intTypePromotion=1
zunia.vn Tuyển sinh 2024 dành cho Gen-Z zunia.vn zunia.vn
ADSENSE
 » 
 » 

Bài giảng Điện tử công suất: Các linh kiện bán dẫn (p1) - PGS.TS Lê Minh Phương

Chia sẻ: 5A4F5AFSDG 5A4F5AFSDG | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:19

Thêm vào BST
Báo xấu
69
lượt xem 15
download
 
  Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Chương này gồm có những nội dung chính sau: Diodes, bipolar junction transistor (BJT), metal oxide semiconductor effect transistor (MOSFET), insulated gate bipolar transistor (IGBT), thyristor, gate turn of thyrisor (GTO), triode alternative current (TRIAC). Mời tham khảo.

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Bài giảng Điện tử công suất: Các linh kiện bán dẫn (p1) - PGS.TS Lê Minh Phương

  1. 1/21/2013 Ho Chi Minh City University of Technology PGS.TS Lê Minh Phương Khoa Điện –Điện Tử Trường Đại Học Bách Khoa TP HỒ CHÍ MINH Contact info: Address: 268 Lý Thường Kiệt, P.14,Q.10, TP Hồ Chí Minh Telephone: 84-08-38647256 (5722) Mobile: 0988572177 E-mail: lmphuong@hcmut.edu.vn; ivanphuong@yahoo.com 1 Power Electronics ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT PGS.TS Lê Minh Phương Khoa Điện –Điện Tử Trường ĐHBK TPHCM TPHCM 2012 2 1
  2. 1/21/2013 Contents – Nội dung 1. Tổng quan về Điện tử công suất 2. Các linh kiện bán dẫn 3. Mô phỏng Matlab-Simulink 4. Bộ chỉnh lưu 5. Bộ biến đổi điện áp xoay chiều 6. Bộ biến đổi điện áp một chiều 7. Bộ nghịch lưu –biến tần 3 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong References 1. MÔ PHỎNG ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT TRONG MATLAB/SIMULINK - Lê Minh Phương, Phan Quốc Dũng – Nhà xuất bản ĐHQG 2011 2. POWER ELECTRONICS HANDBOOK – Muhammad H. Rashid 3. MATLAB/SIMULINK - Mathworks. http://www.mathworks.com/ 4. ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT 1 – Nguyễn Văn Nhờ Nhà xuất bản ĐHQG 4 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong 2
  3. 1/21/2013 Power Electronics Chương 2 CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN PGS.TS Lê Minh Phương Khoa Điện –Điện Tử Trường ĐHBK TPHCM TPHCM 2012 5 Contents – Nội dung 1. Diodes 2. Bipolar Junction Transistor (BJT) 3. Metal Oxide Semiconductor Effect Transistor (MOSFET) 4. Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) 5. Thyristor 6. Gate Turn Of Thyrisor (GTO) 7. Triode Alternative Current (TRIAC) 6 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong 3
  4. 1/21/2013 Power Electronic Devices Các linh kiện bán dẫn cơ bản 7 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong Power Electronic Devices Đặc điểm:  Chỉ làm việc ở chế độ đóng ngắt switching (Đóng –Ngắt)  Khi đóng (ON):  Cho dòng điện lớn nhất chạy qua  Điện áp trên linh kiện nhỏ (Vf  0).  Điện trở Rf  0  Khi ngắt (OFF):  Dòng điện thuận If =0  Điện trở Rr   8 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong 4
  5. 1/21/2013 Power Electronic Devices So sánh công suất các linh kiện bán dẫn 9 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong Power Electronic Devices The PN Junction Metallurgical State Junction: SteadyCharge Space Region - Depletion region (vùng hiếm). Na & Nd: The When interface where no external the p- source isand n-type and connected materials to the pn meet. junction, diffusion Vùng mang điện tích the This region includes âm net positively và điện tích dương.negatively charged regions. (khuyếch The space tán) and charge drift region(tái kết) does balance not have each any other free out for both the carriers. 10 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong holes and electrons 5
