Một số dụng cụ bán dẫn và vi mạch: Phần 1

Chia sẻ: Na Na | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:60

Thêm vào BST

Báo xấu

175
lượt xem 59
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Tài liệu Dụng cụ bán dẫn và vi mạch: Phần 1 trình bày một số dụng cụ bán dẫn. Nội dung phần này gồm chương 1, chương 2 của Tài liệu, trình bày những cơ sở vật lý của chất bán dẫn, các loại điốt bán dẫn. Cùng tham khảo nội dung phần 1 Tài liệu để hiểu rõ hơn về các dụng cụ bán dẫn.

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Một số dụng cụ bán dẫn và vi mạch: Phần 1

LÊ XUÂN THÊ DỤNG CỤ BÂN DẪN VÀ VI MẠCH ■ NHÀ XUẤT BẢN GIÁO DUC
Phần 1 DỤNG CỤ BÁN DẪN CÁC KÝ HIỆU DÙNG TRONG CHƯƠNG 1 A - Công thoát nhiệt ; hằng số. B - Độ cảm ứng từ. b = |aj,/|u,p - Tỷ số độ linh động của điện tử và độ linh động của lỗ trống. C3 , Cy - Điện dung lớp chuyển tiếp p - n, điện dung của Varicap. , Dp - Hệ số khuếch tán của điện tử và lỗ trống.. d - Độ rộng lớp chuyển tiếp p - n. E —Điện trường. - Mức tạp chất axepto và đôno. E^, E y , E p -M ứ c năng lưọfng đáy vùng dẫn, đỉnh vùng hoá trị, mức Fecmi. Epi, Ep , Ep - Mức Fecmi ở bán dẫn không tạp, bán dẫn loại n, loại p. AE - Độ rộng vùng cấm. g - Tốc độ sinh hạt tải điện, ệ - Cường độ bức xạ. f - Tần số. I, I„g, I ạ , I q - Dòng điện, dòng thuận, dòng ngược, dòng anốt, dòng máng. J, jp - Mật độ dòng, mật độ dòng điện tử, mật độ dòng lỗ trống. k - Hằng số Boltzman. , jp - Mât đô dòng điên tử khuếch tán và dòng lỗ trống khuếch tán. K t • K t K - Độ Kenvin. L - Độ dài. M - Hệ số nhận hạt tải của chuyển tiếp p - n. m *, m* - Khối lượng hiệu dụng củ^^iện tử và lỗ trống.
, N - Mật độ nguyên tứ axepto và đỏno. ^I N,^, N p - Mật độ hiệu dụng điện tử trong vùng dẫn và lỗ trống trong vùng hoá trị. n - Mật độ điện tử. n^, Hp - Mật độ điện tử trong bán dẫn loại n và trong bán dẫn loại p. Iiị, Pị - Mật độ điện tử, mật độ lỗ trống trong bán dẫn không tạp. p - Mật độ lỗ trống. q, q„, q p - Điện tích, điện tích của điện lử, điện tích của lỗ trống. r - Tốc độ tái hợp. s - Diện tích. T - Nhiệt độ tuyệt đối ; chu kỳ dao động, t - Thời gian, u - Điện áp. V, - Điện thế, điện thế thuận, điện thế ngược và điện thế đánh thủng. V - Vận tốc. a - Hê số truyền dòng điện, ß - Hệ số khuếch đại dòng, y - Độ dẫn điện. - Hằng số điện inổi của chân không, s - Hằng số điện môi. 0 - Thời gian rơ lắc. cp- Tliế tĩnh điện. (P|^ - Hiệu thế tiếp xúc. ẹ-ỵ - Thế nhiệt, co - Tần số góc. ịo,^, I^p - Độ linh động của điện tử và lỗ trống. Ç - Điện trở suất, ơ - Độ dẫn riêng. , Tp - Tliời gian sống của điện tử và lỗ trống.
C hương 1 NHỮNG C ơ SỞ VẬT LÝ CỦA CHẤT BÁN DẪN 1.1. Tính chất vậ t lý và các dạng dẫn diện của bán dẫn Vậi liệu bán dẫn có cấu trúc tinh thể rắn. Điện trở suất của chúng : ?BD ~ ( 10“ ^ ^ lo'®) Q.cm,nằm giữa điện trở suất của kim loại " ‘ĨKL = (10“^ -ỉ- 10““ Q.cm và điện trở suất của điện môi ^) ÍĐM = ( 10'° - 10 '^) Kim loại Bán dẫn Điện môi H------- H H ------ h c [O.cm] , 10-® 10-'' 10^° 10 1 5 Hình 1.1 : Điện trỏ suất của các vật liệu. Khi chế tạo dụng cụ bán dẫn và các mạch vi điện tử, người ta thường dùng Ge, Si, Ga, As, và một số chất bán dẫn khác như Se, Ti hoặc niột số loại oxyt, Cacbit, Sulfua... Tính phất đặc trưng nhất của bán dẫn là độ dẫn điện của nó phụ thuộc rất nhiều vào nhiệt độ, độ chiếu sáng và điện trưòrng. Điện trở của bán uủti giảm nhanh khi nhiệt độ tăng. Ngược với kim loại là điện trở tăng khi nhiệt độ tăng. Khảo sát bằng thực nghiệm cho ta sự phụ thuộc vào nhiệt độ của điện trở R của kim loại và bán dẫn được vẽ trên hình 1.2. Hình 1.2 : Sự phụ thuộc của điện trở vào nhiệt độ. 1.1.1. Bán dẫn không tạp chất Để giải thích đặc trưng dẫn điện của bán dẫn, ta hãy nghiên cứu một thể tích lý tưởng của tinh thể Ge. Ge là một nguyên tố thuộc nhóm IV trong bảng tuần hoàn. Hình vẽ 1.3a mô tả mạng tinh thể Ge trên mặt phẳng.
E Vùng dẫn 3= 0= ^ = Q = G r= Q Ec Phát sinh Ef Tái hợp Ev Vùng hoá trị b) Hình 1.3 : Mạng tinh thể (a) và giản đồ năng lượng (b) của Ge tinh khiết. Nguyên tử Ge được phân bố ở nút mạng tinh thể và liên kết với các nguyên tử lân cận bằng 4 điện tử hoá trị. Haỉ đường thẳng nối giữa các nút mạng biếu diễn mối liên kết đồng hoá trị giữa các cặp điện tử dùng chung. Tổng hợp các mức năíig lượng của các điện tử hoầ trị của tinh thể Ge lý tưcmg tạo nên giản đồ năng lượng biểu diễn trên hình 1.3b. Trong đó Ec : mức năng lượng đáy vùng dẫn. Ey mức đỉnh vùng hoá trị. Ep mức Fecmi. AE : độ rộng vùng cấm. ở nhiệt đ ộ T = OK : ở bán dẫn không tạp chất, tất cả các e hoá trị đều tham gia mối liên kết đồng hoá trị. Như thế là chúng chiếm đầy tất cả các mức năng lượng trong vùng hoá trị. Còn vùng dẫn không có điện tử. Như vậy ở T = OK, bán dẫn không dẫn điện. Giữa đỉnh vùng hoá trị Ey và đáy vùng cấm Eg là vùng cấm có độ rộng AE = Eg - Ey V ớ iG e: A E ~ 0 ,7 2 eV Với Si : AE~1,2 eV Như vậy, để chuyển điện tử ở vùng hoá trị lên vùng dẫn cần cung cấp một năng lượng > AE. Năng lượng này có thể là năng lượng nhiệt. Khi nhiệt độ T > OK : Do có năng lượng chuyển động nhiệt, sẽ có một số điện tử phá vỡ liên kết đồng hoá trị và chuyển từ vùng hoá trị lên vùng dẫri và để lại một lỗ trống trong vùng hoá trị tạo nên độ dẫn lỗ trống. Độ dẫn này trong điện từ trường giống như một điện tích dưoíng có giá trị điện tích bằng điện tích của điện tử. Quá trình tạo nên cặp điện tử tự do và lỗ trống như trên được gọi là quá trình sinh hạt tải và được biểu diễn bằng mũi tên trên hình 1,3b. Mật độ điện tử và lỗ trống trong bán dẫn không suy biến tuân theo thống kê Maxwell - Boltzman. 8
