intTypePromotion=1
zunia.vn Tuyển sinh 2024 dành cho Gen-Z zunia.vn zunia.vn
ADSENSE

Chế tạo vật liệu nanocomposite (CuNWs/ANF) có khả năng chắn nhiễu điện từ

Chia sẻ: _ _ | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:8

16
lượt xem
3
download
 
  Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Bài viết Chế tạo vật liệu nanocomposite (CuNWs/ANF) có khả năng chắn nhiễu điện từ tập trung nghiên cứu tổng hợp nên tấm film nano từ vật liệu đồng nanowires (CuNWs) kết hợp với sợi nano aramid (ANF). Tấm film nano tạo thành có độ dẫn nhiệt cao, có khả năng chắn nhiễu điện từ (EMI) và có độ bền cơ học vượt trội.

Chủ đề:
Lưu

Nội dung Text: Chế tạo vật liệu nanocomposite (CuNWs/ANF) có khả năng chắn nhiễu điện từ

  1. Chuyên san Phát triển Khoa học và Công nghệ số 8 (4), 2022 Chế tạo vật liệu nanocomposite (CuNWs/ANF) có khả năng chắn nhiễu điện từ Fabrication of nanocomposite materials (CuNWs/ANF) for electromagnetic interference shielding Trần Thị Tường Vi1*, Vũ Minh Cảnh2 1 Khoa Kỹ thuật Thực phẩm và Môi trường, Đại học Nguyễn Tất Thành, Thành phố Hồ Chí Minh, 70000, Việt Nam 2 Viện Khoa Học và Công Nghệ Tiên Tiến, Đại Học Đà Nẵng, Đà Nẵng, 550000, Việt Nam * Tác giả liên hệ: tttvi@ntt.edu.vn, tuongvi080@gmail.com THÔNG TIN TÓM TẮT Trong đề tài nghiên cứu này, chế tạo tấm films nano chắn nhiễu điện từ dựa trên sợi nano aramid (ANF) và sợi nano đồng (CuNWs) có tính dẫn điện và tính chất cơ học cao. Các tấm films nano đồng nhất (độ dày 40−50 μm) được chế tạo bằng cách phối trộn hỗn hợp CuNWs (10-40 wt%) trong dung dịch huyền phù ANF, sau đó lọc chân không, và sấy khô. Với việc tăng hàm lượng CuNWs dẫn đến tấm films nano Từ khóa: (CuNWs/ANF) có các đặc tính cơ học vượt trội và độ bền kéo cao (σ) đạt đến 228 MPa ở hàm lượng 30 wt.% CuNWs. Hơn Sợi nano Aramid, Sợi nano thế nữa, tấm films nano CuNWs30/ANF đạt hiệu suất chắn đồng, Electromagnetic interference shielding, nhiễu điện từ (EMI SE) đáng chú ý khoảng 57.7 dB. Tấm films Tính linh hoạt,. Độ bền nhiệt nano CuNWs/ANF có thể được xem là một vật liệu tiềm năng để thay thế cho vật liệu dẫn nhiệt, điện và chắn nhiễu điện từ trong ngành điện tử hiện đại. ABSTRACT In this study, the fabrication of the highly Thermo- conductive electromagnetic interference (EMI) shielding effectiveness (SE) based on aramid nanofiber (ANF) and copper nanowires (CuNWs) with outstanding mechanical properties. A homogeneous nanocomposite material (thickness 40−50 μm) was fabricated by homogenizing a mixture of the CuNWs (10−40 wt.%) in the ANF suspension, then vacuum filtration, and drying. With the increase in the CuNWs content, the nanocomposite materials show outstanding mechanical properties and reach the optimal tensile strength (σ) of 228 MPa at the filler content of 30 wt.%. Moreover, the EMI SE of the nanocomposite materials Keywords:Aramid nanofibers, strongly depends on the amount of the CuNWs; the CuNWs30/ANF materials obtain a remarkable EMI SE of Copper nanowires, around 54.7 dB. The CuNWs/ANF can be considered a Electromagnetic significant potential alternative to the current Thermo- interference shielding, Flexibility, Thermal stability conductive materials for heat dissipating and electromagnetic 90
