zunia.vn

Tuyển sinh 2024 dành cho Gen-Z

zunia.vn

» Khoa Học Tự Nhiên

Cấu kiện điện tử - vật liệu điện tử - Dư Quang Bình - 3

Chia sẻ: Muay Thai | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:20

Báo xấu

84
lượt xem 4
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Ri Các đại lượng có thể thay đổi trong phương trình (2.62) là vS và iL. Để đảm bảo diode vẫn ở vùng điện áp hằng (vùng đánh thủng), ta hãy khảo sát hai mô hình của trạng thái vào/ra như sau: 1. Mức dòng chảy qua diode, iZ là nhỏ nhất (IZmin) khi dòng tải, iL là lớn nhất (ILmax) và mức điện áp nguồn, vS là nhỏ nhất (VSmin). 2. Mức dòng chảy qua diode, iZ là lớn nhất (IZmax) khi dòng tải, iL là nhỏ nhất (ILmin) và mức điện áp nguồn, vS là lớn nhất (VSmax)....

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Cấu kiện điện tử - vật liệu điện tử - Dư Quang Bình - 3

CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 40 vS − VZ vS − VZ Ri = = là: (2.61) iZ + iL iR Suy ra mức dòng zener iZ, là: vS − VZ iZ = − iL (2.62) Ri Các đại lượng có thể thay đổi trong phương trình (2.62) là vS và iL. Để đảm bảo diode vẫn ở vùng điện áp hằng (vùng đánh thủng), ta hãy khảo sát hai mô hình của trạng thái vào/ra như sau: 1. Mức dòng chảy qua diode, iZ là nhỏ nhất (IZmin) khi dòng tải, iL là lớn nhất (ILmax) và mức điện áp nguồn, vS là nhỏ nhất (VSmin). 2. Mức dòng chảy qua diode, iZ là lớn nhất (IZmax) khi dòng tải, iL là nhỏ nhất (ILmin) và mức điện áp nguồn, vS là lớn nhất (VSmax). Khi các đặc tính của hai mô hình được kết hợp vào phương trình (2.61), ta có: Trạng thái 1: V − VZ Ri = Smin (2.63) I Lmax + I Zmin Trạng thái 2: − VZ V Ri = Smax (2.64) I Lmin + I Zmax Do trị số của Ri trong cả hải phương trình (2.63) và phương trình (2.64) là một, nên ta có thể cân bằng hai biểu thức để có: (VSmin − VZ )( I Lmin + I Zmax ) = (VSmax − VZ )( I Lmax + I Zmin ) (2.65) Trong bài toán thực tế, hợp lý nhất là cho biết khoảng điện áp vào, khoảng dòng tải, và mức điện áp zener yêu cầu. Do vậy phương trình (2.65), sẽ tương đương một phương trình theo hai ẩn, dòng zener lớn nhất và nhỏ nhất. Xác định phương trình thứ hai bằng cách xét đặc tuyến hình 2.31. Để tránh phần đặc tuyến không phải hằng số, ta sử dụng quy tắc kinh nghiệm là mức dòng zener nhỏ nhất sẽ bằng 0,1 lần mức dòng zener lớn nhất, tức là: I Zmin = 0,1I Zmax Giải phương trình (2.65) theo IZmax, trong đó sử dụng tiêu chuẩn thiết kế đã được giới thiệu ở trên, I (V − V ) + I Lmax (VSmax − VZ ) I Zmax = Lmin Z Smin (2.66) VSmin - 0,9VZ - 0,1VSmax Có thể tính được mức dòng zener lớn nhất, để có trị số của Ri từ phương trình (2.63) hoặc (2.64). Ví dụ 2.3: Thiết kế bộ ổn định điện áp bằng zener khoảng 10V (hình 2.33) cho các điều kiện như sau: a) Khoảng dòng tải từ 100mA đến 200mA và khoảng điện áp nguồn từ 14V đến 20V. b) Khoảng dòng tải từ 20mA đến 200mA và khoảng điện áp nguồn từ 10,2V đến 14V. Sử dụng diode zener 10V trong cả hai trường hợp. Giải: a) Việc thiết kế bao gồm chọn giá trị điện trở Ri phù hợp, và thông số định mức công suất cho zener. Sử dụng phương trình từ mục trên để tính mức dòng lớn nhất của diode zener và sau đó tính trị số điện trở vào. Từ phương trình (2.66), ta có: I (V − V ) + I Lmax (VSmax − VZ ) 100mA(10V − 14V) + 200mA(20V − 10V) I Zmax = Lmin Z Smin = = 533mA 14V − 0,9 × 10V − 0,1 × 20V VSmin - 0,9VZ - 0,1VSmax Tiếp theo, từ phương trình (2.64), tính Ri như sau: BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 41 VSmax − VZ 20V − 10V Ri = = = 15,8Ω I Lmin + I Zmax 533mA + 100mA Sẽ không đầy đủ nếu chỉ xác định điện trở Ri, nên cũng cần phải chọn công suất định mức thích hợp cho điện trở. Mức công suất lớn nhất cho bởi tích của điện áp và dòng điện, trong đó sử dụng trị số lớn nhất cho mỗi đại lượng. PR = ( I Zmax + I Lmin )(VSmax − VZ ) = 6,3W Cuối cùng, ta phải xác định công suất định mức cho diode zener. Mức công suất lớn nhất tiêu tán ở diode zener được tính bằng tích của điện áp và dòng điện trên zener. PR = VZ I Zmax = 0,53A × 10V = 5,3W b) Lặp lại các bước tính trên theo các thông số của phần b, ta có: I Lmin (VZ − VSmin ) + I Lmax (VSmax − VZ ) 20mA(10V − 10,2V) + 200mA(14V − 10V) I Zmax = = = - 4020mA 10,2V − 0,9 × 10V − 0,1 × 14 V VSmin - 0,9VZ - 0,1VSmax Trị số IZmax âm cho biết biên độ giữa VSmin và VZ là không đủ lớn để cho phép thay đổi dòng tải, nghĩa là, ở trạng thái xấu nhất của điện áp vào là 10,2V và dòng tải là 200mA, thì zener không thể cho khả năng duy trì 10V trên hai cực của diode zener. Do đó, bộ ổn định sẽ không hoạt động đúng đối với trị số chọn nào đó của điện trở, nên ta có thể tăng điện áp nguồn hoặc giảm mức dòng ra yêu cầu. Mạch ổn định bằng zener ở hình 2.33, có thể kết hợp với mạch nắn toàn kỳ ở hình 2.25, để tạo thành mạch nắn toàn kỳ có ổn định điện áp bằng zener như ở hình 2.34. RF là điện trở xã, dùng để tạo đường xã cho tụ khi tháo tải (tải hở). Các điện trở xã thường có trị số điện trở cao để không tiêu thụ nhiều công suất khi mạch hoạt động. Trị số của CF tính theo phương trình tương ứng (2.59). Điện trở trong phương trình là điện trở tương đương mắc song song với CF. Diode zener được thay bằng nguồn điện áp VZ. Điện trở tương đương là do mạch song song của RF với Ri. Điện trở Ri mắc nối tiếp trong mạch để tránh các ngắn mạch hiệu dụng của RL lên diode zener. Do RF lớn hơn nhiều so với Ri, nên điện trở song song có trị số gần bằng với Ri. Bởi vì điện áp ngang qua Ri không thể bằng 0 đối với mạch nắn toàn kỳ, nên Vmax ở phương trình (2.59) cần phải được thay bằng tổng mức dao động điện áp. Vậy, tụ được tính gần đúng bởi phương trình (2.67), trong đó cho tỷ số biến áp a là ½. − VZ V CF = Smax (2.67) ∆Vf p Ri Mức điện áp lớn nhất đặt trên bộ ổn áp là VSmax. ∆V là mức gợn đỉnh – đỉnh, và fp là tần số cơ bản của tín hiệu chỉnh lưu (tức là tần số tín hiệu ra của mạch chỉnh lưu toàn kỳ gấp hai lần tần số nguồn). b) Diode zener thực tế và độ ổn định theo phần trăm Ở mục trên ta giả thiết diode zener là lý tưởng, đó là ở vùng đánh thủng thác lũ, diode làm việc như một nguồn điện áp hằng, có nghĩa rằng đặc tuyến ở hình 2.31, là một đường thẳng dọc theo vùng đánh thủng. Trong thực tế, đoạn đặc tuyến đánh thủng không phải chính xác là một đường dọc mà có độ nghiêng nào đó để dẫn đến một điện trở nối tiếp khác 0. Điện áp đánh thủng tùy thuộc vào mức dòng mà lẽ ra là không đổi. Mô hình diode zener thực tế như ở hình 2.35, thay diode zener thực tế bằng một diode lý tưởng mắc nối tiếp với một điện trở RZ. Để thấy rõ các ảnh hưởng của điện trở nối tiếp RZ, ta giả sử rằng diode zener thực tế đã được kết hợp đưa vào ví dụ 2.3a, với điện trở của diode RZ = 2Ω. Giả sử