Ec-Ep n = Nj,e (1-1) _ Ep-Ey p = N„e kT ( 1_ 2 ) p" , N p ; Mật độ hiệu dụng các trạng thái trong vùng dẫn và vùng hoá trị. k = l,38.10"^^j/K Nhân (1.1) với (1.2). Coi khối lượng hiệu dụng của lỗ trống bằng khối lượng hiệu dụng của điện tử và N„ « Np « N ta có : E(^— y E AE n.p = N^e = N^e (1 -3 ) Trong trạng thái cân bằng nhiệt động, mật độ điện tử trong vùng dẫn của bán dẫn không tạp chất rii bằng mật độ lỗ trống trong vùng hoá trị P i, tức là : Dị = Pi = n (1-4) Từ (1.3) ta suy ra : AE n = N e 2kT ( 1 _ 5 ) Từ công thức này ta thấy mật độ hạt tải điện trong bán dẫn càng lớn khi nhiệt độ càng cao và độ rộng vùng cấm càng nhỏ. Từ (1.1) và (1.2) ta cũng rút ra : Ep, = = (1-6) Như vậy mức Fecmi trong bán dẫn không tạp chất được nằm ở giữa vùng cấm (hình 1.3b). Dưói tác dụng của năng lượng nhiệt, các điện tử trong vùng dẫn và các lỗ trống trong vùng hoá trị thực hiện chuyển động nhiệt hỗn loạn. Song song với quá trình phát sinh nói trên, còn xảy .ra quá trình các điện tử nhảy từ vùng dẫn xuống lấp vào lỗ trống trong vùng hoá trị tạo nên quá trình tái hợp của cặp điện tử lỗ trống. Số tái hợp tỷ lệ với mật độ hạt tải điện. Khi đặt điện trườtĩg ngoài E vào hán dãn : chuyển động của điện tử và lỗ trống trong bán dẫn được định hướng. Nghĩa là khi T > OK bán dẫn có khả năng dẫn điện. Độ dẫn càng lớn khi cưòfng độ của quá trình phát sinh ra cặp điện tử lỗ trống càng lớn. Độ dẫn này bao gồm cả chuyển động của điện tử và chuyển động của lỗ trống. Như vậy độ dẫn toàn phần gồm độ dẫn của điệntử cộng với độ dẫn của lỗ trống. Gọi độ dẫn toàn phần là Y ta có :
Y = +qpPI-lp ( 1- 7 ) q^, Qp : Điện tích của điện tử và lỗ trống ; fip : Độ linh động của điện tử và lỗ trống. Độ dãn này được gọi là độ dãn riêng của bán dẫn. Độ dẫn riêng còn gọi là độ dãn của bán dẫn không tạp chất. Bán dẫn không tạp chất còn được ký hiệu là bán dẫn loại ị. Độ dẫn riêng thường là không lớn. Hơn nữa độ dẫn điện tử và độ dẫn lỗ trống đều chỉ là do chuyển động của điện tử trong bán dẫn (điện tử trong vùng dẫn chuyển động theo hướng ngược chiéu với điện trường. Còn các điện tử trong vùng hoá trị sẽ chuyển động đến lấp các lỗ trống theo hướng ngược lại với chuyển động của lỗ trống). Mật độ điện tử và lỗ trống của bán dẫn không tạp ở nhiệt độ phòng (20°C) đối với : Ge : 2.1o'‘ cm ^ , với ^ Si : 1,4. lO'*’ cm (Mật độ nguyên tử của mạng tinh thể là 5.10^" cm 1.1.2. Bán dẫn tạp chất • Búu clcỉn loại n : Nếu trong tinh thể Ge ta dưa vào tạp chất là nguyên tố nhóm V ví dụ As. Nguyên tử As sẽ chiếm 1 nút mạng. Nó bỏ ra 4 điện tử tạo nên liên kết đồng hoí’ tn và còn thừa 1 điên tử. Vùna dẵn ------- ----------------- ------------------------ Ec --------g]------[ị]------[+)--------------- Ef ■o ILÍ LÌĨ
