Lession 3 : Diode

Chia sẻ: Lê Văn Lợi | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:72

Thêm vào BST

Báo xấu

801
lượt xem 176
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Nội dung: Cấu tạo và nguyên lý làm việc của Điot bán dẫn, Các tham số của Điot bán dẫn, Sơ đồ tương đương của Điot bán dẫn, Một số ứng dụng phổ biến của Điot bán dẫn.

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Lession 3 : Diode

Lession 3 : Diode ☺ 1/72
N i dung • CÊu t¹o v nguyªn lý l m viÖc cña §iot b¸n dÉn • C¸c tham sè chÝnh cña §iot b¸n dÉn • S¬ ®å t−¬ng ®−¬ng cña §iot b¸n dÉn • Mét sè øng dông phæ biÕn cña §iot b¸n dÉn 2/72
Ti p giáp PN 3/72
4/72
Dòng khu ch tán Ikt • Do chªnh lÖch nång ®é h¹t dÉn gi÷a hai phÝa cña khu vùc mÆt ghÐp PN: pp >> pn v nn >> np nªn x¶y ra qu¸ tr×nh khuyÕch t¸n lç trèng tõ b¸n dÉn P sang b¸n dÉn N v ®iÖn tö tõ N sang P t¹o th nh dßng khuyÕch t¸n Ikt • Ikt = Ipkt + Inkt : dßng cña h¹t dÉn ®a sè 5/72
ði n th ti p xúc Utx 6/72
7/72
Utx • Do tån t¹i líp ®iÖn tÝch kÐp Q, h×nh th nh mét ®iÖn thÕ tiÕp xóc Utx t¹i vïng tiÕp gi¸p. Gi¸ trÞ Utx tÝnh theo c«ng thøc sau: KT  Pp  KT  n n  U tx = ln  = P  ln   q q n   n  p • Víi chÊt b¸n dÉn Ge: Utx ≅ 0,3V Si: Utx ≅ 0,7V • Itr«i = In tr«i + I p tr«i : dßng cña h¹t dÉn thiÓu sè • IΣ = Ikt - I tr«i = 0 : ? 8/72
Phân c c cho diode 9/72
10/72
Figure 1: Closeup of a diode, showing the square shaped semiconductor crystal Figure 2: Various Figure 3: Structure of a semiconductor vacuum tube diode diodes. Bottom: A bridge rectifier 11/72
Light Emitting Diode 12/72
13/72
Ph©n lo¹i diode 14/72
ð c tuy n V-A 15/72
ð c tuy n V-A UD • I=Is[exp( mU )-1] T • UD : ñi n áp ñ t vào ñi t D • UT : th nhi t (=KT/q) • Is : dòng ñi n ngư c bão hòa • m : h s t l (1÷2) • K=1,38.10-23J/oK • q= 1,6.10-19 C • rD =m.UT/ID 16/72
ð c tuy n V-A 17/72
• §iÖn ¸p më cña §iot Ge nhá h¬n so víi §iot Si: UD0 = 0,3V (Ge) UD0 = 0,7V (Si) • §iot Si cã ®iÖn ¸p ng−îc ®¸nh thñng lín h¬n §iot Ge, (§iot Si gi¸ trÞ n y cã thÓ ®¹t tíi 1000V cßn §iot Ge chØ cì kho¶ng 400V.) • §iot Si cã d¶i nhiÖt ®é l m viÖc lín h¬n §iot Ge (nhiÖt ®é cùc ®¹i cña §iot Si cã thÓ ®¹t tíi 2000C cßn ®èi víi §iot Ge l kh«ng qu¸ 1000C). • Dßng ng−îc cña §iot Si nhá h¬n nhiÒu so víi §iot Ge IS (Si)
¶nh h−ëng cña nhiÖt ®é lªn ®Æc tuyÕn cña §iot ID(mA) 20 100oC 25oC -75oC 15 10 5 UD(V) -60 -50 -40 -30 -20 -10 0 0,3 0,5 0,7 0,1µA 100oC 25oC -75oC 19/72
20/72