IZmin bằng 10% của IZmax, hay bằng 0,053A. Điện áp ra (song song với tải) không lớn hơn mức hằng số 10V do RZ. Ta tính các trị số nhỏ nhất và lớn nhất của điện áp ra từ hình 2.34, theo các mức dòng nhỏ nhất và lớn nhất. Mức điện áp ngang qua diode lý tưởng ở hình 2.35, là 10V, nên ta có thể viết: BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 42 Vomin = 10V + (0,053A × 2kΩ ) = 10,1V Vomax = 10V + (0,53A × 2kΩ ) = 11,1V Độ ổn định theo phần trăm được định nghĩa bằng tổng mức dao động điện áp xung quanh mức điện áp ổn định (hay mức ổn định lý tưởng). Độ ổn định theo phần trăm nhỏ hơn sẽ cho ổn định điện áp tốt hơn. Vậy, ở ví dụ trên, − Vomin 11,1V − 10,1V V % Reg = omax = = 0,1 = 10% (2.68) Vonominal 10V Độ ổn định 10% được xem là kém đối với nhiều ứng dụng. Độ ổn định sẽ được cải thiện khi giới hạn mức dòng zener ở giá trị nhỏ hơn, và thực hiện bằng cách sử dụng một mạch khuyếch đại nối tiếp với tải. Tác dụng của mạch khuyếch đại là để giới hạn các biến thiên của dòng chảy qua diode zener. 2.7 MẠCH XÉN VÀ GHIM. Các diode có thể dùng để xén tín hiệu vào hay giới hạn các thành phần của tín hiệu. Diode cũng được dùng để khôi phục mức dc cho tín hiệu vào. a) Mạch xén Mạch xén dùng để xén một phần của dạng sóng phía trên hoặc phía dưới mức chuẩn nào đó. Mạch xén đôi khi còn gọi là mạch hạn chế, mạch chọn biên độ, hay mạch cắt. Mạch chỉnh lưu BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 43 bán kỳ ở phần trước sử dụng hoạt động xén tại mức 0. Nếu thêm một nguồn pin nối tiếp với diode, mạch chỉnh lưu sẽ xén mức trên hoặc mức dưới của mức điện áp nguồn pin, tùy thuộc vào chiều của diode, như minh họa ở hình 2.36. Các dạng sóng ra ở hình 2.36, cho rằng các diode là lý tưởng. Có thể bỏ qua giả thiết lý tưởng bằng cách bổ sung hai thông số ở mô hình diode. Một là để diode dẫn cần phải có điện áp trên diode lớn hơn Vγ. Thứ hai, khi diode đang dẫn phải tính đến điện trở thuận Rf. Hình 2.37a, là mạch đã được sửa đổi. Ảnh hưởng của Vγ là tạo mức xén Vγ + VB thay cho VB. Ảnh hưởng của điện trở là thay đổi hoạt động xén bằng phẳng theo mức tỷ lệ theo điện áp vào (tức là ảnh hưởng của mạch phân áp). Mức điện áp ra được tính như sau (xem hình 2.37b). Đối với: vi < VB + Vγ , ta có: vo = vi + (VB + Vγ ) Rf R Đối với: vi > VB + Vγ , ta có: vo = vi R + Rf R + Rf Ta có thể thực hiện đồng thời cả xén mức dương và xén mức âm bằng các mạch xén phân cực song song, thiết kế bằng hai diode và hai nguồn điện áp mắc theo hai chiều ngược nhau. Mạch sẽ cho dạng sóng ra như ở hình 2.38, trong đó giả thiết hai diode là lý tưởng. Suy rộng cho các diode thực tế mắc song song dẫn đến kết quả ở hình 2.37. Một kiểu xén khác là mạch xén phân cực nối tiếp, như mạch ở hình 2.39. Nguồn pin khoảng 1V mắc nối tiếp với nguồn tín hiệu vào sẽ làm cho tín hiệu vào được chồng chập lên nguồn điện áp 1V dc, đúng hơn là đối xứng qua trục 0. Giả sử mạch sử dụng diode lý tưởng, diode ở mạch hình 1.43, sẽ dẫn chỉ trong khoảng thời gian tín hiệu vào chuyển sang bán kỳ âm. Khi diode đang dẫn, tín hiệu ra bằng 0. Điện áp ra khác 0 khi diode ngưng dẫn. Ở mạch hình 2.39b, diode được mắc ngược lại cũng tương tự như trên. Khi tín hiệu ở trạng thái dương, diode sẽ dẫn và có tín hiệu ra, nhưng khi diode ngưng, không xuất hiện tín hiệu ra. Mặc dù nguyên lý hoạt động của hai mạch là khác nhau, nhưng hai tín hiệu ra là như nhau. Ở mạch hình 2.39c, và d, nguồn pin được đảo ngược cực tính và dạng sóng ra nhận được như hình vẽ. BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 44 Ví dụ 2.4: Tính mức điện áp ra của mạch xén ở hình 2.40a, giả thiết rằng: a) Vγ = 0; và b) Vγ = 0,7V. và Rf = 0 trong cả hai trường hợp. Giải: a) Khi Vγ = 0, với vi dương và vi < 3V, suy ra: vi = vo. Khi vi dương và vi > 3V, suy ra: v − 3V i1 = i 1,5 × 104 Ω vo = 104 Ω × i1 + 3V = 2 × vi + 1 3 Đối với vi = 8V, thì vo = 6,33V. Khi vi âm và vi > - 4V, suy ra: vi = vo. Khi vi âm và vi < - 4V, suy ra: vo = - 4V Dạng sóng ra kết quả như ở hình 2.40b. Khi Vγ = 0,7V, vi là dương, và vi < 3,7V, suy ra: vi = vo. BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 45 Khi vi > 3,7V, suy ra: i1 = (vi – 3,7V)/1,5 x 104, vo = 104 Ω × i1 + 3,7V = 2 × vi + 1,23 3 Đối với vi = 8V, thì vo = 6,56V. Khi Vγ = 0,7V, vi âm và vi > - 4,7V, suy ra: vi = vo. Khi vi âm và vi < - 4,7V, suy ra: vo = - 4,7V Dạng sóng ra kết quả như ở hình 2.40c. b) Mạch ghim Dạng sóng điện áp có thể được dịch chuyển bằng cách bổ sung một nguồn điện áp độc lập, hoặc là nguồn hằng hoặc là nguồn phụ thuộc thời gian mắc nối tiếp với nguồn tín hiệu. Ghim là hoạt động dịch mức mà nguồn bổ sung không còn độc lập với nguồn tín hiệu nữa. Mức dịch tùy thuộc vào dạng sóng thực tế. Hình 2.41, thể hiện ví dụ về việc ghim áp. Dạng sóng vào ở hình 2.41, bị dịch bởi một lượng làm cho mức đỉnh của dạng sóng bị dịch mức tại trị số là VB. Vậy mức dịch là mức chính xác cần để thay đổi mức lớn nhất ban đầu Vm đến mức lớn nhất mới VB. Dạng sóng là “được ghim” đến giá trị VB. Nếu ta đã biết trị số chính xác của mức đỉnh ban đầu Vm, thì ta có thể thực hiện dịch mức đỉnh bằng một nguồn dc độc lập mắc nối tiếp với nguồn tín hiệu. Đặc trưng riêng của mạch ghim là mạch có thể điều chỉnh dạng sóng mà không cần biết dạng chính xác ban đầu. Mức dịch được xác định bởi dạng sóng thực tế. Nếu dạng sóng vào thay đổi, thì mức dịch sẽ thay đổi theo để dạng sóng ra luôn luôn được ghim ở mức VB. Do vậy, mạch ghim sẽ cung cấp thành phần dc theo mức cần thiết để nhận được mức ghim yêu cầu. Đối với ví dụ, tụ trong mạch ở hình 2.41, sẽ nạp đến giá trị bằng với mức chênh lệch giữa mức đỉnh của dạng sóng ban đầu và VB. Tụ đóng vai trò như nguồn pin có biên độ điện áp VB mắc nối tiếp, do vậy làm dịch dạng sóng đến giá trị thể hiện ở hình 2.41c. Mạch ghim là mạch được kết hợp giữa nguồn pin (hay nguồn dc), diode, tụ điện và điện trở. Điện trở và tụ điện phải được chọn để có hằng số thời gian lớn. Để tụ nạp đến giá trị không đổi và duy trì tại giá trị đó suốt trong chu kỳ của dạng sóng vào. Nếu điện áp trên tụ không duy trì gần như không đổi, thì sẽ dẫn đến méo dạng sóng nhiều hơn so với dịch đơn. Nếu đảm bảo điều kiện hằng số thời gian lớn và điện trở thuận của diode được giả thiết là bằng 0, thì dạng sóng ra là bản sao của dạng sóng vào với mức dịch thích hợp. Mỗi khi mức ra vượt quá VB, diode sẽ được phân cực thuận và sóng ra sẽ được giới hạn ở mức VB. Trong suốt khoảng thời gian đó, tụ sẽ được nạp đến giá trị là: BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 46 VC = Vm − VB Hình 2.42, là mạch ghim cho tín hiệu ra sẽ được ghim ở mức 0 (tức là không có nguồn pin nên VB = 0). Bởi vì diode được mắc ngược lại so với mạch trước, nên mức thấp nhất của tín hiệu ra sẽ được ghim, tức là tụ điện có thể nạp chỉ theo chiều là sẽ cộng thêm với mức điện áp vào. Mạch thể hiện với sóng vuông làm tín hiệu vào. Điều quan trọng là mức điện áp ngang qua tụ sẽ duy trì gần như không đổi trong suốt bán kỳ của dạng sóng vào. Theo kinh nghiệm thiết kế mạch, hằng số thời gian RC thấp nhất bằng 5 lần khoảng thời gian của bán kỳ (tức là 5 lần t1 – t0 hoặc t2 – t1). Nếu tuân theo nguyên tắc thiết kế, thì mạch RC phải có ít nhất là 20% của hằng số thời gian để nạp hoặc xả trong suốt bán kỳ, nghĩa là sẽ thay cho trị số cuối cùng trong khoảng 18% của giá trị ban đầu (tức là, exp(-0,2) = 0,82). Nếu hằng số thời gian quá nhỏ, dạng sóng sẽ bị méo dạng như chỉ ở hình 2.42c. Để làm giảm sai lệch đến mức thấp nhất so với 18%, thì có thể tăng hằng số thời gian (nghĩa là, tăng lên gấp 10 lần khoảng thời gian của bán kỳ). 