  6. 1/21/2013 Power Electronic Devices Diodes Diode là linh kiện bán dẫn không điều khiển có cấu tạo đơn giản nhất, gồm một lớp tiếp xúc p-n, gồm 2 điện cực Anode (A) và K (Cathode) The diode is designed to allow current to flow in only one direction. The perfect diode would be a perfect conductor in one direction (forward bias) and a perfect insulator in the other direction (reverse bias).In many situations, using the ideal diode approximation is acceptable. 11 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong Power Electronic Devices Diodes When an external voltage is applied, the p-n junction is considered biased. There are two types of biasing: Forward bias and Reverse bias. Forward Bias -Phân cực thuận,(UAK>Vf): When the applied voltage increases, 12 1/21/2013 current PGS.TSstarts to flow Le Minh across the junction. Phuong 6
  7. 1/21/2013 Power Electronic Devices Diodes Reverse Bias -Phân cực ngược, UAK
  8. 1/21/2013 Power Electronic Devices Đặc tính động Thời gian đóng diode - Forward recovery time tFR: Thời gian cần thiết để diode có thể dòng qua diode tăng đến giá trị xác lập khi điện áp thuận đặt trên hai đầu cực của diode Thời gian phục hồi tính nghịch – Reverse Revecovery Time tRR: Thời gian cần thiết để diode phục hồi khả năng chịu áp khoá khi quá trình dẫn thuận chấm dứt 15 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong t RR  t a  t b Power Electronic Devices Các dạng diode Silicon rectifier diode – diode chỉnh lưu - Có khả năng mang dòng điện lớn. - Điện trở thuận nhỏ (m) và điện trở ngược lớn (M) - Ứng dụng trong Power supplies, UPS, rectifiers/inverters,… 16 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong 8
  9. 1/21/2013 Power Electronic Devices Các dạng diode Small signal diode: - Có ứng dụng rộng rãi nhất - Ứng dụng trong các mạch như : switch in rectifiers, limiters, capacitors, mạch tạo tín hiệu 17 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong Power Electronic Devices Schottky Diodes: - These diodes are designed to have a very fast switching time which makes them a great diode for digital circuit applications. - They are very common in computers because of their ability to be switched on and off so quickly. 18 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong 9
  10. 1/21/2013 Power Electronic Devices Zener diode: - Ứng dụng chính là tạo điện áp tham chiếu và điều chỉnh - Khả năng duy trì điện áp phụ thuộc vào hệ số nhiệt độ và điện trở 19 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong Power Electronic Devices Photo diode: - Khi tiếp xúc (junction) bị tác động của ánh sáng, các photon tạo ra điện tích lỗ hổng và tạo ra photocurrent nhờ quá trình dịch chuyển. -Photo-diode hoạt động như một nguồn dòng, và tăng khi cường độ ánh sáng tăng. 20 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong 10
  11. 1/21/2013 Power Electronic Devices Light emitting diode (LED): Light-emitting diodes được thiết kế với vùng dịch chuyển lớn sao cho các hạt khi qua vùng nghèo (depletion region) sẽ tạo ra photon ánh sáng. LED với vùng dịch chuyển năng lượng cao sẽ tạo ra ánh sáng nhìn thấy. LED với vùng dịch chuyển năng lượng cao sẽ tạo ra ánh sáng . LED với vùng dịch chuyển năng lượng thấpsẽ phát ra bức xạ hồng ngoại 21 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong Power Electronic Devices Typical Diode Ratings Voltage Ratings: Repetitive peak inverse voltage (VRRM ): The non-repetitive voltage (VRM): khả năng chịu điện áp ngược Current Ratings The datasheet of a diode normally specifies three different current ratings: (1) the average current, (2) the rms current, and (3) the peak current. 23 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong 11
  12. 1/21/2013 Power Electronic Devices Typical Diode Ratings 24 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong Power Electronic Devices Snubber Circuits for Diode Snubber circuits cần thiết khi diode chuyển mạch, nó giúp bảo vệ diode khỏi quá điện áp phát sinh trong quá trình are essential for diodes used in switching reverse recovery 25 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong 12
