung ở điểm giỏi (9-10) có 9 sinh viên ( chiếm 6,3%) - Số sinh viên có điểm dưới trung bình (≤ 4 điểm) có 67 sinh viên (chiếm 46,8%). - Điểm bài trắc nghiệm phân bố từ điểm 1 đến điểm 10. - Độ dốc xung quanh hình chuông của lớp lí 1A – Lí 1B – Thi lại cao hơn lớp lí cử nhân tức là mức độ phân tán bài làm của lớp lí 1A – Lí 1B – Thi lại nhiều hơn lớp lí cử nhân. 2.2 Đánh giá bài trắc nghiệm thông qua số trung bình: Lần 1: - Điểm trung bình lý thuỵết ( Mean LT) 48 48 25% 2

=63( Số người làm bài)

− ×

=

×

=

/

20, 016 1,96 3,858 / 63 19, 06

- Điểm Trung bình (Mean) Mean 1=20,016; S1=3,858 (Độ lệch tiêu chuẩn) ; N1 ( Xác suất tin cậy Z=1,96)

Mean 1

Z S 1

N 1

+ Giá Trị biên dưới:

+ ×

=

+

=

/

× 20, 016 1,96 3,858 / 63

20,97

Mean 1

Z S 1

N 1

+ Giá trị biên trên:

+

×

=

=

30

Mean LT1 = 30

Mean LT2 Lần 2: - Điểm trung bình lý thuyết (MeanLT) 48 48 25% 2

− ×

=

×

=

Z S

/

N

20, 056 1,96 6, 455 / 143 19

=143 (Xác suất tin cậy Z=1,96) - Điểm Trung bình (Mean) Mean 2=20,056; S2=6,455 ; N2

Mean 2

2

2

+ ×

=

+

=

Z S

/

N

× 20, 056 1,96 6, 455 / 143

21,11

+ Giá Trị biên dưới:

Mean 2

2

2

+ Giá trị biên trên:

Mean LT2 = 30

=

0, 625

Nhận xét: Nhìn vào hai trục tương ứng với hai lần KS 1 và 2 ta thấy điểm trung bình lý thuyết nằm phía trên trục số, điều đó chứng tỏ bài trắc nghiệm này là khó đối với trình độ SV. III. PHÂN TÍCH CÂU TRẮC NGHIỆM: 3.1 Đánh giá câu trắc nghiệm qua chỉ số độ khó và độ phân cách: - Đánh giá độ khó các câu:

+ 100% 25% 2

+ Độ khó vừa phải của câu i =

: Câu trắc nghiệm khó

+ So sánh độ khó của câu trắc nghiệm và độ khó vừa phải: Độ khó < 0.555 0.555 < Độ khó < 0.695 : Câu trắc nghiệm vừa sức Độ khó > 0.695 : Câu trắc nghiệm dễ

- Đánh giá độ phân cách các câu

: Câu có độ phân cách rất tốt

: Câu có độ phân cách khá tốt

D > 0.40 0.3 ≤ D ≤ 0.39 0.2 ≤ D ≤ 0.29 : Câu có độ phân cách tạm được

D ≤ 0.19 : Câu có độ phân cách kém

3.1.1 Đánh giá độ khó và độ phân cách các câu trong toàn bài:

Chỉ Số Độ Phân Cách Câu Lần 1 Chỉ Số Độ Khó Lần 2 NX NX NX Lần 2 Lần 1

0.254 Khó 0.329 Khó 1 Kém 0.264 -0.201

Khó Khó 0.427

Kém Rất tốt 0.107 0.453

0.429 0.619 Vừa sức 0.657 Vừa sức 0.357 Khó 0.476 0.635 Vừa sức 0.462 Khó Khó 2 3 4 5 NX Tạm được 0.229 Tạm được 0.396 Khá tốt Kém -0.107 Rất tốt 0.400 0.200 Tạm được 0.324 Khá tốt

0.317 Khó 0.441 Khó 6 Kém 0.077 0.287

Khó

0.524 0.778 Khó Dễ 0.399 0.657 Vừa sức 7 8 Tạm được 0.268 Tạm được 0.343 Khá tốt 0.360 Khá tốt 0.398 Khá tốt

9 0.302 Khó 0.378 Khó 0.042 Kém 0.288

10 11 0.079 0.397 Khó Khó 0.175 0.503 Khó Khó 0.060 -0.054 Kém Kém 0.124 0.442

12 0.603 Vừa sức 0.448 Khó 0.281 Tạm được 0.256

13 0.746 Dễ 0.217 Khó 0.144 Kém Tạm được Kém Rất tốt Tạm được 0.335 Khá tốt

14 0.508 Khó 0.622 Vừa sức 0.119 Kém 0.288

Tạm được Kém

Kém

15 16 17 18 19 0.937 0.364 Dễ 0.603 Vừa sức 0.552 0.399 Khó 0.397 0.343 Khó 0.317 0.189 Khó 0.127 Khó Khó Khó Khó Khó 0.271 Tạm được 0.066 0.359 Khá tốt Kém 0.079 0.185 Kém 0.148 0.368 0.316 Khá tốt Khá tốt 0.283 Tạm được 0.334 Khá tốt

20 0.381 Khó 0.357 Khó 0.175 Kém 0.242

Tạm được Kém

21 22 0.254 0.190 Khó Khó 0.287 0.329 Khó Khó 0.083 0.134 Kém Kém 0.119 0.308 Khá tốt

23 0.460 Khó 0.608 Vừa sức Kém 0.137 0.222

24 25 0.492 0.254 Khó Khó 0.413 0.357 Khó Khó Tạm được 0.284 Tạm được 0.391 Khá tốt -0.002 0.276 Kém Tạm

Câu Chỉ Số Độ Khó Chỉ Số Độ Phân Cách

được 0.349 Khá tốt

26 27 0.444 0.397 Khó Khó 0.510 0.357 Khó Khó Kém 0.137 0.232 Tạm được 0.184

28 0.873 Dễ 0.895 Dễ 0.162 Kém 0.204

Khó Khó Khó 0.559 Vừa sức 0.420 0.217 Khó Khó

0.317 0.302 0.317 0.651 Vừa sức 0.692 Vừa sức 0.254 0.266 Khó Khó 0.315 0.419 0.510 0.486 0.111 Khá tốt Rất tốt Rất tốt Rất tốt Kém 0.407 0.438 0.450 0.407 0.103 29 30 31 32 33

34 0.540 Khó 0.727 Dễ 0.268 Tạm được 0.217

Kém Tạm được Rất tốt Rất tốt Rất tốt Rất tốt Kém Tạm được Kém

0.302 0.413 0.524 0.413 0.190 0.397 Khó Khó Khó Khó Khó Khó 0.210 0.385 0.427 0.524 0.196 0.322 Khó Khó Khó Khó Khó Khó -0.021 0.373 0.012 0.030 0.092 0.358 Kém Khá tốt Kém Kém Kém Khá tốt 35 36 37 38 39 40

41 0.349 Khó 0.378 Khó 0.118 Kém 0.237

42 0.079 Khó 0.231 Khó 0.075 Kém 0.160

43 0.524 Khó 0.517 Khó -0.087 Kém 0.273

44 0.143 Khó 0.245 Khó 0.022 Kém 0.527

45 0.476 Khó 0.399 Khó 0.243 Tạm được 0.267

46 0.349 Khó 0.462 Khó 0.135 Kém 0.240

47 0.381 Khó 0.517 Khó 0.209 Tạm được 0.223

48 0.302 Khó 0.336 Khó 0.302 Khá tốt 0.134 0.307 Khá tốt 0.345 Khá tốt 0.308 Khá tốt 0.337 Khá tốt Rất tốt 0.409 Tạm được Kém Tạm được Rất tốt Tạm được Tạm được Tạm được Kém 0.044

3.1.2 Bảng đánh giá độ khó các câu theo tì lệ. Bảng tổng hợp các câu theo các mức đô khó. Lần 1:

Mức độ khó Câu số Tổng số Phần trăm

Câu TN Khó 39 82%

Câu TN vừa sức Câu TN dễ 1,2,4,6,7,9,10,11,14,17,18,19,20,21,22,23, 24,25,26,27,29,30,31,33,34,35,36,37,38,39, 40,41,42,43,44,45,46,47,48 3,5,12,16,32 8,13,15,28 5 4 10% 8%

Lần 2:

Mức độ khó Tổng số Phần Trăm

Câu TN Khó 40 83%

8%

10%

Kho

Vua suc

De

82%

4%

13%

Kho

Vua suc

De

83%

Câu TNvừa sức Câu TN dễ Câu số 1,2,4,5,6,7,9,10,11,12,13,15,16,17, 18,19,20,21,22,24,25,26,27,30,31, 33,34,35,36,37,38,39,40,41,42,43, 44,45,46,47,48 3,8,14,23,29,32 28,34 6 2 13% 4%

Lần KS1 Lần KS 2:

Nhận xét: Đây là đề tài lần thứ hai soạ n thảo câu hỏi TNKQ trên cùng một chủ đề , vì vậy các câu hỏi này phần nhiều đặt ở mức độ vận dụng, suy luận, đòi hỏi SV nắm vững kiến thức và biết tổng hợp kiến thức. Em cũng mong đợi các câu hỏi này là khó đối với trình độ SV. Tuy nhiên, kết quả khảo sát cho thấy các câu hỏi TNKQ mà em đưa ra là rất khó đối với trình độ SV, đặc biệt là đối với SV lớp cử nhân vật lí. 3.1.3 Đánh giá độ phân cách theo tỉ lệ: Bảng tổng hợp mức độ phân cách. Lần 1:

Mức độ phân cách Câu số Tổng Số Phần trăm

4,30,31,32 4 8%

8,18,29,36,40,48 6 13%

2,5,7,12,15,19,24,27,34,45,47 11 23% Rất tốt (D ≥ 0.40) Khá tốt (0.30 ≤ D ≤0.39) Tạm Được (0.20 ≤ D ≤ 0.29)

27 56% Kém (D ≤ 0.19) 1,3,6,9,10,11,13,14,16,17,20,21,22,23,25, 26,28,33,35,37,38,39,41,42,43,44,46

Lần 2

Câu số Tổng Số Phần trăm

4,11,29,30,31,32,40,44 8 17%

2,5,7,8,13,16,18,19,27,24,26,36,37,38,39 15 31%

1,6,9,12,14,20,23,25,28,34,41,43,45,46,47 15 31%

Mức độ phân cách Rất tốt (D ≥ 0.40) Khá tốt (0.30 ≤ D ≤ 0.39) Tạm Được (0.20 ≤ D ≤ 0.29) Kém (D≤ 0.19) 3,10,15,17,21,27,33,35,42,48 10 21%

Biểu đồ phần trăm thể hiện độ phân cách câu: Lần 1:

Lần 2:

 cầu 2 bằng F . Bây giờ giả thiết có một quả cầu thứ 3 giống hai quả cầu trên được gắn vào một cán cách điện và mới đầu trung hòa điện. Quả cầu thứ 3 trước hết được chạm vào quả cầu 1 sau đó vào quả

 'F

Nhận xét : Trong biểu đồ 1, số câu có độ phân cách kém chiếm tới hơn 50%. Nguyên nhân là do nhiều SV trong lớp lí cử nhân đã đánh may rủi trong quá trình làm bài, do đó rất khó phân biệt được trình độ giữa các SV. Tuy nhiên, tình trạng này đã được cải thiện đáng kể trong đợt KS 2. Độ phân cách từ tạm được trở nên chiếm khoảng 80%. Điều này chứng tỏ rằng SV lớp lí 1A-1B- thi lại đã chịu đầu tư ôn tập và tình trạng đánh ngẫu nhiên rất ít xảy ra. Như vậy trong bài trắc nghiệm này có khoảng 90% câu có thể sử dụng trong các lần KS sau. 3.2 Phân tích chi tiết các câu trắc nghiệm thông qua kết quả KS: Câu 1: Hai quả cầu nhỏ 1 và 2 giống nhau, dẫn điện, cô lập, có một lượng điện tích bằng nhau và đặt cách nhau một khoảng lớn so với đường kính của chúng. Lực tĩnh điện do quả cầu 1 tác dụng lên quả

bây giờ tác dụng lên quả cầu 2 có độ lớn bằng

cầu 2 và cuối cùng được đưa ra xa. Hỏi lực tĩnh điện bao nhiêu?

F

F

A. B.

F

F

3 8 1 4

3 4 1 8

C. D.

PTTKS: Câu này kiểm tra SV kiến thức về nhiễm điện do tiếp xúc và vận dụng định luật Coulomb.

2

=

= F k

= ) q

q 2

2

q r

Lúc đầu lực tương tác tĩnh điện giữa hai quả cầu: ( 1 q

'

q 1

q= 3

q = 2

Khi quả cầu 3 tiếp xúc với quả cầu 1 thì điện tích được chia đều cho hai quả cầu:

+

q

+

q 2

q 3

q 2

=

=

=

=

'

'

q 2

q 3

3

2

q 3 4

'

=

=

=

F

k

k

F

'

Sau đó quả cầu 3 tiếp xúc với quả cầu 2, thì điện tích lại được chia đều cho hai quả cầu:

q q ' 1 2 2 r

q 3 q . 2 4 2 r

3 8

Lua chon A* B C D Missing Tan so : 19 15 15 14 0 Ti le % : 30.2 23.8 23.8 22.2 Pt-biserial : 0.04 -0.24 0.20 -0.00 Muc xacsuat : NS NS NS NS

Lua chon A* B C D Missing Tan so : 54 35 27 24 3 Ti le % : 38.6 25.0 19.3 17.1 Pt-biserial : 0.29 -0.21 -0.10 -0.03 Muc xacsuat : <.01 <.05 NS NS

’: Lực tương tác tĩnh điện F’ giữa q1’ và q2

- Nếu SV tính toán sai thì chọn câu A hoặc D. - Nếu SV cho rằng quả cầu 3 khi tiếp xúc với quả cầu 2 vẫn trung hòa về điện thì chọn câu C. PTKQ: Trong lần KS đầu, độ phân cách kém trong khi câu nhiễu C lại có độ phân cách dương chứng tỏ SV không nắm vững kiến thức, nhiều SV thấy đề bài dài và khó hiểu nên đã đánh ngẫu nhiên. Trong đợt KS sau, trình độ SV cao hơn. Độ phân cách khá tốt. Gần 40% số SV chọn đáp án đúng và hầu hết là SV khá giỏi. Các SV còn lại thì phân bố khá đều ở ba câu nhiễu. Độ phân cách âm chứng tỏ các SV này thuộc nhóm thấp. Tuy nhiên câu nhiễu D có độ phân cách âm thấp. Điều này cho ta thấy câu nhiễu D không chỉ thu hút các SV yếu kém mà còn thu hút một số SV khá giỏi tính toán sai.

Qua phân tích ở trên ta thấy đây là một câu khó so với trình độ SV và có thể được sử dụng trong

các đợt KS sau. Câu 2: Cho vật dẫn A đã nhiễm điện dương tiếp xúc với vật dẫn B chưa nhiễm điện rồi tách ra thì B được nhiễm điện +q. Kết luận nào sau đây đúng? A. Một số điện tích dương đã chạy từ A sang B B. Điện tích của A còn lại là –q C. Một số điện tích âm đã chạy từ B sang A D. Có cả điện tích dương chạy từ A sang B và điện tích âm chạy từ B sang A

Lua chon A B C* D Missing Tan so : 8 2 40 13 0 Ti le % : 12.7 3.2 63.5 20.6 Pt-biserial : -0.15 -0.35 0.20 0.04 Muc xacsuat : NS <.01 NS NS

Lua chon A B C* D Missing Tan so : 33 12 66 32 0 Ti le % : 23.1 8.4 46.2 22.4 Pt-biserial : -0.17 -0.08 0.32 -0.17 Muc xacsuat : <.05 NS <.01 <.05

2

=

;

k

= F k 1

F 2

2

q q 1 2 2 r

q r

=

2 ⇔ = q

PTTKS: Kiểm tra khả năng nắm vững bản chất hiện tượng nhiễm điện do tiếp xúc của SV. Nếu không hiểu rõ bản chất, SV rất dễ lựa chọn các câu sai. PTKQ: Đây chỉ là câu kiểm tra khả năng hiểu bản chất của hiện tượng nhiễm điện do tiếp xúc nhưng lại không phải là câu dễ đối với trình độ SV, thậm chí ở mức độ khá khó ở lần KS 2. Độ phân cách ở lần KS 1 tạm được nhưng ở lần KS 2 tăng lên ở mức khá tốt. Hầu hết số SV trả lời đúng là SV ở nhóm khá giỏi. Trong các câu nhiễu, câu nhiễu A và D thu hút khá nhiều SV. Những SV này chủ yếu là SV yếu kém (độ phân cách âm), không tìm tòi ngay cả đối với kiến thức khá cơ bản này. Đây là câu không khó và có thể sử dụng tốt ở những lần KS sau. Câu 3: Hai quả cầu kim loại nhỏ giống hệt nhau, tích điện q1, q2 đặt cách nhau một khoảng r trong không khí thì hút nhau một lực F 1. Nếu cho chúng chạm nhau rồi đưa về vị trí cũ thì chúng đẩy nhau một lực F2=9F1/16. Tính tỉ số điện tích q1/q2 của hai quả cầu? B. Hoặc -1/4 hoặc -4 A. Hoặc -1/2 hoặc -2 C. Hoặc -1/8 hoặc -8 D. Một đáp án khác PTTKS: Câu này kiểm tra kiến thức về phương pháp nhiễm điện cho vật do tiếp xúc và khả năng vận dụng định luật Coulomb.

F 2

F 1

q q 1 2

9 16

9 16

2

+

q 1

q 2

= −

= −

Ta có:

q q 1 2

q q 1 2

q q 1 2

2

9 16

  

  

=

x

ngược dấu nên ) (Do q1 và q2

x = − 4

1 x = − hoặc 4

q 1 q 2

Khai triển rồi đặt , giải phương trình bậc 2 ta được

Lua chon A B* C D Missing Tan so : 8 27 13 14 1 Ti le % : 12.9 43.5 21.0 22.6 Pt-biserial : -0.19 0.23 -0.22 0.15 Muc xacsuat : NS NS NS NS

- Nếu SV không tính toán mà chọn may rủi thì có thể sẽ chọn phải câu nhiễu A hoặc B. - Nếu SV giải sai thì sẽ chọn câu D.

Lua chon A B* C D Missing Tan so : 23 61 29 30 0 Ti le % : 16.1 42.7 20.3 21.0 Pt-biserial : -0.24 0.40 -0.18 -0.09 Muc xacsuat : <.01 <.01 <.05 NS

PTKQ: Trong đợt KS đầu, câu có độ phân cách tạm được. Độ phân cách này tăng lên mức rất tốt đối với lần KS sau. Trong cả hai lần KS, gần một nửa số SV chọn đáp án đúng với độ phân cách dương nhiều chứng tỏ hầu hết là SV khá giỏi. Câu nhiễu D là câu thu hút nhiều SV do SV cũng có tính toán nhưng lại nhầm lẫn trong quá trình giải, thậm chí cả những SV khá giỏi cũng mắc phải lỗi này (câu nhiễu D có độ phân cách dương trong lần KS đầu và âm nhưng âm rất thấp đối với lần KS sau). Còn đối với hai câu nhiễu còn lại cũng thu hút khá nhiều SV( tuy không bằng câu D) chứng tỏ cũng có một số SV lười tính toán mà chọn may rủi. Đó là những SV yếu kém (độ phân cách âm cao)

Qua kết quả phân tích trên ta thấy câu này ở mức độ khá khó đối với trình độ SV và có thể sử

θ≈ sin

x

dụng lại trong các kì thi sau. Câu 4: Hai quả cầu nhỏ dẫn điện có cùng khối lượng m, mỗi quả cầu tích điện là q được treo trên hai sợi dây dài bằng nhau và bằng L thì hai sợi dây lập với nhau một góc 2θ. Giả sử θ nhỏ sao cho tgθ . Khi đó khoảng cách giữa các quả cầu là:

2 2kq L mg

 =  

1/ 3   

x

A.

2 kq L mg 4

 =  

1/ 3   

x

B.

2 2kq L mg

 =  

1/ 2   

2

=

x

C.

kq mgL 2

D.

=

   + + P T F

0

= −

PTTKS: Kiểm tra khả năng vận dụng định luật Coulomb kết hợp với bài toán cơ học.

  ⇒ + P F

2

k

2

θ=

=

=

tg

q x mg

F P

kq 2 x mg

θ

θ=

tg

sin

Khi quả cầu nằm cân bằng:  T 2

x L 2

2

1 3

2

x

kq 2 x mg

x L 2

2 kq L mg

 = ⇔ =  

  

- Nếu nhầm khoảng cách giữa hai quả cầu là 2x thì chọn câu B.

θ=

tg

- Nếu quên bình phương khoảng cách giữa hai quả cầu khi tính lực F thì chọn câu C.

P F

Lua chon A* B C D Missing Tan so : 25 8 23 6 1 Ti le % : 40.3 12.9 37.1 9.7 Pt-biserial : -0.05 -0.17 0.07 0.21 Muc xacsuat : NS NS NS NS

Lua chon A* B C D Missing Tan so : 72 22 29 20 0 Ti le % : 50.3 15.4 20.3 14.0 Pt-biserial : 0.44 -0.28 -0.13 -0.20 Muc xacsuat : <.01 <.01 NS <.05

- Nếu tính nhầm thì chọn câu D.

PTKQ: Đây là một câu đòi hỏi tính toán nên trong đợt KS đầu, do trình độ SV không cao, hơn nữa một số SV lười tính nên đã chọn phương pháp đánh may rủi. Đó là lí do đáp án không nhiều người chọn và độ phân cách âm, trong khi câu nhiễu C và D có độ phân cách dương. Đối với đợt KS sau, câu có độ phân cách rất tốt. Khoảng một nửa số SV chọn đáp án đúng và phần lớn là SV khá giỏi. Câu nhiễu C thu hút khá nhiều SV chứng tỏ SV đã không học kĩ hoặc nhớ nhầm biểu thức định luật Coulomb. Đó là các SV ở nhóm yếu (Độ phân cách âm). Số SV phân bố ở hai câ u nhiễu còn lại B và D khá đều và những SV lựa chọn là những SV yếu kém (độ phân cách âm nhiều).

Đây là câu khá khó đối với trình độ SV. Câu có khả năng phân biệt trình độ SV tốt và có thể sử

B. 1,3. 10-6C D. 2,7. 10-6C C. 8. 10-7 C

0

dụng trong các đợt KS sau. Câu 5: Một quả cầu nhỏ có khối lượng m=1,6g, tích điện q 1=2.10-7 C được treo bằng sợi tơ mảnh. Ở phía dưới nó 30 cm theo phương thẳng đứng, cần đặt một điện tích q 2 có giá trị bằng bao nhiêu để sức căng của sợi dây giảm đi một nửa? Cho g= 10 m/s2. A. 4.10-7C PTTKS: Câu này kiểm tra khả năng vận dụng định luật Coulomb kết hợp với các kiến thức cơ học.

=

:

P T

T P mg

  P T+ = Khi chưa đặt điện tích q2 Chiếu lên trục Ox hướng xuống:

+

=

  + ' P T

 F

0

− = ⇔ = 0

:

= 0

⇒ − mg

F

= 0

mg 2

=

k

q q 1 2 2 r

mg 2 2

− 7

=

4.10

C

⇒ = q 2

mgr kq 2 1

Khi đặt điện tích q2 ⇒ − − P T F '

- Nếu quên bình phương khoảng cách chọn câu B - Nếu không đọc kĩ đề bài lấy T’=2T thì chọn câu C

Lua chon A* B C D Missing Tan so : 32 4 20 7 0 Ti le % : 50.8 6.3 31.7 11.1 Pt-biserial : 0.12 -0.17 0.05 -0.13 Muc xacsuat : NS NS NS NS

Lua chon A* B C D Missing Tan so : 89 11 25 17 1 Ti le % : 62.7 7.7 17.6 12.0 Pt-biserial : 0.29 -0.20 -0.07 -0.18 Muc xacsuat : <.01 <.05 NS <.05

Lua chon A B* C D Missing Tan so : 43 16 2 2 0 Ti le % : 68.3 25.4 3.2 3.2 Pt-biserial : 0.20 -0.20 -0.02 -0.00 Muc xacsuat : NS NS NS NS

Lua chon A B* C D Missing Tan so : 85 47 4 7 0 Ti le % : 59.4 32.9 2.8 4.9 Pt-biserial : -0.13 0.26 -0.13 -0.19 Muc xacsuat : NS <.01 NS <.05

- Nếu sai cả hai lỗi trên chọn câu D. PTKQ: Trong lần KS đầu, câu có độ phân cách kém, trong khi câu nhiễu C lại có độ phân cách dương thấp. Điều này chứng tỏ một số SV đánh may rủi. Đây là câu kết hợp cả kiến thức cơ học nên khá khó đối với SV ở nhóm này. Đối với đợt KS sau, câu có độ phân cách tạm được. Câu vừa sức đối với trình độ SV. Phần lớn SV làm đúng là các SV khá giỏi. Câu nhiễu C thu hút khá nhiều SV. Do các câu nhiễu có độ phân cách âm nên các SV chọn sai đều thuộc nhóm thấp. Câu này có thể sử dụng ở các đợt KS sau. Câu 6: Hai điện tích âm giống nhau được đặt cố định trên trục x. Nếu một điện tích thử dương được đặt nhẹ tại trung điểm của chúng thì điện tích thử này sẽ: A. Nằm yên cân bằng bền B. Nằm yên cân bằng không bền C. Không thể nằm yên vì cùng chịu tác dụng của lực đẩy D. Không thể nằm yên vì cùng chịu tác dụng của lực hút PTTKS: Câu này kiểm tra định luật Coulomb về mặt định tính, ở mức độ hiểu. Nếu SV không nắm vững định luật Coulomb thì sẽ chọn câu nhiễu C hoặc D. Ngoài ra câu này còn kiểm tra SV một phần nhỏ kiến thức cơ học. Nếu SV không phân biệt được cân bằng bền và không bền sẽ phân vân giữa câu A và câu B. PTKQ: Trong đợt KS 1, đây là câu có độ phân cách âm, trong khi đó câu nhiễu A có độ phân cách dương. Nguyên nhân là do phần lớn SV chọn may rủi. Một số SV nhóm thấp may mắn chọn đúng đáp án. Trong đợt 2, gần 33% số lượng SV chọn đúng đáp án và có độ phân cách tạm được nên những SV

làm đúng hầu hết là SV khá giỏi. Riêng câu nhiễu A có tới hơn một nửa số SV chọn nhưng độ phân cách âm chứng tỏ phần lớn là SV học yếu và trung bình. Những SV này đã không phân biệt được cân bằng bền và không bền nên đã làm sai. Còn câu nhiễu C và D có rất ít SV chọn do hầu hết SV nắm vững định luật Coulomb về mặt định tính.