  2. Chuyên san Phát triển Khoa học và Công nghệ số 8 (4), 2022 interference (EMI) shielding applications in modern electronics. 1. Giới thiệu Sự phát triển nhanh chóng của ngành công nghệ điện tử, các thiết bị công nghệ tiên tiến gây ra sự bùng nổ trong nhu cầu cơ học về sự linh hoạt, nhỏ gọn và công suất cao của các linh kiện điện tử. Bên cạnh đó, một lượng nhiệt lớn được sinh ra khi các thiết bị điện tử hoạt động ở cường độ cao sẽ làm giảm hiệu suất và độ chính xác của thiết bị. Các linh kiện điện tử linh hoạt với khả năng tản nhiệt hiệu quả cao và có khả năng chắn nhiễu điện từ là thật sự cần thiết. Các tấm nano siêu mỏng và nhẹ sở hữu khả năng dẫn nhiệt dị hướng cao được ứng dụng trong việc tản nhiệt các thiết bị điện tử là những cách tiếp cận phù hợp, thu hút nhiều sự chú ý của các nhà khoa học trong những năm vừa qua. Thêm vào đó, thiết bị điện tử hiện đại yêu cầu mang lại hiệu quả trong việc ngăn chặn nhiễu điện từ. Bởi vì các thiết bị điện tử phát ra bức xạ điện từ ảnh hưởng tiêu cực đến hiệu suất của thiết bị, gây hại đến sức khỏe của con người. Hơn nữa, thiết bị điện tử hiện nay cần có khả năng gấp và uốn dẻo linh hoạt. Vì thế, vật liệu nano dẫn nhiệt linh hoạt cần có các tính chắn nhiễu điện từ (EMI) và tính chất cơ học nổi bật để giải quyết các vấn đề nêu trên. Tấm dẫn nhiệt linh hoạt với các khả năng cản trở nhiễu điện từ bao gồm polymers và sợi nano (ví dụ: cellulose nanofibers (CNFs), ANF), vật liệu carbon (graphene dạng nano tiểu cầu, carbon nanotubes và các thành phần vô cơ hai chiều (MXene)) được nghiên cứu kỹ lưỡng để áp dụng trong vật liệu giữ nhiệt trong ngành điện tử ở những năm gần đây. Tác giả Chu và cộng sự (Chu et al., 2022; Thieu, Vu, Lee, Doan, & Kim, 2019; Vu et al., 2021) đã tổng hợp một tấm film gồm hỗn hợp của graphene nanoplatelets và MXene sheet trong CNF matrix. Tấm film thu được có độ dày 38.5 µm với độ dẫn nhiệt λ// là 8.55 W.m-1.K-1 và khả năng chắn nhiễu điện từ (EMI SE) lên đến 33.74 dB. Mặc dù nghiên cứu được đề cập phía trên có khả năng dẫn nhiệt tốt, khả năng chắn nhiễu điện từ nổi bật, tuy nhiên với quy trình tổng hợp phức tạp, sử dụng vật liệu đắt tiền có thể cản trở việc ứng dụng loại vật liệu này. Ngoài ra, lượng phụ gia tải lên bề mặt polymer có thể làm giảm tính chất cơ học vật liệu. Những nghiên cứu tập trung vào việc cải thiện khả năng dẫn nhiệt/chắn nhiễu điện từ và tính chất cơ học của composites rất ít được báo cáo. Liang và cộng sự (Liang, Ruan, Zhang, & Gu, 2020) đã tổng hợp vật liệu có cấu trúc 3D (three-dimesional) liên kết với bạc nanowires trong CNF matrix. Kết quả thu được tấm film nano có độ chắn nhiễu điện từ lên đến 101 dB, độ dẫn nhiệt λ// là 10.55 Wm-1.K-1, và độ dẫn điện  là 60.7 MPa. Sự kết hợp hai thành phần của vật liệu nano cấu trúc 1D với một tỷ lệ cao có thể mang lại độ bền cơ học cao cho tấm film nano. Trong nghiên cứu này, nhóm tác giả tập trung nghiên cứu tổng hợp nên tấm film nano từ vật liệu đồng nanowires (CuNWs) kết hợp với sợi nano aramid (ANF). Tấm film nano tạo thành có độ dẫn nhiệt cao, có khả năng chắn nhiễu điện từ (EMI) và có độ bền cơ học vượt trội. Bên cạnh đó, việc sử dụng đồng nanowire có chi phí thấp hơn so với bạc nanowire, có độ dẫn nhiệt và dẫn điện cao hơn hẳn. Tấm film nano (CuNWs/ANF) thu được được đánh giá đặc trưng với các đặc tính hình thái học, độ bền cơ học, độ chắn nhiễu điện từ, và độ bền nhiệt. 2. Phương pháp thực nghiệm 2.1. Hóa chất Copper (II) chloride dihydrate (CuCl2.2H2O, 97%), D(+)-glucose (99%), oleyamine (OLA, 70%), và oleic acid (OA, 90%) được mua từ Merck. Sợi Kevlar (K49) được mua từ công ty Dupont. Dimethyl sulfoxide (DMSO, 99.7%) và potassium hydroxide (KOH, 85%) được mua từ Alfa Aesar. Những dung môi như isopropanol, chloroform được được mua từ Fisher Scientific (Canada) không yêu cầu về độ tinh khiết. 91
  3. Chuyên san Phát triển Khoa học và Công nghệ số 8 (4), 2022 2.2. Tổng hợp sợi nano đồng (CuNWs) Việc tổng hợp CuNWs được thực hiện dựa theo nghiên cứu trước của nhóm tác giả Zang và cộng sự (Zhang, Guo, Xu, Sun, & Yan, 2018). Đầu tiên, hòa tan 0.005 mol CuCl2.2H2O và 0.005 mol glucose vào 70 mL nước khử ion (DI). Sau đó, thêm từ từ 10 mL hỗn hợp oleyamine và oleic acid (10:1, v/v) được hòa tan trong 15 mL ethanol. Tiếp theo, đổ từ từ hỗn hợp thu được vào lọ chứa 315 mL nước khử ion ở 50 C khuấy trong 12 h. Cho dung dịch vào autoclave và gia nhiệt ở 120 C trong vòng 2 h. Dung dịch thu được đem đi ly tâm với tốc độ 2000 vòng/phút trong vòng 20 phút, và phần nổi trên bề mặt sẽ được loại bỏ. Phần lắng chứa CuNWs và đồng nanoparticle được phân tán trong hỗn hợp chứa 20 mL nước DI và 20 mL chloroform bằng cách vortex trong 20s. Sợi nano đồng CuNWs dễ dàng được phân tách ra khỏi dung dịch, quá trình rửa được lặp lại ba lần để loại bỏ hoàn toàn đồng nanoparticle từ hỗn hợp. Cuối cùng, CuNWs được phân tán và lưu trữ trong dung môi isopropanol (1 mg.mL-1). Bởi vì đồng nanoparticles có tính chất kỵ nước yếu, do đó chúng có xu hướng phân tán trong pha nước DI, trong khi sợi nano đồng CuNWs kỵ nước mạnh tương thích phân tán trong pha chloroform. Nước DI-chloroform cho thấy một lợi thế trong việc tách các CuNWs so với môi trường dung dịch hexane-nước DI được sử dụng trong nghiên cứu trước đó. 2.3. Tổng hợp dung dịch ANF Trước hết, sợi Kevlar được cắt nhỏ với chiều dài 1 cm, rửa nhiều lần với ethanol để loại bỏ những tạp chất, sau đó sấy khô ở 80 C. Tiếp theo, hòa tan 1.8 g KOH trong 24 mL nước DI và đổ từ từ vào beaker chứa 576 mL DMSO rồi khuấy nhẹ. Tiếp theo, 1.2 g sợi Kevlar (đã được sấy khô) được thêm vào từ từ ở dung dịch trên. Cuối cùng, dung dịch được ly tâm ở 3000 vòng/phút trong vòng 10 phút để loại bỏ những sợi Kevlar không bị phân tách để thu được ANF dạng huyền phù với nồng độ 2 mg.mL-1. 