YOMEDIA
Đề tài " Seminar: Màng mỏng nhạy khí – Gas Sensor thin film "
Chia sẻ: Nguyen Nhi
| Ngày:
| Loại File: PDF
| Số trang:50
132
lượt xem
21
download
Download
Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ
Tham khảo bài thuyết trình 'đề tài " seminar: màng mỏng nhạy khí – gas sensor thin film "', tài liệu phổ thông phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả
AMBIENT/
Chủ đề:
Nội dung Text: Đề tài " Seminar: Màng mỏng nhạy khí – Gas Sensor thin film "
- Seminar:
Màng mỏng nhạy khí – Gas
Sensor thin film
GVHD: PGS-TS LÊ VĂN HIẾU
HVCH: NGUYỄN HOÀNG HUYNH
TRỊNH THANH THỦY
VŨ THỊ PHƯƠNG HIẾU
- Nội dung trình bày
Giới thiệu
1.
Các loại sensor
2.
Đặc điểm tính chất của sensor
3.
Các phương pháp cải thiện tính chất sensor
4.
Phương pháp khảo cứu đặc tính của
5.
sensor
Phân tích cấu trúc
Khảo sát tính chất nhạy khí
Các ứng dụng
6.
- Phương pháp khảo cứu đặc tính của sensor
Các phương pháp phân tích cấu trúc
1.
Nhiễu xạ tia X
Hiển vi điện tử quét (SEM)
Hiển Vi lực nguyên tử (AFM)
Các phương pháp khảo sát tính chất sensor
2.
Phân tích bão hòa
Phân tích giới hạn xác định giảm dần (LEL)
- Các phương pháp phân tích cấu trúc
1. Nhiễu xạ tia X
Được dùng để:
Cấu trúc của màng
Kích thước trung bình của các hạt tinh
thể
Sự định hướng của tinh thể
- Các phương pháp phân tích cấu trúc
- Các phương pháp phân tích cấu trúc
Structural studies were made by X-ray diffraction (XRD) using a
Siemens D5000 diffractometer operating with CuKα radiation at
grazing incidence. Standard data [10] were used to identify the
diffraction peaks for TiO2. The mean grain size D was estimated
from Scherrer’s formula, i.e.,
S K / Bcos
where K is a dimensionless constant, usually 0.9, 2θ is the
diffraction angle, λ is the X-ray wavelength, and β is the full width
at half maximum of the diffraction peak.
Figure 1 shows grazing incidence X-ray diffractograms for TiO2
films sputter deposited onto glass substrates kept at different
annealing temperatures. No diffraction peaks due to titanium oxide
were found for un-annealed samples. However annealing at 450
°C led to diffraction peaks corresponding to pure anatase, and
further heat treatment at 500 °C made the diffraction peaks grow
in intensity with the (004) reflection being strongest. Applying
Scherrer’s formula to the anatase (101) peak, it was found that D
≈ 15.8 nm after annealing at 450 °C and D ≈ 17.8 nm after
annealing at 500 °C.
(Z. Topaliana, Resistance noise in TiO2-based thin film gas sensors under ultraviolet
irradiation, Journal of Physics: Conference Series 76 2007)
- Các phương pháp phân tích cấu trúc
2. Hiển vi điện tử quét (SEM)
Các đặc điểm hình thái của bề mặt màng
như hình dạng và kích thước hạt, sự tồn
tại của các hợp chất, sự hiện hiện của
các ụ, dấu hiệu của những chỗ trống,
những vết nứt nhỏ, sự thành lập những
kết cấu bề mặt,.v.v. là những thông tin
thường thu được nhờ kỹ thuật SEM
- Principle of Scanning Electron Microscopy
- Principle of Scanning Electron Microscopy
Focused electron beam
Specimen: emits electrons and photons
Detector: electrons, photons, …
Amplifier brightness of corresponding pixel
Deflection coils: => scan the beam =>image
- Magnification
- Structure of SEM
- Field-Emission Gun Scanning Electron
Microscope Hitachi S4500
- Field-Emission Gun Scanning Electron
Microscope Hitachi S4500
Field-emission gun
Two secondary electron detectors
Backscatter detector
Infrared chamber scope
Noran XEDS (X-ray energy-dispersive spectrometry)
system
Spatial resolution: < 1.5nm at 15 keV electron energy
Also performs well at reduced beam energies (e. g. 1
keV)
facilitates observation of insulating materials
emphasizes near-surface structure of the specimen
- AFM 2
Atomic Force
1.5
Microscopy
repulsive
• The Atomic Force 1
Microscope (AFM) uses
Potential (a.u.)
0.5
various forces that occur
when two objects are 0
brought within nanometers
-0.5
of each other.
• An AFM can work either -1
when the probe is in
-1.5
contact with a surface, attractive
causing a repulsive force, -2
0.7 0.9 1.1 1.3 1.5 1.7 1.9
or when it is a few
nanometers away, where d is tan ce (An g s tr o m )
the force is attractive.
- AFM
- Modes of operation
Contact Mode:
Direct physical contact with the sample
Non-contact Mode:
Tip oscillating at constant distance above
sample surface
- “contact” and “non-
• In “contact mode” the AFM
measures hard-sphere repulsion
contact” mode
forces between the tip and
sample.
• In “non-contact mode”, the
AFM derives topographic images
from measurements of attractive
forces; the tip does not touch the
sample (Albrecht et al., 1991).
• In principle, AFM resembles the record
player as well as the stylus profilometer.
However, AFM incorporates a number of
refinements that enable it to achieve
atomic-scale resolution:
1. Sensitive detection
2. Flexible cantilevers
3. Sharp tips
4. High-resolution tip-sample positioning
5. Force feedback
- Sơ đồ nguyên lý hoạt động của AFM
Thêm tài liệu vào bộ sưu tập có sẵn:
Báo xấu
LAVA
ERROR:connection to 10.20.1.98:9315 failed (errno=111, msg=Connection refused)
ERROR:connection to 10.20.1.98:9315 failed (errno=111, msg=Connection refused)
Đang xử lý...
Thêm vào BST
Báo xấu