Câu này chỉ ở mức độ hiểu nhưng đây lại là câu khó đối với SV. Tuy độ phân cách không cao

=

;

k

= F k 1

q Q 2 2 a 4

=

k

F 2

q Q 1 2 16 a q Q 2 2 a

tác dụng lên Q lần lượt là: nhưng câu này vẫn có thể sử dụng được ở những đợt KS sau. Câu 7: Hai điện tích điểm tích điện dương q1 và q2 với q1= 4q2 lần lượt đặt tại A và B cách nhau một khoảng 5a trong không khí. Đặt điện tích điểm Q trên đoạn AB, cách B một khoảng a. Lực tổng hợp do q1 và q2 tác dụng lên Q có đặc điểm gì? A. Hướng về A nếu Q tích điện dương B. Hướng về B nếu Q tích điện âm C. Bằng không D. Cả A và B đều đúng PTTKS: Câu này kiểm tra khả năng vận dụng định luật Coulomb của SV. Lực tĩnh điện do q1 và q2

 2F

. Do đó, lực tổng hợp tác dụng lên Q có chiều hướng theo . Đáp án đúng là D. F1 < F2

Lua chon A B C D* Missing Tan so : 3 5 16 39 0 Ti le % : 4.8 7.9 25.4 61.9 Pt-biserial : 0.15 -0.09 0.10 -0.11 Muc xacsuat : NS NS NS NS

Lua chon A B C D* Missing Tan so : 3 16 30 94 0 Ti le % : 2.1 11.2 21.0 65.7 Pt-biserial : -0.09 -0.04 -0.06 0.11 Muc xacsuat : NS NS NS NS

tác dụng lên Q thì chọn

- Nếu SV quá vội vàng kết luận không chú ý tới tất cả các câu trả lời hoặc do nhầm lẫn một trong hai trường hợp khi Q tích điện dương và Q tích điện âm thì sẽ chọn câu A hoặc B. - Nếu SV quên không bình phương khoảng cách khi tính lực tĩnh điện do q1, q2 câu C. PTKQ: Trong cả hai lần KS, câu đều có độ phân cách kém. Trong lần KS 1, độ phân cách âm là do SV khá giỏi đã chủ quan và chọn câu sai (độ phân cách câu nhiễu A và C dương). Còn đối với lần KS 2, độ phân cách dương nhưng dương ít do câu này khá dễ đối với t rình độ SV nên các SV yếu kém cũng nhận ra kết quả đúng. Câu nhiễu C thu hút nhiều SV. Điều này chứng tỏ rằng SV không nhớ rõ biểu

thức định luật Coulomb, cho rằng lực tương tác tĩnh điện chỉ tỉ lệ nghịch với khoảng cách giữa hai điện tích mà thôi.

q2

q1

y

x

1 2-y

Lua chon A* B C D Missing Tan so : 30 17 8 8 0 Ti le % : 47.6 27.0 12.7 12.7 Pt-biserial : 0.40 -0.31 -0.20 0.01 Muc xacsuat : <.01 <.05 NS NS

Lua chon A* B C D Missing Tan so : 51 9 25 58 0 Ti le % : 35.7 6.3 17.5 40.6 Pt-biserial : 0.45 0.02 -0.16 -0.33 Muc xacsuat : <.01 NS NS <.01

Qua KQ trên, ta thấy câu trên khá dễ đối với trình độ SV. Câu có độ phân cách chưa cao nhưng

cũng có thể sử dụng cho các lần KS sau. có độ lớn bằng nhau nhưng trái dấu, đặt cố định trên đường thẳng xy Câu 8: Hai điện tích điểm q 1, q2 như hình vẽ. Đặt thêm điện tích điểm Q < 0 trên đường thẳng xy. Kết luận nào sau đây là đúng khi nói về chiều của lực tác dụng tổng hợp lên Q? A. Về phía x nếu Q đặt trên đoạn x-q B. Về phía y nếu Q đặt trên đoạn q C. Về phía q1 nếu Q đặt trên đoạn q1-q2 D. Không xác định được nếu Q đặt trên đoạn x-q1 hoặc q2-y do không biết độ lớn của ba điện tích PTTKS: Kiểm tra khả năng hiểu định luật Coulomb của SV. - Nếu SV nhầm lẫn trong việc xác định lực tĩnh điện tổng hợp tác dụng lên điện tích Q thì chọn câu B hoặc C. - Nếu SV không chú ý tới dữ kiện của đề bài cho độ lớn của q1, q2 bằng nhau nên để so sánh lực tĩnh tác dụng lên Q chỉ cần so sánh khoảng cách giữa các điện tích, mà cho rằng phải biết độ điện do q1, q2 lớn của mỗi điện tích mới có thể xác định được hướng của lực tác dụng tổng hợp lên điện tích Q thì chọn câu D. PTKQ: Câu này có độ phân cách rất tốt ở cả hai lần KS. Hầu hết số SV chọn câu đúng là SV ở nhóm cao. Trong đợt KS 2, câu nhiễu D phát huy rất tốt với độ phân cách âm nhiều. Như đáp án đã trình bày ở trên (A), thì không cần biết độ lớn của q 1, q2 và Q mà chỉ cần so sánh được khoảng cách từ q 1, q2 tới Q là ta đã có thể xác định được chiều của hợp lực (Chiều của hợp lực là chiều của lực lớn hơn tức là lực có khoảng cách giữa các điện tích nhỏ hơn). Hầu hết phần lớn các SV yếu kém đã không nhận ra điều này. Đối với câu nhiễu B có ít SV chọn nhưng lại vẫn có các SV khá giỏi do chủ quan nên xác định sai.

Câu này không khó nhưng do SV không cẩn thận nên cho kết quả ở mức độ khá khó đối với

trình độ SV tuy nhiên dộ phân cách rất tốt. Câu này sử dụng tốt cho các lần KS sau.

Lua chon A* B C D Missing Tan so : 20 1 5 37 0 Ti le % : 31.7 1.6 7.9 58.7 Pt-biserial : 0.08 -0.03 -0.08 -0.02 Muc xacsuat : NS NS NS NS

Lua chon A* B C D Missing Tan so : 63 6 3 71 0 Ti le % : 44.1 4.2 2.1 49.7 Pt-biserial : 0.29 -0.09 0.04 -0.26 Muc xacsuat : <.01 NS NS <.01

Câu 9: Đặt lên mặt bàn trơn nhẵn ba viên bi nhỏ tích điện, khối lượng không đáng kể trên cùng một đường thẳng thì chúng nằm yên. Ba viên bi đó phải có đặc điểm là: A. Điện tích ở giữa trái dấu với hai điện tích hai bên B. Hai điện tích cạnh nhau cùng dấu và trái dấu với điện tích còn lại C. Ba điện tích cùng dấu D. A và C đều đúng PTTKS: Câu này kiểm tra định luật Coulomb ở mức độ hiểu. Nếu không cẩn thận trong việc xác định chiều của lực tĩnh điện hoặc không đọc kĩ đề bài thì sẽ chọn các câu sai. PTKQ: Trong lần KS đầu, câu có độ phân cách kém, nhưng nó đã tăng lên mức tạm được ở lần KS 2. Điều đặc biệt là câu nhiễu D phát huy vai trò rất tốt trong cả hai đợt KS, là do SV không đọc kĩ đề bài, chỉ tính đến điều kiện cân bằng của điện tích ở giữa mà không chú ‎ ý tới điều kiện cân bằng của điện tích hai bên. Các câu nhiễu B và C tuy ít nhưng vẫn có SV lựa chọn . Những SV này không chỉ là những SV yếu kém mà còn bao gồm cả một số SV khá giỏi do độ phân cách âm ít.

Câu này thực sự không phải là câu khó nhưng do SV không cẩn thận đọc kĩ đề bài, hấp tấp nên

KQ phân tích cho thấy câu này khó đối với trình độ SV. Câu này có thế dùng cho các lần KS sau. Câu 10: Ba điện tích điểm bằng nhau và bằng q đặt tại ba đỉnh của tam giác đều ABC cạnh a. Phải đặt thêm điện tích thứ tư Q bằng bao nhiêu, ở vị trí nào để nó cân bằng? A. Q= q, tại trọng tâm tam giác ABC B. Q= -q, tại trọng tâm tam giác ABC

q 3

Lua chon A B C D* Missing Tan so : 3 6 21 33 0 Ti le % : 4.8 9.5 33.3 52.4 Pt-biserial : 0.19 -0.30 -0.19 0.27 Muc xacsuat : NS <.05 NS <.05

C. Q= , tại trọng tâm tam giác ABC

D. Q có giá trị bất kì, tại trọng tâm tam giác ABC PTTKS: Kiểm tra khả năng vận dụng định luật Coulomb. Nếu khả năng nhạy bén của SV không được tốt lắm, không nhận ra được lực tổng hợp tác dụng lên điện tích Q luôn bằng 0 cho dù Q có giá trị nào đi chăng nữa thì sẽ chọn các câu sai.

Lua chon A B C D* Missing Tan so : 12 11 63 57 0 Ti le % : 8.4 7.7 44.1 39.9 Pt-biserial : -0.10 -0.11 -0.22 0.34 Muc xacsuat : NS NS <.01 <.01

2

2

=

ABC∆

⇒ ABC∆

2 + AB CA

BC

PTTKS: Độ phân cách của câu này ở mức tạm được ở lần KS đầu, và khá tốt ở lần KS sau. Hầu hết SV khá giỏi (độ phân cách dương) đã nhận ra được các lực tác dụng lên điện tích Q bị triệt tiêu lẫn nhau khi Q nằm ở trọng tâm tam giác ABC. Do đó, không cần điều kiện gì bắt buộc đối với độ lớn của Q. Trong cả hai đợt KS, câu nhiễu C thu hút rất nhiều SV. Do có độ phân cách âm nhiều nên hầu hết những SV này là SV yếu kém. SV không tính toán mà chỉ thấy đề bài đưa ra giá trị của Q có vẻ có lí và gần giống với khoảng cách từ trọng tâm tam giác tới các đỉnh. Dựa vào KQ phân tích, ta thấy đây là câu khá khó đối với trình độ SV. Câu này có thể sử dụng cho các đợt KS sau. Câu 11: Đặt ba điện tích điểm qA= -5.10-8C, qB= +16.10-8C và qC= +9.10-8C lần lượt tại ba đỉnh A, B, C của tam giác ABC (AB= 8cm, AC= 6cm, BC=10cm). Hỏi lực tĩnh điện tác dụng lên qA có hướng tạo với cạnh AB một góc bằng bao nhiêu? B.450 A. 300 C. 600 D. Một giá trị khác PTTKS: Kiểm tra khả năng vận dụng định luật Coulomb trong trường hợp cụ thể. Ngoài ra một trong những mục đích của câu này đó là kiểm tra khả năng nhạy bén và nhận xét của SV hơn là việc tính toán thuần túy.

vuông tại A. có:

=

=

F

k

F

k

: Xét Lực tương tác tĩnh điện do các điện tích qB, qC tác dụng lên điện tích qA

AB

AC

q q A B 2 AB

q q A C 2 AC

=

=

F

F

0.01125

N

;

AC

AB

0

Thay số ta được

Lua chon A B* C D Missing Tan so : 6 49 3 5 0 Ti le % : 9.5 77.8 4.8 7.9 Pt-biserial : -0.35 0.40 -0.17 -0.09 Muc xacsuat : <.01 <.01 NS NS

Lua chon A B* C D Missing Tan so : 22 94 13 14 0 Ti le % : 15.4 65.7 9.1 9.8 Pt-biserial : -0.18 0.36 -0.16 -0.20 Muc xacsuat : <.05 <.01 NS <.05

góc bằng 45

Do đó, lực tác dụng lên q A có hướng tạo với cạnh AB một Nếu SV lười tính mà chọn may rủi thì sẽ chọn câu A hoặc C. Nếu SV có tính toán nhưng nhầm lẫn sẽ chọn câu D.

PTKQ: Đây là câu có khả năng phân biệt SV khá giỏi với SV yếu kém tốt do trong cả hai lần KS độ phân cách ở mức rất tốt và khá tốt. Số SV chọn đúng đáp án khá cao và phần lớn là SV khá giỏi. Các SV còn lại phân bố khá đều trong ba câu nhiễu. Do độ phân cách ở các câu nhiễu âm nhiều nên phần lớn số SV lựa chọn sai là các SV yếu kém . Các SV này không nhận ra được tam giác ABC vuông tại A

 ABF

 ACF

và độ lớn của hai lực bằng nhau mà thực hiện các phép tính toán thuần túy mất thời gian và

mà rất dễ sai. Một số SV này lười tính nên đã chọn may rủi câu A hoặc B. Một số khác thì tính toán nhưng lại tính sai do đó đã nghĩ rằng bài toán có một đáp án khác.

Câu này khá dễ đối với trình độ SV và có thể dùng trong các đợt KS sau.

q =

Câu 12: Ở mỗi đỉnh trong hai đỉnh đối diện của một hình vuông có đặt điện tích Q. Ở hai đỉnh còn lại, mỗi đỉnh có điện tích q. Giá trị của q để cho lực tĩnh điện tổng hợp tác dụng lên mỗi điện tích trong cả bốn điện tích bằng không là:

Q 2 2

=

q

2 2

Q

A. q trái dấu với Q và có độ lớn

q =

B. q trái dấu với Q và có độ lớn

Q 2

C. q trái dấu với Q và có độ lớn

2

Q

=

k

k

2

0 c os45

2

Qq 2 a

a

(

= ⇔ =

q

q

2

Q 2

2) Q 2 2

D. Không tìm được giá trị phù hợp của q PTTKS: Kiểm tra khả năng vận dụng định luật Coulomb của SV. Điều kiện để hai điện tích Q đứng yên:

= ⇔ =

Q

2

q

2 2

Q

q 2

Tương tự để q đứng yên thì:

2

2

Q

=

k

k

2

0 c os45

2

⇔ = (Vô lí). Vậy không tìm được giá trị phù hợp của q.

2

Q 2 a

1 2

a

(

2)

Như vậy không tìm được giá trị thích hợp của q. Có thể biện luận: Giả sử Q > q thì Q cân bằng. Khi đó, q sẽ không cân bằng và ngược lại. Vậy chỉ có thể xảy ra khí q = Q. Khi q = Q, điều kiện cân bằng là:

- Nếu SV mới chỉ tìm được giá trị của q để hai điện tích Q đứng yên mà đã vội kết luận thì chọn câu A. - Nếu SV mới chỉ tìm được giá trị của q để hai điện tích q đứng yên mà đã kết luận thì chọn câu B. - Nếu SV mới chỉ tìm được giá trị của q để hai điện tích Q đứng yên nhưng trong quá trình tính toán lại quên bình phương khoảng cách thì chọn câu C.

Lua chon A B C D* Missing Tan so : 28 24 5 5 1 Ti le % : 45.2 38.7 8.1 8.1 Pt-biserial : 0.20 -0.07 -0.24 0.06 Muc xacsuat : NS NS NS NS

Lua chon A B C D* Missing Tan so : 51 43 24 25 0 Ti le % : 35.7 30.1 16.8 17.5 Pt-biserial : 0.02 0.01 -0.16 0.12 Muc xacsuat : NS NS NS NS

PTKQ: Đây là câu rất khó đối với trình độ SV. Số SV chọn đáp án đúng rất ít với độ phân cách kém nên không phân biệt được trình độ SV khá giỏi với SV yếu kém. Câu nhiễu A và B thu hút rất nhiều SV. Những SV này mới chỉ tính đến sự cân bằng của các điện tích Q hoặc q đã vội kết luận. Trong đợt KS 2, độ phân cách hai câu nhiễu nà y dương chứng tỏ những SV ở nhóm cao cũng mắc phải sai sót này. Đối với câu nhiễu C thì không nhiều SV chọn. Hầu hết các SV không sai khi áp dụng công thức định luật Coulomb. Các SV chọn câu nhiễu này hầu hết là các SV nhóm thấp (Độ phân cách âm nhiều)

Đây là câu trắc nghiệm chưa hay, cần phải sửa chữa nhiều trước khi KS ở các lần sau.

là: Câu 13: Hai điện tích điểm tích điện dương q 1= +nq; q2= +mq gắn cố định và cách nhau một đoạn d trên mặt bàn nhẵn. Đặt một viên bi tích điện lên mặt bàn thì bi nằm cân bằng. Khoảng cách từ viên bi đến q1

d n n

m+

d n n

m−

d m n

m+

d m m

n−

A. B. C. D.

PTTKS: Câu này kiểm tra khả năng vận dụng định luật Coulomb.

tới viên Để viên bi nằm cân bằng thì nó phải nằm ở khoảng giữa q1 và q2. Gọi khoảng cách từ q1

bi là x.

=

k

k

2

(

nqQ 2 x

mqQ − ) x d

Viên bi nằm cân bằng khi tổng hợp lực tác dụng lên nó triệt tiêu. Khi đó:

2

n ⇔ = 2 x

m − x

)

(

d

2

x

=

m n

− d  x 

  

d

x

=

(*)

− x

m n

⇔ = x

d n + n

m

2

2

=

⇔ − ( n d

x

)

mx

(Vì hai vế đều dương)

Hoặc (*)

2

2

+

⇔ − (

m n x

)

2

− dnx nd

= 0

=

x 1

d n + n

m

=

x 2

d n − n

m

Ta tìm được hai nghiệm:

=

x

Vì x2 > d.( loại)

d n + n

m

đến viên bi là: Vậy khoảng cách từ q1

Lua chon A* B C D Missing Tan so : 38 11 10 3 1 Ti le % : 61.3 17.7 16.1 4.8 Pt-biserial : 0.28 -0.19 -0.01 -0.17 Muc xacsuat : <.05 NS NS NS

Lua chon A* B C D Missing Tan so : 64 32 24 23 0 Ti le % : 44.8 22.4 16.8 16.1 Pt-biserial : 0.26 -0.09 -0.11 -0.14 Muc xacsuat : <.01 NS NS NS

thì chọn câu C.

- Nếu lấy nghiệm thứ 2 thì chọn câu B. - Nếu không đọc kĩ đề bài mà đi tìm khoảng cách từ viên bi tới q2 - Sai giống câu A và câu C thì chọn câu D. PTKQ: Trong cả hai đợt KS, độ phân cách đều ở mức tạm được. Câu này có khả n ăng phân biệt SV khá giỏi và SV yếu kém khá tốt. Hầu hết SV làm đúng là SV thuộc nhóm cao (độ phân cách dương). Các SV trong nhóm kém phân bố khá đều vào các câu nhiễu (độ phân cách âm). Những SV này không nhận xét được nghiệm của bài toán phải nhỏ hơn d, một số khác thì không đọc kĩ đề bài.

Nhìn chung câu này ở mức độ vừa sức đối với SV và có thể dùng để KS trong các đợt sau.

do điện tích điểm Q gây ra tại điểm M có đặc điểm:

 Câu 14: Vectơ cường độ điện trường E

 F

A. Độ lớn tỉ lệ nghịch với khoảng cách từ Q đến M B. Độ lớn tỉ lệ với giá trị của điện tích thử đặt tại M

tác dụng lên điện tích thử đặt tại M

Lua chon A B C D* Missing Tan so : 15 3 19 25 1 Ti le % : 24.2 4.8 30.6 40.3 Pt-biserial : -0.19 0.19 -0.10 0.15 Muc xacsuat : NS NS NS NS

C. Cùng chiều với lực điện D. A, B, C đều sai

PTTKS: Câu trên chỉ kiểm tra những kiến thức cơ bản về v ectơ cường độ điện trường ở mức độ biết, hoàn toàn không đỏi hỏi khả năng suy luận của SV. Nếu SV không học bài kĩ sẽ chọn một trong ba câu A, B hoặc C.

Lua chon A B C D* Missing Tan so : 26 15 45 57 0 Ti le % : 18.2 10.5 31.5 39.9 Pt-biserial : -0.20 -0.02 -0.02 0.19 Muc xacsuat : <.05 NS NS <.05

 biết rằng điện tích thử có thể âm, khi đó vectơ cường độ điện trường E

PTKQ: Trong cả hai đợt KS, câu có độ phân cách kém. Nguyên nhân là do đây chỉ là câu ở mức độ biết nên không phân biệt được trình độ của SV. Câu nhiễu C thu hút rất nhiều SV. Những SV này không

 . Đối với câu nhiễu A, các SV nhầm lẫn vì không học bài kĩ, nghe có vẻ giống với phát biểu điện F trong sách nên chọn. Đó phần lớn là những SV thuộc nhóm thấp (độ phân cách âm cao). Còn những SV chọn câu B thì hoàn toàn không hiểu gì về vectơ cường độ điện trường.

Lua chon A B C* D Missing Tan so : 0 16 47 0 0 Ti le % : 0.0 25.4 74.6 0.0 Pt-biserial : NA -0.14 0.14 NA Muc xacsuat : NA NS NS NA

sẽ ngược chiều với lực tĩnh

Đây là câu hỏi dễ nhưng vì SV không học kĩ bài, không nhận biết kiến thức một cách đầy đủ nên trở thành khó đối với trình độ SV. Vì câu này chỉ là kiểm tra kiến thức cơ bản nên có thể dùng trong việc khảo sát một số đông SV để kiểm tra SV có học bài hay không. Câu 15a: Khi đưa thanh kim loại trung hoà về điện lại gần quả cầu nhiễm điện dương q thì thấy: A. Thanh kim loại nhiễm điện âm. B. Thanh kim loại nhiễm điện dương ở đầu gần với quả cầu và nhiễm điện âm ở đầu xa quả cầu. C. Thanh kim loại nhiễm điện âm ở đầu gần với quả cầu và nhiễm điện dương ở đầu xa quả cầu. D. Điện tích phân bố trên thanh kim loại không có gì thay đổi so với lúc đầu vì nó không tiếp xúc với quả cầu mang điện tích. PTTKS: Kiểm tra kiến thức phần nhiễm điện cho vật do cảm ứng ở mức độ biết. Nếu không hiểu rõ bản chất thì sẽ chọn các phương án sai. PTKQ: Đây là câu ở mức độ biết nên rất dễ đối với trình độ SV ở đợt 1. Độ phân cách của câu kém do những SV yếu kém cũng nhận ra đáp án đúng. Chỉ có một số SV trong nhóm thấp không hiểu bản chất của hiện tượng nên đã chọn câu B (độ phân cách âm). Câu nhiễu A và D không thu hút được SV nên không ai chọn.

Câu này không đạt, câu nhiễu A và D không có SV lựa chọn nên t rong đợt KS thứ hai, câu này

 vào điện trường đều E

đã được thay bằng một câu khác.

thì nó sẽ:

 Câu 15b: Bắn một electron với vận tốc đầu 0v

 E↑↑  E↑↓

A. Bay thẳng nhanh dần đều nếu

 0v  0v

B. Bay thẳng chậm dần đều nếu

 E⊥

 0v

Lua chon A B C* D Missing Tan so : 4 18 31 90 0 Ti le % : 2.8 12.6 21.7 62.9 Pt-biserial : -0.03 -0.02 0.33 -0.26 Muc xacsuat : NS NS <.01 <.01

C. Bay theo đường Parabol nếu

, vì vậy cho rằng câu A và B cũng đúng. Phần lớn là SV yếu kém chọn sai do độ phân cách âm

D. Cả 3 câu trên đều đúng PTTKS: Câu này kiểm tra khả năng hiểu của SV về chuyển động của một hạt mang điện trong điện trường. Nếu SV không chú ý tới hạt mang điện ở đây là electron thì sẽ chọn câu A, B hoặc D. PTKQ: Câu này có độ phân cách khá tốt . Hầu hết SV làm đúng câu này là các SV khá giỏi . Câu nhiễu D thu hút rất nhiều SV (63% số SV). Những SV này không để ‎ý rằng electron mang điện tích âm nên   E↑↓ F cao (-0.26).

Đây không phải là câu khó nhưng vì SV không đọc kĩ đề bài nên đã chọn nhầm đáp án. Do đó câu này trở nên khó với trình độ SV. Tuy nhiên câu vẫn có thể được sử dụng trong các lần khảo sát sau. Câu 16: Hai điểm A và B cách nhau một khoảng r trong không khí. Người ta lần lượt đặt tại A các điện tích điểm trái dấu q1 và q2 thì thấy cường độ điện trường tại B là E1=100kV/m và E2=80kV/m. Nếu đặt đồng thời tại A hai điện tích điểm trên thì cường độ điện trường tại B sẽ là:

Lua chon A B C* D Missing Tan so : 18 5 38 2 0 Ti le % : 28.6 7.9 60.3 3.2 Pt-biserial : 0.06 -0.06 0.08 -0.28 Muc xacsuat : NS NS NS <.05

Lua chon A B C* D Missing Tan so : 40 16 79 8 0 Ti le % : 28.0 11.2 55.2 5.6 Pt-biserial : -0.30 -0.10 0.36 -0.05 Muc xacsuat : <.01 NS <.01 NS

A.180kV/m C. 20 kV/m B. 0 kV/m D. 90 kV/m

PTTKS: Câu này chỉ đơn thuần kiểm tra nguyên lí chồng chất điện trường, tuy nhiên nếu xác định sai gây ra tại B thì sẽ chọn câu A. Nếu SV không nắm chiều của vectơ cường độ điện trường do q1, q2 được kiến thức về phần này sẽ chọn câu B hoặc D. PTKQ: Qua kết quả thu được, ta thấy đây là câu hỏi vừa sức đối với SV. Trong đợt KS 1, câu có độ phân cách kém trong khi câu nhiễu A có độ phân cách dương. Điều đó chứng tỏ một số SV ở nhóm cao đã quá chủ quan không chú ý rằng q1 và q2 tích điện trái dấu nên vectơ cường độ điện trường do chúng gây ra tại điểm B là ngược chiều nhau. Do đó, để tính cường độ điện trường

 1E

 2E

tại B ta phải lấy hiệu chứ không phải là tổng độ lớn của và . Đối với lần KS thứ 2, câu có độ

phân cách khá tốt nên phân biệt trình độ của SV tốt. Cũng tương tự như lần KS 1, câu nhiễu A thu hút khá nhiều SV nhưng phần lớn là SV ở nhóm thấp (có độ phân cách âm cao). Hai câu nhiễu còn lại không thu hút nhiều SV nhưng cũng có một số SV chọn. Đây là những SV quá kém, không hiểu bài

 1E

 2E

nên cho rằng cường độ dòng điện tại B bị triệt tiêu hoặc lấy trung bình cộng độ lớn của và .

Câu này có thể sử dụng tốt cho các lần KS sau. Câu 17: Gắn cố định hai điện tích điểm cùng độ lớn tại hai điểm A, B. Xét điểm M trên đoạn thẳng AB. Gọi cường độ điện trường tại M khi hai điện tích cùng dấu là E; khi hai điện tích trái dấu là E’. So sánh độ lớn E và E’. A. E < E’ B. E >E’ C. E =E’ D. A, B, C đều có thể xảy ra tùy vào vị trí của điểm M trên đoạn thẳng AB PTTKS: Kiểm tra nguyên lí chồng chất điện trường ở mức độ hiểu.

