Bài giảng Vật lý bán dẫn: Chương 4.2 - Hồ Trung Mỹ
lượt xem 4
download
Bài giảng Vật lý bán dẫn - Chương 4.2: Chuyển tiếp PN (tiếp theo), cung cấp cho người học những kiến thức như Các mô hình của diode bán dẫn; Điện tích chứa và quá trình quá độ; Đánh thủng chuyển tiếp; Chuyển tiếp dị thể (Heterojunction). Mời các bạn cùng tham khảo!
Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!
Nội dung Text: Bài giảng Vật lý bán dẫn: Chương 4.2 - Hồ Trung Mỹ
- ĐHBK Tp HCM-Khoa Đ-ĐT BMĐT GVPT: Hồ Trung Mỹ Môn học: Vật lý bán dẫn (EE1013) Chương 4 Chuyển tiếp PN (PN Junction) 1
- Nội dung 1. Các bước chế tạo cơ bản 2. Điều kiện cân bằng nhiệt 3. Miền nghèo 4. Điện dung miền nghèo 5. Đặc tuyến dòng-áp (I-V) 6. Các mô hình của diode bán dẫn 7. Điện tích chứa và quá trình quá độ 8. Đánh thủng chuyển tiếp 9. Chuyển tiếp dị thể (Heterojunction) 10. Các loại diode bán dẫn 11. Giới thiệu các ứng dụng của diode bán dẫn 2
- 4.6 Các mô hình của diode bán dẫn Các mô hình diode (chưa xét đến đánh thủng ngược) Mô hình diode lý tưởng Mô hình sụt áp hằng Mô hình với điện trở thuận (xấp xỉ bậc 1) (xấp xỉ bậc 2) (xấp xỉ bậc 3) • VON = 0.7V với Si • rD là điện trở thuận = dV/dI tại điểm Q (có VDQ >VON) = VT/IDQ • Q = Quiescent point = điểm tĩnh = điểm hoạt động DC (IDQ, VDQ) 3
- Các cấp điện trở • Bán dẫn hoạt động khác nhau với dòng điện DC và AC. • Có 3 loại điện trở – Điện trở tĩnh hay DC : RD = VD/ID – Điện trở động hay AC: rd = ∆VD/ ∆ID định nghĩa tổng quát hơn rd = dVD/dID ( = VT/ID ở điểm VD > VON) – Điện trở AC trung bình: rd = ∆VD/ ∆ID (từ điểm đến điểm) Điện trở tĩnh RD Điện trở động rd Điện trở AC trung bình 4
- TD: Áp dụng mô hình diode để tìm điểm tĩnh Q của diode Mô hình lý tưởng Mô hình sụt áp hằng Mô hình có rD (TD: VON = 0.7 V) 9.274 mA a) Phân cực thuận a) Phân cực thuận a) Phân cực thuận VD = 0 VD = 0.7 V VD = 0.7 V + VT = 0.726 V ⇒ ID = 10V/1k = 10 mA ⇒ ID = (10 – 0.7)/1k = 9.3mA ⇒ ID = (10 - VD)/1k = 9.274mA b) Phân cực ngược b) Phân cực ngược ID = 0 ⇒ VD = –10 V ID = 0 ⇒ VD = –10 V b) Phân cực ngược ID = 0 ⇒ VD = –10 V 5
- Phương trình diode qv D v i D = I S exp − 1 = I S exp D − 1 nkT nVT với IS = dòng bão hòa ngược (A) vD = điện áp đặt trên diode (V) q = điện tích điện tử (1.60 x 10-19 C) k = hằng số Boltzmann (1.38 x 10-23 J/K) T = nhiệt độ tuyệt đối Kelvin n = hệ số không lý tưởng VT = kT/q = điện áp nhiệt (V) (25 mV nhiệt độ phòng [T=300K]) IS có trị tiêu biểu trong tầm từ 10-18 đến 10-9 A, và phụ thuộc nhiều nhiệt độ do nó phụ thuộc vào ni2. Hệ số không lý tưởng có trị tiêu biểu gần 1, nhưng gần với 2 với dụng có mật độ dòng cao. 6
- Dòng diode với các cách phân cực • Phân cực ngược: v iD = IS exp D −1 ≅ IS [0 −1] ≅ −IS nVT • Phân cực Zero: (không phân cực) v iD = IS exp D −1 ≅ IS [1−1] ≅ 0 nVT • Phân cực thuận: v vD iD = IS exp D −1 ≅ IS exp nVT nVT 7