2.8 BỘ CHUYỂN ĐỔI MỨC ĐIỆN ÁP DC - DC Trong hầu hết các hệ thống điện tử, nguồn cung cấp cần phải có nhiều mức điện áp. Một trong những phương pháp tạo ra các mức điện áp là sử dụng hàng loạt các mạch chỉnh lưu bán kỳ hoặc toàn kỳ. Tuy nhiên, điện áp ra của các mạch chỉnh lưu được quyết định bởi điện áp của biến áp, nên biến áp cần phải có nhiều đầu ra. Ngoài ra, hầu hết các mạch chỉnh lưu thường hoạt động ở tần số thấp 50Hz, hoặc 60Hz nên các biến áp có kích thước và trọng lượng lớn. Một phương pháp linh hoạt hơn là sử dụng các mạch biến đổi dc sang dc hiệu suất cao có thể hoạt động tại các tần số cao hơn nhiều, bằng cách như vậy sẽ làm giảm kích thước và trọng lượng của các cuộn điện cảm trong mạch. Mạch biến đổi dc sang dc sử dụng điện áp vào dc và sẽ cung cấp điện áp ra được điều khiển bằng điện tử với dãi biến đổi liên tục. Mục này sẽ đề cập hai kiểu bộ biến đổi dc sang dc: bộ biến đổi tăng sẽ tạo ra điện áp đầu ra lớn hơn điện áp đầu vào, và bộ biến đổi giảm mà điện áp ra sẽ thấp hơn so với điện áp vào. a) Bộ biến đổi kiểu tăng áp Mạch của bộ biến đổi tăng [boost converter] cơ bản như ở hình 2.43a. Phần chính của bộ biến đổi là cuộn cảm L và chuyển mạch S sẽ được chuyển mạch đóng và mở một cách định kỳ, như chỉ rõ ở hình 2.43b. Chuyển mạch sẽ kín mạch trong khoảng thời gian Ton và hở mạch trong khoảng thời gian Toff. Chuyển mạch tuần hoàn theo chu kỳ T = Ton + Toff. Diode D cũng sẽ hoạt động như một chuyển mạch nên diode sẽ ngưng khi S kín mạch và ngược lại. Điện áp vào dc sẽ được cung cấp bởi nguồn VS, còn R và C tương ứng với điện trở tải và tụ lọc. Trong các phân tích sau ta giả thiết là mạch đã được hoạt động ở trạng thái ổn định và bất kỳ quá trình quá độ khi khởi đầu đều được loại bỏ, tức là mạch đang hoạt động ở trạng thái tuần hoàn. Chuyển mạch S đóng Trong khoảng thời gian Ton chuyển mạch S kín mạch, mà điện áp đầu ra xác định được là sẽ lớn hơn 0, diode D1 sẽ phân cực ngược, suy ra mạch tương đương ở hình 2.44a. Để đơn giản sử BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 47 dụng mô hình diode lý tưởng. Điện áp vào dc VS lúc này sẽ xuất hiện trực tiếp trên cuộn cảm, và dòng điện trong cuộn cảm tại thời điểm kết thúc của khoảng thời gian Ton là: Ton V VT V iL (Ton ) = iL (0+ ) + ∫ S dt = iL (0+ ) + S t 0on = iL (0+ ) + S Ton (2.69) L L L 0 Trong khoảng thời gian (0, Ton), dòng chảy qua cuộn điện cảm tăng dần theo tốc độ hằng như thể hiện ở hình 2.45. Vì dòng trong cuộn điện cảm không thể thay đổi tức thời, iL(0+) sẽ bằng với mức dòng ngay trước khi chuyển mạch thay đổi trạng thái. Chuyển mạch S hở mạch Khi chuyển mạch hở mạch, diode sẽ dẫn, tạo đường dẫn cho dòng điện cảm chảy qua diode, điện trở tải R và tụ lọc C như thể hiện ở hình 2.44b. Để đơn giản trong việc phân tích, giả sử rằng điện áp gợn ở tín hiệu ra là đủ nhỏ để điện áp ra phải gần bằng mức điện áp dc, tức là vo ≈ VO. Với giả thiết trên, điện áp trên cuộn điện cảm sẽ không đổi như trước và bằng với VS – VO. Dòng chảy qua cuộn cảm tại thời điểm kết thúc của khoảng thời gian Toff (tức là: t = Ton + Toff = T) là: Ton + Toff V − V V − VO Ton + Toff iL (T ) = iL (Ton ) + ∫ dt = iL (Ton ) + S S O tT (2.70) L L Ton on V −V V iL (T ) = iL (0 + ) + S Ton + S O Toff (2.71) L L Khi VO vượt quá VS, dòng cuộn cảm sẽ giảm theo thời gian trong suốt khoảng thời gian Toff – lặp lại như thể hiện ở hình 2.45. Ngoài ra, do mạch hoạt động tuần hoàn với chu kỳ T, nên dòng điện cảm tại các thời điểm t = 0+ và t = T cần phải đồng nhất. Vì vậy, V − VS VS iL (T ) = iL (0 + ) nên: Ton = O Toff (2.72) L L Quan hệ cơ bản giữa điện áp ra và vào của mạch biến đổi tăng là: T VS V hay: VO = VS = =S VS (Ton + Toff ) = VOToff (2.73) Toff 1 − Ton 1 − δ T trong đó: δ = Ton / T được gọi là hệ số đầy xung [duty cycle] của dạng sóng chuyển mạch. Điện áp ra có thể thay đổi được bằng cách biến đổi hệ số đầy xung của chuyển mạch. Do 0 ≤ δ ≤ 1, nên điện áp ra VO ≥ VS; bộ biến đổi “sẽ làm tăng” mức điện áp ra cao hơn mức điện áp vào. Tính mạch lọc Lưu ý rằng, biểu thức của điện áp ra ở phương trình (2.73) là độc lập với L. Thông số thiết kế cần bổ sung để chọn giá trị điện cảm L là dòng gợn trong cuộn điện cảm. Bởi vì điện áp trên cuộn điện cảm là không đổi trong suốt cả hai khoảng thời gian Ton và Toff, dòng điện cảm có dạng sóng răng cưa như mô tả ở hình 2.45 [xem phương trình (2.69) và (2.70)]. Biên độ của dòng gợn Ir được tính theo hai cách: V −V V I r = S Ton I r = O S Toff hoặc (2.74) L L Mức dòng gợn ở hai cách tính cần phải như nhau. Từ phương trình (2.74), rút ra biểu thức cho trị số của cuộn cảm: V T ⎛T ⎞ V V L = S Ton = S ⎜ on ⎟ = S δ (2.75) Ir Ir ⎝ T ⎠ Ir f trong đó, f = 1/T là tần số của chuyển mạch. Từ phương trình (2.75), ta thấy rằng việc chọn tần BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 48 số làm việc cao hơn thì sẽ có trị số điện cảm cần thiết nhỏ hơn. Các bộ biến đổi điện áp dc sang dc có thể hoạt động tại các tần số trên 60Hz để giảm kích thước của L và f thường được chọn cao hơn dãi tần số tín hiệu tai người nghe được (tần số âm tần). Thông thường dãi tần số từ 25kHz đến 100kHz. Dòng vào dc Trong mạch tăng điện áp, dòng điện cảm trung bình IL lớn hơn so với dòng tải dc. Đối với bộ biến đổi lý tưởng, không có cơ chế suy hao trong mạch. Do vậy, công suất được phân bố đến đầu vào của bộ biến đổi cần phải bằng công suất phân chia ở điện trở tải R: V T I VS I S = VO I O hoặc: I S = O I O = I O =O (2.76) Toff 1 - δ VS Từ phương trình (2.76), ta thấy rằng dòng dc trong cuộn điện cảm là lớn hơn so với dòng tải một chiều bằng cùng hệ số khi tăng ở điện áp ra. Lưu ý rằng cuộn điện cảm cần phải được thiết kế chính xác để có khả năng hoạt động với giá trị lớn của dòng trung