Bài giảng Cấu kiện điện tử: Chương 3 - ĐH Nha trang

NHATRANG UNIVERSITY<br /> <br /> Chương 3:<br /> Điốt bán dẫn<br /> •<br /> •<br /> •<br /> •<br /> <br /> Tiếp giáp p-n và điốt bán dẫn<br /> Các tham số của điốt bán dẫn<br /> Sơ đồ tương đương của Điốt bán dẫn<br /> Phân loại và một số ứng dụng của điốt<br /> <br /> NHATRANG UNIVERSITY<br /> <br /> Tiếp giáp p-n<br /> • Trên một miếng tinh thể bán dẫn, bằng các phương<br /> pháp công nghệ, tạo ra hai vùng bán dẫn loại N và loại<br /> P, thì tại ranh giới giữa hai vùng bán dẫn xuất hiện một<br /> vùng, gọi là lớp tiếp giáp p-n (p-n junction)<br /> <br /> Điốt bán dẫn<br /> NHATRANG UNIVERSITY<br /> <br /> • Linh kiện chỉ có một lớp tiếp giáp p-n gọi là điôt<br /> (diode) bán dẫn.<br /> Hình dạng, ký<br /> hiệu, cấu tạo:<br /> <br /> NHATRANG UNIVERSITY<br /> <br /> Sự hình thành tiếp giáp p-n<br /> • Vùng bán dẫn loại N có hạt dẫn đa số là electron tự do<br /> (NA=1016cm-3); vùng bán dẫn loại P hạt dẫn đa số là lỗ<br /> trống (ND=1017cm-3).<br /> • Do sự chênh lệch nồng độ electron và lỗ trống giữa hai<br /> vùng bán dẫn nên các electron ở gần tiếp giáp p-n<br /> khuếch tán từ vùng N sang vùng P và lỗ trống khuếch<br /> tán từ vùng P sang N. Kết quả là ở tiếp giáp p-n chỉ còn<br /> các ion tạp chất: ion dương ở phía tạp chất n, ion âm ở<br /> phía tạp chất p. Vùng giữa các ion này rất nghèo hạt dẫn<br /> điện (electron, lỗ trống), nên được gọi là vùng nghèo<br /> (depletion region) hay vùng điện tích không gian<br /> • Các ion này tạo thành một điện trường hướng từ n sang<br /> p gọi là điện trường tiếp xúc. Điện thế tạo bởi điện<br /> trường này gọi là hàng rào thế năng (barrier potential)<br /> <br /> NHATRANG UNIVERSITY<br /> <br /> Sự hình thành tiếp giáp p-n<br /> <br /> pn junction: tiếp giáp p-n<br /> depletion region: Vùng nghèo<br /> barrier potential: Hàng rào thế năng<br /> <br />