- Giải tích mạch diode: Cơ sở Phương trình vòng của mạch bên: V = I D R + VD Nó cũng được gọi là đường tải (load line) của diode (DCLL=DC Load Line). Nghiệm của phương trình này có thể tìm bằng: V và R có thể biểu diễn tương • Giải tích đồ thị dùng phương đương Thévenin của 1 mạng 2 cực pháp đường tải. phức tạp hơn. Đối tượng của giải • Giải tích với mô hình toán của tích mạch diode là tìm điểm [làm diode. việc] tĩnh (quiescent operating • Giải tích đơn giản hóa với mô point) Q của diode, nghĩa dòng và hình diode lý tưởng. áp DC ở diode. • Giải tích đơn giản hóa với mô hình sụt áp hằng. 8
- Giải tích đường tải (thí dụ) Vấn đề: Tìm điểm Q Cho trước: V=10 V, R=10kΩ. Giải tích: 10 = I 104 + V D D Để định nghĩa đườg tải, ta dùng, VD= 0 I D = (10V / 10kΩ) = 1mA VD= 5 V, ID =0.5 mA Giao của 2 đường này cho nghiệm: Điểm Q = (0.95 mA, 0.6 V) 9
- Đường tải DC (DC Load Line) I (mA) I R1 70 60 25 Ω 50 Diode characteristic VS 40 DC load line D1 VF 1.5 V 30 20 10 VF (V) 0.4 0.8 1.2 1.5 Phương trình đường tải: VS − VF 1.5V − VF = = I R1 25Ω 10
- Giải tích dùng mô hình toán cho Diode Vấn đề: Tìm điểmQ với đặc tuyến diode Bằng cách đoán các giá trị lặp lại cho cho trước. VD và tăng hay giảm VD cho đến khi Dữ liệu: IS = 10-13 A, n = 1, VT = 0.025 V vế phải của phương trình bằng 10: Giải tích: Điểm Q= (0.943 mA, 0.574 V) 10 = I D 104 + VD thường thì 2 hay 3 số có nghĩa cho VD VD vì IS, n, VT, và R hiếm khi có độ chính nV − 1 = 10 [exp(40VD ) − 1] xác tốt hơn. −13 I D = I S exp T ∴10 = 10410−13 [exp(40VD ) − 1] + VD Ta sẽ SPICE nếu ta muốn dùng mô hình toán đầy đủ. Muốn giải hệ này ta phải dùng phương pháp tính số. 11
- Newton’s Iteration Method for f (vD) = 0 12
- Solution from a Spreadsheet 13
- Giải tích dùng mô hình diode lý tưởng Đặc tuyến Nếu diode được phân cực thuận, sụt áp trên diode lý tưởng diode là zero. Nếu diode được phân cực ngược,dòng qua diode là zero. vD =0 với iD >0 và iD =0 với vD < 0 Như vậy diode được giả sử là dẫn (ON) Ký hiệu diode lý tưởng hay tắt (OFF). Giải tích mạch diode theo các bước sau: • Đoán miền hoạt động của diode từ mạch. • Giải tích mạch dùng mô hình diode thích Ngắn Hở hợp với miền hoạt động được giả sử. mạch mạch • Kiểm tra xem kết quả tính có nhất quán với giả thiết hay không. 14
- Giải tích dùng mô hình diode lý tưởng (thí dụ) Giả sử diode ON (vì nó giống như Giả sử diode OFF. Từ đó ID =0. Anode có điện thế cao hơn Cathode). Phương trình vòng là: (10 − 0)V ID = = 1mA 10kΩ 10 + VD + 104 I D = 0 ID ≥ 0 ∴VD = −10V (giả thiết đúng). (giả thiết đúng) Điểm Q là (0, -10 V) Điểm Q là (1 mA, 0V) 15