bình. Điện áp gợn và điện dung của mạch lọc Ở bộ biến đổi tăng áp, tụ lọc C được thiết kế để điều chỉnh mức điện áp gợn Vr theo cách tương tự như tụ lọc trong mạch nắn. Trong suốt khoảng thời gian Ton, diode D ngưng dẫn, như ở mạch hình 2.44a, nên tụ cần phải cung cấp toàn bộ dòng tải. Nếu điện áp gợn được thiết kế có biên độ nhỏ, thì dòng xã gần như không đổi (hằng số) và được tính theo IO ≈ VO/R. Dựa vào mức gần đúng này, điện áp gợn có thể được tính theo: V T ⎛T ⎞ V T I VT Vr ≈ O Ton = O on = O ⎜ on ⎟ = O δ (2.77) C RC RC ⎝ T ⎠ RC Bảng 2.1, tóm tắt các công thức thiết kế cho bộ biến đổi tăng điện áp dc – dc BẢNG 2.1: Thiết kế bộ biến đổi tăng điện áp T VS V VO = VS = =S Toff 1 − Ton 1 − δ Điện áp ra T T IO I IS = I O = =O Toff 1 - Ton 1 - δ Dòng điện nguồn cung cấp T VST ⎛ Ton ⎞ VS VS δ L = Ton = ⎟= ⎜ Cuộn điện cảm Ir Ir ⎝ T ⎠ Ir f V T ⎛T ⎞ V T C = O ⎜ on ⎟ = O δ Tụ lọc Vr R ⎝ T ⎠ RC b) Bộ biến đổi giảm áp Mạch biến đổi giảm áp [buck converter] như ở hình 2.46, được thiết kế để tạo ra điện áp đầu ra là thấp hơn so với điện áp đầu vào. Nguyên lý hoạt động của bộ biến đổi giảm áp ở hình 2.46, tương tự hoạt động của bộ biến đổi tăng áp, và chuyển mạch S sẽ hoạt động một cách tuần hoàn với cùng kiểu định thời như ở hình 2.43a. Chuyển mạch S kín mạch Trong khoảng thời gian Ton, chuyển mạch S kín mạch, nên diode D sẽ được phân cực ngược theo điện áp vào dương dẫn đến mạch tương đương ở hình 2.46b. Giả sử điện áp gợn tại đầu ra khá nhỏ để điện áp đầu ra có thể xem gần đúng mức điện áp hằng vO ≈ VO, suy ra mức điện áp trên cuộn điện cảm sẽ bằng VS – VO, và mức dòng điện cảm tại thời điểm kết thúc của khoảng thời gian Ton sẽ là: Ton V − V V − VO iL (Ton ) = iL (0+ ) + ∫ dt = iL (0+ ) + S (2.78) Ton S O L L 0 Vì dòng chảy trong cuộn điện cảm không thay đổi tức thời, nên iL(0+) sẽ bằng với mức dòng ngay trước khi chuyển mạch thay đổi trạng thái. Chuyển mạch S hở mạch Khi chuyển mạch S chuyển sang hở mạch, diode sẽ chuyển sang dẫn, tạo đường dẫn liên tục cho dòng điện cảm từ điểm đất qua diode đến điện trở tải R và tụ lọc C như mô tả ở hình 3.72c. Điện áp trên điện cảm lúc này bằng với – VO. Dòng điện cảm tại thời điểm kết thúc của Toff là: BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 49 − VO V −V V Ton +Toff iL (T ) = iL (Ton ) + ∫ dt = iL (0 + ) + S O Ton − O Toff (2.79) L L L Ton Tuy nhiên, mạch hoạt động tuần hoàn với chu kỳ T. Do đó, dòng điện cảm tại các thời điểm t = 0+ và t = T cần phải đồng nhất, nên ta có: V − VS V iL (T ) = iL (0+ ) và: O Ton = O Toff (2.80) L L Rút gọn phương trình sẽ có quan hệ cơ bản giữa điện áp đầu ra và điện áp đầu vào của bộ biến đổi giảm áp: T VO = VS on = VSδ (2.81) T Trong đó, δ là hệ số đầy xung của chuyển mạch. Do Ton ≤ T, điện áp ra VO ≤ VS. Ở bộ biến đổi giảm áp điện áp cuộn điện cảm sẽ “làm giảm” điện áp vào, nên điện áp đầu ra là thấp hơn so với điện áp đầu vào. Điện áp ra của bộ biến đổi giảm áp tỷ lệ thuận với hệ số đầy xung δ. Tính điện cảm Quan hệ giữa điện áp vào và ra được biểu diễn theo phương trình (2.81) lại độc lập với L, nên việc tính trị số điện cảm sẽ được quyết định bởi thông số dòng gợn. Dạng sóng dòng điện cảm của mạch biến đổi giảm áp là rất giống với dạng sóng dòng điện ở mạch biến đổi tăng áp như ở hình 3.73. Biên độ dòng gợn Ir được tính bởi: V −V V I r = S O Ton = O Toff (2.82) L L Từ phương trình (3.93) suy ra biểu thức cho giá trị của cuộn điện cảm: V T ⎛T ⎞ V T ⎛ T ⎞ V V L = O Toff = O ⎜ off ⎟ = O ⎜1 − on ⎟ = O (1 − δ ) (2.83) Ir Ir ⎝ T ⎠ Ir ⎝ T ⎠ Ir f Trong mạch biến đổi giảm áp, dòng dc IL bằng với dòng tải IO. Dòng cần phải được cung cấp từ nguồn VS sẽ được tính theo: BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 50 VO T = I O on = I Oδ VS I S = VO I O IS = I O hoặc: (2.84) VS T Từ phương trình (2.84), ta thấy rằng dòng vào dc đến bộ biến đổi là thấp hơn mức dòng tải. Điện áp gợn và điện dung của tụ lọc Ở mạch biến đổi giảm áp, chỉ dòng gợn cần phải được hấp thụ bởi tụ lọc C. Điện áp thay đổi theo chiều dương trên tụ cần phải cân bằng với điện áp thay đổi theo chiều âm, bằng với điện áp gợn Vr: 1 ⎛ I ⎞ ⎛T +T ⎞ I T 1 Ton +(Toff )/2 ∆Q Vr = ∫ ir dt = trong đó: ∆Q = ⎜ r ⎟ = ⎜ on off ⎟ = r (2.85) C C 2⎝ 2 ⎠ ⎝ 2 ⎠ 8 Ton / 2 Tích phân của dòng điện trên tụ là kết quả của tổng thay đổi về điện tích ∆Q trên tụ lọc nên sẽ tương ứng với diện tích vùng tam giác tô đậm ở hình 2.47. Biểu thức của trị số điện dung có thể xác định bằng các phương trình (2.83) và (2.85): I T V T2 (1 − δ ) C= r = O (2.86) 8Vr Vr 8L Bảng 2.2 tóm tắt các công thức cần thiết để thiết kế bộ biến đổi giảm áp. BẢNG 2.2: Thiết kế bộ biến đổi giảm áp T VO = VS on = VSδ Điện áp ra T Ton = I Oδ IS = I O Dòng điện nguồn cung cấp T V T ⎛T ⎞ V L = O ⎜ off ⎟ = O (1 − δ ) Cuộn điện cảm Ir ⎝ T ⎠ Ir f I rT VO T 2 (1 − δ ) C= = Tụ lọc 8Vr Vr 8L 2.9 CÁC THÔNG SỐ KỸ THUẬT CỦA DIODE Có rất nhiều loại diode, và tất cả các loại diode chỉ cho phép dòng điện chảy qua khi được phân cực thuận, và chặn dòng chảy khi được phân cực ngược. Sự khác nhau ở các diode có thể thấy ở các thông số điện được liệt kê ở các trang số liệu về diode. Điện áp ngược lặp lại đỉnh hay đôi khi gọi là điện áp ngược đỉnh (PIV), và dòng thuận trung bình là hai thông số quan trọng nhất khi sử dụng diode. Sáu thông số điển hình thường có ở các trang số liệu về diode. 1. Điện áp ngược lặp lại đỉnh ( VRRM ) là điện áp ngược lớn nhất có thể được áp đặt lặp lại trên diode. Lưu ý rằng thông số này cũng chính là thông số định mức PIV. Thông số điện áp ngược có thể có ở các loại diode trong khoảng từ 5V đến 2000V. 2. Dòng thuận trung bình ( I 0 ) là giá trị dòng điện có thể chảy qua diode liên tục lớn nhất khi diode được phân cực thuận. Mức dòng thuận lớn nhất có thể trong khoảng từ vài mA đến trên 1000A. 3. Dòng thuận xung đỉnh ( I FSM ) là biên độ lớn nhất của xung dòng thuận mà diode có thể chịu đựng được. Giá trị điển hình là từ 10 ÷ 30 lần lớn hơn thông số dòng thuận trung bình. Ví dụ, một diode có mức dòng thuận trung bình là 12A thì có thể có mức xung dòng thuận đỉnh là 250A. 4. Sụt áp thuận ( VF ) là mức sụt áp lớn nhất ngang qua diode khi được phân cực thuận. Mức sụt áp điển hình ngang qua diode silicon khi được phân cực thuận là 0,7V; tuy nhiên, ở các trạng thái dòng cao hơn, mức sụt áp có thể cao hơn đáng kể. Thông thường, sụt áp thuận lớn nhất cho theo mức dòng thuận trung bình lớn nhất ( I 0 ). 5. Dòng ngược ( I R ) là mức dòng rò lớn nhất chảy qua diode khi được phân cực ngược. Dòng ngược bị ảnh hưởng lớn do nhiệt độ làm việc của diode. 