Gọi độ lớn của vectơ cường độ điện trường do hai điện tích đặt tại A và B gây ra tại điểm M lần

=

E

.

− E E 2

1

=

'E

lượt là E1 và E2 Khi hai điện tích cùng dấu thì

+ E E 2

1

'

E E⇒ < - Nếu xác định sai chiều của vectơ cường độ điện trường do các điện tích đặt tại A và B gây ra tại M thì chọn câu B.

 'E

Khi hai điện tích trái dấu thì

 - Nếu cho rằng độ lớn của E C.

 'E

và bằng nhau khi hai điện tích tại A và B cùng dấu và trái dấu thì chọn

Lua chon A* B C D Missing Tan so : 20 4 13 26 0 Ti le % : 31.7 6.3 20.6 41.3 Pt-biserial : 0.37 0.02 -0.12 -0.25 Muc xacsuat : <.01 NS NS <.05

Lua chon A* B C D Missing Tan so : 49 5 16 73 0 Ti le % : 34.3 3.5 11.2 51.0 Pt-biserial : 0.32 -0.01 -0.05 -0.26 Muc xacsuat : <.01 NS NS <.01

 - Nếu SV không chú ý rằng chiều của E chọn câu D. PTKQ: Đây là câu có khả năng phân biệt được trình độ của SV do cả hai lần KS, câu cho độ phân cách khá tốt. Câu nhiễu D thu hút rất nhiều SV yếu kém (độ phân cách âm nhiều). Nguyên nhân là do những

 'E

 SV này không suy luận được chiều của E

và phụ thuộc vào dấu của các điện tích đặt tại A và B thì

và phụ thuộc vào dấu của các điện tích đặt tại A và B.

chính là tổng của hai vectơ ngược chiều, khi hai điện tích trái dấu thì

λ

, tích điện đều với mật

B. 2,7.10-3 V/m D. 4,7.10-4 V/m

 Khi hai điện tích cùng dấu thì E  là tổng của hai vectơ cùng chiều. Từ đó dễ dàng so sánh được độ lớn E và E’. Đối với hai câu nhiễu 'E còn lại không thu hút nhiều SV, nhưng cũng có một số SV chọn. Riêng đối với đợt KS đầu câu nhiễu B có độ phân cách dương chứng tỏ một số SV ở nhóm cao đã chủ quan xác định sai chiều của vectơ cường độ điện trường do các điện tích đặt tại A và B gây ra tại M dẫn đến chọn phương án sai. Qua kết quả thu được, ta thấy đây là câu khó đối với trình độ SV. Với độ phân cách khá tốt, câu này có thể sử dụng cho các lần KS sau. Câu 18: Một dây mảnh hình cung tròn tâm O, có bán kính R= 20cm, góc mở 600 độ điện dài =6.10-14C/m. Độ lớn cường độ điện trường tại tâm O là: A. 5,4.10-4 V/m C. 2,3.10-3 V/m PTTKS: Câu này kiểm tra nguyên lí chồng chất điện trường ở mức độ vận dụng. Ta chia nhỏ dây dẫn thành nh ững đoạn vi cấp nhỏ dl mang một điện tích dq. Mỗi điện tích dq gây ra

 dE

=

=

+

t

0

 dE

.

 dE

 dE = t

 dE n

day

day

day

 ⇒ = E

⇒ = E

∫ day  dE n

dE n

day

day

dE c α . os

⇒ = ∫ E

day

0

+30

.

α

=

⇒ = E

c os

k

k

0

λ dl 2 R

λ α α Rd c . os 2 R

day

-30

0

⇒ =

=

α

E k

sin

− 3 2, 7.10 (

V m /

)

0

+ −

λ R

30 30

tại tâm O một vectơ cường độ điện trường Vectơ cường độ điện trường tổng hợp tại tâm O:  E (Do tính đối xứng nên )

Lua chon A B* C D Missing Tan so : 29 24 4 6 0 Ti le % : 46.0 38.1 6.3 9.5 Pt-biserial : -0.13 0.17 0.07 -0.13 Muc xacsuat : NS NS NS NS

Lua chon A B* C D Missing Tan so : 35 51 26 30 1 Ti le % : 24.6 35.9 18.3 21.1 Pt-biserial : -0.05 0.24 -0.03 -0.19 Muc xacsuat : NS <.01 NS <.05

) thì chọn câu C.

- Nếu không bình phương khoảng cách thì chọn câu A. - Nếu lấy cận tích phân sai (lấy α từ 00 tới 600 - Nếu sai cả hai lỗi trên thì chọn câu D.

PTKQ: Trong đợt KS đầu, độ phân cách của câu kém trong khi độ phân cách của câu nhiễu C lại dương chứng tỏ một số SV không tính toán mà đánh ngẫu nhiên, trình độ của nhóm SV này khá thấp. Điều này cũng dễ hiểu đối với một câu đòi hỏi tính toán khá phức tạp. Đối với đợt KS 2, trình độ của nhóm SV làm trắc nghiệm cao hơn tuy nhiên đây vẫn là một câu khó. Độ phân cách của câu ở mức tạm được, do đó có thể phân biệt được trình độ của SV tuy không đ ược tốt lắm. Trong các câu nhiễu, câu A thu hút nhiều SV hơn cả và số lượng SV ở nhóm yếu kém chiếm nhiều hơn (độ phân cách âm). Những SV này sai do không nhớ chính xác biểu thức tính cường độ điện trường. Số lượng SV còn lại phân bố khá đều vào hai câu nhiễu C và D. Những SV này chủ yếu là các SV ở nhóm thấp (độ phân cách âm).

=

z

2

R

z =

Câu này ở mức độ khó đối với trình độ SV. Câu có thể được dùng lại ở các đợt kiểm tra sau. Câu 19: Ở khoảng cách nào dọc theo trục qua tâm của một đĩa nhựa tròn tích điện đều, bán kính R thì cường độ điện trường bằng 1/2 giá trị của cường độ điện trường tại một điểm rất gần với tâm đĩa?

R 2

=

z

3

R

z =

A. B.

R 3

C. D.

PTTKS: Câu này kiểm tra khả năng vận dụng công thức tính cường độ điện trường tại một điểm nằm trên trục qua tâm của một đĩa tròn tích điện đều. Nếu SV không nhớ công thức thì có thể chứng minh lại bằng nguyên lí chồng chất điện trường tuy nhiên sẽ hơi mất thời gian nhất là đối với một bài thi trắc nghiệm.

z

=

E

Cường độ điện trường tại một tại một điểm nằm trên trục qua tâm của đĩa, cách tâm đĩa một

2

2

+

δ ε 2 0

z

R

 − 1 

  

đoạn z là:

=

E

'

Điện trường do đĩa sinh ra tại một điểm rất gần với tâm đĩa giống như điện trường gây ra bởi

δ ε 2 0

E

'

một mặt phẳng rộng vô hạn:

1 E= 2

z

=

1

2

2

1 2 2

+

δ ε 2 0

δ ε 0

z

R

  

  

z

=

⇔ − 1

2

2

1 2

+

z

2

2

=

R 24 z

⇔ + R

z

z⇔ =

R 3

Theo đề bài:

Lua chon A B C D* Missing Tan so : 22 23 6 12 0 Ti le % : 34.9 36.5 9.5 19.0 Pt-biserial : -0.18 0.07 -0.02 0.13 Muc xacsuat : NS NS NS NS

- Nếu SV sai sót trong tính toán thì sẽ chọn các câu còn lại

Lua chon A B C D* Missing Tan so : 41 34 20 47 1 Ti le % : 28.9 23.9 14.1 33.1 Pt-biserial : -0.19 -0.13 0.01 0.31 Muc xacsuat : <.05 NS NS <.01

PTKQ: Độ phân cách của câu kém trong đợt KS đầu trong khi độ phân cách của câu nhiễu B lại dương chứng tỏ một số SV trong nhóm KS đầu không nhớ công thức, ngại chứng minh lại nên đã chọn may rủi. Độ phân cách của câu đã tăng lên tới mức độ khá tốt ở đợt KS sau và tỉ lệ số SV chọn đáp án đúng cũng cao hơn chứng tỏ SV ở nhóm sau có trình độ cao hơn. Nhìn chung là câu này khó so với trình độ của SV nên một số SV khá giỏi cũng làm sai câu này (câu nhiễu C có độ phân cách dương).

Cµ = 8

Tuy câu này có độ phân cách kém ở đợt KS đầu nhưng do đặc điểm riêng của lớp này là trình độ

lần lượt đặt tại hai điểm A, B cách nhau 10 cm hơi thấp nên vẫn có thể sử dụng ở các đợt KS sau. Câu 20: Hai điện tích điểm Q 1 = -6 , Q2

B. 7,2.106V/m D.1,8.105 V/m

=

=

k

6 1,8.10 (

V m /

)

E 1

2

Q 1 MA

=

=

k

6 5, 4.10 (

V m /

)

E 2

2

Q 2 MB

=

+

trong không khí. Tính cường độ điện trường do hai điện tích điểm này gây ra tại điểm M, biết MA=20cm, MB=10cm. A. 3,6.106V/m C. 9,0.105V/m PTTKS: Câu này kiểm tra nguyên lí chồng chất điện trường, cụ thể là xá c định cường độ điện trường do hai điện tích điểm gây ra tại một điểm trong điện trường.

⇒ =

=

6 3, 6.10 (

V m /

)

Cường độ điện trường tổng hợp tại điểm M:    E E E 2 1

 1E

 2E

E E 2

E 1

(Do ngược chiều)

 2E

- Nếu SV không chú ý tới chiều của và nên cho rằng độ lớn của vectơ cường độ điện trường và  1E

Lua chon A* B C D Missing Tan so : 29 9 13 12 0 Ti le % : 46.0 14.3 20.6 19.0 Pt-biserial : 0.14 -0.14 0.02 -0.06 Muc xacsuat : NS NS NS NS

thì chọn câu D.

Lua chon A* B C D Missing Tan so : 87 30 12 14 0 Ti le % : 60.8 21.0 8.4 9.8 Pt-biserial : 0.22 -0.20 0.06 -0.15 Muc xacsuat : <.01 <.05 NS NS

tổng hợp tại M: E=E1+E2 thì chọn câu B - Nếu SV quên lấy bình phương khoảng cách khi tính E1, E2 và lấy E= E1+E2 thì chọn câu C - Nếu SV quên lấy bình phương khoảng cách khi tính E1, E2

không cao nhưng cũng chứng tỏ rằng một số SV trong nhóm cao chủ quan xác định sai chiều của PTKQ: Qua kết quả thu được ở đợt KS đầu, ta thấy đây là câu khá khó đối với trình độ SV ở đợt này. Độ phân cách không cao nên khả năng phân biệt trình độ SV đợt 1 thấp. Đối với đợt KS sau, tỉ lệ số SV làm đúng tăng lên đáng kể. Độ phân cách ở mức tạm được. Thực sự đây là một câu dễ, do đó các SV yếu kém cũng có thể tìm được đáp án đúng. Trong khi đó câu nhiễu C có độ phân cách dương tuy  1E

 2E

và và nhẫm lẫn khi viết biểu thức tính cường độ điện trường. Câu nhiễu B thu hút khá nhiều SV,

chủ yếu là sinh viên yếu kém (độ phân cách âm nhiều). Những SV này cho rằng độ lớn cường độ điện

 1E

mà không quan tâm tới chiều của và

. trường tổng hợp tại điểm M đơn giản chỉ là tổng của E1 và E2  2E

Đây là câu hỏi vừa sức đối với trình độ của SV và có thể sử dụng tốt ở các đợt KS sau.

Câu 21: Xác định cường độ điện trường tại điểm P do bốn điện tích điểm gây ra?

= E k

A. E=0

= E k

B.

10q 2 d 16q 2 d

= E k

C.

2 34q 2 d

D.

 2E

 3E

 1E

Gọi lần lượt là vectơ cường độ điện trường do các điện tích điểm +5q, -5q, +3q và - và , , PTTKS: Câu này kiểm tra nguyên lí chồng chất điện trường, cụ thể là xác định cường độ điện trường do các điện tích điểm gây ra tại một điểm.  4E

=

=

k

k

E 1

5 q 2 d

q 1 2 r 1

=

=

k

k

E 2

q 2 2

5 q 2 d

r 2

=

=

k

k

E 3

q 3 2

q 3 2 d

r 3

=

=

=

k

k

k

E 4

q 4 2

3 q 2 d

12q gây ra tại điểm P.

r 4  3E

q 12 2 d 4  4E

và là hai vectơ cân bằng nên chúng triệt tiêu lẫn nhau. Tại P,

+

=

=

k

V m ( /

)

Do đó, độ lớn của vectơ cường độ điện trường tại điểm P là:

 1E

 2E

E E E 1 2

(Do và cùng phương, chiều)

10 q 2 d  1E

 2E

- Nếu cho rẳng , cùng phương, ngược chiều thì chọn câu A.

thì chọn câu

- Nếu cho rằng độ lớn của vectơ cường độ điện trường tại P là tổng độ lớn E1, E2, E3, E4 C.

 3E

 4E

Lua chon A B* C D Missing Tan so : 25 31 3 4 0 Ti le % : 39.7 49.2 4.8 6.3 Pt-biserial : -0.07 0.28 -0.29 -0.19 Muc xacsuat : NS <.05 <.05 NS

Lua chon A B* C D Missing Tan so : 55 59 10 18 1 Ti le % : 38.7 41.5 7.0 12.7 Pt-biserial : -0.30 0.39 -0.15 -0.01 Muc xacsuat : <.01 <.01 NS NS

- Nếu cho rằng và cùng chiều thì chọn câu D.

PTKQ: Độ phân cách câu trong đợt KS 1 ở mức độ tạm được, và khá tốt trong đợt KS 2. Do đó câu này có khả năng phân biệt trình độ SV khá tốt. Trong 3 câu nhiễu, câu A phát huy tác dụng rất tốt, thu hút rất nhiều SV trong cả hai đợt, chủ yếu là SV yếu kém (độ phân cách âm). Những SV này đã xác định

 1E

 2E

σ

sai chiều của nên E=0. Số SV còn lại chọn câu n hiễu C và D phân bố khá đều và chủ yếu và

=

=

BE

AE

σ 2 ε 0

σ ε 0

=

=

cũng là những SV thuộc nhóm thấp (độ phân cách âm). Với kết quả thu được ta thấy đây là câu khá khó đối với trình độ SV. Câu có thể được sử dụng trong các đợt KS sau. Câu 22: Hai mặt phẳng rộng vô hạn đặt trong không khí, tích điện đều với mật độ điện mặt σ>0 và 'σ = -3σ. Cường độ điện trường tại 2 vị trí A và B là: 'σ A. ;

AE

BE

σ 2 ε 0

σ ε 0

=

=

B. ;

BE

AE

σ 4 ε 0

σ 2 ε 0

; C.

D. Một đáp án khác

PTTKS: Câu này kiểm tra nguyên lí chồng chất điện trường, cụ thể là tính cường độ điện trường tại một điểm do hai mặt phẳng rộng vô hạn tích điện đều gây ra.

=

E

Sử dụng định lí Gauss ta tìm ra biểu thức của cường độ điện trường gây ra bởi một mặt phẳng

δ ε 02

rộng vô hạn tích điện đều là . Nhưng đối với một bài thi trắc nghiệm, những công thức này SV

nên nhớ để tiết kiệm thời gian làm bài.

'σ .

=

E

Gọi E và E’ lần lượt là độ lớn vectơ cường độ điện trường gây ra bởi hai mặt phẳng tích điện

đều σ và δ ε 02

=

=

'

E

= +

=

'

E E

δ 3 ε 2 0  'E

δ ' ε 2 0  Tại A, E

AE

δ 2 ε 0

=

− = E E '

 'E

và cùng chiều:

 Tại B, E

BE

δ ε 0

 'E

và ngược chiều:

 - Nếu xác định nhầm chiều của E - Nếu nhớ nhầm công thức tính cường độ điện trường gây ra bởi một mặt phẳng vô hạn tích điện đều là

=

E

tại A và B thì chọn câu A và

δ ε 0

Lua chon A B* C D Missing Tan so : 28 16 9 9 1 Ti le % : 45.2 25.8 14.5 14.5 Pt-biserial : -0.12 -0.00 -0.06 0.28 Muc xacsuat : NS NS NS <.05

Lua chon A B* C D Missing Tan so : 38 51 41 13 0 Ti le % : 26.6 35.7 28.7 9.1 Pt-biserial : -0.25 0.28 -0.07 0.04 Muc xacsuat : <.01 <.01 NS NS

thì chọn câu C.

 'E

- Nếu sai sót ở các lỗi khác thì chọn câu D. PTKQ: Trong đợt KS 1, trình độ SV khá thấp, hầu hết SV đánh may rủi do đó câu có độ phân cách bằng 0 trong khi câu nhiễu D lại có độ phân cách dương khá cao. Đối với đợt KS 2, độ phân cách tạm được. Câu nhiễu A và C thu hút khá nhiều SV và phần lớn là SV yếu kém. Những SV này không cẩn

 thận khi xác định chiều của E hoặc nhớ nhầm công thức. Câu nhiễu D có độ phân cách dương chứng tỏ ngoài những SV yếu kém cũng có một số SV khá giỏi hiểu sai hoặc tính toán không cẩn thận nên đã chọn một đáp án sai khác.

 E

Thực chất đây không phải là câu hỏi khó nếu SV nắm vững bài nhưng do SV bất cẩn, học bài không kĩ nên câu trở thành khó đối với trình độ SV. Tuy nhiên câu này vẫn có thể sử dụng ở các lần KS sau. Câu 23: Một điện tích âm có độ lớn Q =1,5.10 -13C, khối lượng m= 1,3.10-10 kg chuyển động ngang vào giữa 2 bản của một tụ điện phẳng được đặt nằm ngang với vận tốc 18 m/s. Biết chiều dài của bản tụ điện là 1,6 cm.Tụ điện được tích điện và tạo ra một điện trường có thể coi là đều. Cường độ điện hướng từ trên xuống dưới và có độ lớn là 1,4.106 V/m. Tính độ lệch theo phương thẳng đứng

trường của điện tích ở mép ra của các bản? (Bỏ qua tác dụng của trọng lực)

A. 4.10-2 m C. 6,4.10-4m B. 1,28.10-3m D. 3,2.10-3m

PTTKS: Câu này nhằm mục đích khảo sát chuyển động của một hạt mang điện dưới tác dụng của lực điện trường, bên cạnh đó cũng kết hợp một số kiến thức cơ học.

x

vt

x = ⇒ = t v

Vì hạt tích điện âm và điện trường hướng xuống dưới nên lực tĩnh điện không đổi tác dụng lên hạt hướng từ dưới lên trên. Như vậy khi hạt chuyển động song song với trục Ox (Trục Ox hướng theo phương ngang) với vận tốc không đổi thì chuyển động của hạt được phân tích thành hai chuyển động: chuyển động thẳng đều theo phương ngang và chuyển động nhanh dần đều theo phương thẳng đứng. Gọi t là thời gian cần cho hạt đi qua miền giữa hai bản. Ta có:

2

=

y

at

1 2

2

=

=

− 4 6, 4.10 (

)

y

m

1 2

 QE x  m v 

  

Lua chon A B C* D Missing Tan so : 11 19 16 16 1 Ti le % : 17.7 30.6 25.8 25.8 Pt-biserial : 0.01 -0.08 0.08 -0.07 Muc xacsuat : NS NS NS NS

Lua chon A B C* D Missing Tan so : 26 34 41 40 2 Ti le % : 18.4 24.1 29.1 28.4 Pt-biserial : -0.06 0.03 0.12 -0.07 Muc xacsuat : NS NS NS NS

Độ lệch theo phương thẳng đứng:

- Nếu SV tính toán không cẩn thận hoặc nhớ nhầm công thức của chuyển động nhanh dần đều thì sẽ chọn các câu sai. PTKQ: Trong cả hai đợt KS, câu có độ phân cách kém. Số lượng SV phân bố vào 4 câu trả lời khá đồng đều với độ phân cách âm dương không ổn định. Đây không phải là dạng toán khó nhưng do phải kết hợp với kiến thức cơ học, SV rất ít khi được làm quen trong các giờ bài tập trên lớp nên trở nên khó đối với trình độ SV. Do đó một số SV đã chọn may rủi. Đó là lí do câu này đã không phân biệt được trình độ giữa các SV.

Tuy kết quả thu được không được tốt nhưng câu này vẫn có thể sử dụng ở các đợt KS sau.

Câu 24: Trong các kết luận sau đây về lưỡng cực điện, kết luận nào là sai? A. Cường độ điện trường gây ra bởi một lưỡng cực điện giảm nhanh hơn theo khoảng cách so với cường độ điện trường gây ra bởi một điện tích điểm. B. Cường độ điện trường gây ra bởi một lưỡng cực điện tỉ lệ nghịch với khoảng cách từ lưỡng cực điện tới điểm đó. C. Vectơ momen điện đặc trưng cho tính chất điện của lưỡng cực điện. D. Lưỡng cực điện đặt trong điện trường không đều bị hút về phía có điện trường mạnh PTTKS: Đây là một câu lí thuyết nhằm mục đích kiểm tra kiến thức của SV về lưỡng cực điện nhưng ở mức độ hiểu. Nếu không học bài, chịu khó tìm tòi thì sẽ rất dễ chọn đáp án sai.

Lua chon A B* C D Missing Tan so : 20 28 7 7 1 Ti le % : 32.3 45.2 11.3 11.3 Pt-biserial : -0.06 0.14 -0.18 -0.00 Muc xacsuat : NS NS NS NS

Lua chon A B* C D Missing Tan so : 33 73 10 27 0 Ti le % : 23.1 51.0 7.0 18.9 Pt-biserial : -0.25 0.35 0.01 -0.18 Muc xacsuat : <.01 <.01 NS <.05

PTKQ: Câu có độ phân cách kém trong lần KS đầu, nhưng độ phân cách này lại ở mức độ tạm được trong lần KS sau. Tuy câu này chỉ là một câu lí thuyết nhưng cũng không phải là câu dễ thậm chí qua kết quả KS là hơi khó đối với trình độ SV. Trong cả hai đợt KS, câu nhiễu A thu hút rất nhiều SV, chủ yếu là các SV yếu kém (độ phân cách âm cao). Để biết được câu nhiễu này đúng hay sai thì phải so sánh công thức tính cường độ điện trường gây ra bởi một lưỡng cực điện và gây ra bởi một điện tích điểm. Thực chất những SV chọn câu A không chắc phát biểu này là đúng hay sai do không nhớ công thức tính mà chỉ chọn ngẫu nhiên. Đó cũng là lí do những SV này không chọn đáp án B. Câu nhiễu C trong đợt KS 2 lại có độ phân cách dương. Điều này chứng tỏ rằng một số SV khá giỏi cũng chưa nắm vững kiến thức về lưỡng cực điện. Câu này có thể dùng trong các đợt KS sau. Câu 25: Phát biểu nào sau đây là đúng?

Lua chon A* B C D Missing Tan so : 8 3 4 48 0 Ti le % : 12.7 4.8 6.3 76.2 Pt-biserial : 0.28 -0.25 -0.05 -0.07 Muc xacsuat : <.05 <.05 NS NS

Lua chon A* B C D Missing Tan so : 27 12 7 97 0 Ti le % : 18.9 8.4 4.9 67.8 Pt-biserial : 0.33 -0.00 -0.07 -0.24 Muc xacsuat : <.01 NS NS <.01

A. Đường sức điện trường tĩnh không cắt nhau. B. Đường sức điện trường tĩnh là những đường song song cách đều nhau C. Đường sức điện trường tĩnh chỉ chiều của lực tác dụng lên điện tích thử đặt tại một điểm trên đường sức đó.

D. A và C đều đúng PTTKS: Câu này kiểm tra kiến thức của SV về đường sức điện trường ở mức độ biết. Nếu không nắm vững kiến thức thì chọn các câu sai.

PTKQ: Độ phân cách của câu trong hai lần KS ở mức tạm được, khá tốt. Điều cần chú ý ở đây là câu nhiễu D thu hút rất nhiều SV( 76 % ở lần KS đầu và 68% ở lần KS sau). Độ phân cách âm chứng tỏ đây là những SV yếu kém. Những SV này cho rằng câu C cũng đúng do không biết điện tích thử có thể âm, khi đó đường sức điện trường chỉ ngược chiều của lực tĩnh điện tác dụng lên điện tích thử. Đối với hai câu nhiễu còn lại có độ phân cách âm nên những SV chọn các câu này phần lớn là SV yếu kém. Tuy nhiên câu nhiễu B ở lần KS 2 có độ phân cách bằng 0 chứng tỏ rằng ngay cả một số SV khá giỏi cũng nhầm lẫn một cách cơ bản và cho rằng điện trường tĩnh là điện trường đều nên các đường sức song song cách đều nhau.

Cµ = 8

Cµ= -5

Đây cũng không phải là câu khó nhưng kết quả phản hồi lại chứng tỏ câu khó đối với trình độ

đặt trong không khí và nằm trong mặt kín (S). Thông và Q2

q

0 E

B. 3,4.105 Vm C.13.10-6 Vm D.1,5.106

+

0

1

=

5 3, 4.10 (

)

Vm

⇔ = φ E

E Q Q 1 2 + Q Q 2 ε 0

q

SV do SV không nhận biết kiến thức đầy đủ. Câu này có thể được sử dụng trong các lần KS sau. Câu 26: Hai điện tích Q 1 lượng điện trường Eφ do hai điện tích trên gửi qua mặt (S) có giá trị nào sau đây? A. 3,0.10-6 Vm Vm PTTKS: Kiểm tra khả năng vận dụng định lí Gauss để tính thông lượng điện trường gửi qua một mặt kín. Biểu thức định lí Gauss: εφ = ∑ = εφ⇔

φ = ∑ thì chọn câu A.

- Nếu SV nhầm với công thức tính thông lượng điện cảm D

Lua chon A B* C D Missing Tan so : 20 25 7 11 0 Ti le % : 31.7 39.7 11.1 17.5 Pt-biserial : -0.00 0.23 -0.17 -0.15 Muc xacsuat : NS NS NS NS

Lua chon A B* C D Missing Tan so : 53 51 12 27 0 Ti le % : 37.1 35.7 8.4 18.9 Pt-biserial : -0.07 0.18 -0.13 -0.05 Muc xacsuat : NS <.05 NS NS

thì chọn câu C.