2.4. Tổng hợp tấm film CuNWs/ANF Để chế tạo nên tấm film (CuNWs/ANF) cần trộn một lượng nhất định ANF dạng huyền phù (2 mg.mL-1) với dung dịch CuNW (1 mg.mL-1) ở các tỷ lệ khối lượng khác nhau 10, 20, 30 và 40 wt% khuấy đều để được một hỗn hợp đồng nhất. Sau đó, sử dụng phương pháp lọc chân không với màng lọc nylon (kích thước lỗ là 0.22 µm) để lọc dung dịch và thu được tấm film CuNWs/ANF, đem đi sấy khô ở 80 C trong tủ sấy chân không trong 12 h. Tấm film nano ANF tinh khiết được tổng hợp theo các bước tương tự. 2.5. Đặc tính vật liệu Tính chất hóa lý của vật liệu bao gồm hình thái học, nhóm chức hóa học bề mặt của CuNWs và tấm film được phân tích bằng các phép phân tích tương ứng là phép phân tích nhiễu xạ tia X (XRD instrument, Rigaku Co.), quang phổ hồng ngoại biến đổi Fourier (FT-IR, Shimadzu IRTracer-100) Hệ thống đầu dò đa điểm (Multi Height Probe combined with the RM3000+ Test Unit, Four Probes Technology Co.) được sử dụng để đo điện trở của tấm nano theo hướng mặt phẳng. Hiệu suất chắn nhiễu điện từ (EMI) của tấm film CuNWs/ANF được thực hiện và tính toán dựa trên các công thức được nghiên cứu trước đó. (Cao et al., 2018) Các thông số tán xạ (S11 và S21) của vật liệu nano CuNWs/ANF được phân tích tại dải tần số băng tần X trên máy phân tích vector network analyzer (E5063A ENA, Keysight Technologies, USA) với airline kit (85051BR03). Tất cả các tấm films nano CuNWs/ANF đều được đúc thành “coaxial shape” với đường kính trong và ngoài lần lượt là 3,04 và 7,00 mm. S11 và S21 được sử dụng để tính toán tổng hiệu suất chắn nhiễu (SET), hiệu suất hấp thụ (SEA) và hiệu suất phản xạ (SER) theo các công thức sau: R = |𝑆11 |2 𝑇 = |𝑆21 |2 𝐴 = 1 − 𝑅 − 𝑇 (1) SER = −10. 𝑙𝑜𝑔10 (1 − 𝑅) (2) 92
  4. Chuyên san Phát triển Khoa học và Công nghệ số 8 (4), 2022 SEA = −10. 𝑙𝑜𝑔10 [𝑇/(1 − 𝑅)] (3) SET = −10. 𝑙𝑜𝑔10 (𝑇) (4) 3. Kết quả nghiên cứu và thảo luận 3.1. Tính chất hóa lý của vật liệu XRD được phân tích để chứng minh hiệu quả của quá trình phân tách sợi nano đồng CuNWs (Hình 1a). Hình ảnh XRD của nano đồng chưa tinh khiết (Unpurified CuNWs) có hai peak nằm ở 2θ = 43.3 và 50.4° được thể hiện qua mạng lập phương tâm mặt (fcc) của đồng (111) và (200), tương ứng (JCPDS # 04-0836). Các sợi nano đồng chưa tinh khiết (Unpurified CuNWs) chứa một hàm lượng đồng nanoparticles đáng kể được thể hiện thông qua cường độ peak tại mặt phẳng (200) cao hơn rất nhiều so với cường độ peak tại (111) (Thieu et al., 2019). Sau quá trình tinh chế, đồng nanoparticles đã được loại bỏ một cách hiệu quả vì sự gia tăng cường độ peak tại (111) và sự xuất hiện peak ở vị trí (220) (Hwang et al., 2016; Kim et al., 2017). Hơn nữa, kết quả XRD của sợi nano đồng đã tinh chế (Purified CuNWs) không xuất hiện peak liên quan đến CuO hoặc Cu2O, cho thấy rằng các phân tử oleylamine và axit oleic đóng vai trò hiệu quả trong việc ngăn chặn sợi