6. Thời gian hồi phục ngược ( t rr ) là khoảng thời gian cần thiết để diode ngưng dẫn khi diode được chuyển sang phân cực ngược. Thời gian hồi phục ngược là thông số quan trọng đặc biệt đối với các diode chuyển mạch tốc độ cao. BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 51 Cấu tạo của diode sẽ quyết định mức dòng làm việc, mức công suất có thể tiêu tán, và mức điện áp ngược lớn nhất mà diode có thể chịu được không bị hỏng. Mỗi hãng sản xuất cho tiêu chuẩn theo các trang số liệu về cấu kiện. Các thông số chính có ở trang số liệu của hãng sản xuất đối với một diode chỉnh lưu như sau: 1. Loại cấu kiện với chữ số thông thường hay các số của hãng sản xuất. 2. Điện áp ngược đỉnh (PIV). 3. Dòng ngược lớn nhất tại PIV. 4. Điện áp thuận dc lớn nhất. 5. Mức dòng thuận chỉnh lưu bán kỳ trung bình. 6. Nhiệt độ tiếp giáp lớn nhất. 7. Các đặc tuyến suy giảm mức dòng. 8. Họ đặc tuyến cho các thay đổi về nhiệt độ để cấu kiện có thể bị suy giảm ở các nhiệt độ cao hơn. Trong trường hợp diode zener, các thông số sau thường có ở các trang số liệu: 1. Loại cấu kiện theo chữ số thông thường hay số của nhà sản xuất. 2. Điện áp zener bình thường (điện áp đánh thủng thác). 3. Mức sai số của điện áp. 4. Mức tiêu tán công suất lớn nhất (ở 25oC). 5. Dòng đo thử IZT. 6. Trở kháng động tại mức IZT. 7. Mức dòng khuỷu. 8. Nhiệt độ tiếp giáp lớn nhất. 9. Hệ số nhiệt độ. 10. Họ đặc tuyến suy giảm đối với các nhiệt độ cao hơn. Chọn thông số kỹ thuật ví dụ và xem thông tin cho ở trang số liệu. Sử dụng diode chỉnh lưu 1N4001 thể hiện ở phụ lục D, có các thông số như sau: 1. PIV = 50V. 2. Dòng ngược lớn nhất (tại điện áp dc định mức) ở 25oC là 10µA. Ở 100oC có mức dòng lớn nhất là 50µA. 3. Sụt áp thuận tức thời lớn nhất tại 25oC là 1,1V. 4. Dòng thuận chỉnh lưu trung bình tại 25oC là 1A. 5. Khoảng nhiệt độ làm việc chịu trong thời gian dài của tiếp giáp (TJ) là – 65oC đến + 175oC. Hình 1.49, là đặc tuyến suy giảm dòng điện điển hình, cho biết cần phải điều chỉnh mức dòng định mức khi nhiệt độ tăng vượt qua nhiệt độ môi trường xung quanh. Đặc tuyến tương tự thường cho theo thông số suy giảm công suất. 2.10 CÁC LOẠI DIODE BÁN DẪN ĐẶC BIỆT a) Diode biến dung Diode biến dung hay varactor, là loại cấu kiện bán dẫn có chức năng như một tụ điện có thể thay đổi. Nhắc lại rằng, tụ điện là một linh kiện gồm hai bản cực dẫn điện được cách ly bằng một lớp điện môi (vật liệu cách điện). Trị số điện dung của tụ phụ thuộc vào ba yếu tố: diện tích của hai bản cực, khoảng cách giữa hai bản cực, và loại vật liệu làm điện môi cách ly giữa hai bản cực. Điện dung tỷ lệ thuận với diện tích của hai bản cực (A) và hệ số diện môi ε, tỷ lệ nghịch với khoảng cách (d) giữa hai bản cực: C = εA / d Hình 2.49a, là cấu trúc bên trong của diode khi được phân cực ngược, bao gồm hai vùng có các hạt tải điện (vùng p và vùng n) được cách ly bởi vùng nghèo không có các hạt tải điện. Diode khi được phân cực ngược đóng vai trò tương tự một tụ điện. Hai vùng p và n có chức năng như BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 52 hai bản cực dẫn điện, còn vùng nghèo có chức năng như một lớp điện môi. Hình 2.49b, cho thấy khi điện áp phân cực ngược tăng lên, thì vùng nghèo sẽ rộng ra. Tụ vẫn có điện dung nhưng vì hai vùng dẫn cách xa hơn nên điện dung đã bị giảm xuống. Varactor là một diode được chế tạo để có điện dung tiếp giáp cao. Trị số điện dung của varactor được điều khiển bằng độ lớn của điện áp phân cực ngược đặt vào varactor. Điện áp phân cực ngược lớn hơn thì điện dung của varactor sẽ nhỏ hơn. Hình 2.50, là ký hiệu và đặc tuyến điện dung theo điện áp phân cực ngược của diode biến dung mang số hiệu MVAM 108. Mạch hình 2.51, là mạch điều chỉnh để chọn tần số của tín hiệu từ antenna sử dụng diode biến dung. Khi cộng hưởng, mạch điều hưởng song song có trở kháng cao. Tín hiệu từ antenna tại tần số cộng hưởng của mạch điều hưởng sẽ tạo ra một sụt áp trên trở kháng cao của mạch điều hưởng nên tín hiệu sẽ được khuyếch đại. Các tần số tín hiệu tại các tần số khác sẽ xem mạch điều hưởng như mạch có trở kháng thấp so với đất nên sẽ không được đưa đến mạch khuyếch đại. Giá trị điện dung tương đương của mạch cộng hưởng bằng 500pF mắc song song với nhánh 2 tụ có điện dung 0,1µF và điện dung của diode biến dung. Ví dụ 2.5, là mạch điều hưởng sử dụng diode biến dung MVAM108 để điều chỉnh tần số cộng hưởng. BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 53 Ví dụ 2.5: Hãy tính tần số cộng hưởng của mạch điều hưởng [tuner] ở hình 2.51, theo hai mức điện áp đặt vào là (a) 1V và (b) 7V. - Từ đặc tuyến điện dung theo điện áp ngược ở hình 2.50, ta xác định được trị số điện dung của diode biến dung tại điện áp phân cực ngược 1V và 7V: (a) 500pF @ 1V; (b) 55pF @ 7V. - Tính điện dung tương đương của mạch điều hưởng. Vì điện dung tương đương của diode biến dung là nhỏ hơn nhiều so với 0,1µF, nên điện dung của mạch nối tiếp sẽ bằng trị số điện dung của varactor. Tổng điện dung tương đương của mạch cộng hưởng bằng giá trị điện dung của varactor song song với 500 pF. (a) Ceq @ 1V = 500pF + 500pF = 1000pF (b) Ceq @ 7V = 55pF + 500pF = 555pF 1 - Tính tần số cộng hưởng tại cả hai mức điện áp đặt vào diode biến dung: FR = 2π LC 1 1 (a) FR = = 504kHz (b) FR = = 676kHz 2π 100µH ×1000pF 2π 100µH × 555pF b) Các diode chuyển mạch tần số cao. Giới thiệu. Diode biến dung là một ví dụ ứng dụng giá trị điện dung có trong diode tiếp giáp pn khi được phân cực ngược. Tất cả các diode tiếp giáp pn đều có một giá trị điện dung nào đó; điện dung của tiếp giáp pn không đáng kể khi sử dụng diode tiếp giáp ở mạch tần số thấp, nhưng mạch làm việc ở dãi tần số cao, thì dung kháng (XC) của tiếp giáp pn có thể làm giảm đến mức không còn dòng ngược. Thời gian hồi phục ngược (trr) là thời gian cần thiết để diode ngưng dẫn khi diode đã được phân cực ngược. Thông số thời gian hồi phục ngược trở thành yếu tố quan trọng tại tốc độ chuyển mạch cao. Các diode chỉnh lưu tần số thấp có thông số thời gian hồi phục ngược định mức vào khoảng vài microsecond, ngược lại các diode chuyển mạch tốc độ cao có thời gian hồi phục ngược vào khoảng vài nanosecond. Các nhà sản xuất đã chế tạo các diode chuyển mạch tần số cao có thể làm việc tại các tần số trên 3000MHz. Diode hồi phục bậc thang. Diode hồi phục bậc là diode tiếp giáp pn. Vật liệu p và n gần tiếp giáp được pha tạp loãng. Sự pha tạp ở vật liệu bán dẫn sẽ được tăng dần theo khoảng cách tăng lên từ tiếp giáp. Diode hồi phục bậc sẽ làm giảm điện dung tiếp giáp nên cho phép diode hồi phục bậc làm việc ở tần số cao. Ký hiệu mạch của diode hồi phục bậc như với diode thông thường. Diode PIN. Hình 2.52, là cấu tạo của diode PIN, với vùng vật liệu bán dẫn P và N được pha tạp đậm đặc cách ly