- Nếu SV nhầm với công thức tính thông lượng điện cảm và trong công thức thay độ lớn của các điện tích Q1, Q2 - Nếu SV thay độ lớn của các điện tích thay vì lấy giá trị đại số thì chọn câu D. PTKQ: Qua kết quả KS ta thấy đây là câu khó đối với trình độ SV mặc dù đây chỉ là câu áp dụng công thức thuần túy. Câu nhiễu A thu hút một số lượng SV rất lớn kể cả những SV khá giỏi lẫn SV yếu kém (độ phân cách bằng 0 ỏ đợt đầu, và âm rất ít trong đợt sau). Nguyên nhân là do nhiều sách viết từ ngữ không thống nhất, một số sách viết thông lượng điện trường, điện thông nên SV đã nhầm lẫn đó là Dφ .

Độ phân cách của câu chỉ ở mức tạm được đối với đợt 1 và kém ở đợt 2 nên câu này có khả năng phân biệt trình độ SV thấp. Câu nhiễu C và D cũng thu hút một số SV và đó là các SV yếu kém (độ phân cách âm ).

Câu này có thể được sử dụng trong các đợt KS sau. Qua hai đợt KS ta rút ra rằng khi giảng dạy GV cần chú ý phân biệt thông lượng điện trường và

. Ở giữa hai mặt cầu kim loại đồng tâm, tích điện đều, có độ lớn điện tích bằng nhau nhưng trái

Lua chon A B C D* Missing Tan so : 18 18 1 26 0 Ti le % : 28.6 28.6 1.6 41.3 Pt-biserial : -0.29 -0.17 0.20 0.37 Muc xacsuat : <.05 NS NS <.01

Lua chon A B C D* Missing Tan so : 11 36 41 55 0 Ti le % : 7.7 25.2 28.7 38.5 Pt-biserial : -0.21 -0.09 -0.12 0.31 Muc xacsuat : <.05 NS NS <.01

σ

thông lượng điện cảm, đồng thời trình bày các cách gọi khác nhau của Eφ . Câu 27: Tại điểm nào dưới đây sẽ không có điện trường: A. Ở bên ngoài gần một quả cầu nhựa nhiễm điện. B. Ở bên trong một quả cầu nhựa nhiễm điện. C1. Ở bên ngoài gần một quả cầu kim loại nhiễm điện. C2 dấu. D. Ở bên trong một quả cầu kim loại nhiễm điện. PTTKS: Câu này kiểm tra SV kiến thức về tính chất của vật dẫn đó là tại mọi điểm bên trong vật dẫn, cường độ điện trường đều bằng 0. Câu này chỉ ở mức độ biết. Nếu không nắm kiến thức đầy đủ thì sẽ chọn các câu sai.

, đặt trong không khí. Điện

 B. Tại mọi điểm, E

PTKQ: Câu có độ phân cách khá tốt trong cả hai đợt KS. Phần lớn SV chọn đúng đáp án là các SV khá giỏi (độ phân cách dương cao). Trong đợt KS 1, câu nhiễu A và B thu hút khá nhiều SV. Hai câu này đề cập tới quả cầu nhựa nên đã thu hút những SV nắm bài không chắc. Những SV này nghĩ rằng quả cầu nhựa là chất điện môi nên không gây ra điện trường mà quên rằng quả cầu nhựa vẫn có thể tích điện. Trong khi đó, câu nhiễu C 1 không hấp dẫn SV nên chỉ có một SV chọn. Do đó câu nhiễu C 1 đã được thay thế bằng câu nhiễu C2 trong đợt KS 2. Khi đó, nó đã thu hút khá nhiều SV, mà phần lớn là những SV yếu kém. Câu này chỉ ở mức độ biết nhưng khá khó đối với trình độ S V. Câu này có thể sử dụng ở các lần KS sau. Câu 28: Mặt phẳng (P) rộng vô hạn, tích điện đều với mật độ điện mặt trường do mặt phẳng này gây ra tại những điểm nằm ngoài mặt phẳng đó có đặc điểm gì? A. Là điện trường đều

luôn vuông góc với mặt phẳng (P)

=

E

σ ε 02

Lua chon A B C D* Missing Tan so : 2 4 2 55 0 Ti le % : 3.2 6.3 3.2 87.3 Pt-biserial : -0.19 0.07 -0.21 0.16 Muc xacsuat : NS NS NS NS

Lua chon A B C D* Missing Tan so : 3 5 7 128 0 Ti le % : 2.1 3.5 4.9 89.5 Pt-biserial : -0.18 -0.10 -0.09 0.20 Muc xacsuat : <.05 NS NS <.05

C. Độ lớn

D. Cả 3 câu trên đều đúng PTTKS: Câu này kiểm tra kiến thức của SV về điện trường gây bởi một mặt phẳng rộng vô hạn tích điện đều ở mức độ biết. Nếu SV trang bị kiến thức không đầy đủ thì sẽ chọn một trong câu A, B hoặc C. PTKQ: Đây là câu ở mức độ rất dễ đối với trình độ của SV. Tỉ lệ SV chọn đáp án đúng rất nhiều. Độ phân cách ở cả hai lần KS đều không cao chỉ đạt mức tạm được trong lần KS sau và kém ở lần KS đầu. Vì đây là câu hỏi dễ nên các SV yếu kém cũng có thể tìm ra đáp án đúng. Số SV chọn các câu nhiễu phân bố khá đều và phần lớn là các SV ở nhóm thấp (độ phân cách âm). Qua hai đợt KS, ta thấy SV nắm được mảng kiến thức này.

Lua chon A B C* D Missing Tan so : 34 5 20 4 0 Ti le % : 54.0 7.9 31.7 6.3 Pt-biserial : -0.31 -0.02 0.32 0.05 Muc xacsuat : <.05 NS <.05 NS

Câu này có thể sử dụng ở các lần KS sau, tuy nhiên cũng có thể sửa lại các câu nhiễu để thu hút

Lua chon A B C* D Missing Tan so : 52 6 80 5 0 Ti le % : 36.4 4.2 55.9 3.5 Pt-biserial : -0.31 -0.14 0.41 -0.14 Muc xacsuat : <.01 NS <.01 NS

SV nhiều hơn. Câu 29: Tấm kim loại (P) phẳng, rất rộng, tích điện đều. So sánh độ lớn cường độ điện trường do (P) gây ra tại các điểm A, B, C? C A. EA> EB> E B. E A< EB< E C A= EB= EC C. E B D. E A+ EC= 2E PTTKS: Kiểm tra hiểu biết của SV về điện trường gây ra bởi một mặt phẳng rộng vô hạn, tích điện đều. Nếu không nắm được rằng điện trường này là điện trường đều thì sẽ chọn các câu sai.

PTKQ: Câu này có độ phân cách tốt - rất tốt ở cả hai lần KS. Do đó câu có khả năng phân biệt trình độ SV. Câu nhiễu A thu hút rất nhiều SV. Vì có độ phân cách âm cao nên phần lớn SV chọn câu A là những SV thuộc nhóm thấp. Những SV này không nắm được đó là điện trường đều mà nghĩ rằng càng gần mặt phẳng tích điện thì cường độ điện trường càng mạnh. Đây không phải là một câu khó nếu SV chú ý tới biểu thức tính cường độ điện trường gây ra bởi một mặt phẳng rộng, vô hạn tích điện đều hoàn toàn không phụ thuộc vào khoảng cách từ mặt phẳng tới điểm ta xét. Khi xây dựng công thức này, GV nên lưu ý điều này.

Câu này ở mức độ khó đối với SV đợt 1 n hưng vừa sức đối với SV đợt 2. Câu có thể sử dụng

trong các lần kiểm tra sau. Câu 30: Khối cầu bán kính 10 cm, tích điện đều với mật độ điện khối ρ= 9,0.10-5C/m3, được đặt trong không khí. Độ lớn của vectơ cảm ứng điện D tại vị trí cách tâm một đoạn 5cm là:

A. 1,5.10-6 C/m2 C. 1,2.10-3 C/m2 B. 1,2.10-5 C/m2 2 D. 4,5.10-6 C/m

PTTKS: Kiểm tra khả năng vận dụng định lí Gauss trong trường hợp đối xứng cầu.

  . D dS

q

Chọn mặt Gauss là mặt cầu đồng tâm với khối cầu và chứa điểm mà ta đang xét.

= ∑

∫∫ 

matGauss

2

3

π ρ π = 4 r D r

4 3

2

=

⇒ = D

− 6 1,5.10 (

C m /

)

ρ r 3

Áp dụng định lí Gauss:

Lua chon A* B C D Missing Tan so : 19 18 12 14 0 Ti le % : 30.2 28.6 19.0 22.2 Pt-biserial : 0.42 -0.20 -0.25 -0.00 Muc xacsuat : <.01 NS <.05 NS

Lua chon A* B C D Missing Tan so : 60 41 21 21 0 Ti le % : 42.0 28.7 14.7 14.7 Pt-biserial : 0.44 -0.20 -0.20 -0.16 Muc xacsuat : <.01 <.05 <.05 NS

- Nếu cho rằng điện tích bên trong mặt Gauss là điện tích của cả quả cầu thì chọn câu B - Nếu sai giống câu B và quên đổi đơn vị thì chọn câu C. - Nếu nhớ sai công thức tính thể tích hình cầu thì chọn câu D.

PTKQ: Câu có độ phân cách rất tốt trong cả hai đợt KS nên dùng để phân biệt trình độ của SV nhóm cao và nhóm thấp rất tốt. Đây là một bài toán đơn giản chỉ áp dụng thuần túy định luật Gauss đối với vật nhiễm điện có tính đối xứng cầu. Câu nhiễu B thu hút rất nhiều SV trong cả hai đợt với độ phân cách âm cao. Điều này chứng tỏ rằng các SV yếu kém không nắm được định luật Gauss. Những SV

. Cả 3 câu trên đều sai.

q

này không biết rằng tổng điện tích ở vế phải của biểu thức định lí phải là điện tích chứa trong lòng mặt Gauss chứ không phải là điện tích của cả vật mang điện. Đây là yếu tố quan trọng cần phải chú ý khi áp dụng định lí Gauss trong quá trình giải bài tập. Tuy không bằng câu nhiễu B, nhưng câu nhiễu C và D cũng có sức hấp dẫn đối với SV và phần lớn là những SV yếu kém (độ phân cách âm khá cao) Do có nhiều SV trong nhóm thấp không nắm được định lí Gauss nên câu này trở thành câu khó đối với trình độ SV, nhất là đối với SV trong nhóm đầu. Câu này có thể được sử dụng trong các đợt KS sau. Câu 31: Điện tích Q phân bố đều trong thể tích của một khối cầu tâm O. Hằng số điện môi ở trong và ngoài quả cầu đều bằng nhau. Phát biểu nào sau đây đúng khi nói về cường độ điện trường E do khối cầu gây ra? A1. Càng xa tâm O, cường độ điện trường E càng giảm B. Bên trong khối cầu, E giảm dần khi lại gần tâm O, bên ngoài khối cầu , E giảm dần khi ra xa tâm O C. Bên trong khối cầu, E như nhau tại mọi điểm, bên ngoài khối cầu , E giảm dần khi ra xa tâm O D1. Bên trong khối cầu, E =0, bên ngoài khối cầu , E giảm dần khi ra xa tâm O A2. Bên trong khối cầu, E =0, bên ngoài khối cầu , E giảm dần khi ra xa tâm O D2 PTTKS: Kiểm tra khả năng vận dụng định lí Gauss trong trường hợp vật mang điện có tính đối xứng cầu. Chọn mặt Gauss là mặt cầu đồng tâm với khối cầu và chứa các điểm mà ta xét.

ε 0

  1. E dS

= ∑

∫∫ 

matGauss

3

=

2 ε π ρ π r r

4

E 1

0

4 3

⇒ = E 1

ρ r ε 03

- Bên trong khối cầu:

=

q

tỉ lệ thuận với khoảng cách từ tâm tới điểm ta xét Trong khối cầu, càng gần tâm, E càng giảm. E1

ε 0

  E dS 2.

=∑ q

∫∫ 

matGauss

2

= q

ε π 2 4E r

0

⇒ = E 2

1 q 2 rπε 4 0

- Bên ngoài khối cầu:

.

Lua chon A B* C D Missing Tan so : 1 20 20 21 1 Ti le % : 1.6 32.3 32.3 33.9 Pt-biserial : 0.07 0.51 -0.27 -0.23 Muc xacsuat : NS <.01 <.05 NS

E1 tỉ lệ nghịch với khoảng cách từ tâm tới điểm ta xét Ngoài khối cầu, càng xa tâm, E càng giảm. - Nếu SV cho rằng điện tích chứa trong mặt Gauss trong cả hai trường hợp là toàn bộ điện tích của vật mang điện thì chọn câu A. - Nếu SV cho rằng điện trường như nhau tại mọi điểm bên trong quả cầu thì chọn câu B. - Nếu SV cho rằng quả cầu giống như vật dẫn, điện trường bên trong nó bằng 0 thì chọn câu D hoặc A2

Lua chon A B* C D Missing Tan so : 52 31 33 27 0 Ti le % : 36.4 21.7 23.1 18.9 Pt-biserial : -0.09 0.45 -0.25 -0.10 Muc xacsuat : NS <.01 <.01 NS

PTKQ: Trong cả hai đợt KS, độ phân cách câu rất tốt . Chỉ những SV khá giỏi mới biết vận dụng định lí Gauss để đưa ra kết luận. Đây là một câu khó đối với cả hai nhóm SV làm trắc nghiệm. Trong đợt KS đầu, câu nhiễu C và D1 phát huy rất tốt, độ phân cách âm nhiều chứng tỏ số SV yếu kém chọn nhiều. Tuy nhiên chỉ có một SV chọn câu nhiễu A 1. Do đó trong đợt KS thứ 2 câu này đã được thay bằng câu D2. Khi đó, câu nhiễu này phát huy tác dụng, từ chỗ chỉ có 1,6% số SV lựa chọn đã lên đến 19% số SV lựa chọn. Trong đợt KS thứ 2, câu nhiễu A2 có rất nhiều SV chọn. Những SV này không đọc kĩ đề bài nên cho rằng bên trong khối cầu không có điện trường mà không chú ý rằng điện tích phân bố đều trong toàn bộ thể tích của quả cầu nghĩa là bên trong quả cầu cũng có điện trường.

λ

Câu này có khả năng phân biệt trình độ giữa các SV rất tốt và có thể sử dụng tốt trong các đợt

  . E dS

q

= - 6.10-

ε 0

∫∫ 

matGauss

+

+

  . E dS

  E dS .

)

q

  . E dS

ε⇔ 0 (

= ∑

∫∫

∫∫

dayduoi

Sxq

daytren

q

∫∫   E dS .

ε⇔ 0

= ∑

∫∫

Sxq

⇔ −

=

ε π λ l

=

⇔ = − E

540(

V m /

)

0 2E hl λ ε π 2 h 0

Áp dụng định lí Gauss: KS sau. Câu 32: Một sợi dây dài vô hạn, đặt trong không khí, tích điện đều với mật độ điện dài 9 C/m. Cường độ điện trường do sợi dây này gây ra tại điểm M cách dây một đoạn h=20cm là: B. 1080 V/m A. 5395V/m C. 540 V/m D. 270 V/m PTTKS: Kiểm tra khả năng vận dụng định lí Gauss trong trường hợp đối xứng trụ. Chọn mặt Gauss là một mặt trụ có trục là sợi dây và đi qua điểm mà ta đang xét. = ∑

Lua chon A B C* D Missing Tan so : 6 5 41 11 0 Ti le % : 9.5 7.9 65.1 17.5 Pt-biserial : -0.09 -0.29 0.49 -0.34 Muc xacsuat : NS <.05 <.01 <.01

- Nếu SV sai công thức tính diện tích xung quanh của hình trụ thì chọn câu A hoặc D - Nếu SV tính toán không cẩn thận thì chọn câu B.

Lua chon A B C* D Missing Tan so : 12 9 99 22 1 Ti le % : 8.5 6.3 69.7 15.5 Pt-biserial : -0.16 -0.18 0.41 -0.25 Muc xacsuat : NS <.05 <.01 <.01

PTKQ: Câu có độ phân cách rất tốt trong cả hai đợt KS. Những SV làm đúng câu này ph ần lớn là SV khá giỏi nắm chắc định lí Gauss. Số SV chọn các câu nhiễu phân bố khá đều. Đó hầu hết là những SV thuộc nhóm thấp (độ phân cách âm khá cao).

Câu này vừa sức đối với trình độ của SV trong cả hai đợt KS và có thể sử dụng tốt trong các đợt

 của vectơ cường độ điện trường E

kiểm tra sau. Câu 33: Tấm điện môi phẳng, khá rộng, bề dày d, có hai mặt song song và hai mặt này cách đều mặt phẳng Oxy. Tấm điện môi được đặt trong không khí, tích điện đều với mật độ điện khối ρ. Tính độ lớn

=

=

=

=

E

E

E

E

ở tọa độ (0,0, )?

ρ ε 02

d 4 ρ d ε 02

ρ d ε 08

ρ d ε 04

B. C. D. A.

  . E dS

q

PTTKS: Kiểm tra khả năng vận dụng định lí Gauss trong trường hợp đối xứng phẳng. Chọn mặt Gauss là mặt trụ có hai mặt đáy đối xứng với nhau qua mặt phẳng Oxy và chứa điểm ta xét.

ε 0

= ∑

∫∫ 

matGauss

+

+

  . E dS

  . E dS

  E dS .

)

q

ε⇔ 0 (

= ∑

∫∫

∫∫

∫∫

Sxq

daytren

dayduoi

+

)

  . E dS

  . E dS

q

ε⇔ 0 (

= ∑

∫∫

∫∫

daytren

dayduoi

2

2

=

ρπ

R

R

ε π 0 2 E

d 2

⇔ = E

ρ d ε 04

2

q

Áp dụng định lí Gauss:

Rρπ=∑

d 4

Lua chon A* B C D Missing Tan so : 16 24 19 3 1 Ti le % : 25.8 38.7 30.6 4.8 Pt-biserial : 0.11 0.11 -0.33 0.10 Muc xacsuat : NS NS <.01 NS

- Nếu SV tính sai tổng thể tích chứa trong mặt Gauss: thì chọn câu B

Lua chon A* B C D Missing Tan so : 38 60 34 11 0 Ti le % : 26.6 42.0 23.8 7.7 Pt-biserial : 0.10 -0.11 0.08 -0.10 Muc xacsuat : NS NS NS NS

- Nếu SV áp dụng định lí Gauss nhưng chỉ tính cho một đáy thì chọn câu C. - Nếu SV viết công thức tính thể tích hình trụ nhầm sang công thức tính diện tích thì chọn câu D.

2

2

+

σ ε 0

z

R

z

PTKQ: Độ phân cách của câu trong cả hai đợt KS đều ở mức kém. Ngoài ra câu nhiễu B, D trong đợt 1, câu nhiễu C trong đợt 2 có độ phân cách dương. Điều này chứng tỏ rằng phần lớn SV đánh may rủi. Câu này yêu cầu SV xác định cường độ điện trường tại một điểm nằm bên trong một tấm điện môi rộng, phẳng. SV khó xác định được tính chất đối xứng của vật mang điện nên không biết cách chọn mặt Gauss sao cho phù hợp. Câu này là một câu khó đối với trình độ SV. Câu này có thể được sử dụng trong các lần KS sau. Câu 34: Một mặt không dẫn điện rộng, phẳng, đặt trong không khí và tích điện đều với mật độ điện mặt σ. Một lỗ tròn nhỏ bán kính R được cắt ở tâm của bản như hình vẽ. Bỏ qua hiệu ứng mép của các đường sức quanh tất cả các mép, tính cường độ điện trường ở điểm P, cách tâm của lỗ và dọc theo trục của nó một khoảng z? z A.

2

2

+

z

R

σ ε 02

z

B.

2

2

+

σ 2 ε 0

z

R

z

C.

2

2

+

σ ε 02

z

R

D.

=

+ E E

E

dia

mp

⇔ =

E E

E

dia

mp

z

⇔ = E

2

2

+

δ δ − ε ε 2 2 0 0

z

R

 − 1 

  

z

⇔ = E

2

2

+

δ ε 02

z

R

PTTKS: Câu này kiểm tra khả năng nhớ công thức tính điện trường gây ra bởi một mặt phẳng rộng, tích điện đều và một đĩa tròn tích điện đều. Nếu SV không nhớ thì có thể chứng minh lại nhưng rất mất thời gian. Nếu ta bổ sung vào lỗ hổng một đĩa tròn tích điện đều với mật độ điện mặt σcó kích thước đúng bằng lỗ hổng đó thì ta được một mặt phẳng hoàn chỉnh tích điện đều. Theo nguyên lí chồng chất điện trường ta có:

Lua chon A B C D* Missing Tan so : 11 5 13 34 0 Ti le % : 17.5 7.9 20.6 54.0 Pt-biserial : -0.12 -0.06 -0.17 0.27 Muc xacsuat : NS NS NS <.05

Nếu SV nhớ sai công thức tính cường độ điện trường thì sẽ chọn các câu sai.

Lua chon A B C D* Missing Tan so : 14 13 12 104 0 Ti le % : 9.8 9.1 8.4 72.7 Pt-biserial : -0.05 -0.10 -0.19 0.22 Muc xacsuat : NS NS <.05 <.01

ρ=

PTKQ: Qua hai đợt KS trên ta thấy số SV làm đúng câu này rất lớn. Tuy nhiên tỉ lệ số SV làm đúng trong đợt 2 cao hơn đợt 1 chứng tỏ trình độ của nhóm SV đợt 2 cao hơn. Độ phân cách của câu trong cả hai đợt đều ở mức tạm được. Đối với nhóm SV đợt 2, câu này là câu dễ, một số SV yếu cũng có thể tìm ra được đáp án đúng. Do đó, độ phân cách của câu không được tốt lắm. Số SV chọn các câu nhiễu phân bố khá đều. Độ phân cách của các câu nhiễu âm chứng tỏ phần lớn đều là các SV yếu kém. Những SV này không nhớ công thức và cũng ngại chứng minh lại nên không chọn được đáp án đúng. Câu này tuy dễ đối với SV nhóm 2 nhưng lại hơi khó đối với nhóm 1. Câu này có thể sử dụng trong các đợt KS sau. Câu 35: Một quả cầu rắn không dẫn điện với bán kính R có một sự phân bố điện tích không đều với

sρ là một hằng số và r là khoảng cách tính từ điểm đang xét đến

ρ sr R

, trong đó mật độ điện khối

3

2

2

2

tâm của quả cầu. Cường độ điện trường tại một điểm bên trong quả cầu có độ lớn:

15

3

2

4

ρ sr ε R 0

ρ sr ε R 0

ρ sr ε R 0

ρ sr ε R 0

A. B. C. D.

=

  . E dS

q

ε 0

∫∫ 

matGauss

2

= q

ε π 0 4E r

⇔ = E

2

q rπε 04

3

=

V

π r

⇒ = dV

π 4

2 r dr

PTTKS: Câu này kiểm tra khả năng vận dụng định lí Gauss trong trường hợp đối xứng cầu. Tuy nhiên câu này hơi khác so với các câu trước ở chỗ quả cầu phân bố điện tích không đều mà mật độ điện khối là một hàm theo khoảng cách từ tâm tới một điểm đang xét bên trong quả cầu. Áp dụng định lí Gauss ta có:

4 3

r

r

r

4

πρ 4 s

=

=

=

=

ρ

q

dq

dV

2 r dr

π 4

ρ r s R

R

r 4

0

0

0

2

⇒ = E

4

ρ sr ε R 0

3

dV

r drπ=

Ta có:

4 3

- Nếu SV tính sai vi phân thì chọn câu A.

Lua chon A B C D* Missing Tan so : 9 19 15 19 1 Ti le % : 14.5 30.6 24.2 30.6 Pt-biserial : 0.15 -0.01 -0.03 -0.02 Muc xacsuat : NS NS NS NS

Lua chon A B C D* Missing Tan so : 14 78 20 30 1 Ti le % : 9.9 54.9 14.1 21.1 Pt-biserial : -0.04 0.01 -0.14 0.13 Muc xacsuat : NS NS NS NS

=

=

A kqQ

A kqQ

trong không khí. Biểu thức tính công của lực điện trường là: - Nếu SV tính tổng điện tích chứa trong mặt Gauss giống như trong trường hợp quả cầu có điện tích phân bố đều thì chọn câu B. - Nếu SV nhớ nhầm công thức tính diện tích mặt cầu thì chọn câu C. PTKQ: Trong cả hai đợt KS, câu đều có độ phân cách kém. Các câu nhiễu thu hút nhiều SV nhưng lại có độ phân cách dương hoặc âm ít. Điều đó chứng tỏ các SV hầu như chọn may rủi. Vì đây là dạng toán hơi khác so với các dạng thông thường nên ít SV làm được. Câu nhiễu B thu hút n hiều SV, đặc biệt là trong lần KS 2 lại có độ phân cách dương. Qua đó ta thấy nhiều SV trong đó có cả các SV khá giỏi đều tính tổng điện tích bên trong mặt Gauss giống như khi quả cầu phân bố điện tích đều mà không chú ý đề bài cho phân bố điện tích trong quả cầu không đều. Câu 36: Điện tích điểm q di chuyển trong điện trường của điện tích điểm Q, từ điểm M đến điểm N, cách Q những khoảng rM, rN

1 r N

1 r M

1 r M

1 r N

  

  

  

  

= A q

= A q

A. B.

kQ kQ − r M

r N

kQ kQ − r N

r M

  

  

  

  

Lua chon A* B C D Missing Tan so : 26 5 16 16 0 Ti le % : 41.3 7.9 25.4 25.4 Pt-biserial : 0.03 0.14 0.01 -0.13 Muc xacsuat : NS NS NS NS

Lua chon A* B C D Missing Tan so : 75 14 42 12 0 Ti le % : 52.4 9.8 29.4 8.4 Pt-biserial : 0.31 -0.17 -0.15 -0.13 Muc xacsuat : <.01 <.05 NS NS

C. D.

PTTKS: Câu này kiểm tra khả năng nhớ công thức tính công của lực điện trường khi dịch chuyển một điện tích điểm từ điểm này đến điểm kia trong điện trường gây ra bởi một điện tích điểm khác. Nếu không học kĩ bài thì rất dễ bị thu hút bởi các câu nhiễu.

PTKQ: Tuy đây là câu chỉ ở mức độ biết nhưng lại ở hơi khó đối với trình độ SV nhất là đối với SV ở đợt 1. Trong đợt KS 1, câu có độ phân cách kém. Câu nhiễu B và C có độ phân cách dương. Điều này chứng tỏ rằng nhiều SV ở đợt 1 không học kĩ bài nên đã đánh may rủi. Trong đợt KS 2, độ phân cách tăng lên đến mức khá tốt. Đối với một câu ở mức độ biết thì độ phân cách này là được. Câu nhiễu C thu hút khá nhiều SV, hầu hết là các SV yếu kém. Những SV này không nhớ rằng trong biểu thức này thì ta phải lấy giá trị đại số của các điện tích chứ không phải độ lớn. Hai câu nhiễu còn lại thu hút số SV khá đều nhau và phần lớn là các SV ở nhóm thấp (độ phân cách âm)

Câu này có thể sử dụng tốt ở các kì kiểm tra với số lượng SV lớn.