- Giải tích dùng mô hình sụt áp hằng cho diode Giải tích: Mô hình sụt áp hằng Giả sử diode ON. Hở mạch (10 − Von ) V ID = 10kΩ (10 − 0.6) V vD = Von với iD >0 và = = 0.94 mA vD = 0 với vD < Von. 10kΩ Mô hình lý tưởng là mô hình sụt áp hằng với Von = 0V. 16
- Giải tích mạch 2 diode Giải tích: Mô hình diode lý tưởng được chọn. Vì nguồn 15V đang cấp dòng điện dương qua D1 và D2 và nguồn -10V đang cấp dòng điện dương qua D2, ta giả sử cả 2 diodes đều ON. Từ điện thế tại nút D là zero do ngắn mạch của diode lý tưởng D1, (15 − 0)V I1 = = 1.5 mA I D2 = 0 − (−10)V = 2 mA 10kΩ 5kΩ I1 = I D1 + I D2 I D1 =1.5 − 2 = −0.5 mA Các điểm Q(-0.5 mA, 0 V) và (2.0 mA, 0 V) Nhưng, ID1 < 0 thì không đúng với giả thiết là D1 ON, do đó thử lại. 17
- Giải tích mạch 2 diode (2) Vì dòng trong D1 là zero, ID2 = I1, 15 −10kI1 − 5kI D2 − (−10) = 0 25V I1 = =1.67mA 15kΩ VD1 =15 −10kI1 =15 −16.7 = −1.67V Giải tích: Từ đó dòng trong D2 thì đúng nhưng dòng Các điểm Q là D1 : (0 mA, -1.67 V): OFF trong D1 thì không đúng, ta giả sử tiếp D1 OFF và D2 D2 : (1.67 mA, 0 V) : ON ON. 18
- Modeling the Diode Forward Characteristics Source: NTUEE Electronics – L.H. Lu 19
- Modeling the Diode Forward Characteristics (2/2) Source: NTUEE Electronics – L.H. Lu 20
CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD
-
Bài giảng Vật lý 1: Chương 6 - Nguyễn Xuân Thấu
20 p | 83 | 6
-
Bài giảng Vật lý đại cương 1 (Điện quang): Chương 2 - PGS.TS. Lê Công Hảo
17 p | 72 | 6
-
Bài giảng Vật lý điện từ - Bài 8: Chất rắn tinh thể và siêu dẫn
13 p | 21 | 5
-
Bài giảng Vật lý 1 - Chương 1.2: Động lực học chất điểm
14 p | 37 | 5
-
Bài giảng Vật lý 2: Dao động và sóng
10 p | 58 | 4
-
Bài giảng Vật lý đại cương 2: Dao động cơ (TS. Lý Anh Tú)
15 p | 19 | 4
-
Bài giảng Vật lý đại cương: Chương 4 - Phạm Đỗ Chung
16 p | 27 | 3
-
Bài giảng Vật lý đại cương: Chương 3.2 - Phạm Đỗ Chung
11 p | 32 | 3
-
Bài giảng Vật lý đại cương: Chương 3.1 - Phạm Đỗ Chung
20 p | 30 | 3
-
Bài giảng Vật lý chất rắn: Chương 5 - TS. Lê Văn Thăng
36 p | 7 | 3
-
Bài giảng Vật lý 1: Vật dẫn – Tụ điện
10 p | 58 | 3
-
Bài giảng Vật lý đại cương 2 - Chương 8-10: Dao động vào sóng điện từ
17 p | 20 | 2
-
Bài giảng Vật lý đại cương 2: Dao động điện từ (TS. Lý Anh Tú)
7 p | 115 | 2
-
Bài giảng Vật lý 1: Chương 1b - Lê Quang Nguyên
5 p | 35 | 2
-
Bài giảng Vật lý 1: Cảm ứng điện từ
10 p | 42 | 2
-
Bài giảng Vật lý đại cương 2: Chương 3 - Th.S Đỗ Quốc Huy
17 p | 13 | 2
-
Bài giảng Vật lý chất rắn: Chương 4 - TS. Lê Văn Thăng
40 p | 6 | 2
-
Bài giảng Vật lý đại cương 2 - Chương 2: Vật dẫn
15 p | 33 | 2
Chịu trách nhiệm nội dung:
Nguyễn Công Hà - Giám đốc Công ty TNHH TÀI LIỆU TRỰC TUYẾN VI NA
LIÊN HỆ
Địa chỉ: P402, 54A Nơ Trang Long, Phường 14, Q.Bình Thạnh, TP.HCM
Hotline: 093 303 0098
Email: support@tailieu.vn