bằng một vùng không pha tạp hay vật liệu bán dẫn thuần. Tên gọi diode PIN bắt nguồn từ loại vật liệu bán dẫn được sử dụng trong cấu trúc của diode. Vật liệu thuần đóng vai trò như chất điện môi phân cách hai vùng dẫn. Sự ngăn cách hai vùng dẫn sẽ làm giảm điện dung tiếp giáp của diode nên diode PIN có thể được sử dụng ở tần số cao. Ký hiệu mạch của diode PIN như ký hiệu của diode thông thường. Diode Schottky. Diode Schottky còn được gọi là diode hạt tải nóng [hot - carrier diode] không có tiếp giáp pn, mà tiếp giáp của diode Shottky được tạo thành bằng một tấm chắn kim loại (vàng, platinum, bạc) và vật liệu bán dẫn - n (hình 2.53). Diode Schottky có đặc tuyến dòng – áp tương tự như diode tiếp giáp pn, ngoại trừ điện áp mở thuận Vγ trong khoảng từ 0,3V đến 0,6V. Điện dung BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 54 liên quan với diode Schottky là cực nhỏ. Khi diode Schottky làm việc ở chế độ phân cực thuận, dòng điện được tạo ra bởi sự di chuyển của các điện tử từ silicon dạng n thông qua rào chắn và lớp kim loại. Do các điện tử tái hợp tương đối nhanh khi qua lớp kim loại, thời gian tái hợp ngắn vào khoảng 10ps, nhanh hơn nhiều so với ở diode tiếp giáp pn thông thường, nên diode Schottky có ý nghĩa lớn trong các ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao. Diode Schottky được sử dụng nhiều trong công nghệ mạch tích hợp do dễ chế tạo và có thể sản xuất đồng thời các cấu kiện khác trên một chip. Việc chế tạo một diode tiếp giáp pn đòi hỏi khuyếch tán bán dẫn dạng p nhiều hơn so với diode Schottky, nhưng việc chế tạo diode Schottky có thể yêu cầu bổ sung bước phủ kim loại. Các đặc tính tạp âm thấp của diode Schottky tạo cho diode lý tưởng đối với ứng dụng trong việc giám sát công suất của dãi tần radio mức thấp, các mạch tách sóng ở tần số cao, và các bộ trộn trong radar Doppler. Lợi thể của diode Schottky là mức sụt áp thuận của nó thấp và tốc độ chuyển mạch của diode. Các diode Schottky có thể được chế tạo để có thời gian đóng mở vào khoảng 10nS. Do tốc độ chuyển mạch cao và sụt áp thuận thấp, các diode Schottky thường được sử dụng trong các bộ nguồn cung cấp kiểu chuyển mạch. Ký hiệu mạch của diode Schottky như ở hình 2.53. c) Diode phát quang - LED [light - emitting diode] Một số loại diode khác có khả năng biến đổi năng lượng điện thành năng lượng sáng. Diode phát quang sẽ chuyển đổi dòng điện thành ánh sáng rất hiệu quả trong các loại hiển thị khác nhau và đôi khi có thể sử dụng làm nguồn phát sáng cho các ứng dụng thông tin bằng cáp sợi quang. Một điện tử có thể rơi từ dãi dẫn vào một lỗ trống và phát ra năng lượng dưới dạng một photon của ánh sáng. Các liên quan của xung lượng và năng lượng trong silicon và germanium như vậy làm cho điện tử phát ra năng lượng dưới dạng nhiệt năng khi điện tử trở lại từ dãi dẫn xuống dãi hóa trị. Tuy nhiên, điện tử trong tinh thể gallium arsenide sẽ tạo ra photon khi điện tử rơi trở lại từ dãi dẫn xuống dãi hóa trị. Mặc dù không có đủ điện tử trong tinh thể để tạo ra ánh sáng có thể nhìn thấy khi áp đặt phân cực thuận, một số lượng lớn điện tử sẽ được phóng thích từ vật liệu n vào vùng vật liệu p. Các điện tử đó sẽ kết hợp với các lỗ trống trong vùng vật liệu p tại mức năng lượng của dãi hóa trị, nên các photon sẽ được bức xạ. Cường độ sáng tỷ lệ với tốc độ tái hợp của các điện tử và do đó tỷ lệ với dòng điện của diode. Diode bằng gallium arsenide sẽ phát ra sóng ánh sáng tại bước sóng gần dãi hồng ngoại. Để tạo ra ánh sáng ở dãi có thể nhìn thấy cần phải trộn gallium phosphide với gallium arsenide. Khi LED đang dẫn, mức sụt áp thuận vào khoảng 1,7V. Lượng ánh sáng phát ra bởi LED tùy thuộc vào mức dòng chảy qua diode; mức dòng lớn hơn sẽ phát ra ánh sáng rõ rệt hơn. Cần phải lắp nối tiếp với LED một điện trở hạn dòng để tránh làm hỏng diode. Trị số của điện trở hạn dòng dễ dàng tính bằng mức dòng dẫn giới hạn của LED vào khoảng 10mA, với điện áp dẫn của diode vào khoảng 1,7V. Ví dụ cần phải chọn điện trở hạn dòng để LED phát ra ánh sáng thích hợp khi đặt mức nguồn 5Vdc đến LED như mạch ở hình 2.54a. Với mức dòng giới hạn chảy qua LED vào khoảng 10mA khi LED dẫn và mức điện áp dẫn là 1,7V, sụt áp trên RCL là: 5V – 1,7V = 3,3V. Với mức dòng lớn nhất khoảng 10mA, thì trị số điện trở của RCL = 330Ω. Chính là trị số điện trở thông dụng cho việc sử dụng nguồn 5V để có LED hiển thị. d) Photodiode Photodiode hay Quang diode có chức năng ngược lại so với LED, tức là photodiode sẽ biến đổi năng lượng sáng thành dòng điện. Áp dụng phân cực ngược cho photodiode nên dòng bảo hòa ngược sẽ được điều chỉnh bằng cường độ ánh sáng chiếu vào diode. Ánh sáng sẽ tạo ra các cặp điện tử - lỗ trống, tức là gây ra dòng điện. Kết quả là mức dòng quang ở mạch ngoài sẽ tỷ lệ theo cường độ ánh sáng chiếu vào cấu kiện. Diode hoạt động như bộ tạo dòng hằng với điều kiện điện áp không vượt quá điện áp đánh thủng thác lũ. Thời gian đáp ứng nhỏ hơn 1µs. Độ nhạy của diode có thể tăng lên nếu vùng tiếp giáp được chế tạo lớn hơn khi thu nhận nhiều photon hơn, nhưng điều này cũng sẽ làm tăng thời gian đáp ứng do điện dung tiếp giáp (và do hằng số thời gian RC) tăng. Cấu tạo của photodiode gồm một mẫu vật liệu bán dẫn tạp - p được khuyếch tán vào đế bằng vật liệu bán dẫn tạp - n để hình thành tiếp giáp pn. Vật liệu tạp - n được để lộ sáng thông qua một cửa sổ. Photodiode được chế tạo làm việc ở chế độ phân cực ngược như ở hình 2.54b, Ở chế độ phân cực ngược dòng chảy qua diode phụ thuộc vào dòng các hạt tải thiểu số. Trong photodiode, lượng các hạt tải thiểu số tỷ lệ thuận với lượng ánh sáng chiếu vào qua cửa sổ. Vể cơ bản một BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 55 photodiode là một điện trở nhạy sáng, cường độ sáng lớn hơn sẽ làm cho giá trị điện trở phân cực ngược thấp hơn. Photodiode có đáp ứng thay đổi theo cường độ sáng nhanh hơn so với tất cả các dụng cụ quang. Nếu bổ sung một lớp bán dẫn thuần vào cấu tạo của photodiode giữa lớp bán dẫn tạp loại - p và n thì có thể cải thiện hiệu suất của photodiode, do vùng không pha tạp bổ sung có tác dụng làm cho vùng nghèo rộng ra. Bởi vì vùng nghèo rộng hơn nên các photon vào cửa sổ của diode có khả năng tạo ra cặp điện tử / lỗ trống nhiều hơn nên làm cho diode có hiệu suất cao trên một dãi tần số ánh sáng rộng hơn. Hơn nữa, vùng nghèo rộng hơn sẽ làm giảm điện dung của diode nên cho thời gian đáp ứng nhanh hơn. Các photodiode có bổ sung lớp bán dẫn thuần thường gọi là photodiode PIN. Hình 2.54b, là mạch photodiode. Hình 2.54c, là đặc tuyến theo các cường độ ánh sáng H khác nhau. Dòng photodiode IP có thể tính từ phương trình sau: I P = ηqH