nano đồng CuNWs khỏi quá trình oxy hóa. Tấm films nano CuNWs/ANF siêu mỏng được sử dụng làm vật liệu tản nhiệt hoặc vật liệu chắn nhiễu điện từ cho thiết bị điện tử linh hoạt do độ dẫn nhiệt và độ dẫn điện cao. Kết quả phân tích XRD của tấm films nano CuNWs/ANF với các hàm lượng khối lượng CuNWs khác nhau (10, 20, 30, 40) cũng được khảo sát tại Hình 1b. Các tấm films nano CuNWs/ANF hiển thị peak rõ ràng của sợi nano đồng CuNWs và nano aramid ANF, cường độ peak của Cu tăng lên tương đối khi tăng hàm lượng nano đồng CuNW từ 10 lên 40 wt.%. Trong hình 1b, tấm films nano ANF tinh khiết (bare ANF) chỉ có một peak tại vị trí (110) ở 2θ = 20°. Tấm films nano CuNWs30/ANF (với hàm lượng 30 wt.% CuNWs) có thể được uốn cong và gấp lại mà không bị gãy, độ bền kéo của vật liệu cũng đươc so sánh với các nghiên cứu trước đó thông qua Bảng 1. (a) (b) Hình 1. Phổ XRD của (a) sợi nano đồng chưa tinh khiết và đã tinh khiết, (b) tấm films nano CuNWsX/ANF (X: 10, 20, 40 wt.%) và films nano ANF 93
  5. Chuyên san Phát triển Khoa học và Công nghệ số 8 (4), 2022 Bảng 1. So sánh độ bền kéo (Tensile strength) của vật liệu 2D (MXene, graphene nanoplatelets) trên nền vật liệu 1D (cellulose (CNF), bacteria cellulose (BCNF), and aramid nanofiber (ANF) Papers Filler content (wt%) Tensile strength (MPa) References MXene/ANF 30 120 (Hu et al., 2021) GNP/ANF 40 131 (Su et al., 2022) GNP/ANF 80 55 (Xie et al., 2021) (Wei, Wang, MXene/ANF 50 117 Zheng, Jiang, & Huang, 2020) (Weng et al., MXene/ANF 40 195 2020) MXene/CNF 50 135 (Cao et al., 2018) MXene/CNF 50 112.5 (Zhou et al., 2020) MXene/BCNF 55.8 160 (Wan et al., 2021) CuNWs30/ANF 30 228 This work Phổ hồng ngoại biến đổi Fourier cung cấp thông tin các nhóm chức trên bề mặt vật liệu ANF và tấm films nano CuNWs30/ANF được trình bày ở Hình 2. Sự hình thành liên kết hydro giữa ANF và CuNWs được xác định thông qua phổ FT-IR, bên cạnh đó sự dịch chuyển peak của nhóm chức N-H từ 3320 đến 3309 cm-1 và nhóm chức C=O dao động từ 1645 đến 1637 cm-1 có thể được quan sát trong Hình 1. Việc cải thiện tính chất cơ học của tấm films nano CuNWs/ANF liên quan một phần với mật độ liên kết hydro, bắt nguồn từ liên kết bề mặt của ANF và CuNWs. Transmittance (a.u.) CH2 3309 3320 Wavenumber (cm-1) Hình 2. Phổ FTIR của ANF và tấm film CuNWs30/ANF 3.2. Khả năng chắn nhiễu điện từ của tấm films nano CuNWs/ANF Chắc chắn rằng độ dẫn điện và độ dày của tấm films nano đóng một vai trò quan trọng trong việc chế tạo vật liệu EMI. Một sự kỳ vọng từ việc vật liệu có độ dẫn điện tốt sẽ có khả năng chắn nhiễu điện từ cao, phép phân tích được áp dụng trên các tấm films nano CuNWs/ANF về hiệu suất chắn nhiễu điện từ (EMI) ở băng tần X (8.0 – 12.4 GHz) (Vu et al., 2021), được trình bày trong Hình 3a. Khi tăng hàm lượng sợi nano đồng CuNWs 10 đến 40 wt.%, các giá 94