Câu 37: Điện tích điểm Q= -5 Cµ đặt yên trong không khí. Điện tích điểm q=+8 Cµ di chuyển trên

C. 0,3J

=

A

đường tròn tâm Q, từ M cách Q 40cm, đến điểm N cách M là 20cm. Tính công của lực điện trường trong dịch chuyển đó? A. 0,9J D. 0J B. -0,9J PTTKS: Câu này kiểm tra khả năng vận dụng công thức tính công của lực điện trường khi làm dịch chuyển một điện tích điểm từ một điểm này tới một điểm khác trong điện trường của một điện tích điểm khác. Tuy nhiên câu này không đòi hỏi SV phải tính toán nhiều, chỉ cần SV có khả năng nhạy bén nhận ra rằng lực điện trường làm điện tích q di chuyển trên đường tròn tâm Q là có thể kết luận ngay công này bằng 0.

Qq πε 4 0

1 r M

1 r N

  

  

r= ⇒ A=0

Biểu thức tính công:

N

Vì dưới tác dụng của lực điện trường, điện tích q di chuyển trên đường tròn tâm Q nên M r

= 60cm và thay độ lớn của điện tích Q thì chọn câu C.

- Nếu tính với rM = 40cm, rN = 20 cm thì chọn câu A. - Nếu sai giống câu A nhưng chỉ thay độ lớn của điện tích Q thì chọn câu B. - Nếu tính với rM = 40cm, rN Lua chon A B C D* Missing Tan so : 21 12 5 25 0 Ti le % : 33.3 19.0 7.9 39.7 Pt-biserial : -0.06 -0.45 0.12 0.36 Muc xacsuat : NS <.01 NS <.01 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 52 31 14 46 0 Ti le % : 36.4 21.7 9.8 32.2 Pt-biserial : -0.10 -0.30 -0.07 0.41 Muc xacsuat : NS <.01 NS <.01 PTKQ: Câu này có độ phân cách tốt và rất tốt trong hai đợt KS. Những SV khá giỏi nhạy bén nhận ra ngay công này bằng 0 . Câu nhiễu A thu hút rất nhiều SV trong cả hai đợt KS. Do có độ phân cách âm nhưng âm thấp nên trong đó bao gồm cả một số SV khá giỏi. Những SV này không nắm vững kiến thức nên đã bị đánh lừa khi đề bài lần lượt cho khoảng cách từ Q đến M, từ M đến N và cho rằng đó là

rM, rN mà quên rằng r N phải là khoảng cách từ Q đến N. Các câu nhiễu còn lại cũng thu hút SV tuy không nhiều bằng câu nhiễu A và hầu hết là SV thuộc nhóm thấp.

Câu này khá hay và có độ phân cách tốt nên sừ dụng tốt cho các đợt KS sau.

Câu 38: Ba điện tích điểm Q1=+5.10-9C, Q2= - 6.10-9C, Q3=+12.10-9C đặt tại ba đỉnh của một tam giác đều cạnh a=20cm trong không khí. Chọn gốc điện thế ở vô cùng. Công của lực điện trường khi một electron di chuyển từ rất xa đến trọng tâm tam giác là:

A. 1,37.10-16J C. 4,6.10-17J B. -1,37.10-16J D. - 4,6.10-17 J

=

=

= −

)

A ∞

e V ( ∞

G

− W W G

V G

eV G

3

16

= −

= −

+

+

=

ke

1,37.10

J ( )

(

)

A ∞

G

Q Q Q 2 3

1

ke r

i

= 1

Q i r i

=

PTTKS: Câu này kiểm tra khả năng vận dụng biểu thức tính công và biểu thức tính điện thế tại một điểm trong điện trường gây ra bởi một hệ điện tích điểm. Công của lực điện trường khi một electron di chuy ển từ rất xa đến trọng tâm G của tam giác:

A∞

− W W ∞

G

G

thì chọn câu B. - Nếu SV lấy giá trị độ lớn của electron hoặc viết sai biểu thức

Lua chon A* B C D Missing Tan so : 22 12 17 11 1 Ti le % : 35.5 19.4 27.4 17.7 Pt-biserial : 0.12 -0.17 -0.03 0.06 Muc xacsuat : NS NS NS NS

Lua chon A* B C D Missing Tan so : 54 29 27 32 1 Ti le % : 38.0 20.4 19.0 22.5 Pt-biserial : 0.24 -0.00 -0.28 -0.01 Muc xacsuat : <.01 NS <.01 NS

- Nếu tính sai khoảng cách từ các điện tích điểm tới trọng tâm của tam giác thì chọn câu C. - Nếu sai giống câu B và C thì chọn câu D.

PTKQ: Trong đợt KS 1, câu có độ phân cách kém, câu nhiễu D có độ phân cách dương. Điều này chứng tỏ rằng khá nhiều SV đánh may rủi do câu này ở mức khó đối với trình độ SV. Độ phân cách tuy kém nhưng vẫn dương nghĩa là cũng có một số SV khá giỏi làm ra kết quả và chọn đáp án đúng. Trong đợt KS thứ 2, câu có độ phân cách tạm được. Các câu nhiễu thu hút khá nhiều SV. Số SV lựa chọn ba câu nhiễu phân bố khá đều. Độ phân cách âm nhưng không cao ở câu nhiễu B và C chứng tỏ không chỉ có SV yếu kém mới lựa chọn sai mà ngay cả một số SV khá giỏi cũng mắc sai sót. Đây là một câu khó đối với trình độ SV trong cả hai đợt KS. Câu này có thể sử dụng ở các lần KS sau. Câu 39: Phát biểu nào dưới đây sai?

A. Thế năng của một đơn vị điện tích ở một điểm trong điện trường được gọi là điện thế ở điểm đó. B. Thế năng của một điện tích điểm q0 ở một điểm nào đó trong điện trường là một đại lượng có giá trị bằng trừ công của lực tĩnh điện làm dịch chuyển điện tích đó từ vô cực đến điểm đang xét.

C. Điện thế là một thuộc tính của chính điện trường, dù có hay không có một vật tích điện được đặt trong nó. D. Hiệu điện thế giữa hai điểm M và N trong điện trường là một đại lượng về trị số bằng công của lực tĩnh điện làm dịch chuyển một điện tích dương từ điểm M tới điểm N.

Lua chon A B C D* Missing Tan so : 13 28 10 12 0 Ti le % : 20.6 44.4 15.9 19.0 Pt-biserial : -0.35 0.15 0.09 0.09 Muc xacsuat : <.01 NS NS NS

Lua chon A B C D* Missing Tan so : 32 28 55 28 0 Ti le % : 22.4 19.6 38.5 19.6 Pt-biserial : 0.00 -0.09 -0.20 0.34 Muc xacsuat : NS NS <.05 <.01

PTTKS: Câu này kiểm tra kiến thức của SV về thế năng, điện thế và hiệu điện thế ở mức độ biết. Nếu không học bài kĩ thì SV rất dễ chọn câu sai.

PTKQ: Trong đợ t KS đầu, câu có độ phân cách kém. Các câu nhiễu B và C thu hút khá nhiều SV nhưng lại có độ phân cách dương. Điều đó chứng tỏ rằng phần lớn SV không học kĩ bài, còn nhầm lẫn các khái niệm vật lí . Trong đợt KS sau, độ phân cách ở mức khá tốt. Độ phân cách như vậy là được đối với một câu ở mức độ biết. Hầu hết những SV chọn đáp án đúng thuộc nhóm cao và nắm vững kiến thức. Câu nhiễu C thu hút rất nhiều SV chủ yếu trong nhóm thấp (độ phân cách âm). Những SV này không học kĩ bài nên không nhận ra được một lỗi sai rất quan trọng trong câu phát biểu này “dịch chuyển một điện tích dương”.

B. 4,06.10-5 m D. 8,25.10-10 m

2

=

Câu này tuy chỉ ở mức độ biết nhưng do một số phát biều đã được thay đổi một chút nên những SV không nắm vững kiến thức đã không nhận ra. Câu này có thể được dùng trong các đợt kiểm tra sau. Câu 40: Một electron được bắn với vận tốc ban đầu 3,2.105 m/s hướng thẳng đến một proton được cố định tại chỗ. Nếu lúc đầu electron ở rất xa proton thì ở khoảng cách nào đối với proton, vận tốc tức thời của nó bằng hai lần vận tốc ban đầu? A.1,03.1010 m C. 1,65.10-9m PTTKS: Câu này kiểm tra công thức tính thế năng của một điện tích điểm trong điện trường gây ra bởi một điện tích điểm khác. Ngoài ra, để làm được câu này, SV phải nắm một số kiến thức về cơ học.

= W 0, W d

t

mv 0 2

Khi electron ở rất xa proton:

2

=

=

k

W ' t

, W ' d

(2 ) m v 0 2

peq r

2

2

+

=

2

k

Khi electron ở vị trí mà tại đây nó có vận tốc bằng hai lần vận tốc ban đầu:

mv 0

mv 0 2

peq r

Áp dụng định lí bảo toàn cơ năng :

2

= −

k

3 mv 0 2

peq r

2

keq

=

− 9 1, 65.10 (

)

⇒ = − r

m

p 2

3 mv 0

Lua chon A B C* D Missing Tan so : 12 14 19 17 1 Ti le % : 19.4 22.6 30.6 27.4 Pt-biserial : 0.05 -0.13 0.30 -0.20 Muc xacsuat : NS NS <.05 NS

Lua chon A B C* D Missing Tan so : 33 21 48 41 0 Ti le % : 23.1 14.7 33.6 28.7 Pt-biserial : -0.12 0.11 0.04 -0.02 Muc xacsuat : NS NS NS NS

- Nếu SV nhầm công thức tính thế năng với công thức tính điện thế thì chọn câu A. - Nếu SV nhầm công thức tính thế năng với công thức của lực tương tác tĩnh điện thì chọn câu B. - Nếu SV thiếu số 2 ở mẫu số trong biểu thức động năng thì chọn câu D. PTKQ: Để giải được câu này, ngoài kiến thức tĩnh điện học SV phải kết hợp với kiến thức cơ học nên câu này khó so với trình độ SV. Trong đợt KS đầu, câu có độ phân cách khá tốt. Những SV làm đúng câu này là những SV khá giỏi. Vì là câu khó nên cũng có một số SV khá giỏi làm sai (câu nhiễu A có độ phân cách dương). Trong đợt KS sau, câu có độ phân cách kém. Câu nhiễu B có độ phân cách dương. Điều đó chứng tỏ rằng khá nhiều SV đánh may rủi trong đợt 2. Tuy độ phân cách không được tốt trong lần KS sau nhưng vẫn có thể được sử dụng trong các đợt KS sau. Câu 41: Điện tích Q > 0 phân bố đều trên vòng dây tròn, tâm O, bán kính R. Chọn gốc điện thế ở vô cùng. Kết luận nào sau đây đúng?

A. Tại tâm vòng dây, cường độ điện trường có giá trị lớn nhất và điện thế có giá trị nhỏ nhất. B. Tại tâm vòng dây, cường độ điện trường triệt tiêu và điện thế có giá trị lớn nhất. C. Tại tâm vòng dây, cường độ điện trường triệt tiêu và điện thế có giá trị nhỏ nhất.

D. Tại tâm vòng dây, cường độ điện trường và điện thế đều triệt tiêu. PTTKS: Câu này kiểm tra kiến thức của SV về nguyên lí chồng chất điện trường và công thức tính điện thế của một vật tích điện.

=

=

V

k

= k

dq

k

dq 2

2

1 2

2

Q 2

2

+

+

+

vongday

vongday

R

z

R

z

R

z

Do tính chất đối xứng nên cường độ điện trường tại tâm của vòng dây bị triệt tiêu. Điện thế tại một điểm nằm trên trục vòng dây và cách tâm O một đoạn z:

Lua chon A B* C D Missing Tan so : 7 33 9 14 0 Ti le % : 11.1 52.4 14.3 22.2 Pt-biserial : 0.16 0.01 -0.24 0.07

Tại tâm vòng dây, z có giá trị nhỏ nhất, khi đó điện thế Nếu không nắm vững kiến thức, SV sẽ chọn các câu có giá trị lớn nhất. sai.

Lua chon A B* C D Missing Tan so : 18 61 27 37 0 Ti le % : 12.6 42.7 18.9 25.9 Pt-biserial : -0.19 0.35 -0.14 -0.13 Muc xacsuat : <.05 <.01 NS NS

PTKQ: Trong đợt KS đầu, câu có độ phân cách kém. Câu nhiễu A và D có độ phân cách dương, điều đó chứng tỏ các SV chọn may rủi nhiều nên câu này không thể phân biệt được trình độ giữa các SV. Trong đợt KS sau, câu có độ phân cách khá tốt, chứng tỏ SV trong nhóm này nắm bài tốt hơ n nên không có hoặc có rất ít tình trạng SV đánh may rủi. Câu nhiễu D thu hút khá nhiều SV và phần lớn là SV yếu kém (độ phân cách âm). Đây là những SV đã không nắm được tính chất của điện thế. Điện thế không phải là một đại lượng vectơ nên nó không bị triệt tiêu tại tâm của vòng dây tròn giống như vectơ cường độ điện trường được. Số SV chọn câu nhiễu A và C phân bố khá đều. Đây là những SV ở nhóm thấp (độ phân cách âm).

Tuy trình độ của nhóm SV sau cao hơn nhưng đây vẫn là một câu khó. Câu này có thể được sử

=

ln

dụng cho các lần KS sau. Câu 42: Một dây thẳng rất dài, tích điện đều với mật độ điện dài λ>0 đặt trong không khí. Chọn gốc điện thế tại điểm M0 cách dây một đoạn x 0 . Tìm biểu thức của điện thế tại điểm M cách dây một đoạn x?

V M

λ πε 2 0

x x 0

=

ln

A.

V M

x 0 x

λ πε 2 0

=

B.

MV

λ πε 2 0

1 x 0

 1 − x 

  

=

(

)

C.

MV

1 x

λ πε 2 0

1 x 0

D.

=

E

PTTKS: Câu này kiểm tra khả năng vận dụng mối liên hệ giữa cường độ điện trường và điện thế để tìm điện thế tại một điểm trong điện trường.

x

λ πε 02

Áp dụng định luật Gauss:

= −

E

dV dx

x

MV

= −

dV

E dx .

V 0

x 0

x

= −

= −

dx

(ln

x

ln

)

⇒ − V M

V 0

x 0

x

λ πε 2 0

λ πε 2 0

x 0

Biểu thức liên hệ giữa cường độ điện trường và điện thế:

ln

⇒ = V M

x 0 x

λ πε 2 0

Lua chon A B* C D Missing Tan so : 23 5 23 12 0 Ti le % : 36.5 7.9 36.5 19.0 Pt-biserial : -0.04 0.07 0.06 -0.08 Muc xacsuat : NS NS NS NS

Lua chon A B* C D Missing Tan so : 62 33 21 27 0 Ti le % : 43.4 23.1 14.7 18.9 Pt-biserial : -0.04 0.16 0.05 -0.16 Muc xacsuat : NS NS NS NS

- Nếu quên dấu trừ trong biểu thức liên hệ giữa cường độ điện trường và điện thế thì chọn câu A. - Nếu tính sai tích phân thì chọn câu C. - Nếu sai cả hai lỗi trên thì chọn câu D. PTKQ: Trong cả hai đợt KS, độ phân cách của câu rất thấp, đặc biệt là trong đợt KS 1. Câu khó so với trình độ SV nên trong đợt KS 1, SV đánh may rủi nhiều. Đó là lí do câu nhiễu C có độ phân cách dương. Độ phân cách trong đợt KS 2 có cao hơn nhưng vẫn ở mức độ kém. Những SV làm đúng phải là những SV khá giỏi nắm chắc kiến thức nhưng cũng bao gồm một số SV may mắn đánh ngẫu nhiên đúng. Câu nhiễu A thu hút rất nhiều SV. Điều này chứng tỏ rằng phần lớn SV quên dấu trừ trong biểu thức liên hệ. Phần lớn là SV yếu kém và một số SV khá giỏi nhầm lẫn (độ phân cách âm nhưng không cao). Câu nhiễu C và D cũng thu hút SV tuy không nhiều.

Đây là một câu khó so với trình độ SV. Câu này có thể dùng trong đợt KS sau.

σ

σ

σ

=550V. Chọn gốc điện

R

rdr

=

=

=

=

dV

V 0

dq r

δ π 2 r

1 πε 4 0

1 πε 4 0

δ R ε 2 0

dia

dia

0

ε 2

2

⇒ = δ

=

− 7 2, 78.10 (

C m /

)

V 0 0 R

Câu 43: Điện thế ở tâm của một đĩa tròn tích điện đều, bán kính R=3,5cm là V0 thế tại vô cùng . Mật độ điện tích mặt trên đĩa là: B. =5,57.10-7C/m 2 A. =2,78.10-9C/m2 C. =8,85.10-8C/m2 2 σD. =2,78.10-7C/m PTTKS: Vận dụng nguyên lí chồng chất điện thế để tìm điện thế gây ra bởi một đĩa tròn tích điện đểu. Gọi dV là điện thế do một phần tử điện tích dq gây ra tại tâm đĩa. Điện thế do cả đĩa tròn gây ra tại tâm đĩa là:

Lua chon A B C D* Missing Tan so : 18 6 6 33 0 Ti le % : 28.6 9.5 9.5 52.4 Pt-biserial : -0.10 0.07 0.24 -0.09 Muc xacsuat : NS NS NS NS

- Nếu không đổi đơn vị thì chọn câu A. - Nếu tính sai tích phân thì chọn câu B hoặc C.

Lua chon A B C D* Missing Tan so : 25 28 16 74 0 Ti le % : 17.5 19.6 11.2 51.7 Pt-biserial : -0.16 -0.10 -0.12 0.27 Muc xacsuat : NS NS NS <.01

PTKQ: Trong đợt KS 1, câu có độ phân cách âm, trong khi câu nhiễu C và D có độ phân cách dương. Câu đòi hỏi tính toán khá phức tạp nên SV ngại tính và chọn may rủi. Trong đợt KS thứ 2, câu có độ phân cách tạm được chứng tỏ nhiều SV khá giỏi đã giải bài toán đúng. Độ phân cách dương chưa cao chứng tỏ một số SV yếu kém không tính toán mà chọn may rủi. Các câu nhiễu thu hút SV khá đều và có độ phân cách âm chứng tỏ phần lớn là SV yếu kém chọn.

Đây la dạng toán quen t huộc nhưng phải tính toán khá nhiều nên trở nên hơi khó với trình độ

V∞ = , hãy 0

SV. Câu có thể sử dụng trong các đợt KS sau. Câu 44: Cho 2 điện tích điểm +q và -3q đặt cách nhau một khoảng d trong không khí. Biết

=

=

=

=

;

;

xác định điểm M trên đường thẳng AB (không phải ở vô cực) mà ở đấy điện thế do hai điện tích điểm gây ra bằng 0?

M A 1

M B 1

M A 2

M B 2

=

=

=

=

;

;

A. hoặc

M A 1

M B 1

M A 2

M B 2

d 4 d 3 4

=

=

=

=

;

;

hoặc B.

M A 1

M B 1

M A 2

M B 2

d 3 4 d 4 d 3 4

=

=

=

=

;

;

C. hoặc

M A 1

M B 1

M A 2

M B 2

d 2 d 2 d 3 2 d 3 2

d 3 2 d 3 2 d 2 d 2

d 4 d 3 4

d 4

hoặc D.

=

PTTKS: Kiểm tra khả năng vận dụng nguyên lí chồng chất điện thế để xác định vị trí mà ở đó điện thế bằng 0.

V M

q q 3 − MA MB

  

  

1 πε 4 0

= ⇔ =

⇔ =

0

3 MB MA

MV

=

=

;

Điện thế tại điểm M:

M B 1

M A 1

3 1 MA MB d 3 d 4 4

=

=

;

(M nằm trên đoạn AB) hoặc

M A 2

M B 2

d 2

d 3 2

(M nằm ngoài đoạn AB)

Lua chon A* B C D Missing Tan so : 22 12 14 15 0 Ti le % : 34.9 19.0 22.2 23.8 Pt-biserial : 0.14 -0.16 0.12 -0.12 Muc xacsuat : NS NS NS NS

Các câu nhiễu chỉ là sự xáo trộn của đáp án. Nếu SV không tính toán mà chọn ngẫu nhiên thì sẽ chọn các câu nhiễu.

Lua chon A* B C D Missing Tan so : 66 35 19 22 1 Ti le % : 46.5 24.6 13.4 15.5 Pt-biserial : 0.24 -0.11 -0.07 -0.13 Muc xacsuat : <.01 NS NS NS

C. Tính hiệu điện thế giữa hai điểm A và B? D. 45 V

=

=

36(

)

V

V

A

q q + 1 2 AC AD

  

  

1 πε 4 0

=

= −

36(

)

V

V B

q q + 1 2 BC BD

  

  

1 πε 4 0

=

=

U

V

72(

V

)

AB

A

V B

PTKQ: Trong đợt KS 1, câu có độ phân cách kém, câu nhiễu C có độ phân cách dương. Điều này cho thấy rằng có khá nhiều SV đánh ngẫu nhiên. Tuy nhiên cũng có một số SV tính toán và cho kết quả đúng (độ phân cách kém nhưng dương). Trong đợt KS 2, độ phân cách ở mức tạm được. Các câu nhiễu thu hút khá nhiều SV và hầu hết là SV yếu kém. Những SV này ngại tính hoặc không biết cách làm nên đã đánh may rủi. Một số SV đánh ngẫu nhiên đúng nên độ phân cách chỉ ở mức độ tạm được. Tuy nhiên đối với bài toán này, SV có thể không cần phải tính toán nhiều mà chỉ cần thay các câu trả lời vào phương trình để tìm ra đáp án đúng. Câu khá khó so với trình độ SV. Có thể sử dụng câu trong các đợt KS sau. Câu 45: Tại hai đỉnh C, D của một hình chữ nhật ABCD (có các cạnh AB= 4m, BC=3m) người ta lần lượt đặt hai điện tích điểm q1= -3.10-8C, q2= 3.10-8 C. 72 V B. 36 V A. 0 V PTTKS: Câu kiểm tra khả năng vận dụng nguyên lí chồng chất điện thế để tìm điện thế tại hai điểm trong điện trường. Từ đó xác định hiệu điện thế giữa hai điểm đó. AC = BD = 5m

Lua chon A B C* D Missing Tan so : 25 23 9 6 0 Ti le % : 39.7 36.5 14.3 9.5 Pt-biserial : 0.18 -0.23 0.02 0.04 Muc xacsuat : NS NS NS NS

thì chọn câu A.

Lua chon A B C* D Missing Tan so : 61 21 35 25 1 Ti le % : 43.0 14.8 24.6 17.6 Pt-biserial : -0.22 -0.06 0.53 -0.25 Muc xacsuat : <.01 NS <.01 <.01

- Nếu thay độ lớn của các điện tích hoặc tính UBA - Nếu chỉ tính điện thế mà đã vội kết luận thì chọn câu B. - Nếu tính lấy sai giá trị của các khoảng cách thì chọn câu D.

PTKQ: Lại một lần nữa ta thấy trình độ của SV nhóm 2 hơn hẳn nhóm 1, mặc dù câu ở mức độ rất khó đối với trình độ SV cả hai nhóm. Trong lần KS 1, hẩu hết SV đánh may rủi. Câu có độ phân cách rất kém. Câu nhiễu A và D có độ phân cách dương. Ngược lại, trong lần KS 2, câu có độ phân cách rất tốt, có khả năng phân biệt trình độ SV. SV đã chịu khó tính toán và chỉ có những SV nắm chắc kiến thức mới làm đúng. Câu nhiễu A thu hút rất nhiều SV, đa số là các SV trong nhóm thấp (độ phân cách âm cao). Đó là những SV không cẩn thận trong quá trình thay số hoặc không đọc kĩ đề bài. Các câu còn lại cũng thu hút một số SV và phần lớn cũng là những SV yếu kém (độ phân cách âm).

Đây là câu khó đối với trình độ SV. Câu này được sử dụng rất tốt trong việc phân loại trình độ

− 9

− 9

λ

=

λ

=

5, 4.10

/C m

4,9.10

/C m

SV. Câu 46: Một ống đếm Geiger có vỏ kim loại hình trụ đường kính 2 cm. Dọc theo trục của trụ có căng một sợi dây đường kính 1,3.10-4 cm. Nếu hiệu điện thế giữa chúng bằng 850V thì mật độ điện dài của sợi dây là:

− 9

− 9

λ

=

λ

=

1, 6.10

/C m

9,8.10

/C m

A. B.

D. C.

=

E

PTTKS: Câu này kiểm tra khả năng vận dụng biểu thức liên hệ giữa cường độ điện trường và điện thế để xác định hiệu điện thế giữa hai mặt trụ. Từ đó, xác định mật độ điện dài. Gọi R1, R2 lần lượt là bán kính của sợi dây và lớp vỏ kim loại. Áp dụng định lí Gauss ta xác định được cường độ điện trường tại một điểm nằm ở khoảng không gian

r

λ πε 02

giữa sợi dây và lớp vỏ kim loại và cách trục một đoạn r:

R 2

= −

dV

Edr

V 1

R 1

R 2

=

=

ln

dr

⇒ − V V 1 2

r

λ πε 2 0

λ πε 2 0

R 2 R 1

R 1

πε 0

λ ⇒ =

=

− 9 4,9.10 (

)

/ C m

ln

− ( )2 V V 2 1 R 2 R 1

Lua chon A B* C D Missing Tan so : 2 30 13 18 0 Ti le % : 3.2 47.6 20.6 28.6 Pt-biserial : -0.05 0.24 -0.14 -0.12 Muc xacsuat : NS NS NS NS

Từ biểu thức liên hệ giữa cường độ điện trường và điện thế suy ra: V 2

- Nếu tính toán không cẩn thận thì chọn câu A. - Nếu tính sai công thức cường độ điện trường thì chọn câu C hoặc D.