trong đó, η là hiệu suất lượng tử; q điện tích của điện tử, 1,6 x 10- 19C; H = Φ x A là cường độ ánh sáng (số lượng photon trong một giây); Φ là mật độ thông lượng photon (số lượng photon trong một giây trong một cm vuông); A là diện tích tiếp giáp (tính theo cm2). Phần lớn các bộ tách sóng ánh sáng bằng bán dẫn gồm một tiếp giáp photodiode và một mạch khuyếch đại, thường là đặt trên một chip đơn. e) Bộ bảo vệ quá điện áp. Hình 2.55, là mạch hai diode zener mắc đối đầu nhau nối ngang qua đường dây nguồn cung cấp ac để bảo vệ thiết bị điện tử không bị quá điện áp nguồn cung cấp ac. Điện áp đĩnh của đường dây 220Vac là khoảng 310VP . Thiết bị điện tử có mạch nguồn cung cấp được thiết kế với điện áp đường dây ac đầu vào và biến đổi điện áp ac thành các mức điện áp dc cần thiết. Đôi khi có các thăng giáng điện áp nguồn cung cấp xuất hiện trên đường dây điện ac làm cho điện áp đỉnh lên đến hàng ngàn volt do sấm sét chẳng hạn, hoặc do các việc đóng cắt các tải điện cảm cũng có thể gây quá áp trên đường dây. Nếu hai diode zener ở hình 2.55, có thông số điện áp đánh thủng là 320V, thì ở trạng thái bình thường, diode zener sẽ không dẫn điện, và thiết bị điện tử sẽ nhận mức điện áp đường dây cần thiết. Nếu quá điện áp nguồn cung cấp xuất hiện trên đường dây điện vượt quá 320,7V đỉnh, thì hai diode zener sẽ dẫn điện ghim mức điện áp vào ở mức 320,7V. Mức điện áp gợn cao sẽ tạo ra dòng lớn chảy qua hai diode zener, tức là gây ra sự tiêu tán công suất lớn. Điều may mắn là xung gợn thường nhỏ hơn một milligiây. Các hãng sản xuất cấu kiện BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 56 bán dẫn đã chế tạo các nhóm diode zener chuyên dụng để xử lý sự tiêu tán công suất lớn trong một khoảng thời gian ngắn. Các dụng cụ đó được gọi là các bộ triệt điện áp quá độ [TVS - transient voltage suppressor]. Ví dụ, các TVS của hãng Motorola có thể tiêu tán công suất là 1500W trong 1ms. Các bộ triệt điện áp quá độ còn có dạng một diode zener. Mức điện áp đánh thủng của TVS loại thấp là 6V và loại cao là 350V. Ký hiệu mạch của TVS một chiều và hai chiều như ở hình 2.55b. Một loại cấu kiện điện tử khác là điện trở thay đổi bằng oxide kim loại [metal - oxide varistor MOV], gọi là varistor có chức năng tương tự như TVS bằng zener. Sự khác nhau ở chổ varistor được chế tạo bằng các hạt oxide kẽm khác so với bằng các vật liệu bán dẫn thông thường. Cấu trúc của varistor cho phép tiêu tán công suất lớn hơn nên các varistor có thể xử lý các mức điện áp và dòng lớn hơn. Có các varistor với điện áp đánh thủng từ 8V đến 1000V. Nhược điểm của các varistor là có điện dung lớn; nên varistor ít được sử dụng trên các đường dây thông tin. Ký hiệu của varistor như ở hình 2.55c. BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 2: TIẾP GIÁP PN & DIODE BÁN DẪN
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 56 TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG CHƯƠNG 3. Transistor hiệu ứng trường gọi tắt là FETs [Fiel-Effect Transistors] bao gồm hai loại chính đó là: Transistor hiệu ứng trường có cấu trúc cổng bằng bán dẫn-oxide-kim loai, gọi tắt là MOSFET [Metal-Oxide-Semiconductor FET], và transistor hiệu ứng trường có cấu trúc cổng bằng tiếp giáp pn, thường gọi là JFET [Junction FET]. Transistor MOSFET đã trở thành một trong những dụng cụ bán dẫn quan trọng nhất trong việc thiết kế chế tạo các mạch tích hợp (ICs) do tính ổn định nhiệt và nhiều đặc tính thông dụng tuyệt vời khác của nó. Cả MOSFET và JFET đều dẫn điện theo các kênh dẫn, nên mỗi loại đều có ở dạng kênh dẫn bằng bán dẫn n hoặc p, gọi là MOSFET kênh n (gọi tắt là NMOS), MOSFET kênh p (gọi tắt là PMOS) và JFET kênh n và JFET kênh p tương ứng. Ngoài ra, đối với MOSFET dựa theo nguyên tắc hình thành kênh dẫn mà có MOSFET cảm ứng kênh hay tăng cường kênh; giàu kênh (kênh không có sẵn) và MOSFET nghèo kênh (kênh có sẵn). 3.1 CẤU TRÚC CƠ BẢN CỦA MOSFET . Cấu tạo cơ bản và ký hiệu mạch của MOSFET kênh n được cho ở hình 3.1. Phần chính của một MOSFET có cấu trúc như hai bản cực của một tụ điện: một bản kim loại ở phía trên được nối với chân ra gọi là chân Cổng [Gate] G, bản cực phía dưới là phiến đế làm bằng vật liệu bán dẫn Si tạp dạng p, đôi khi đế được nối với cực nguồn ở bên trong MOS (MOS ba chân), nhưng phần lớn, cực đế được lấy ra bằng một chân thứ tư có tên là chân Đế [Bode] B, (có khi còn gọi là cực SS [Substrate]) để có thể cho phép điều khiển bởi mức điện thể của nó từ bên ngoài. Lớp điện môi của tụ chính là lớp cách điện rất mỏng di ôxit Silicon (SiO2), do cấu trúc như vậy nên Cổng - Đế được gọi là cấu trúc của tụ MOS [Metal-Oxide-Semiconductor]. Các chân Nguồn [Source] S và Máng [Drain] D, là các chân được nối với các vùng bán dẫn tạp dạng n+ đặt bên trong phiến đế, gọi là vùng Nguồn và vùng Máng tương ứng. Đối với một dụng cụ bán dẫn kênh n, thì dòng điện được hình thành bằng các điện tử và vùng Nguồn và Máng được cấu tạo bởi các vùng pha tạp đậm n+ (vào khoảng 1020 cm-3) để có thể tiếp xúc tốt với kênh dẫn. Người ta dùng phương pháp cấy ion để tạo ra vùng Nguồn và Máng sau khi cấu trúc Cổng đã được xác lập sao cho hai vùng này thẳng hàng với vùng Cổng, và để sự hình thành kênh dẫn được liên tục cần phải có sự chồng lấn giữa vùng Cổng với vùng Nguồn và Cổng với Máng ở hai đầu kênh dẫn. Do cấu tạo của dụng cụ có tính đối xứng nên Nguồn và Máng có thể thay thế lẫn nhau. Vùng bán dẫn giữa hai vùng Nguồn và Máng ngay phía dưới Cổng được gọi là vùng kênh. Khoảng cách giữa hai tiếp giáp pn (vùng Nguồn-Đế và vùng Máng-Đế) là chiều dài hiệu dụng của kênh L. và W là chiều rộng của kênh. Vùng đế là một bán dẫn tạp kiểu ngược lại với hai vùng Nguồn và Máng (thường ở mức pha tạp loãng hơn) để đảm bảo cách ly giữa hai vùng. Lớp ôxit (SiO2) được tạo ra bằng cách gia nhiệt ở nhiệt độ cao để có các đặc tính bề mặt chung tốt nhất. Vật liệu làm Cổng thông dụng nhất là kim BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 3: TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 57 loại hoặc polysilicon. Khi chiều dài kênh dẫn bằng 0,3µm, thì các thông số điển hình là: chiều dày của lớp ôxit ≈ 10µm, mức pha tạp của vùng đế là ≈ 3x1017cm-3, độ dày tiếp giáp pn giữa Máng-Đế và Nguồn-Đế là ≈ 0,2µm. Đối với mỗi loại kênh dẫn, thì mức ngưỡng của điện áp cổng phải thích hợp để có thể làm biến đổi kênh dẫn. Nếu kênh dẫn biến mất tại điện áp cổng bằng 0 (tức là kênh dẫn thường hở - normally OFF) thì MOSFET được gọi là dụng cụ tăng cường kênh do điện áp cổng cần phải có cho sự “tăng cường” [enhance] hay làm giàu kênh dẫn, (hình 3.1a, b, c). Nếu kênh là có sẵn tại điện áp cổng bằng 0 (tức thường kín - ON), thì