  6. Chuyên san Phát triển Khoa học và Công nghệ số 8 (4), 2022 trị EMI SE của tấm films nano CuNWs/ANF đã tăng mạnh từ 15.1 đến 78.4 dB. Chỉ với 20 wt.% CuNWs được thêm vào, tấm films nano CuNWs/ANF đã có độ chắn nhiễu EMI SE đạt ∼30 dB, có thể làm giảm 99.9% độ bức xạ EM và được coi là mức EMI đáp ứng cho các ứng dụng công nghiệp khác nhau. (Li et al., 2022; Tan et al., 2022) Để chứng minh tính linh hoạt và độ bền cao của các tấm films nano trong hiệu suất chắn nhiễu điện từ. Tấm films nano được khảo sát và đo hiệu suất chắn nhiễu điện từ sau 1000 chu kỳ uốn (bending cycles). Rõ ràng là tấm films nano CuNWs/ANF ở các hàm lượng CuNWs khác nhau cho thấy sự thay đổi không đáng kể trong hiệu suất chắn nhiễu điện từ EMI SE sau 1000 chu kỳ uốn (Hình 3d). Hình 3b cho thấy rằng khả năng phản xạ (SER) và khả năng hấp thu (SEA) nhiễu điện từ của vật liệu tăng lên cùng với việc tăng hàm lượng CuNWs; tuy nhiên, tốc độ tăng của SEA cao hơn so với của SER. SEA của tấm films nano CuNWs40/ANF là 59.2 dB, cho thấy mức tăng gấp năm lần so với tấm films nano CuNWs10/ANF, trong khi SER tăng từ 3.95 dB đối với tấm films nano CuNWs10/ANF đến 19.2dB đối với tấm films nano CuNWs40/ANF. Hình 3c so sánh đánh giá về hiệu suất chắn nhiễu điện từ (EMI) của tấm films nano CuNWs40/ANF đối với các vật liệu che chắn khác nhau, bao gồm graphene oxide, carbon nanotubes, graphite, MXene, và vật liệu kim loại. Nhiều vật liệu tổng hợp được báo cáo đã hiệu suất chắn nhiễu điện từ (EMI SE) cao, cao hơn mức tối thiểu ứng dụng trong công nghiệp; tuy nhiên, chỉ một số vật liệu tổng hợp có thể vượt quá mức EMI SE 60 dB với độ dày dưới 100 μm. Đáng chú ý, tấm films nano CuNWs40/ANF có thể đạt trên 78 dB với độ dày chỉ 50 μm. (a) (b) rGO 100 Graphite (c) CNTs Metal 80 MXene EMI SE (dB) This work (d) 60 40 20 0 0.01 0.1 1 10 Thickness (mm) Hình 3. (a, b) Hiệu suất chắn nhiễu điện từ (EMI shielding) tại băng tần X của tấm films nano CuNWsX/ANF (X: 10, 20, 30, 40 wt.%), (c) so sánh ảnh hưởng của hiệu suất chắn nhiễu điện từ với độ dày của vật liệu, (d) hiệu suất chắn nhiễu điện từ tại 1000 chu kỳ uốn (Bending cycles) 95
  7. Chuyên san Phát triển Khoa học và Công nghệ số 8 (4), 2022 4. Kết luận Trong nghiên cứu này, tấm films nano CuNWs/ANF được tổng hợp thành công với khả năng chắn nhiễu điện từ EMI SE cao và khả năng tản nhiệt tốt có tiềm năng để ứng dụng trong thực tế, các lĩnh vực kỹ thuật viễn thông, quân sự và thiết bị di động quy mô lớn. Tấm films nano CuNWs/ANF đã được tổng hợp bằng cách sử dụng đồng dung môi nước DI/polyhydric alcohol theo cơ chế cho nhận proton. Bởi vì sự tương tác mạnh mẽ giữa hai thành phần cấu trúc 1D, các tấm films nano có đặc tính cơ học tốt. Tấm films nano CuNWs30/ANF đạt được độ bền kéo σu cao nhất là 228 MPa. Ngoài ra, vật liệu có độ dẫn điện cao và hiệu suất chắn nhiễu điện từ (EMI SE) xuất sắc; cụ thể, khi thêm 30 wt.