Lua chon A B* C D Missing Tan so : 21 57 41 23 1 Ti le % : 14.8 40.1 28.9 16.2 Pt-biserial : -0.19 0.27 -0.17 0.04 Muc xacsuat : <.05 <.01 <.05 NS

3

3

×

2 10×

10

PTKQ: Độ phân cách của câu trong cả hai lần KS đều ở mức độ tạm được. Các câu nhiễu thu hút khá nhiều SV đặc biệt là các câu nhiễu C và D. Trong đợt KS 2, câu nhiễu D có độ phân cách dương, chứng tỏ không chỉ các SV yếu làm sai mà một số SV khá giỏi cũng không cẩn thận trong tính toán. Đó cũng chính là lí do câu có độ phân cách không cao. Câu ở mức độ khó với SV và có thể sử dụng trong các đợt KS sau. Câu 47: Hai bản kim loại rộng, song song cách nhau 1,5 cm tích điện đều, bằng nhau và trái dấu. Lấy gốc điện thế ở bản âm thì điện thế ở bản dương bằng 10V. Cường độ điện trường trong miền giữa các bản và cách bản âm 0,5 cm có độ lớn là:

2 3

20 3

A. V/m B. V/m C. V/m D.20 V/m

=

=

E

3 10 (

V m /

)

− 2

− V V 1 2 d

10 1,5.10

2 = × 3

Lua chon A B* C D Missing Tan so : 19 24 8 10 2 Ti le % : 31.1 39.3 13.1 16.4 Pt-biserial : -0.04 0.21 -0.04 -0.15 Muc xacsuat : NS NS NS NS

Lua chon A B* C D Missing Tan so : 34 74 17 17 1 Ti le % : 23.9 52.1 12.0 12.0 Pt-biserial : -0.16 0.22 -0.05 -0.09 Muc xacsuat : NS <.01 NS NS

PTTKS: Câu này chỉ ở mức độ vận dụng công thức đơn giản để xác định cường độ điện trường giữa hai bản kim loại rộng, song song tích điện đều bằng nhau và trái dấu. Điện trường giữa hai bản là điện trường đều, từ công thức liên hệ giữa cường độ điện trường và điện thế ta có:

- Nếu SV quên đổi đơn vị thì chọn câu A. - Nếu SV nghĩ rằng khoảng cách d chính là khoảng các từ bản âm tới điểm ta xét thì chọn câu C. - Nếu SV sai cả hai lỗi trên thì chọn câu D. PTKQ: Độ phân cách của câu trong cả hai lần KS đều ở mức độ tạm được. Câu nhiễu A thu hút khá nhiều SV trong cả hai đợt. Những SV này nắm được bài nhưng lại bất cẩn nên quên không đổi đơn vị. Số SV chọn câu nhiễu C hoặc D xấp xỉ bằng nhau. Đây là những SV yếu kém hiểu sai kiến thức dẫn đến chọn câu sai. Những SV này cứ nghĩ rằng vì tính cường độ điện trường tại điểm cách bản âm 0,5 cm thì d phải lấy giá trị này mà quên rằng 10 V là hiệu điện thế giữa bản âm và bản dương. Đây hầu hết là các SV yếu kém (độ phân cách âm).

Lua chon A* B C D Missing Tan so : 59 1 2 1 0 Ti le % : 93.7 1.6 3.2 1.6 Pt-biserial : 0.27 -0.26 -0.09 -0.13 Muc xacsuat : <.05 <.05 NS NS

Câu này chỉ là câu áp dụng công thức đơn giản nhưng vì một số khá đông SV không cẩn thận quên đổi đơn vị nên câu trở nên mức hơi khó đối với trình độ SV. Câu có thể được sử dụng trong các lần KS sau. Câu 48a: Vật bị nhiễm điện dương hoặc âm do cọ xát vì khi cọ xát: A. electron chuyển từ vật này sang vật khác B. vật bị nóng lên C. các điện tích tự do được tạo lên trong vật D. các điện tích bị mất đi PTTKS: Kiểm tra kiến thức phần nhiễm điện cho vật do cọ xát ở mức độ biết. Nếu không nắm vững bản chất của hiện tượng sẽ chọn các câu sai. PTKQ: Câu này ở mức độ biết, rất dễ đối với trình độ của SV nên có tới 94% số SV chọn đáp án đúng. Độ phân cách tạm được. Chỉ có 4 SV đưa ra lựa chọn sai. Đó là các SV yếu kém không nắm được bản chất của hiện tượng (độ phân cách âm).

Vì câu hỏi quá dễ đối với SV và các câu nhiễu không có khả năng thu hút SV nên câu này nên

loại bỏ. Nếu muốn sử dụng ở các lần KS sau thì phải sửa chữa nhiều.

E>

Trong lần KS sau, câu này đã được thay bằng một câu khác.

V< N

N

E>

và M V Câu 48b: Xét hai điểm M, N trong điện trường có các đường sức được mô tả như hình vẽ. So sánh cường độ điện trường và điện thế tại M và N? A. M E

N

V> N

E<

B. M E và M V

N

V< N

E<

C. M E và M V

N

V> N

D. M E và M V

PTTKS: Câu này kiểm tra kiến thức về cường độ điện trường và điện thế. Để tìm ra đáp án đúng SV chỉ cần xác định xem tại đâu thì các đường sức phân bố mau hơn và chiều của đường sức hướng từ điểm nào tới điểm nào. Ở đây, ta thấy tại vị trí điểm M, đường sức phân bố mau hơn nên cường độ điện trường tại M lớn hơn và đường sức có chiều hướng từ N tới M nên điện thế tại N lớn hơn.

Lua chon A* B C D Missing Tan so : 52 60 21 10 0 Ti le % : 36.4 42.0 14.7 7.0 Pt-biserial : 0.07 0.05 -0.09 -0.11 Muc xacsuat : NS NS NS NS

Nếu SV hiểu biết không đầy đủ thì sẽ chọn các câu sai.

PTKQ: Trong đợt KS này, câu có độ phân cách kém, không phân biệt được trình độ giữa các SV. Câu nhiễu B thu hút SV rất nhiều. Những SV này cho rằng cường độ điện trường lớn thì điện thế lớn mà

quên rằng vectơ cường độ điện trường luôn hướng theo chiều điện thế giảm nên những nơi cường độ điện trường lớn thì điện thế thấp. Không chỉ những SV yếu kém mới mắc sai lầm mà cả những SV khá giỏi cũng sai (Câu nhiễu B có độ phân cách dương). Tuy câu có độ phân cách không cao nhưng vẫn có thể được sử dụng trong các lần KS sau. Đây là câu khó đối với trình độ SV nhưng vẫn có thể dùng trong các đợt KS sau. * Kết luận: Qua việc KS 48 câu TNKQ đã có sửa chữa thì kết quả cho thấy 45 câu có thể đưa vào sử dụng trong các lần sau. Còn 3 câu bị loại bỏ hoặc phải sửa chữa vì không đạt yêu cầu: Câu 6, 12, 28. Trong đó, có 2 câu có thể sửa chữa lại các câu nhiễu rồi KS lại mới có thể đưa vào sử dụng được: Câu 6, 28.

PHẦN KẾT LUẬN

Thông qua việc nghiên cứu kỹ thuật xây dựng hệ thống câu hỏi trắc nghiệm khách quan nhiều lựa chọn, cùng với quá trình thực nghiệm sư phạm 63 SV hệ cử nhân và 143 SV hệ chính qui với hệ thống 48 câu hỏi trắc nghiệm khách quan chương " Điện trường và điện thế - hiệu điện thế" trong chương trình điện đại cương, em đã rút ra được một số kết luận như sau: - Đối với hệ thống các câu hỏi trong đề tài bước đầu đảm bảo được các nội dung cơ bản của bài học và bám sát các mục tiêu cần kiểm tra ở ba mức độ cơ bản (biết, hiểu, vận dụng) và thậm chí cũng có nhiều câu có thể đánh giá được mức độ tư duy sáng tạo của SV. - Đối với bài trắc nghiệm, kết quả cho thấy bài này khó so với trình độ của SV. Trong số các câu trắc nghiệm đề ra vẫn còn một số câu có mồi nhử chưa đạt yêu cầu nên đã được thay bằng câu khác hoặc gia công, sửa chữa lại mồi nhử thì cho kết quả tốt hơn. Nhìn chung đề tài này đã soạn thảo được 48 câu trắc nghiệm khách quan và có 45 câu có thể đưa vào sử dụng cho các đợt KS sau. Một câu cần loại bỏ hoàn toàn, còn 2 câu thì phải sửa chữa lại, KS lại nếu cho kết quả tốt mới có thể đưa vào sử dụng. - Từ kết quả thu được cho thấy những kiến thức nào mà giáo viên có giảng kỹ hoặc nhấn mạnh thì SV làm rất tốt nhưng những kiến thức mà giáo viên chỉ nhắc sơ yêu cầu về nhà đọc thêm hoặc những dạng toán ít gặp thì đa số SV không làm được. Cụ thể là các câu kết hợp với kiến thức cơ học và một số câu áp dụng định lí Gauss như: Tính điện trường bên trong một quả cầu phân bố điện tích không đều, một tấm điện môi phẳng hay tính thông lượng điện trường…không thu được kết quả tốt. Hầu hết SV đánh may rủi, hoặc rất ít SV đưa ra đáp án đúng. Mặt khác cho thấy khi làm bài TNKQNLC, đa số SV còn bỡ ngỡ, không linh hoạt và không có kinh nghiệm khi làm bài mà vẫn quen với cách học cũ là theo lối tự luận, học tủ. Một số câu như yêu cầu SV chọn ra phát biểu sai hoặc tìm ra công thức đúng thì rất nhiều SV đã không nhận ra đáp án chính xác bởi vì những phát biểu, công thức này thường được biến đổi một chút so với nguyên văn trong sách. - Đối với giảng viên, qua kết quả thu được đã góp phần cung cấp các thông tin phản hồi về những kiến thức mà SV đã tiếp thu được cũng như những vướng mắc, sai lầm còn tồn đọng trong chương “Điện trường – Điện thế - Hiệu điện thế”. Các thông tin có được từ đây sẽ giúp giảng viên nhanh chóng điều chỉnh và đổi mới phương pháp dạy học tốt hơn, nhằm nâng cao chất lượng đào tạo. - Đối với mỗi SV, sau kì kiểm tra tự mình nhìn nhận lại bản thân và nhanh chóng tự tìm ra những kiến thức sai sót, chưa hoàn chỉnh để từ đó điều chỉnh lại cách học cho phù hợp.

Lời kết: Hình thức thi trắc nghiệm khách quan tuy có nhiều ưu điểm nhưng bên cạnh đó cũng có những nhược điểm mắc phải như thời gian phân bố cho các câu không đồng đều, có một số câu ở mức độ tư duy cần nhiều thời gian để suy nghĩ và tính toán mà thời gian thi trắc nghiệm thì giới hạn quá ngắn. Mặt khác hình thức thi này cũng không rèn luyện được cho SV kĩ năng trình bày những tư duy sâu sắc, mà đây lại là điều cần thiết cho SV sư phạm. Đ ể khắc phục nhược điểm này, nên kết hợp cả hai hình

thức thi trắc nghiệm lẫn tự luận, khuyến khích tính tự học, sáng tạo của SV bằng việc mở rộng việc làm bài tập lớn, thuyết trình...

Đồng thời chúng ta cũng nên xây dựng một hệ thống câu hỏi TNKQ và thông qua kết quả khảo sát

nhiều lần, để từ đó hình thành ngân hàng câu hỏi có thể sử dụng trong thời gian lâu dài.

TÀI LIỆU THAM KHẢO

Vật lí đại cương - Tập 2 Nhà xuất bản giáo dục – 2006

Bài tập vật lí đại cương Nhà xuất bản giáo dục – 2005

Cơ sở vật lí – Tập 4 Nhà xuất bản giáo dục – 1998

Giải bài tập và bài toán cơ sở vật lí – Tập 3 Nhà xuất bản giáo dục – 2003

Điện từ học Nhà xuất bản giáo dục – 2002

Đo lường và đánh giá kết quả học tập Nhà xuất bản trường Đại học Sư phạm Tp.HCM – 2004

Trắc nghiệm và đo lường thành quả học tập Nhà xuất bản trường Đại học Tổng hợp – 1995

1800 câu hỏi trắc nghiệm điện học Nhà xuất bản Đại học quốc gia Tp.HCM - 2009

Bài tập vật lí điện từ - Tập 2 Nhà xuất bản Đại học quốc gia Tp.Hcm – 2007

1. Lương Duyên Bình - Dư Trí Công – Nguyễn Hữu Hồ 2. Lương Duyên Bình – Nguyễn Hữu Hồ - Lê Văn Nghĩa – Nguyễn Quang Sính 3. David Halliday – Robert Resnick – Jearl Walker 4. Lương Duyên Bình – Nguyễn Quang Hậu 5. Jean – Marie Brebec 6. Khoa tâm lí giáo dục trường Đại học Sư phạm Tp.HCM 7. Dương Thiệu Tống 8. Nguyễn Hữu Thọ 9. Nguyễn Hữu Thọ 10. Luận văn tốt nghiệp Một số câu hỏi trắc nghiệm khách quan chương Điện Thế-Hiệu điện Thế Lê Thị Hoài Phương – 2006

PHỤ LỤC I ĐÁP ÁN - LỰA CHỌN CỦA SV

LẦN 1

KEY BBDACADBADAACAACDAABCDABBBBDCABCADDDBADDABDCBABC SIEU CABBCCDDDBDCCCACCCDBCBABCDCACCCCCCDABDBBAAABBACA TU ABDAADDBBBCCCDACDADACBCAABDDACCBBDDABDBBBCABBCDC TIEN B CCCDDACBA CBACADDABBACABCDACCACDBABABBBDADBD D HUNG ACDABACAABCACDBDACBAABBCBCCDABDCBCDACAAABADBDCAD BINH ABDAADDBCACCCAACBAAAAADAABABDDDCADCDBACDDCCABBBC HONG ACCBBDDBDAAABCAADDDABCAACAADADDBBCCDADABDCDABABD YEN BDAADADBCBAABBAADACBBADDBCBDACCABDCDDADCDCDABACA HIEN AACACDDBCBCACAAADADCDAAAAAADABDCCDDDDADDDCDABACA T.HUONG DCDCCDDBABCACCACDAACADAADBCDACACBCDDACBDCCDBAD C LY ABBACDCBCBAACAACDBDACBBABBDBAABCBBBBDCDDAAABBABA QUYNH ABDADDDBDAAACCACBADA DABADBDCABC DBDBABDBDCCDAAB TAM BBCBCDDBDDAACCACDDDACBCBABBDAABCBCBABCBDDCCABAAD TRANG ADDDCDCBADDACAACCDABBCDBBBDBCADCBADDBBACCCCABADA NGAN ADDBDCBABCCCCAAAAADBBBBDACBDAADDAABDBADADAAACDAB V.THANH ABCBDCDBDAAACCACDDDACDCBACBDAABCBCBBBCBDACCADAAD V.DUNG ABCAADCBDACACAAAACDBCBBBBADDCACCBBADDABAACAABCBA T.HANG BADCDDBBD AACCABCADADDBAABBDABDABDCBACDBACDBDADA PHUC ADDACDBCDABABAABDDBBDBABCCCDABCDADBBBAAADAAADABD EM DBBAADCDAAAACAACCDDCDAAAADCDADBDCBADBDADABABCACA DUAN AACBCADDCADACDAAADDBDBABBBADADBCCDDBCCDAAACCCADD THINH BBCCCACBCBABCCACADDDADDDBBDDADCBCDBABDBBBDABBDBD OANH BACCCADCCBABCCACADDBAABBBBDDACCBCDBABABBBDABDDBD MINH BDDADADBBBCCCAAADBADBBDADABDCBBDCDBDDCAADBDCBDBD MIEN ABDACADBCACACAACDAAAABABDBADCDBCAACDBACDDADACDBC DAT ACCACDABABDBCAACCDDBCBABCABDCABCADDBADDDABBDBCBC TAN ABAADDCBAAAABAACCADABDCBABBDCABCADCCBABDAADBDBAB T.NGAN ABCADCDBDAAACDAC ADADDCBABBDAABCBCBDBDBDACABDAAD TRINH ACCBDDBAABCABACCCADDDAAAABBDCABCAABBBABADADBCBAD NY ABDCADCBBBDCCCACDADBCABADABDDCBCBCDABDCDCBDCCDDD LAN ABAACDABABAACAABACDACACBBABDCBCCCDCBBCAAAADBDBDB T.THANH ADDDCDDBBBCACCAACADAAAABAAADBBDCADDDBABDCADABAAA VAN ADDACDABBBCACCAACADAAAAAAAADBBDCADDABABDCADCBAAA TUNG ABCACADBABDACAACDADBDBABDBCDCABCDDBDACBCCADBBCBD H.SANG BCDCCDDADAAACDAADDABBCAACBADAADCADADABDABCBDCCBA P.THY ACDDCBCBAACACACCCBDADCAABBADCBCCCBCBCCDBACDCCCDC B.TRAM BDDDCACBBBABBDACDDCAAAADBBDDADCCCDBBBCBBCADBCDCB L.THAO BBDBCABABBCACAACDBDABADACABDACDCBABBCCBBBADBBDBD NGOI ABDACADBAABCBCAADCDBDDAADBBDABDCBDADDABACDAABDBC HOAN CDCACADBADAABAACCADABCDBCBADAACAAADDBBCAACDBCBCB T.VY ACDBADBBBBAACCACCCDAABABBABCDBCDACDADACDCDDCCCDB VUI ACDBADCBBAABCAACCDDADDABAABCABDDAC BDACDCDBBCCAB NHI ABDBCDCBACBDBAACDCDADACBABADABDCCDCBDCAACDDBDBBB L.HUONG AADBCDCBAABBBAADDCDABACBAAADCBDCCDABBCAAAADBDBBD L.HUYEN ABDBAACBAABBBAAAADDACACBABDDCBBDCDDBBAAAAADBDDAB T.ANH ABDACADBAABCBCAADCDBDDAADBBDABDCBDADDABACDAABDBC TAO ABDDDADBCCCACAACBDDBDACABAADACBCBDBADACDBADABAAA H.BAO AABBCDDBDBAABAACCDDBCBBBADBDBDCADDCABDDDACDBDAAC T.MAI ADDDCACBBBCDCDABCDABDDDCABADBDDDBACDBBCDCCDCBCBC QUYNH ACDACDDBBBCABAACDDDBBCAADDDDABDCADDACDCC CBADABC PHUC ABCBDCDBDAAACCACDDDACDDBADBDAABCBCBBBCBDBCDADAAD T.HUONG ABDBCDCBAD BCAACCCDABACBAAADCCDCCDCACDDAAAADDBAC T.TRINH ABDCDDDDADBDCAACCDDDBADBAAADCCCCABCACDBBCCDABBDB D.NGUYET AABACDCBBAABBAACCDDDCBAAABDDAADBCACBDDABAADBBBDC T.NGUYET BBDDCADBBACBCADADDDBDACADBDBBDCDCABABAADBCDACDA N.HUYEN BCDACACBBAAACCABAADCCAAACAADADCCCDCDCACACCDABABB SON BCDACDDBDCBACCACADCACBDB ABAACCDDADDCDBCCDAAABAC B.T.DUNG BBDACDCCACACBBACACDBBADAADADAB DBCDABCAAABDCDDCB T.HUNG BCDADADBCACACBAACDBABBAACCADCDCACADDBABDCABDDBBB QUYEN ADDDCADDCACCCCACDAABAAAAABADDDCCADDDDABDDDBDBCBC TRIEN ADDACDCBCACACAAAAADBBBABBABDCDBCBDABBDBAAAAABCCC N.DUNG ADDACDDBCACBCAAAACDBBBABBABDCADCBDADDADAADAABCBC

Q.HOANG ADDACDCBCACACAAAACDBBBBBB BDCABCBDADBDBAAAAABCBC TIEN BBCBCDDBDAAACCACDDCDCBCBACBDAABCBCBAABBDBCDABAAC

LẦN 2

KEY BBDACADBADAACAACDAABCDABBBBDCABCADDDBADDABDCBABC D.BINH ABDACADBBADCCABADABACAABBBDDAAACADDADACAADADBCAB P.DUNG ACCBCDCDBCACDABCCABBDCBACBADCADCBDBBCACDDADACBBD H.MY BDDACDCADAAADCCCCDDACAABBBBDCBDCCDBBBCAAAABABACC N.THUY ABDCBACCBBDCDDBCCAACCAAAADADCABAABDCCCCBBADABDAC T.DIEM ABCADDCBCCCBDAACBDDDABAABAADCBADBDBBBDABBCBDBDDB C.NHUNG ACDDBACBCAADDABCBDDDDAAABBADABCDADDBDBCACDACBADD H.NGOC CCDDDDCAAAAADACBCDDDDAABBBADCDCDAAAAABCDBADDCBBC T.THUY BDDDDDCBADCABAACCADA CABCADDCAADADBBCCDACDDBDABB P.TAM ADDACACBAACDDCCCBDCDBAABADDCCACCADBDDAAADBDCAABD THUTHUY BDDCADDABCAADAACDDDACDAAABADABCCCDBCDCCDAAAADABA L.TINH AACDDDBABCDADDBAAADAAADCADBDCBCCDDBCDDBADABABBAD T.HOANG AADDBABDDAAADCCCADDBACDBCDADDDDDACDDCACCCBBDBADB T.TOAN ABCDBDDBCCCBDABADDDCCCAABBBDCBCCBDCCBACDDABABABC H.CHAU ABBABADBCBDABAAADDBBCDBABBDDCBCCCDBCBAADCABBCABC K.HIEN ADDDBDDACCCBCABACDDCCDAABBBDCACCBDBCDAACDABABCBC T.VINH AACACADBDAAADABAACBACCACCACDADAAACBDBAACDABBBABB N.TRANG BADADDDDDCCADABADCDADDACBACDADDBBDCBBAAACBDAACBD N.QUYNH ABDACACBBDAADABCCDDDBCBAADBDCBACBABBCAADBBDACDAD T.VIEN ABDDCCDBBDADDBDCDADBDDACBBADACBCBDBDCACDAABDAAAD M.KHANH ACDDDBCBABBADABBAAADBDBACABDACCDBDBBBDBBAABDDDBA H.THAO ACAACDCBCABADCACDDDBCBABCAADADDDAACBDAABAAAABDBC T.THU ABCDCDDCBCCADAACDCDABABCABADAAABBDDBBDBACADAAABB K.LAM ADCCCABBABAADCACADCDABAACBADACCCBDBCCBCBBADBCADC T.LINH ADCCAAABCBDADCAADBDBD BAAAAAACCDADCADADBDDCDCBBC B.HUYEN ACDDADBAAAADCAACDDDDDCBBBABDCAACCDBDCBABADBABABA M.DUYEN ABDCCDBBBBDBDCADDADADBBBDBADCBACCDBCAAADDCCACCBD T.NGAN BBCADACBDBAADABBDCABADCBBBADCCCCADDCBDADBADCBABC H.DUY ABDAAADBCBAADAACAADCBDAABAADCABCADBDBBDDABDCCABC V.HUNG BADDDACBAADDDABCDDBDDAAAAAADBBCDDDCBCCABCADAAAAA T.HIEN ABBAADDBAAACDDBCADDCCCDBABBDCBACBDBDCCBAABDCBACB H.THY BCBDBDBBDAAADBBADDDAABBBABBDACCDBABBCCCBAADDACAC Q.LINH ACCCDACBBBDBBAACCDDBCCBABBADBBCCBBDBBACDBADCCBDC T.THINH BBDABADBAACCBCBAADBBCCAABBBDCABCDDCCBACDDBCBBABD L.HANG ABBACDCAABDDDABCDDDCCCABABDDCCABACBDDDDDCACBBBDD D.TRI BCDACBCBBACACAACACDACBAACBADCAAABDCDCACBBADCBBBA V.THANH ACDACACBACBADAABDADCABABABBDCABCBDBBBCCBABDABBBD P.ANH ACDDCDDBDAABCABCCCADADAADBDDCABCADDDBADAADCCBBAD L.THUY ABDDCDDBAAAACAACCAABCDABBBBDCABCCDBDBADAAABCBABD TTTHUY ABDAABCBCCBBDABACCDACCCACCDDAABCADBBBCBAABDABADC D.TRAM ABDAADDBAACACADCDAACBDADBBADCAACADBCBADABCDCCABD T.AN ACBABACDBCACBDACCADDCAADADBDABACBDDDBCBBDDAACBCD D.HANH BCDCADCBBAACDADDCBDCDDDABBBDCDBCADADDBCACBAACBBA N.MAI BBDCADCBCAABDADBCBDBDDAABBCCCDBDACADDBAADADACDBA D.PHUONG BCDABACBABCAAAACCBDBAABBCDDDCAACADBCCCBABCCACABD V.NGUYEN ADDBAACBDADBDCBADDDDBBABBADDCBCCADBCDAAAABDAAACB TTLINH BDCCADCABBACCDBADDDABDABCDABACCDBDBDDBBBCADDAABA N.HAU BBDBDDCBAADADDADDDDBBAAABCBBCBDCBDCBDACDAADACCAD T.NU ADDCDDCBBCABBACCCDDACBACABADCCCCADBCCACAACACBDBA P.TAM ABDACDDBAACBCABCCADDCDABABBDCBACCDDCBADDDCAACBCD P.VINH ADDBCACBBAABBDCCCADDBDADCBADCAACCDBBBABDADDBDACC M.HOAI BBDACDCBDDAACCBADADBAAABDBCDCDADADBDDDCDDADABBBB C.LAN ABBCDDDBCDBBCAAACDDBDDAACBBDCAACBDBDDCACBABBBACC A.VU BCDACBDB DACDABCCDDBDACDCDBDDDBCCDCCDACC DABAABA N.DUNG ADDDCDCACAAADACADDAACDDAADCDABACCADDCDBDBABABADA T.HANG ABBCCACBAAABDAADACADDDBCBADBABCCABCBBAADAADBDADA M.NGA CACDDDCCBABDCAAAADDCDAACDAADCDA BBBDDBCBCBCACABC T.HIEN BDCDCDCACACCDBDACDABDABACBBCACACBDADDACBBCADCDAC M.BAO BBDDDABCDABDCABDDDCDCBADBACDABCADDCCCACABAADABBD K.TRANG ADDDCACBBDCADACCCDDABAABBAADACDBADDDDDCDDADADBAA L.THUY BADCCADDDADBDDACBDDBDADDBADDBDBCCDDCBDCCABDBBBDA L.ANH BBCDDDDAAAADDAACBDDDBCCBBDBDCAACDDBDDACBBDDABABA