phòng các điện tử ở mức tạp chất dễ dàng chuyển hết lên vùng dẫn để lại các lỗ trống trên mức (nút mạng có nguyên tử tạp chất trở nên ion điện tích dưoTig). Số lượng các điện tử từ mức nhảy lên vùng dẫn rất lớn hơn số điện tử từ vùng hoá trị nhảy lên vùng dẫn. Như vậy độ dẫn của bán dẫn tạp này là độ dẫn điện tử gọi là bán dẫn loại n. Trong bán dẫn loại n thì điện tử là hạt rải cơ bản, lỗ trống là hạt tải không cơ bản. Mật độ điện tử trong bán dẫn loại n được tính : Ep - E (1-8 ) kT Từ đây ta xác định được vị trí của mức Fecmi trong bán dẫn loại n : n. Ep = Ep + kT In (1-9) n v"ì y Như vậy : Mức Fecmi trong bán dẫn tạp loại n sẽ dịch lên gần với vùng dẫn. Độ dịch lên càng nhiều khi mật độ tạp chất càng cao. (Có thể nằm trên vùng dẫn như ở điot Tunel). • Bún dẫn ìoại p : Nếu đưa tạp chất là nguyên tô' nhóm III ví dụ In vào Ge ta sẽ được bán dẫn loại p. Nguyên tử In chiếm 1 nút mạng. Khi thực hiện liên kết đồng hoá trị sẽ thiếu 1 điện tử, để lại một lố trống. E Vùng dằn trống T ứ x"' A Ef Ea Ev Vùng hoá trị a) b) Hình 1.5 : Mạng tinh thể (a) và giản đồ năng lượng (b) của Ge có pha tạp chất In. Mức tạp chất của lỗ trống là nằm trong vùng cấm và gần với đỉnh vùng hoá trị gọi là axeptor (mức nhận). Vì AE^ « AEnên ở nhiệt độ phòng các điện tử trong vùng hoá trị sẽ dễ dàng nhảy lên lấp lỗ trống trên mức E ạ, để lại hàng loạt lỗ trống trong vùng hoá trị. (Nguyên tử In được điện tử nhảy lên chiếm lỗ trống tạo nên ion âm). 11
Số lỗ trống này rất lớn hơn số điện tử dẫn tạo nên do quá trình phát sinh hạt tải điện. Vì vậy độ dẫn của bán dẫn này là dẫn lỗ trống. Lỗ trống là hạt tải cơ bản. Bán dẫn được gọi là bán dẫn loại p. Mật độ lỗ trống trong bán dẫn loại p được xác định : (1- 10) pp = " i e - ~ - Từ đó ta tính được mức F ecm i: Pd Ep = Ep - kT In M n Như vậy mức Fecmi trong bán dẫn loại p lại dịch xuống về phía đỉnh vùng hoá trị. Độ dịch chuyển càng nhiều khi mật độ tạp càng cao (có thể nằm trong vùng hoá trị như ở điot Tunel). 1.2. Sự hình thành lóp chuyên tiếp p - n. Hiệu th ế tiếp xúc Miền tịếp giáp giữa hai bán dẫn loại p và loại n được gọi là lớp chuyển tiếp p - n. Lớp chuyển tiếp này là cơ sở của hầu hết các dụng cụ bán dẫn. Ta có thể tạo nên chuyển tiếp mặt và chuyển tiếp điểm. Trước đây người ta chế tạo các lớp p - n bằng phưcmg pháp bay hơi, khuếch tán. Hiện nay ngưòi ta dùng phưofng pháp Epitaxial - Planar. Ta hãy nghiên cứu quá trình vật lý xảy ra trong miền chuyển tiếp mặt p - n. Dây w Miền chuyển tiếp Chuyển tiếp Hình 1.6 : Chuyển tiếp mặt và chuyển tiếp điểm p - n. Khi đặt hai loại bán dẫn p và n tiếp xúc nhau, vì mật độ điện tử bên n rất lớn hơn bên p và ngược lại mật độ lỗ trống bên p rất lớn hơn bên n tức là tại miền tiếp giá[. nhau có gradian mật độ : dp , dn và ^ dx dx Gradian mật độ này tạo nên sự khuếch tárí điện tử sang p và khuếch tán lỗ trống sang n miền này gọi là lófp chuyển tiếp p - n (còn gọi là miền nghèo). 12
