EPIC Mt k nguyên mi trong lĩnh vực cm ng điện thế
Theo truyn thng, s tương tác ca các thiết b trng thái rn vi quang ph
điện t đã tp trung vào phát hin nhiu lon trong t trường. Ví d các cm biến
hiu ng Hall cung cp phát hiện đáng tin cy nht nhiu loi ng dng tương t
hoc s (strigger Schmitt) khác nhau. Trong cuc sng hàng ngày, chúng ta da
trên thông tin được mã hóa thành dng trường mật độ thông tin t tính để truyn d
liu đến các h thống đin thoi hay truyn hình s.
Trong khi đó các phương trình của Maxwell cho chúng ta biết rằng bất ckhi nào
chúng ta truyn đi một từ trường thì sẽ có một đáp ứng đin trường tương ứng xuất
hiện, việc phát hiện và nghiên cứu thành phần này đã b bỏ qua.
Các dụng c đo điện sẽ đo slãng phí hoặc sự khác biệt đin thế và những chiếc
vôn kế với một trở khác đầu rất ln nên có thcoi dòng điện đi vào thiết bị lúc này
là bng 0. Cho đến gn đây, các thiết b đo đạc đã nổi tiếng là không chính xác
thường được sử dụng các thành phn tinh tế, nhạy cảm với các sốc khí do đó
dễ dàng b hng. Bộ cảm biến EPIC được mô tả trong bài này một thiết bị rắn
rất chắc chắn với điện trở đầu vào của rất lớn và thcoi như một vôn kế lý
tưởng. Các ứng dụng mong đợi ca là rất nhiều và những thông báo, chứng
minh của công nghệ này đã to ra sự phn khích lớn trong gii kỹ thuật.
EPIC là gì?
EPIC là một từ viết tắt cho "Mạch tích hợp điện thế” (Electric Potential Integrated
Circuit) nhưng thut ng này hin đồng nghĩa vi ng nghệ mạch tích hợp, bộ
cm biến chính nó, và theo nghĩa rộng hơn là các nguyên tắc vật ca hoạt động
của thiết b trong hệ thống.
EPIC là một đin kế không tiếp xúc, có nghĩa là không cần đường dẫn DC trực tiếp
tới đầu vào của bộ sensor, tương tnhư đối với các cực cửa (gate) ca transistor
MOS. Điện cực được bảo vbởi một lớp vật liệu điện môi để đảm bảo tách biệt từ
vật thể đang được đo. Đây là một thiết b xoay chiều cho đáp ứng -3dB ti dải tần
dưới (vài chc MHz) và di tần số trên cao hơn 200 MHz. Đáp ng này th
được điều chỉnh và ththay đổi để phù hợp vi một ứng dụng cụ thể. Một đin
kế như vậy không thể sdụng cặp DC vì điện trường gần bề mặt của trái đất là ~
100-150 V/m.
Trong chế độ đơn thông thường, thiết b thể sử dụng để xác định giá tr đin thế;
khi sdụng trong chế độ khác thể đo điện trường cục bộ; hoặc thể được
triển khai trong việc cung cấp bản đồ không gian ca đin thế (vị trí dẫn điện hoặc
điện môi đặt trong không gian).
Hình 1 cho thy một đồ khi cơ bn của cảm biến EPIC. Kích thước ca đin
cực là tùy ý ph thuộc vào điện dung đầu vào cn thiết cho một ứng dụng c
thể. Đối vi các phần gần đin cực, kích thước của đin cực là quan trọng và các
hoạt động ca thiết b có thể được hiu là khớp ni đin dung. Đối với c thiết bị
cách xa vài mét, khớp ni đin dung (được định nghĩa bằng đin dung của bản thân
điện cực đáp ứng ca thiết bị) là một hàm của trở khác đầu vào do tính cht
tương tác vi điện tng của nó.
Các kháng đầu vào thiết bcó thđược tăng cường bằng cách sử dụng kỹ thuật
bootstrapping trong khi điện dung đầu vào có thđược giảm bằng cách sử dụng
các kỹ thuật bảo vệ. Đin dung đầu vào th được điu khiển mức thấp thấp là
10-17 F với trở kháng đầu vào tăng lên các giá tr lên đến khoảng 1015 Ω, do đó
gisự tương tác trường mục tiêu đến mt mức tối thiểu tuyệt đối đảm bảo rằng
tất cả các dòng đin là dòng chuyển nhỏ.
Một sự hiểu biết tốt hơn về các cơ chế phn hồi ththu được bằng cách xem xét
các bđệm đầu vào ca bộ khuếch đại và trkháng kết hợp như được chỉ ra
trong hình 2. Các điện trở RG1 RG2 được sử dụng để thiết lập hệ số khuếch đại
của bước đầu tiên. Cin Rin đại diện cho điện dung đầu vào tr thụ động với
bkhuếch đại, và bao gm các thành phn sinh. Dung lượng Cext thể hiện điện
dung khp nối.
Khi Cext >> Cin, ta có phương trình 1 :