MOSFET được gọi là dụng cụ nghèo kênh vì điện áp cổng cần cho việc “làm suy kiệt” [deplete] hay làm nghèo kênh dẫn, (hình 3.1d). Các điện áp và dòng điện của MOSFET kênh n cũng đã được xác định rõ trên hình 3.1b. Dòng Máng iD, dòng Nguồn iS, dòng Cổng iG, và dòng đế iB được xác định với chiều dương của dòng được chỉ rõ cho một transistor MOSFET kênh n. Các điện áp giữa các cực quan trọng là điện áp Cổng-Nguồn: vGS = vG - vS , điện áp Máng-Nguồn: vDS = vD - vS , và điện áp Nguồn-Đế: vSB = vS - vB . Tất cả các điện áp này đều có giá trị ≥ 0 trong chế độ hoạt động thông thường của N MOSFET. Chú ý rằng: các vùng Nguồn và Máng tạo thành tiếp giáp pn với vùng Đế. Hai tiếp giáp này luôn luôn được giữ ở điều kiện phân cực ngược để có sự cách ly giữa các tiếp giáp của transistor MOS. Vì vậy, điện áp Đế phải nhỏ hơn hoặc bằng với điện áp ở các cực Nguồn và Máng để đảm bảo cho các tiếp giáp pn được phân cực ngược một cách thích hơp, tức: iB ≈ 0. Ngoài ra, Cổng phải là một bản cực kim loại để có tiếp xúc mặt nhưng vẫn được cách điện với vùng kênh qua lớp SiO2, hay nói cách khác là không có kết nối điện trực tiếp giữa cực Cổng và kênh dẫn ở MOSFET, nên MOSFET là một dụng cụ có trở kháng vào rất cao, bởi vì dòng Cổng rất nhỏ, iG ≈ 0 ở cấu hình phân cực dc. Vì lý do này mà đôi khi MOSFET còn có tên gọi là FET có cổng cách ly hay IGFET [Insulated-Gate FET]. 3.2 NGUYÊN LÝ LÀM VIỆC VÀ ĐẶC TUYẾN CỦA NMOS KIỂU TĂNG CƯỜNG. a) Các đặc tính của tụ MOS. Như đã nói ở cấu tạo, trung tâm của MOSFET thực chất là có cấu trúc của tụ MOS, được vẽ ở hình 3.2a, trong đó điện cực phía trên của tụ được hình thành bởi một bản kim loại, chẳng hạn như nhôm hoặc một chất có cấu trúc đa tinh thể được pha tạp đậm đặc (đa tinh thể Si), điện cực này xem như cực Cổng (G). Một lớp cách điện mỏng thương bằng di-ôxit Si sẽ cách ly cổng bằng kim loại với đế là một vùng bán dẫn mà tính năng của nó như một điện cực thứ hai của tụ MOS. Diôxit Si là một chất cách điện chất lượng cao, rất ổn định và dễ dàng được tạo thành bởi sự ô-xy hóa bằng nhiệt thanh đế Silicon. Khả năng để tạo thành một chất cách điện chất lượng cao là một trong những lý do cơ bản mà Silicon trở thành vật liệu bán dẫn chủ yếu trong công nghệ chế tạo dụng cụ bán dẫn hiện nay. Vùng bán dẫn làm đế có thể là n hay p như ở hình 3.2a. Nguyên lý làm việc của tụ MOS là bản chất nguyên tắc hoạt động của MOSFET. Lớp bán dẫn tạo thành điện cực phía dưới của tụ có điện trở suất lớn do số BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 3: TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG
CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 58 lượng các lỗ trống và điện tử trong vùng đế được hạn chế (pha tạp loãng), điện dung của tụ có cấu trúc như trên là một hàm phi tuyến của điện áp vG. Hình 3.2(b, c, d) mô tả các trạng thái tức thời ở vùng bán dẫn làm đế, phía dưới điện cực Cổng theo ba giá trị điện áp phân cực khác nhau. - Vùng Tích lũy. Trạng thái của tụ MOS khi đặt điện áp phân cực âm lớn lên cực Cổng so với cực Đế được cho ở hình 3.2b. Lượng điện tích âm lớn trên bản kim loại sẽ cân bằng bởi các lỗ trống được thu hút đến bề mặt phẳng chung giữa lớp bán dẫn đế và lớp di ôxit Si, trực tiếp ngay phía dưới bản cực Cổng. Đối với trạng thái phân cực này, mật độ lỗ trống tại bề mặt vượt trội hơn so với mật độ lỗ trống hiện có trong đế bán dẫn p ban đầu và ta có thể xem rằng bề mặt như ở vùng tích lũy lỗ trống. Lớp tích lũy cực kỳ mỏng, tồn tại chủ yếu như một dải điện tích trực tiếp ngay phía dưới cực Cổng. - Vùng Nghèo. Khi tăng dần điện áp đặt trên Cổng. Ban đầu, các lỗ trống sẽ bị đẩy ra khỏi bề mặt của đế bán dẫn p gần sát với lớp ôxit Si, làm cho mật độ lỗ trống ở gần bề mặt giảm dần thấp hơn mức các hạt tải đa số được thiết lập bởi mức pha tạp của thanh đế như mô tả ở hình 3.2c. Trạng thái này được gọi là sự làm nghèo và chế độ làm việc này của tụ MOS được gọi là chế độ nghèo. Vùng ngay phía dưới bản cực Cổng bằng kim loại bị suy kiệt các hạt tải điện tự do theo cách thức như vậy được gọi là vùng nghèo, vùng này có trạng thái gần như lớp tiếp xúc của diode tiếp giáp pn. Ở hình 3.2c, điện tích dương trên cực Cổng sẽ được cân bằng bởi điện tích âm của các nguyên tử acceptor đã bị ion hóa trong vùng nghèo. Độ rộng của vùng nghèo có thể thay đổi từ một vài phần mười micron đến vài trăm micron tùy thuộc vào điện áp phân cực đặt vào và mức pha tạp ở vùng bán dẫn dùng làm đế của MOSFET. - Vùng Đảo. Khi tăng điện áp trên bản cực phía trên của tụ hơn nữa, các điện tử sẽ được thu hút đến bề mặt chung của lớp bán dẫn đế và lớp di-ôxit Silicon. Tại một giá trị điện áp nào đó, mật độ điện tử tại bề mặt sẽ vượt trội hơn mật độ lỗ trống. Ở điện áp này, bề mặt đã được đảo cực tính từ bán dẫn tạp dạng p của đế bán dẫn ban đầu thành một lớp đảo bán dẫn tạp dạng n, hay gọi là vùng đảo, trực tiếp ngay phía dưới bản cực G của tụ. Vùng đảo này là một lớp rất mỏng, tồn tại chủ yếu như một dải điện tích trực tiếp ngay phía dưới vùng Cổng. Mật độ cao của các điện tử ở lớp đảo là được cung cấp bởi các quá trình phát sinh cặp điện tử-lỗ trống trong phạm vi lớp nghèo. Điện tích dương ở bản cực Cổng sẽ được cân bằng với tổng điện tích âm trong lớp đảo cộng với điện tích âm của các ion acceptor trong vùng nghèo. Giá trị điện áp mà tại đó hình thành bề mặt lớp đảo đóng một vai trò cực kỳ quan trọng trong các transistor hiệu ứng trường và điện áp này được gọi là điện áp Ngưỡng VTN. b) Sự hình thành kênh dẫn ở transistor NMOS kiểu tăng cường kênh. Trước khi xây dựng biểu thức cho quan hệ dòng- áp của transistor NMOS, ta hãy khảo sát một NMOS được cho ở hình 3.3. Theo hình vẽ, cực Nguồn, cực Máng và cực Đế của NMOSFET đều được nối đất chung. Đối với một điện áp Cổng- Nguồn, vGS = VGS thấp hơn nhiều so với điện áp Ngưỡng VTN, như ở hình 3.3a, thì sẽ có các tiếp giáp pn đối nghịch nhau tồn tại giữa Nguồn và Máng, nên chỉ có một dòng điện rò rất nhỏ có thể chảy giữa hai điện cực đó. Khi tăng VGS lên gần bằng nhưng vẫn thấp hơn điện áp Ngưỡng, thì một vùng nghèo sẽ hình thành ngay phía dưới BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 3: TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG

CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD

THÔNG TIN

TRỢ GIÚP

HỖ TRỢ KHÁCH HÀNG

Theo dõi chúng tôi

Chịu trách nhiệm nội dung:

Nguyễn Công Hà - Giám đốc Công ty TNHH TÀI LIỆU TRỰC TUYẾN VI NA

LIÊN HỆ

Địa chỉ: P402, 54A Nơ Trang Long, Phường 14, Q.Bình Thạnh, TP.HCM

Hotline: 093 303 0098

Email: support@tailieu.vn

Giấy phép Mạng Xã Hội số: 670/GP-BTTTT cấp ngày 30/11/2015 Copyright © 2022-2032 TaiLieu.VN. All rights reserved.