Dòng khuếch tán là dòng các hạt cơ bản và được xác định : dp Jp.Ki = -qpD p ( 1- 12) \ dx dx Jn.Kt “ = qnDn (1 -1 3 ) dx dx jpj^(: Dòng lỗ trống khuếch tán ; f : Dòng điện tử khuếch tán ; D„, D p: Hệ số khuếch tán của điện tử và lỗ trống. Jki Ecn Epn •vn Hình 1.7 : Sự hình thành hàng rào thế tiếp xúc và giản đồ năng lượng của chuyển tiếp p - n khi thế phân cực bằng không. 13
Kết quả là bên n tích điện dương bên p tích điện âm tạo nên điện trường E như trên hình vẽ1.7. Dưới tác dụng của điện trường này qua lóp chuyển tiếp p - n sẽ có dòng cuốn zác hạt tải không cơ bản. Nghĩa là lỗ trống từ bán dẫn n và điệntử từ bán dẫn loại p đi qua miền tiếp xúc. Mật độ dòng cuốn được tính như sau : jp.c' = q pP ^ ip - E (1-14) in.c' = q n n ^ n - E (1-15) jp ^ : Đòng lỗ trống cuốn ; ; Dòng điện tử cuốn ; Qp, q„ : Điện tích của lỗ trống và điện tử ; f0.p, : Độ linh động của lỗ trống và điện tử ; p : Mật độ lỗ trống ; n : Mật độ điện tử. Mật độ dòng tổng cộng đi qua miền chuyển tiếp p - n là tổng dòng khuếch tán cộng dòng cuốn. Khi không có trường ngoài tổng này bằng 0. Vì khi gặp nhau chúng tái hợp trong miền chuyển tiếp p - n. Vậy trongtrạng tháicân bằng nhiệt động ; iiổng = -qpDp ^ + qpPl^pE + q„D„ ^ + qnH^nE = 0 (1 -16 ) Khi có bán dẫn loại p đặt tiếp xúc với bán dẫn loại n thì tai chỗ tiếp xúc xuất hiện hàng rào thế tiếp xúc cpị^ . = (Pt- In (1-17 ) Pn kT (Pt- = — = thế nhiệt (T = 300K thì (Pt =0,026 V) n„, Rp : Mật độ điện tử trong bán dẫn n và p Pp, p„ : Mật độ lỗ trống trong bán dẫn p và n (ở chuyển tiếp loại Ge : (Pj^ = (0,3 -r 0 ,4)V Si : (Pk = ( 0 ,7 ^ 0 ,8 ) V Như vậy khi không có trường ngoài đặt vào thì ở chỗ chuyển tiếp p - n có sự cân bằng nhiệt động. Lúc đó mức Fecmi ở hai loại bán dẫn nằm ngang nhau (hình1.7). 14
1.3. Đ ạc trưng Vol - A m pe của lốp chuyên tiếp p - n 1.3.1. Phân cực ngược Khi ta mắc V|,g có cực dương vào bán dẫn n và cực âm vào bán dẫn p, lúc đó miền nghèo mở rộng và độ cao hàng rào Ihế năng tăng lên (hình 1.8 a) : < K + v„. I> Trạng thái càn bằng nhiệt động bị phá vỡ. Khi đó mật độ dòng khuếch tán qua miền tiếp xúc p - n theo (1 -1 2 ) và (1 -1 3 ) giảm. Mật độ dòng cuốn (1-14), (1 -1 5 ) không thay đổi, vì khi tăng V|^g chỉ làm lãng vận tốc cuốn các hạt tải chứ không làm tăng mật độ của chúng. Dòng chạy qua miền tiếp xúc p - n lúc này là : \ ve- -ì) (1 -1 8 ) Đặc trưng V - A phù hợp (1 -1 8 ) cho trên hình 1.9a. 15
+ v,h - ^Ih u Vth *Pk k i ĩ E Ecp E cn -^X v,h Epn Ef I-I' Evp ■vn b) Hình 1.8 : Hàng rào thế và giản đồ năng lượng của chuyển tiếp p - n khí phân cực ngược (a) và phân cực thuận (b). Vng.đth 16