T.QUANG BBDCCADC BDACCBADADDCBCBABCDCCBCBDBDCABDAADBBAAA P.HUNG BBDACADBDBADDABCDDDADBABBBBDAABCADBCBACDDBDCDCAD G.DUNG BDCADDDBABAACAAACBDABDCBBCADCABCCDADBADDAADCBABC H.LANH BDDADADBCBAACABCBAAACBABDBBDCADCAADCBAABDADCCBBA N.HIEN BCCCCACBDBDDDAAACADCBDADBCBBABACCBBDBABBABBBBAAD N.THANH ACDDDDCAABBDCCAABDDDBAAACBBBABACCABDAAABBADABABC C.TAM ACDDDDDDAABDCBBACDDDCABDABADBAACCDBDACCBBADCCBAD H.HUYNH ADDBADABDDAADCBDDDBBCDAADAADCADCADADCACCDAAABCAD D.KHANG BBDACADBADAACABCDADBCDABCBBDCABCCDBDBABDACDCBABC Q.CHAU ACDAAACBABADDAAADADCBDDBBBBDAAACBBBBDADDACDAAABC T.CA BCCDCDCCAACDCCAACDDCDDCABDDDADCACDACBCCADDBCAABC S.HUYNH BDDACADBABAACAACDADBCDABBBBDCABCCDDDBADDBBDCBABB X.THUAN ADDDDDCCCDCBBCBCAADBDDDBCDBDAACDBDBDBADCAADCCBBD K.ANH BDBDADDADDDCBAACBDDDDBAADDADACDCBDBCCABCCADDDABA D.SAU AABDCDABBAAADABCCDDCDDABABBDCABCBDACBCCBCADCBDBC T.NGUYEN ABDDAACBCBABDABCCDDABDAACBADABCBBBBCBADAABDBBACD K.THUONG ABCDAACBBCACDDAAAACACDABCABDABCCBDACACDAADAACAAB D.HUYEN AADCDAABDCBADCCCAABDAAAAAABDCAAADDCBDCCAABCACBAA H.ANH DBDCADDBDBBCDAACCABAAAAAAAADCBACDDCBBCDAAADACBAA P.TRINH ACDACDADBBCADACADDDDAABDCBDDAADACCCCDABDCBCBBABA N.NHAN ABDDAACAAACACDCCBCDDBDADBBBDABBDBDBBDACAAABCDBCB NTTRANG ADDDADCBBCCADCAADCDBADAADCADACDCBDCCDCBAABAACCBC TTTRANG BBDCBBCBBBDBDABCCADBABACCBADDACCABBCABDAACBDACAC M.THANH DABDDDCADCBCDAADACCABAADBADDCAACBABBBADCDAACBCBC B.TRAM ABDDCAAAADABDCACAADCDBADBBBDCADCADBDAAADDADADDDA T.DAT DADDAACBABDADDAAAADCDBDBAACDCAAABCBABABACDBACCBC L.DUY ABCCCADBAAAACAACDDABADABCABDCDBCCDDDDACAACDABBBC P.QUY BDDDCDDACAABCABCDDACCDAABBBDCADCBDBBBADCDAACCCBC V.HUAN AACDCADAABCCCCBCDDDAABABCAADAAACADBCBCBADADDCAAC T.NGA ADDDAACBABABDDAACADACDCAABADACACBDBDACDACADCBACD V.HAI ABCCCADDBAABDACCBDDDADBACBBDCDBCCDBBCABDDDDACABC B.THI ACACDDBBDABBBDCACDDCBCBAADADCAACDDBDDADAAADDCBCB T.TRANG ABBAADCBADBDBBBADADBABD CBADADABBDBDDBBDBBAACBAC T.BEN DACBDDCDCBBBABACDDDBCDBABABDCAACBDDDDACBCBABCABD V.THI BBDAAACBBCAADCBCDCDBDBAADBADCABCADBBDADDDBCCBDAA V.TAN BACDCDDBADACCABBDDDADBBACAADCBDDDDCADACAAADCBADC P.NGUYEN BBDDAAAAACDADAACCDDAAAAADCDAACACDDBDDABADABDCABC TTTRANG BCDAADCBBABDDDBCBCDDDDABCCBDDBBCBCAAADABACDBCBAA A.TUYET ADDDCDCAAABBAABCAADDDDABBDADCAAACDBABACCDBCBDADB L.PHUONG BBCACCDBAAADCCACDCABBCABBDDDCADCADBBBCCADCBDDABD N.TRUC ADDDCDABABAADAACCDABDBBACBDDCADCAADBACADBADDAAAD M.CONG AACACACBBAADDABCAAABBCABDCADCABCBDBDBADABBDCCABC B.TRAM BCDDBDDCDBADA BCCAAAAAABBBBDCACCBDBDDCCADABD BCD P.TAI BBCACADBBBACDADBDDABDAABCBBDCABCCABDBAADACAABDCD M.BAU DDDDCDDDCDDDDBACDDD CAAACDDDCBDDABCCBCBABCBADDBC P.THANH CDDAADDDDDAADADBADDCBBAAADDDACDDCCBCBBCBADAAABAD H.YEN BBDBCACBADACCABCBAAABAADBDADCAACDDADBADDABDCDABB NISAY ACDDDDBCBBCADADADCDDBADABBDDABDACDCCBABABDBABAAC H.PHUONG ABDDADCBACAADDCCADDBABCDADBDABCCBDAABDCACADAAAAC H.TRANG ABBCDDDBCAAADCACDADDBAABAACDCDACCDBBCBCDDDCAABBD L.NGA AADDAACBADAADAACCACBABBDBACDADACBDDCBCCAADABAAAD N.HAI AADDCDABADAABAABDDDCCADCCBDCCCDCADBCACCCDBCAACAD A.MAI ABDDDDDB ABABACBCDABABAACCACCADACCACBADBABBAB BA N.QUYNH ACDCCDDDBBACDABABDABDAADABBDABAACDDDACCDAADABCBC T.LONG AADDCCDDABACDAAAADDADDDBCABDABDBBCBBACCBCCDDBABB H.XY ABDACDCBABBADACCDDCCAAABBBACCBACADCDCAADCBCADADA L.UYEN ADDACDDDBBCBDBBADDDADABBBACDBCCCBDDBBBCDCDDDBDAD B.PHUONG ABDDADDBADCACCBBDAAACBADBBADABCDADCCBACBCDDAACBC B.HOANG BCDDDDCBBACDDAABDDBCBBBAADADAABCCDBCACCBCDCAABBA Q.HOAI DADDDBDBABCCDABAADDBBBBBADDDDBABBADDBABACDCACDDA V.QUOC BBDACABBDDAADACCDAABDDBBBBADCABCBDDDBABDBDDCBBBB T.NGOC ADBDCDDACDCBCAAACDDCCDAABBBDCADCBDBDDAACCAABBCCC D.HANH BBDACABBDAAADABCDDABADCBBBADAABCBDDDBCBDBADCBABB N.DAN AADACADCCCBCBCCBDDABDBAAAABDBCCCBBDCACADADDADCCB A.TUAN DACDCADABCBBDABABCDCCACACACDADCDBADACCCACDDDBDCD K.NGAN ABDBCADBDDAADBBCCADDBCBACBBDCBACBCBBCAADABDACD A H.ANH ABBDDACBCDABDDCCDDDCDACABBADCAACBDBDAAAAAADDDABA V.PHU BBDADADBABAACAACDDAADABBCBDDCBDDBBBDBADDABDCBDBA T.TIN BBCADADBACAABAACCABBBBABDBDDCABCCADDDADDABDCBBBC T.DUONG ADDCAAACCBBADBDAAADBCBBAAAAAADDDCBBAAACBCDABCBBD H.NHU AADAAADBBCAADABCDABBCAABCDDDABACBD BBCDADADADDAA T.TAM ACDACDDBCAABDABCCADBBDABABDDAADCCDADBCABBCADCABC

N.TRAM ABDACACBAACADABCDDDBCDABCBBDACACBDBBDCCADADADBBD D.TAN AACDAAABCCCCDCDCCDDBBAAAABADCABCBDBBCCAAACDADCBC D.HIEP ABBACAABABAABAADDADBDDABBDBDCAACADBCCAAAAADCCAAC D.MY BBCACDDBAAACDDBCADACCCBBABBDCBACBDBBACCAABDCBADB T.MO ABDACDCCCBCBDACBDDDBDCABCBACADACBCBABCBABABABDBC M.QUYNH CCBCCADBAAAADACCCAABCCDBACADAABCBADDBCCDACBDDDCB T.HANG ABABCACBAAABDBBBCADBBDABABBDCBCCCBBCBAAABCD DBAD T.AN ABDDCACBABAABABCCADADBADABBDCDCCBDDDBCBAADBCDADC TTHANH BBDDADCBBBDDBABBADDA BBADDDDCBABCDDCCCCBBCAACDBA Q.TUNG BBDACDDCADAADABCBADBBAABCDADCAACBDBDBADDAADABABD

PHỤ LỤC II ĐÁP ÁN - LỰA CHỌN CỦA SV LẦN 1

SIEU 000010100000101100011011000010010010100010001100 16 TU 011100110000101111001000010100000110100000001001 18 TIEN 100010100010101100000010010100000100110000001000 14 HUNG 001101001001100000000000100100010010010000100000 12 BINH 011100110000111101100000010000011101110100001011 22 HONG 000000110011001010000010000100000001000000101110 13 YEN 100101110011001011010000101100000101011000101100 21 HIEN 000110110001111011000010000100010111011100101100 22 T.HUONG 001010111001101111100110010100010011000100100001 22 LY 010110010011111110001000110001110000001110001110 23 QUYNH 011100110011101101000111001111110101110100010100 27 TAM 110010110111101110001001011101110000100100001100 24 TRANG 001010011101111100110001110011010011100000001100 23 NGAN 001000000000111001010000001101001001111000000000 14 V.THANH 010000110011101110001101001101110000100110000100 21 V.DUNG 010100010001111000011001100111010001010010001010 20 T.HANG 101000010011101001000100011100000100001010100100 17 PHUC 001110000001011010010011000100001100110000000110 17 EM 010100001011111100000010000100100001100111000100 18 DUAN 000011100001101000010011110100110110001010010100 20 THINH 110011010010101100000100110100000100100000001010 17 OANH 100011100010101100010001110100000100110000000010 17 MINH 101101110000111010100000001110100101000001111010 22 MIEN 011111110001111111100011010110111001110100100011 30 DAT 000110011000111100011011001111111110001111001011 28 TAN 010100011011011101000101011111111100110110100000 26 T.NGAN 010100110011101101000101011101110001100110000100 23 TRINH 000000001001010101000010011111111000110000100000 17 NY 011000010000101111011000001100110010100101110000 20 LAN 010110011011111000001001101110010100100010100000 21 T.THANH 001010110001101001000011000100011111110100101100 22 VAN 001110010001101001000010000100011110110100111100 21 TUNG 010111111001111111010011010111110101000000101010 28 H.SANG 101010100011101010110010010101011101001000000010 21 P.THY 001010011001110100000010110110010000001010110001 19 B.TRAM 101011010010001110000010110100010100100000100000 17 L.THAO 111011000001111110000000001100010000000000101010 17 NGOI 011111111000001010010110011100010101010000001011 23 HOAN 000111111111011101000001010101001011100010100000 23 T.VY 001000010011101100000011101000001010010100110000 17 VUI 001000010010111100000111001000001000010100000000 14 NHI 011010011000011110000001010100010100000000100010 16 L.HUONG 001010011000011010000001000110010100100010100010 16 L.HUYEN 011001011000011000001001010110100110110010100000 19 T.ANH 011111111000001010010110011100010101010000001011 23 TAO 011001110001111100010000100100110100010100101100 21 H.BAO 000010110011011100011001001100000100101110100101 21 T.MAI 001011010000101000110100010100000001100100111011 19 QUYNH 001110110001011110010010000100011110000000000111 20 PHUC 010000110011101110001101001101110000100100100100 21 T.HUONG 011010011100111100000001000110010100001010000001 18 T.TRINH 011000101100111100000001000110011000000000101000 16 D.NGUYET 000110010010011100001010010101000000000010101001 16 T.NGUYET 111011110000110010010000010000000000110100100000 16 N.HUYEN 101111010011101001001010000100010101010000101110 22 SON 101110110001101100001001001000000011000000000001 16 B.T.DUNG 111110001010001100010000000100000010100011110000 17 T.HUNG 101101110001101000000010000110000011110100000010 18 QUYEN 001011100000101111110010010100011111010100001011 24 TRIEN 001110010001111001010011101110110100100010001001 23 N.DUNG 001110110000111000010011101111010101011010001011 25

Q.HOANG 001110010001111000010001101111110101100010001011 24 TIEN 110010110011101110001001001101110000000100101101 23

LẦN 2

D.BINH 011111110000110011001011110101011110010010001000 25 P.DUNG 000010000010010101010000010111010100010100100010 16 H.MY 101110000011000100001011111110010100100010001101 22 N.THUY 011001000000000101101010000111101010000000101001 17 T.DIEM 010100010000011100000010100110000100100000001000 13 C.NHUNG 001001010010010100000010110100001110000000011100 16 H.NGOC 001000001011010000000011110110001000000100100011 16 T.THUY 101000011101011101000011000111001100001000100110 21 P.TAM 001111011000000100000011000011011101010001110110 21 THUTHUY 101000100011011110001110010100010100000110000110 20 L.TINH 000000000001000001000000001110010100000000001000 8 T.HOANG 001001000011000100010001000100001011010001001100 15 T.TOAN 010000110000010010001010111110010100110100001111 21 H.CHAU 010101110001011010011100110110010100110100000111 24 K.HIEN 001000100000110000001110111111010100010000001011 19 T.VINH 000111110011010000001010000100001001110000001110 18 N.TRANG 101100100001010010000110100100000100110001100010 17 N.QUYNH 011111010111010100000000001110010000010101100000 19 T.VIEN 011010110110000111010110110100110101010110000100 24 M.KHANH 001000011001010001100100001100000100100010000010 14 H.THAO 000110010001001110011011000100001000010010001011 18 T.THU 010010100001011110000000010101000110100000100110 17 K.LAM 000011011011001100000010010100010100000000100101 16 T.LINH 000001010001001010010000000000001100011000000011 12 B.HUYEN 001000001010111110000001101111010101000010001110 21 M.DUYEN 011010010000001011000001010110010100010100000010 16 T.NGAN 110101010011010010110101110110011110100100111111 29 H.DUY 011101110011011101000110100111111101101111110111 33 V.HUNG 101001011000010110000010000100000100000000100100 13 T.HIEN 010100111010000100001001011110010101000011111100 22 H.THY 100000010011000010000001011100000000000010100001 12 Q.LINH 000001010000011100011000110100010010110100110001 18 T.THINH 111101111000000000011010111111110100110101001110 27 L.HANG 010110001000010110001011010110001001001100001000 18 D.TRI 101110010001111100001010010111000101010000111010 23 V.THANH 001111011001011011000011011111110100100011101010 27 P.ANH 001010110010110100100110010111111111111010011000 27 L.THUY 011010111011111101111111111111110101111010011110 37 TTTHUY 011100010000010000001000000101111100100011101101 19 D.TRAM 011100111001110111100110110111011100111000110110 30 T.AN 000101000010001101001010001100010111100000000000 15 D.HANH 101000010010010000000100111110111101000001000010 18 N.MAI 111000010010010000010110110010101001000000100010 17 D.PHUONG 101101011001011100010001000111011100000000000110 20 V.NGUYEN 001001010000000010000011100110011100010011100100 17 TTLINH 100000000010100010000111000000000101000000100110 12 N.HAU 111000011001001010010010101010010100010110100000 19 T.NU 001000010010010100001010010110011100010010011010 18 P.TAM 011110111000110101001111011110010110111100000000 26 P.VINH 001011010010000101000110010111010100110110100101 22 M.HOAI 111110010111100011010011010110001101000100101010 25 C.LAN 010000110100111000010110011111010101000000001101 21 A.VU 101110110110010100010000001100110100010000000110 19 N.DUNG 001010000011010010101100000100010011000100001100 16 T.HANG 010011011010011000100100100000011000110110100100 19 M.NGA 000000000000111000000010000110000001000001000111 11 T.HIEN 100010000000000000110000011000010101010000000001 11 M.BAO 111001000000110010001010100100000100010000000010 14 K.TRANG 001011010101010100000011100100001111000100100000 18 L.THUY 101011100000001100010000100100110110100011101000 19 L.ANH 110000101010011100000001101111010101010000101110 22 T.QUANG 111011100001100011001001010110110101010110101100 25 P.HUNG 111111110010010110000011111101111100110101110000 29

G.DUNG 100100111011111000000101100111110101111110111111 31 H.LANH 101101110011110101101011011111011010110000110010 29 N.HIEN 100011010000011001000110101000010001110011001100 19 N.THANH 001000001000101000000010011000010001010000101111 15 C.TAM 001000101000100000001000010101010101000000110000 13 H.HUYNH 001000010111000010011110000111011101010000001000 19 D.KHANG 111111111111110111011111011111110101110110111111 41 Q.CHAU 001101011010011011000101111101010000011110100111 26 T.CA 100010001000101000000100100100000100100000010111 14 S.HUYNH 101111111011111111011111111111110111111101111110 42 X.THUAN 001000000100000101010101001101000101111010110010 19 K.ANH 100000100100011100000010000100010100010000100110 14 D.SAU 000010010011010100000111011111110100100000111011 23 T.NGUYEN 011001010010010100000110010100000000111011101100 19 K.THUONG 010001010010001001001111001100010100001010000100 17 D.HUYEN 001001010001000101000010001111000100000011000000 14 H.ANH 011000110000011101000010000110010100101010100000 17 P.TRINH 001110000001010010000000010101000000010101001110 15 N.NHAN 011001001001100100000110111100100100010010010000 18 NTTRANG 001000010001001010010110000100010100000011000011 15 TTTRANG 111000010000010101010010010101011000001010000001 17 M.THANH 000000000000011000000010100111010000111000011011 15 B.TRAM 011011001110001101000010111111011101010100100000 24 T.DAT 001001011001001001000001000111000000110000000011 15 L.DUY 010011111011111110110111001110110111010010101011 32 P.QUY 101010100010110110101110111111010100111000010011 27 V.HUAN 000011101000100110000011000101011100100000100101 18 T.NGA 001001011010001001001100010100010101001000111100 19 V.HAI 010011100010010100000100011110110100010100100111 21 B.THI 000000010000000000000000000111010101011010100000 11 T.TRANG 010100011100000011010000010100000101000101000001 15 T.BEN 000000000000001110011100101111010111010001000110 19 V.THI 111101010011000110010010010111111100011101011000 26 V.TAN 100010111110110010000000000110000100010010111101 20 P.NGUYEN 111001001001011100000010000000010101010000000111 17 TTTRANG 101100010000000100000111001100110000000010100000 14 A.TUYET 001010001000010101000111100111000100110001000100 18 L.PHUONG 110110111010101110110011100111011100100000000110 26 N.TRUC 001010011011011100110000010111011010000100100100 21 M.CONG 000111010010010101110011000111110101111001110111 28 B.TRAM 101000100010000101100011111111010101000000000000 18 P.TAI 110111110010010010110011011111110001110110001000 27 M.BAU 001010100100001110001010000110001000100000000011 15 P.THANH 001100100111010000000010000100000000100010000000 11 H.YEN 111011011110110101100010100111010101111111110110 32 NISAY 001000000001010010000000110100000100110000001101 13 H.PHUONG 011000011011000100010000001100010100100000100101 16 H.TRANG 010000110011001111000011000110010100000100000010 17 L.NGA 001001011111011101010000100100010110100010000100 20 N.HAI 001010011111011010001000010010011100000001000000 17 A.MAI 011000110001010000110010000011000000111011001010 18 N.QUYNH 001010100010010000110010011100000111000110101011 20 T.LONG 001010101010011000000101001100000000000000101110 15 H.XY 011110011001010110000011110010011101010101000100 23 L.UYEN 001110100000000010000001100100010110100100101000 15 B.PHUONG 011000111101100011101010110100001100110000100011 23 B.HOANG 101000010000011010000000000101110100000000000010 12 Q.HOAI 001000111000010000010001000100000011110000000000 12 V.QUOC 111111010111010111110101110111110111110100111010 35 T.NGOC 000010100100111000001110111111010101010000001001 21 D.HANH 111111010011010110110101110101110111100100111110 32 N.DAN 001111100000000010110010001100010010000110100000 16 A.TUAN 000011100000010000001000000100000010000000101000 9 K.NGAN 011011110111000101000000011110010000010111100000 21 H.ANH 010001010110000110000000110111010101010010100110 20 V.PHU 111101111011111110100001010110000001111111111010 31 T.TIN 110101111011011101010011010111110011011111111011 34 T.DUONG 001001000001000001011000000000000000010000000010 8 H.NHU 001101110011010111011011000100010100101000100000 21 T.TAM 001110110010010101010111010101010101100000000111 23 N.TRAM 011111011001010110011111011100010100000000100010 23 D.TAN 000001010000000100010010010111110100000010100011 16

D.HIEP 010111011011011011010111101111011100010010110101 30 D.MY 110110111010000100101001011110010100000011111100 24 T.MO 011110000000010010010011010000010000100000001011 15 M.QUYNH 000011111011010101111001000101110011100110000000 23 T.HANG 010011011010000001010111011110010000110000100000 19 T.AN 011011011011010101000010011110010111100010010101 25 TTHANH 111000010000010000000000000110000110000000000010 10 Q.TUNG 111110101111010101010011000111010101111110101110 31

PHỤ LỤC III KẾT QUẢ PHÂN TÍCH BÀI LẦN 1

================================================= KET QUA PHAN TICH BAI TRAC NGHIEM # Trac nghiem : # Ten nhom : * So cau TN = 48 * So bai TN = 63 Thuc hien xu ly luc 20g53ph Ngay 20/ 4/2010 ================================================= * CAC CHI SO VE TRUNG BINH va DO KHO tinh tren diem TOAN BAI TRAC NGHIEM Trung Binh = 20.016 Do lech TC = 3.858 Do Kho bai TEST = 41.7% Trung binh LT = 30.000 Do Kho Vua Phai = 62.5% --------------------------------------------------------------------------- * HE SO TIN CAY cua BAI TEST (Theo cong thuc Kuder-Richardson co ban) He so tin cay = 0.327 * Sai so tieu chuan cua do luong : SEM = 3.166 --------------------------------------------------------------------------- * BANG DO KHO VA DO PHAN CACH TUNG CAU TRAC NGHIEM *** Mean(cau) = DO KHO(cau) *** Rpbis = DO PHAN CACH(cau) Cau TDcau MEAN(cau) SD(cau) | Mp Mq Rpbis 1 19 0.302 0.463 | 20.263 19.909 0.042 2 40 0.635 0.485 | 20.600 19.000 0.200 3 27 0.429 0.499 | 21.037 19.250 0.229 4 25 0.397 0.493 | 19.760 20.184 -0.054 5 32 0.508 0.504 | 20.469 19.548 0.119 6 16 0.254 0.439 | 18.687 20.468 -0.201 7 39 0.619 0.490 | 19.692 20.542 -0.107 8 30 0.476 0.503 | 21.633 18.545 0.400 ** 9 20 0.317 0.469 | 20.450 19.814 0.077 10 33 0.524 0.503 | 21.000 18.933 0.268 * 11 49 0.778 0.419 | 20.837 17.143 0.398 ** 12 5 0.079 0.272 | 20.800 19.948 0.060 13 38 0.603 0.493 | 20.895 18.680 0.281 * 14 25 0.397 0.493 | 20.720 19.553 0.148 15 47 0.746 0.439 | 20.340 19.063 0.144 16 38 0.603 0.493 | 20.263 19.640 0.079 17 20 0.317 0.469 | 22.100 19.047 0.368 ** 18 24 0.381 0.490 | 20.875 19.487 0.175

19 12 0.190 0.396 | 21.083 19.765 0.134 20 29 0.460 0.502 | 20.586 19.529 0.137 21 31 0.492 0.504 | 21.129 18.937 0.284 * 22 16 0.254 0.439 | 20.000 20.021 -0.002 23 16 0.254 0.439 | 20.563 19.830 0.083 24 28 0.444 0.501 | 20.607 19.543 0.137 25 8 0.127 0.336 | 22.875 19.600 0.283 * 26 25 0.397 0.493 | 21.120 19.289 0.232 27 26 0.413 0.496 | 21.731 18.811 0.373 ** 28 55 0.873 0.336 | 20.255 18.375 0.162 29 20 0.317 0.469 | 21.800 19.186 0.315 * 30 19 0.302 0.463 | 22.474 18.955 0.419 ** 31 20 0.317 0.469 | 22.900 18.674 0.510 ** 32 41 0.651 0.481 | 21.390 17.455 0.486 ** 33 16 0.254 0.439 | 20.750 19.766 0.111 34 34 0.540 0.502 | 20.971 18.897 0.268 * 35 19 0.302 0.463 | 19.895 20.068 -0.021 36 26 0.413 0.496 | 20.154 19.919 0.030 37 25 0.397 0.493 | 21.720 18.895 0.358 ** 38 22 0.349 0.481 | 20.636 19.683 0.118 39 12 0.190 0.396 | 20.750 19.843 0.092 40 19 0.302 0.463 | 21.789 19.250 0.302 * 41 33 0.524 0.503 | 20.061 19.967 0.012 42 5 0.079 0.272 | 21.000 19.931 0.075 43 33 0.524 0.503 | 19.697 20.367 -0.087 44 22 0.349 0.481 | 20.727 19.634 0.135 45 9 0.143 0.353 | 20.222 19.981 0.022 46 30 0.476 0.503 | 21.000 19.121 0.243 47 24 0.381 0.490 | 21.042 19.385 0.209 48 59 0.937 0.246 | 20.288 16.000 0.271 * -------------------------------------------------------------------------- Ghi chu: 1.Y nghia cua he so Rpbis Cac tri so co dau (*) la co y nghia muc xac suat =.05 Cac tri so co dau (**) la co y nghia muc xac suat =.01 2.TDcau(i) = tong diem cau i = so nguoi lam dung cau nay 3.Mp = trung binh tong diem nhung nguoi lam dung cau i Mq = trung binh tong diem nhung nguoi lam sai cau i * BANG DOI DIEM THO RA DIEM TIEU CHUAN RawScores Z-Scores Dtc-11bac Diemlop DTC-5bac 12 -2.078 0.845 1 F 13 -1.818 1.363 1 F 14 -1.559 1.882 2 F 15 -1.300 2.400 2 D 16 -1.041 2.918 3 D 17 -0.782 3.437 3 D 18 -0.522 3.955 4 D 19 -0.263 4.473 4 C 20 -0.004 4.992 5 C 21 0.255 5.510 6 C 22 0.514 6.028 6 B 23 0.773 6.547 7 B 24 1.033 7.065 7 B 25 1.292 7.584 8 B 26 1.551 8.102 8 A 27 1.810 8.620 9 A 28 2.069 9.139 9 A 29 2.328 9.657 10 A 30 2.588 10.000 10 A --------------------------------------------------------------------------- *** HET ***