% CuNWs đã làm tăng EMI SE của tấm films nano lên 54,7 dB, ưu việt hơn so với các fillers khác như vật liệu carbon và vật liệu nano kim loại. Hơn nữa, tấm nano CuNWs30/ANF thể hiện độ bền cơ học và tính linh hoạt được chứng minh bằng việc giảm không đáng kể hiệu suất chắn nhiễu điện từ (EMI SE) sau 1000 chu kỳ uốn (bending cycles). Mặt khác, với kích thước mỏng 50 μm nhỏ gọn hơn so với những nghiên cứu trước đó phù hợp với nhu cầu phát triển công nghệ hiện nay. LỜI CẢM ƠN Đề tài được thực hiện bằng nguồn kinh phí hỗ trợ từ Chương trình Vườn ươm Sáng tạo Khoa học và Công nghệ Trẻ, được quản lý bởi Trung tâm Phát triển Khoa học và Công nghệ Trẻ - Thành Đoàn thành phố Hồ Chí Minh và Sở Khoa học và Công nghệ thành phố Hồ Chí Minh, theo hợp đồng số “07/2021/HĐ-KHCNT-VƯ”. Tài liệu tham khảo Cao, W.-T., Chen, F.-F., Zhu, Y.-J., Zhang, Y.-G., Jiang, Y.-Y., Ma, M.-G., & Chen, F. (2018). Binary Strengthening and Toughening of MXene/Cellulose Nanofiber Composite Paper with Nacre-Inspired Structure and Superior Electromagnetic Interference Shielding Properties. ACS Nano, 12(5), 4583-4593. doi:10.1021/acsnano.8b00997 Chu, Q., Lin, H., Ma, M., Chen, S., Shi, Y., He, H., & Wang, X. (2022). Cellulose Nanofiber/Graphene Nanoplatelet/MXene Nanocomposites for Enhanced Electromagnetic Shielding and High In-Plane Thermal Conductivity. ACS Applied Nano Materials, 5(5), 7217-7227. doi:10.1021/acsanm.2c01126 Hu, D., Wang, S., Zhang, C., Yi, P., Jiang, P., & Huang, X. (2021). Ultrathin MXene-aramid nanofiber electromagnetic interference shielding films with tactile sensing ability withstanding harsh temperatures. Nano Research, 14(8), 2837-2845. doi:10.1007/s12274-021-3297-z Hwang, C., An, J., Choi, B. D., Kim, K., Jung, S.-W., Baeg, K.-J., . . . Hong, J. (2016). Controlled aqueous synthesis of ultra-long copper nanowires for stretchable transparent conducting electrode. Journal of Materials Chemistry C, 4(7), 1441-1447. doi:10.1039/C5TC03614C Kim, H., Choi, S.-H., Kim, M., Park, J.-U., Bae, J., & Park, J. (2017). Seed-mediated synthesis of ultra-long copper nanowires and their application as transparent conducting electrodes. Applied Surface Science, 422, 731-737. doi:https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2017.06.051 Li, H., Ru, X., Song, Y., Wang, H., Yang, C., Gong, L., . . . Chen, Y. (2022). Flexible and self- healing 3D MXene/reduced graphene oxide/polyurethane composites for high- performance electromagnetic interference shielding. Composites Science and Technology, 227, 109602. doi:https://doi.org/10.1016/j.compscitech.2022.109602 Liang, C., Ruan, K., Zhang, Y., & Gu, J. (2020). Multifunctional Flexible Electromagnetic Interference Shielding Silver Nanowires/Cellulose Films with Excellent Thermal 96