  13. 1/21/2013 Power Electronic Devices Typical Applications of Diodes 26 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong Power Electronic Devices Typical Applications of Diodes 1. Dùng trong mạch chỉnh lưu 27 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong 13
  14. 1/21/2013 Power Electronic Devices Typical Applications of Diodes 1. Dùng trong mạch chỉnh lưu 28 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong Power Electronic Devices Power Bipolar Transistors (BJT) The bipolar junction transistor (BJT) consists of a three-region structure of n-type and p-type semiconductor materials, it can be constructed as npn as well as pnp.  Gồm 3 điện cực Collector (C), Emitter (E) và Base (B). Mạch công suất nối giữa C-E, mạch điều khiển nối giữa cổng B-E.  Tồn tại hai dạng BJT: n-p-n và p-n-p. BJT là linh kiện bán dẫn điều khiển đóng ngắt hoàn toàn bằng dòng điện. 31 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong 14
  15. 1/21/2013 Power Electronic Devices Power Bipolar Transistors (BJT) 32 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong Power Electronic Devices The NPN Transistor 38 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong 15
  16. 1/21/2013 Power Electronic Devices Nguyên lý làm việc Khi VBE>0 lớp tiếp xúc p-n giữa Base và C Emiter phân cực thuận, nhờ đó điện tử IC dịch chuyển từ Emiter đến Base. Vì n vùng Base có cấu trúc rất mỏng nên chỉ IB có một phần nhỏ điện tử kết hợp với B holes p điện tích dương ở vùng này. UCE Lúc này VCE>0 nên Phần lớn điện tử sẽ chạy đến vùng phân cực ngược Base – electrons holes n Collector và tới cực Collector làm BJT dẫn. E Trạng thái đóng ngắt UCE>0, IB>0  BJT đóng (dẫn) UCE>0 ,IB
  17. 1/21/2013 Power Electronic Devices The Transistor as a Switch 1. Cut-off Region Then we can define the "cut-off region" or "OFF mode" when using a bipolar transistor as a switch as being, both junctions reverse biased, UBE < 0.7V and IC = 0. Base-Emitter voltage VBE < 0.7V Base-Emitter junction is reverse Base-Collector junction is reverse No Collector current flows (IC = 0) VOUT = VCE = VCC = "1” Transistor is "fully-OFF" (Cut-off region) 43 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong Power Electronic Devices The Transistor as a Switch 2. Saturation Region Then we can define the "saturation region" or "ON mode" when using a bipolar transistor as a switch as being, both junctions forward biased, UBE > 0.7V and IC = Maximum The input and Base are connected to VCC Base-Emitter voltage VBE > 0.7V Base-Emitter junction is forward biased Base-Collector junction is forward biased Transistor is "fully-ON" (saturation region) Max Collector current flows (IC = Vcc/RL) VCE = 0 (ideal saturation) VOUT = VCE = "0" Transistor operates as a "closed switch" 44 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong 17
  18. 1/21/2013 Power Electronic Devices The Transistor as a Switch 45 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong Power Electronic Devices Dynamic Switching Characteristics td thời gian trễ đóng tr thời gian tăng dòng ton=td+tr thời gian đóng ts Thời gian trễ ngắt tf Thời gian giảm dòng Toff=ts+tf thời gian ngắt 46 1/21/2013 PGS.TS Le Minh Phuong 18
  19. 1/21/2013 Power Electronics For Building THANK YOU  FOR YOUR ATTENTION 58 1/21/2013 19
ADSENSE

CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD

LV.15: Bộ Đồ Án Tốt Nghiệp Chuyên Ngành Cơ Khí
65 tài liệu
2431 lượt tải
THÔNG TIN
TRỢ GIÚP
HỖ TRỢ KHÁCH HÀNG
Theo dõi chúng tôi

Chịu trách nhiệm nội dung:

Nguyễn Công Hà - Giám đốc Công ty TNHH TÀI LIỆU TRỰC TUYẾN VI NA

LIÊN HỆ

Địa chỉ: P402, 54A Nơ Trang Long, Phường 14, Q.Bình Thạnh, TP.HCM

Hotline: 093 303 0098

Email: support@tailieu.vn

Giấy phép Mạng Xã Hội số: 670/GP-BTTTT cấp ngày 30/11/2015 Copyright © 2022-2032 TaiLieu.VN. All rights reserved.

 

Đồng bộ tài khoản
2=>2