LẦN 2

================================================= KET QUA PHAN TICH BAI TRAC NGHIEM # Trac nghiem : # Ten nhom : * So cau TN = 48 * So bai TN = 143 Thuc hien xu ly luc 20g12ph Ngay 20/ 4/2010 ================================================= * CAC CHI SO VE TRUNG BINH va DO KHO tinh tren diem TOAN BAI TRAC NGHIEM Trung Binh = 20.056 Do lech TC = 6.455 Do Kho bai TEST = 41.8% Trung binh LT = 30.000 Do Kho Vua Phai = 62.5% --------------------------------------------------------------------------- * HE SO TIN CAY cua BAI TEST (Theo cong thuc Kuder-Richardson co ban) He so tin cay = 0.761 * Sai so tieu chuan cua do luong : SEM = 3.155 --------------------------------------------------------------------------- * BANG DO KHO VA DO PHAN CACH TUNG CAU TRAC NGHIEM *** Mean(cau) = DO KHO(cau) *** Rpbis = DO PHAN CACH(cau) Cau TDcau MEAN(cau) SD(cau) | Mp Mq Rpbis 1 54 0.378 0.486 | 22.444 18.607 0.288 ** 2 66 0.462 0.500 | 22.318 18.117 0.324 ** 3 61 0.427 0.496 | 23.016 17.854 0.396 ** 4 72 0.503 0.502 | 22.889 17.183 0.442 ** 5 89 0.622 0.486 | 21.506 17.667 0.288 ** 6 47 0.329 0.471 | 22.489 18.865 0.264 ** 7 94 0.657 0.476 | 20.553 19.102 0.107 8 51 0.357 0.481 | 23.980 17.880 0.453 ** 9 63 0.441 0.498 | 22.143 18.413 0.287 ** 10 57 0.399 0.491 | 22.772 18.256 0.343 ** 11 94 0.657 0.476 | 21.734 16.837 0.360 ** 12 25 0.175 0.381 | 21.800 19.686 0.124 13 64 0.448 0.499 | 21.891 18.570 0.256 ** 14 57 0.399 0.491 | 21.526 19.081 0.185 * 15 31 0.217 0.414 | 24.161 18.920 0.335 ** 16 79 0.552 0.499 | 22.139 17.484 0.359 ** 17 49 0.343 0.476 | 22.878 18.585 0.316 ** 18 51 0.357 0.481 | 22.157 18.891 0.242 ** 19 47 0.329 0.471 | 22.894 18.667 0.308 ** 20 87 0.608 0.490 | 21.207 18.268 0.222 **

21 59 0.413 0.494 | 23.068 17.940 0.391 ** 22 51 0.357 0.481 | 22.451 18.728 0.276 ** 23 41 0.287 0.454 | 21.268 19.569 0.119 24 73 0.510 0.502 | 22.260 17.757 0.349 ** 25 27 0.189 0.393 | 24.519 19.017 0.334 ** 26 51 0.357 0.481 | 21.647 19.174 0.184 * 27 55 0.385 0.488 | 22.564 18.489 0.307 ** 28 128 0.895 0.307 | 20.508 16.200 0.204 * 29 80 0.559 0.498 | 22.388 17.095 0.407 ** 30 60 0.420 0.495 | 23.383 17.651 0.438 ** 31 31 0.217 0.414 | 25.581 18.527 0.450 ** 32 99 0.692 0.463 | 21.808 16.114 0.407 ** 33 38 0.266 0.443 | 21.158 19.657 0.103 34 104 0.727 0.447 | 20.913 17.769 0.217 ** 35 30 0.210 0.409 | 21.733 19.611 0.134 36 75 0.524 0.501 | 21.947 17.971 0.308 ** 37 46 0.322 0.469 | 23.891 18.237 0.409 ** 38 54 0.378 0.486 | 22.019 18.865 0.237 ** 39 28 0.196 0.398 | 24.464 18.983 0.337 ** 40 48 0.336 0.474 | 20.458 19.853 0.044 41 61 0.427 0.496 | 22.639 18.134 0.345 ** 42 33 0.231 0.423 | 21.939 19.491 0.160 43 74 0.517 0.501 | 21.757 18.232 0.273 ** 44 66 0.462 0.500 | 21.727 18.623 0.240 ** 45 35 0.245 0.431 | 26.029 18.120 0.527 ** 46 57 0.399 0.491 | 22.175 18.651 0.267 ** 47 74 0.517 0.501 | 21.446 18.565 0.223 ** 48 52 0.364 0.483 | 20.615 19.736 0.066 -------------------------------------------------------------------------- Ghi chu: 1.Y nghia cua he so Rpbis Cac tri so co dau (*) la co y nghia muc xac suat =.05 Cac tri so co dau (**) la co y nghia muc xac suat =.01 2.TDcau(i) = tong diem cau i = so nguoi lam dung cau nay 3.Mp = trung binh tong diem nhung nguoi lam dung cau i Mq = trung binh tong diem nhung nguoi lam sai cau i * BANG DOI DIEM THO RA DIEM TIEU CHUAN RawScores Z-Scores Dtc-11bac Diemlop DTC-5bac 8 -1.868 1.265 1 F 9 -1.713 1.575 2 F 10 -1.558 1.885 2 F 11 -1.403 2.194 2 D 12 -1.248 2.504 3 D 13 -1.093 2.814 3 D 14 -0.938 3.124 3 D 15 -0.783 3.434 3 D 16 -0.628 3.743 4 D 17 -0.473 4.053 4 C 18 -0.318 4.363 4 C 19 -0.164 4.673 5 C 20 -0.009 4.983 5 C 21 0.146 5.292 5 C 22 0.301 5.602 6 C 23 0.456 5.912 6 C 24 0.611 6.222 6 B 25 0.766 6.532 7 B 26 0.921 6.842 7 B 27 1.076 7.151 7 B 28 1.231 7.461 7 B 29 1.386 7.771 8 B 30 1.540 8.081 8 A 31 1.695 8.391 8 A 32 1.850 8.700 9 A 33 2.005 9.010 9 A 34 2.160 9.320 9 A

35 2.315 9.630 10 A 36 2.470 9.940 10 A 37 2.625 10.000 10 A 38 2.780 10.000 10 A 39 2.935 10.000 10 A 40 3.089 10.000 10 A 41 3.244 10.000 10 A 42 3.399 10.000 10 A --------------------------------------------------------------------------- *** HET ***

PHỤ LỤC IV KẾT QUẢ PHÂN TÍCH CÂU LẦN 1

BANG PHAN TICH CAC TAN SO LUA CHON TUNG CAU (Item Analysis Results for Observed Responses) =========================================== Trac nghiem : * Ten nhom lam TN : * So cau : 48 * So nguoi : 63 * Xu ly luc 20g53ph * Ngay 20/ 4/2010 =========================================== ........................................................................... *** Cau so : 1 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 19 15 15 14 0 Ti le % : 30.2 23.8 23.8 22.2 Pt-biserial : 0.04 -0.24 0.20 -0.00 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 2 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 8 2 40 13 0 Ti le % : 12.7 3.2 63.5 20.6 Pt-biserial : -0.15 -0.35 0.20 0.04 Muc xacsuat : NS <.01 NS NS ........................................................................... *** Cau so : 3 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 8 27 13 14 1 Ti le % : 12.9 43.5 21.0 22.6 Pt-biserial : -0.19 0.23 -0.22 0.15 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 4 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 25 8 23 6 1 Ti le % : 40.3 12.9 37.1 9.7 Pt-biserial : -0.05 -0.17 0.07 0.21 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 5 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 32 4 20 7 0 Ti le % : 50.8 6.3 31.7 11.1 Pt-biserial : 0.12 -0.17 0.05 -0.13 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 6 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 43 16 2 2 0 Ti le % : 68.3 25.4 3.2 3.2 Pt-biserial : 0.20 -0.20 -0.02 -0.00

Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 7 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 3 5 16 39 0 Ti le % : 4.8 7.9 25.4 61.9 Pt-biserial : 0.15 -0.09 0.10 -0.11 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 8 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 30 17 8 8 0 Ti le % : 47.6 27.0 12.7 12.7 Pt-biserial : 0.40 -0.31 -0.20 0.01 Muc xacsuat : <.01 <.05 NS NS ........................................................................... *** Cau so : 9 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 20 1 5 37 0 Ti le % : 31.7 1.6 7.9 58.7 Pt-biserial : 0.08 -0.03 -0.08 -0.02 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 10 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 3 6 21 33 0 Ti le % : 4.8 9.5 33.3 52.4 Pt-biserial : 0.19 -0.30 -0.19 0.27 Muc xacsuat : NS <.05 NS <.05 ........................................................................... *** Cau so : 11 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 6 49 3 5 0 Ti le % : 9.5 77.8 4.8 7.9 Pt-biserial : -0.35 0.40 -0.17 -0.09 Muc xacsuat : <.01 <.01 NS NS ........................................................................... *** Cau so : 12 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 28 24 5 5 1 Ti le % : 45.2 38.7 8.1 8.1 Pt-biserial : 0.20 -0.07 -0.24 0.06 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 13 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 38 11 10 3 1 Ti le % : 61.3 17.7 16.1 4.8 Pt-biserial : 0.28 -0.19 -0.01 -0.17 Muc xacsuat : <.05 NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 14 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 15 3 19 25 1 Ti le % : 24.2 4.8 30.6 40.3 Pt-biserial : -0.19 0.19 -0.10 0.15 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 15 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 0 16 47 0 0

Ti le % : 0.0 25.4 74.6 0.0 Pt-biserial : NA -0.14 0.14 NA Muc xacsuat : NA NS NS NA ........................................................................... *** Cau so : 16 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 18 5 38 2 0 Ti le % : 28.6 7.9 60.3 3.2 Pt-biserial : 0.06 -0.06 0.08 -0.28 Muc xacsuat : NS NS NS <.05 ........................................................................... *** Cau so : 17 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 20 4 13 26 0 Ti le % : 31.7 6.3 20.6 41.3 Pt-biserial : 0.37 0.02 -0.12 -0.25 Muc xacsuat : <.01 NS NS <.05 .......................................................................... *** Cau so : 18 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 29 24 4 6 0 Ti le % : 46.0 38.1 6.3 9.5 Pt-biserial : -0.13 0.17 0.07 -0.13 Muc xacsuat : NS NS NS NS .......................................................................... *** Cau so : 19 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 22 23 6 12 0 Ti le % : 34.9 36.5 9.5 19.0 Pt-biserial : -0.18 0.07 -0.02 0.13 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 20 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 29 9 13 12 0 Ti le % : 46.0 14.3 20.6 19.0 Pt-biserial : 0.14 -0.14 0.02 -0.06 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 21 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 25 31 3 4 0 Ti le % : 39.7 49.2 4.8 6.3 Pt-biserial : -0.07 0.28 -0.29 -0.19 Muc xacsuat : NS <.05 <.05 NS .......................................................................... *** Cau so : 22 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 28 16 9 9 1 Ti le % : 45.2 25.8 14.5 14.5 Pt-biserial : -0.12 -0.00 -0.06 0.28 Muc xacsuat : NS NS NS <.05 ........................................................................... *** Cau so : 23 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 11 19 16 16 1 Ti le % : 17.7 30.6 25.8 25.8 Pt-biserial : 0.01 -0.08 0.08 -0.07 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 24 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 20 28 7 7 1

Ti le % : 32.3 45.2 11.3 11.3 Pt-biserial : -0.06 0.14 -0.18 -0.00 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 25 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 8 3 4 48 0 Ti le % : 12.7 4.8 6.3 76.2 Pt-biserial : 0.28 -0.25 -0.05 -0.07 Muc xacsuat : <.05 <.05 NS NS ........................................................................... *** Cau so : 26 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 20 25 7 11 0 Ti le % : 31.7 39.7 11.1 17.5 Pt-biserial : -0.00 0.23 -0.17 -0.15 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 27 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 18 18 1 26 0 Ti le % : 28.6 28.6 1.6 41.3 Pt-biserial : -0.29 -0.17 0.20 0.37 Muc xacsuat : <.05 NS NS <.01 ........................................................................... *** Cau so : 28 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 2 4 2 55 0 Ti le % : 3.2 6.3 3.2 87.3 Pt-biserial : -0.19 0.07 -0.21 0.16 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 29 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 34 5 20 4 0 Ti le % : 54.0 7.9 31.7 6.3 Pt-biserial : -0.31 -0.02 0.32 0.05 Muc xacsuat : <.05 NS <.05 NS ........................................................................... *** Cau so : 30 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 19 18 12 14 0 Ti le % : 30.2 28.6 19.0 22.2 Pt-biserial : 0.42 -0.20 -0.25 -0.00 Muc xacsuat : <.01 NS <.05 NS .......................................................................... *** Cau so : 31 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 1 20 20 21 1 Ti le % : 1.6 32.3 32.3 33.9 Pt-biserial : 0.07 0.51 -0.27 -0.23 Muc xacsuat : NS <.01 <.05 NS ........................................................................... *** Cau so : 32 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 6 5 41 11 0 Ti le % : 9.5 7.9 65.1 17.5 Pt-biserial : -0.09 -0.29 0.49 -0.34 Muc xacsuat : NS <.05 <.01 <.01 ........................................................................... *** Cau so : 33 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 16 24 19 3 1

Ti le % : 25.8 38.7 30.6 4.8 Pt-biserial : 0.11 0.11 -0.33 0.10 Muc xacsuat : NS NS <.01 NS .......................................................................... *** Cau so : 34 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 11 5 13 34 0 Ti le % : 17.5 7.9 20.6 54.0 Pt-biserial : -0.12 -0.06 -0.17 0.27 Muc xacsuat : NS NS NS <.05 .......................................................................... *** Cau so : 35 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 9 19 15 19 1 Ti le % : 14.5 30.6 24.2 30.6 Pt-biserial : 0.15 -0.01 -0.03 -0.02 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 36 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 26 5 16 16 0 Ti le % : 41.3 7.9 25.4 25.4 Pt-biserial : 0.03 0.14 0.01 -0.13 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 37 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 21 12 5 25 0 Ti le % : 33.3 19.0 7.9 39.7 Pt-biserial : -0.06 -0.45 0.12 0.36 Muc xacsuat : NS <.01 NS <.01 ........................................................................... *** Cau so : 38 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 22 12 17 11 1 Ti le % : 35.5 19.4 27.4 17.7 Pt-biserial : 0.12 -0.17 -0.03 0.06 Muc xacsuat : NS NS NS NS ....................................................................... *** Cau so : 39 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 13 28 10 12 0 Ti le % : 20.6 44.4 15.9 19.0 Pt-biserial : -0.35 0.15 0.09 0.09 Muc xacsuat : <.01 NS NS NS .......................................................................... *** Cau so : 40 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 12 14 19 17 1 Ti le % : 19.4 22.6 30.6 27.4 Pt-biserial : 0.05 -0.13 0.30 -0.20 Muc xacsuat : NS NS <.05 NS ........................................................................... *** Cau so : 41 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 7 33 9 14 0 Ti le % : 11.1 52.4 14.3 22.2 Pt-biserial : 0.16 0.01 -0.24 0.07 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 42 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 23 5 23 12 0

Ti le % : 36.5 7.9 36.5 19.0 Pt-biserial : -0.04 0.07 0.06 -0.08 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 43 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 18 6 6 33 0 Ti le % : 28.6 9.5 9.5 52.4 Pt-biserial : -0.10 0.07 0.24 -0.09 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 44 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 22 12 14 15 0 Ti le % : 34.9 19.0 22.2 23.8 Pt-biserial : 0.14 -0.16 0.12 -0.12 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 45 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 25 23 9 6 0 Ti le % : 39.7 36.5 14.3 9.5 Pt-biserial : 0.18 -0.23 0.02 0.04 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 46 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 2 30 13 18 0 Ti le % : 3.2 47.6 20.6 28.6 Pt-biserial : -0.05 0.24 -0.14 -0.12 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 47 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 19 24 8 10 2 Ti le % : 31.1 39.3 13.1 16.4 Pt-biserial : -0.04 0.21 -0.04 -0.15 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 48 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 59 1 2 1 0 Ti le % : 93.7 1.6 3.2 1.6 Pt-biserial : 0.27 -0.26 -0.09 -0.13 Muc xacsuat : <.05 <.05 NS NS ...........................................................................

*** HET ***

LẦN 2

BANG PHAN TICH CAC TAN SO LUA CHON TUNG CAU (Item Analysis Results for Observed Responses) =========================================== Trac nghiem : * Ten nhom lam TN : * So cau : 48 * So nguoi : 143

* Xu ly luc 20g15ph * Ngay 20/ 4/2010 =========================================== ........................................................................... *** Cau so : 1 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 54 35 27 24 3 Ti le % : 38.6 25.0 19.3 17.1 Pt-biserial : 0.29 -0.21 -0.10 -0.03 Muc xacsuat : <.01 <.05 NS NS ........................................................................... *** Cau so : 2 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 33 12 66 32 0 Ti le % : 23.1 8.4 46.2 22.4 Pt-biserial : -0.17 -0.08 0.32 -0.17 Muc xacsuat : <.05 NS <.01 <.05 ........................................................................... *** Cau so : 3 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 23 61 29 30 0 Ti le % : 16.1 42.7 20.3 21.0 Pt-biserial : -0.24 0.40 -0.18 -0.09 Muc xacsuat : <.01 <.01 <.05 NS ........................................................................... *** Cau so : 4 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 72 22 29 20 0 Ti le % : 50.3 15.4 20.3 14.0 Pt-biserial : 0.44 -0.28 -0.13 -0.20 Muc xacsuat : <.01 <.01 NS <.05 ........................................................................... *** Cau so : 5 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 89 11 25 17 1 Ti le % : 62.7 7.7 17.6 12.0 Pt-biserial : 0.29 -0.20 -0.07 -0.18 Muc xacsuat : <.01 <.05 NS <.05 ........................................................................... *** Cau so : 6 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 85 47 4 7 0 Ti le % : 59.4 32.9 2.8 4.9 Pt-biserial : -0.13 0.26 -0.13 -0.19 Muc xacsuat : NS <.01 NS <.05 ........................................................................... *** Cau so : 7 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 3 16 30 94 0 Ti le % : 2.1 11.2 21.0 65.7 Pt-biserial : -0.09 -0.04 -0.06 0.11 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 8 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 51 9 25 58 0 Ti le % : 35.7 6.3 17.5 40.6 Pt-biserial : 0.45 0.02 -0.16 -0.33 Muc xacsuat : <.01 NS NS <.01 ........................................................................... *** Cau so : 9 Lua chon A* B C D Missing

Tan so : 63 6 3 71 0 Ti le % : 44.1 4.2 2.1 49.7 Pt-biserial : 0.29 -0.09 0.04 -0.26 Muc xacsuat : <.01 NS NS <.01 ........................................................................... *** Cau so : 10 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 12 11 63 57 0 Ti le % : 8.4 7.7 44.1 39.9 Pt-biserial : -0.10 -0.11 -0.22 0.34 Muc xacsuat : NS NS <.01 <.01 ........................................................................... *** Cau so : 11 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 22 94 13 14 0 Ti le % : 15.4 65.7 9.1 9.8 Pt-biserial : -0.18 0.36 -0.16 -0.20 Muc xacsuat : <.05 <.01 NS <.05 ........................................................................... *** Cau so : 12 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 51 43 24 25 0 Ti le % : 35.7 30.1 16.8 17.5 Pt-biserial : 0.02 0.01 -0.16 0.12 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 13 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 64 32 24 23 0 Ti le % : 44.8 22.4 16.8 16.1 Pt-biserial : 0.26 -0.09 -0.11 -0.14 Muc xacsuat : <.01 NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 14 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 26 15 45 57 0 Ti le % : 18.2 10.5 31.5 39.9 Pt-biserial : -0.20 -0.02 -0.02 0.19 Muc xacsuat : <.05 NS NS <.05 ........................................................................... *** Cau so : 15 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 4 18 31 90 0 Ti le % : 2.8 12.6 21.7 62.9 Pt-biserial : -0.03 -0.02 0.33 -0.26 Muc xacsuat : NS NS <.01 <.01 ........................................................................... *** Cau so : 16 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 40 16 79 8 0 Ti le % : 28.0 11.2 55.2 5.6 Pt-biserial : -0.30 -0.10 0.36 -0.05 Muc xacsuat : <.01 NS <.01 NS .......................................................................... *** Cau so : 17 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 49 5 16 73 0 Ti le % : 34.3 3.5 11.2 51.0 Pt-biserial : 0.32 -0.01 -0.05 -0.26 Muc xacsuat : <.01 NS NS <.01 ........................................................................... *** Cau so : 18 Lua chon A B* C D Missing

Tan so : 35 51 26 30 1 Ti le % : 24.6 35.9 18.3 21.1 Pt-biserial : -0.05 0.24 -0.03 -0.19 Muc xacsuat : NS <.01 NS <.05 ........................................................................... *** Cau so : 19 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 41 34 20 47 1 Ti le % : 28.9 23.9 14.1 33.1 Pt-biserial : -0.19 -0.13 0.01 0.31 Muc xacsuat : <.05 NS NS <.01 ........................................................................... *** Cau so : 20 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 87 30 12 14 0 Ti le % : 60.8 21.0 8.4 9.8 Pt-biserial : 0.22 -0.20 0.06 -0.15 Muc xacsuat : <.01 <.05 NS NS ........................................................................... *** Cau so : 21 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 55 59 10 18 1 Ti le % : 38.7 41.5 7.0 12.7 Pt-biserial : -0.30 0.39 -0.15 -0.01 Muc xacsuat : <.01 <.01 NS NS ........................................................................... *** Cau so : 22 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 38 51 41 13 0 Ti le % : 26.6 35.7 28.7 9.1 Pt-biserial : -0.25 0.28 -0.07 0.04 Muc xacsuat : <.01 <.01 NS NS ........................................................................... *** Cau so : 23 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 26 34 41 40 2 Ti le % : 18.4 24.1 29.1 28.4 Pt-biserial : -0.06 0.03 0.12 -0.07 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 24 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 33 73 10 27 0 Ti le % : 23.1 51.0 7.0 18.9 Pt-biserial : -0.25 0.35 0.01 -0.18 Muc xacsuat : <.01 <.01 NS <.05 .......................................................................... *** Cau so : 25 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 27 12 7 97 0 Ti le % : 18.9 8.4 4.9 67.8 Pt-biserial : 0.33 -0.00 -0.07 -0.24 Muc xacsuat : <.01 NS NS <.01 ........................................................................... *** Cau so : 26 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 53 51 12 27 0 Ti le % : 37.1 35.7 8.4 18.9 Pt-biserial : -0.07 0.18 -0.13 -0.05 Muc xacsuat : NS <.05 NS NS ........................................................................... *** Cau so : 27

Lua chon A B C D* Missing Tan so : 11 36 41 55 0 Ti le % : 7.7 25.2 28.7 38.5 Pt-biserial : -0.21 -0.09 -0.12 0.31 Muc xacsuat : <.05 NS NS <.01 ........................................................................... *** Cau so : 28 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 3 5 7 128 0 Ti le % : 2.1 3.5 4.9 89.5 Pt-biserial : -0.18 -0.10 -0.09 0.20 Muc xacsuat : <.05 NS NS <.05 ........................................................................... *** Cau so : 29 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 52 6 80 5 0 Ti le % : 36.4 4.2 55.9 3.5 Pt-biserial : -0.31 -0.14 0.41 -0.14 Muc xacsuat : <.01 NS <.01 NS ........................................................................... *** Cau so : 30 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 60 41 21 21 0 Ti le % : 42.0 28.7 14.7 14.7 Pt-biserial : 0.44 -0.20 -0.20 -0.16 Muc xacsuat : <.01 <.05 <.05 NS ........................................................................... *** Cau so : 31 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 52 31 33 27 0 Ti le % : 36.4 21.7 23.1 18.9 Pt-biserial : -0.09 0.45 -0.25 -0.10 Muc xacsuat : NS <.01 <.01 NS ........................................................................... *** Cau so : 32 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 12 9 99 22 1 Ti le % : 8.5 6.3 69.7 15.5 Pt-biserial : -0.16 -0.18 0.41 -0.25 Muc xacsuat : NS <.05 <.01 <.01 ........................................................................... *** Cau so : 33 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 38 60 34 11 0 Ti le % : 26.6 42.0 23.8 7.7 Pt-biserial : 0.10 -0.11 0.08 -0.10 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 34 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 14 13 12 104 0 Ti le % : 9.8 9.1 8.4 72.7 Pt-biserial : -0.05 -0.10 -0.19 0.22 Muc xacsuat : NS NS <.05 <.01 ........................................................................... *** Cau so : 35 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 14 78 20 30 1 Ti le % : 9.9 54.9 14.1 21.1 Pt-biserial : -0.04 0.01 -0.14 0.13 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 36

Lua chon A* B C D Missing Tan so : 75 14 42 12 0 Ti le % : 52.4 9.8 29.4 8.4 Pt-biserial : 0.31 -0.17 -0.15 -0.13 Muc xacsuat : <.01 <.05 NS NS ........................................................................... *** Cau so : 37 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 52 31 14 46 0 Ti le % : 36.4 21.7 9.8 32.2 Pt-biserial : -0.10 -0.30 -0.07 0.41 Muc xacsuat : NS <.01 NS <.01 ........................................................................... *** Cau so : 38 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 54 29 27 32 1 Ti le % : 38.0 20.4 19.0 22.5 Pt-biserial : 0.24 -0.00 -0.28 -0.01 Muc xacsuat : <.01 NS <.01 NS ........................................................................... *** Cau so : 39 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 32 28 55 28 0 Ti le % : 22.4 19.6 38.5 19.6 Pt-biserial : 0.00 -0.09 -0.20 0.34 Muc xacsuat : NS NS <.05 <.01 ........................................................................... *** Cau so : 40 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 33 21 48 41 0 Ti le % : 23.1 14.7 33.6 28.7 Pt-biserial : -0.12 0.11 0.04 -0.02 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 41 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 18 61 27 37 0 Ti le % : 12.6 42.7 18.9 25.9 Pt-biserial : -0.19 0.35 -0.14 -0.13 Muc xacsuat : <.05 <.01 NS NS ........................................................................... *** Cau so : 42 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 62 33 21 27 0 Ti le % : 43.4 23.1 14.7 18.9 Pt-biserial : -0.04 0.16 0.05 -0.16 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 43 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 25 28 16 74 0 Ti le % : 17.5 19.6 11.2 51.7 Pt-biserial : -0.16 -0.10 -0.12 0.27 Muc xacsuat : NS NS NS <.01 ........................................................................... *** Cau so : 44 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 66 35 19 22 1 Ti le % : 46.5 24.6 13.4 15.5 Pt-biserial : 0.24 -0.11 -0.07 -0.13 Muc xacsuat : <.01 NS NS NS ...........................................................................

*** Cau so : 45 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 61 21 35 25 1 Ti le % : 43.0 14.8 24.6 17.6 Pt-biserial : -0.22 -0.06 0.53 -0.25 Muc xacsuat : <.01 NS <.01 <.01 ........................................................................... *** Cau so : 46 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 21 57 41 23 1 Ti le % : 14.8 40.1 28.9 16.2 Pt-biserial : -0.19 0.27 -0.17 0.04 Muc xacsuat : <.05 <.01 <.05 NS .......................................................................... *** Cau so : 47 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 34 74 17 17 1 Ti le % : 23.9 52.1 12.0 12.0 Pt-biserial : -0.16 0.22 -0.05 -0.09 Muc xacsuat : NS <.01 NS NS ........................................................................... *** Cau so : 48 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 52 60 21 10 0 Ti le % : 36.4 42.0 14.7 7.0 Pt-biserial : 0.07 0.05 -0.09 -0.11 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** HET ****