  8. Chuyên san Phát triển Khoa học và Công nghệ số 8 (4), 2022 Management and Joule Heating Performances. ACS Applied Materials & Interfaces, 12(15), 18023-18031. doi:10.1021/acsami.0c04482 Su, L., Ma, X., Wang, J., Zhai, R., Song, C., Liu, X., & Teng, C. (2022). High-strength, flexible and superhydrophobic graphene/aramid nanofiber nanocomposite films for electromagnetic interference shielding application. Ceramics International, 48(18), 26013-26021. doi:https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2022.05.281 Tan, X., Liu, T.-H., Zhou, W., Yuan, Q., Ying, J., Yan, Q., . . . Lin, C.-T. (2022). Enhanced Electromagnetic Shielding and Thermal Conductive Properties of Polyolefin Composites with a Ti3C2Tx MXene/Graphene Framework Connected by a Hydrogen- Bonded Interface. ACS Nano, 16(6), 9254-9266. doi:10.1021/acsnano.2c01716 Thieu, N. A. T., Vu, M. C., Lee, E. S., Doan, V. C., & Kim, S.-R. (2019). Enhancement of Thermal Conductivity of Poly(methylmethacrylate) Composites at Low Loading of Copper Nanowires. Macromolecular Research, 27(11), 1117-1123. doi:10.1007/s13233-019-7155-8 Vu, M. C., Mani, D., Kim, J.-B., Jeong, T.-H., Park, S., Murali, G., . . . Kim, S.-R. (2021). Hybrid shell of MXene and reduced graphene oxide assembled on PMMA bead core towards tunable thermoconductive and EMI shielding nanocomposites. Composites Part A: Applied Science and Manufacturing, 149, 106574. doi:https://doi.org/10.1016/j.compositesa.2021.106574 Wan, Y., Xiong, P., Liu, J., Feng, F., Xun, X., Gama, F. M., . . . Xu, Y. (2021). Ultrathin, Strong, and Highly Flexible Ti(3)C(2)T(x) MXene/Bacterial Cellulose Composite Films for High-Performance Electromagnetic Interference Shielding. ACS Nano, 15(5), 8439-8449. doi:10.1021/acsnano.0c10666 Wei, H., Wang, M., Zheng, W., Jiang, Z., & Huang, Y. (2020). 2D Ti3C2Tx MXene/aramid nanofibers composite films prepared via a simple filtration method with excellent mechanical and electromagnetic interference shielding properties. Ceramics International, 46(5), 6199-6204. doi:https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2019.11.087 Weng, C., Xing, T., Jin, H., Wang, G., Dai, Z., Pei, Y., . . . Zhang, Z. (2020). Mechanically robust ANF/MXene composite films with tunable electromagnetic interference shielding performance. Composites Part A: Applied Science and Manufacturing, 135, 105927. doi:https://doi.org/10.1016/j.compositesa.2020.105927 Xie, K., Liu, Y., Tian, Y., Wu, X., Wu, L., Mo, Y., . . . Chen, F. (2021). Improving the flexibility of graphene nanosheets films by using aramid nanofiber framework. Composites Part A: Applied Science and Manufacturing, 142, 106265. doi:https://doi.org/10.1016/j.compositesa.2020.106265 Zhang, Y., Guo, J., Xu, D., Sun, Y., & Yan, F. (2018). Synthesis of Ultralong Copper Nanowires for High-Performance Flexible Transparent Conductive Electrodes: The Effects of Polyhydric Alcohols. Langmuir, 34(13), 3884-3893. doi:10.1021/acs.langmuir.8b00344 Zhou, B., Zhang, Z., Li, Y., Han, G., Feng, Y., Wang, B., . . . Liu, C. (2020). Flexible, Robust, and Multifunctional Electromagnetic Interference Shielding Film with Alternating Cellulose Nanofiber and MXene Layers. ACS Applied Materials & Interfaces, 12(4), 4895-4905. doi:10.1021/acsami.9b19768 97
ADSENSE

CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD

 

Đồng bộ tài khoản
2=>2