ở điện áp ngược V > (4 -ỉ- 5) (Py = 0, IV -ỉ- 0 ,13V). Thành phần thứ nhất trong ^ng (1 -7 ) (thành phần dòng khuếch tán) IqC có thể bỏ qua và dòng ngược đạt giá trị bão hoàl^g = ly , giá trị này không phụ thuộc mức độ điện áp ngược. Như vậy dòng ngược được xác định bằng dòng các hạt tải khởng cơ bản (dòng cuốn). Khi có điện áp ngược, mức Fecmi hai bên chênh nhau v„g. Nếu v„g tăng đến v^g^ thì có sự đánh thủng và Iq tăng lên đột ngột. Đánh thủng lớp p - n ở đây kèm theo đánh thủng nhiệt. Sự đánh thủng được giải thích như sau : Khi V|^g > điện trường trong lớp p - n tăng lên gia tốc các hạt tải có năng lượng lớn khi va chạm sẽ ion hoá vật chất của lớp chuyển tiếp tạo nên thác lũ các cặp điện tích bổ sung làm tăng mạnh dòng ngược. Khi nhiệt độ môi trưcmg tăng, dòng ngược cũng tăng theo công thức : = (1-19) Với To = 300K Điều đó thể hiện trên hình 1.9a. 1.3.2. Phân cực thuận Khi mắc Vjj, có cực dương vào bán dẫn p và cực âm vào bán dẫn n. Miền nghèo của lớp chuyển tiếp p - n hẹp lại, độ dẫn của nó tăng lên. Vì dưới tác dụng của V((, các điện tử e sẽ chuyển động về phía p còn lỗ trống chuyển động về phía n. Vịf, đặt vào ỉàm cho hàng rào thế hạ xuống một lượng Vịị, (hình 1.8b) và tạo điều kiện cho sự phun hạt tải cơ bản lỗ trống từ p sang n và e từ n sang p. Khi đó qua lớp chuyển tiếp p - n sẽ có dòngthuận lớn đó là dòng các hạt cơ bản đi qua. Hàng rào thế càng hạ thấp thìdòng thuận tiếp tục tăngtrong khi giá trị dòng cuốn ngược không đổi. Khi chế tạo người ta thường tạo nên mật độ hạt loại p lớn hơn 2 -r 3 lần loại n (hoặc ngược lại). Miền mật độ hạt cao, trỏf nhỏ, sẽ phun hạt tải qua lớp chuyển tiếp mạnh dùng làm emitơ. Miền mật độ thấp, trở cao dùng làm'bazơ. Dòng thuận gồm lỗ trống và điện tử ; I* = I p + l n - 1^ ( 1- 2 0 ) Đặc trưng V - A khi phân cực thuận trên hình 1.9b. Khi Vjj, tăng thì tăng theo hàm exp. 2-VI MẠCH 17
Khi » {py dòng chỉ bị giới hạn bởi điện trở của miền bazơ Tj,. Dòng thuận lớn gấp trăm lần dòng ngược. Tính chất này là tính chỉnh lưu của chuyển tiếp p - n. Khi tăng nhiệt độ, dòng thuận cũng cao hơn. Bán dẫn khi có mật độ tạp cao được gọi là bán dẫn suy biến. Khi đó độ rộng lóp chuyển 0 tiếp chỉ hẹp cỡ 100 A . Vùng hoá trị của bên p cao lên trùng với vùng dẫn của n. Khi đó điện tử từ n có thể chui sang p bằng hiệu ứng đưcíng hầm. Lúc đó ta có nguyên tắc hoạt động của điốt Tunel. Đặc trưng V - A của điốt Tunel có dạng hình 1.9c 1.4. Chiểu rộng, điện dung của chuyên tiế p p - n Sự phân bô' thế trong miền chuyển tiếp được xác định bằng nghiệm của phưong trình Poisson. Quan hệ giữa trường thế (p và mật độ điện tích khối q ở đó : d^íp (1- 21 ) d ỉ ee, 1.4.1. Chiều rộng của lớp chuyển tiếp p - n Khi cho một khối bán dẫn loại p tiếp xúc với khối bán dẫn loại n thì sự phân bố điện tích khối ở mặt tiếp xúc đó có dạng nhảy bậc như hình 1. 10 . Phuofng trình Poisson ở đây là : x^>x>0 ^ ^ = - s ĩỉá dx^ eeo -x „ < X < 0 -> dx £ 8, : Mật độ nguyên tử Đonor trong bán dẫn loại n Na : Mật độ nguyên tử Axeptor trong bán dẫn loại p. Với điều kiện biên dọ = 0 dx dọ _ Hình 1.10 : Sự phân bố độ X = -X p ^ ọ = -CPk = 0 rộng d và điện tích khối ở dx chuyển tiếp p - n. Giải phưoỉng trình : Khi X >0 íậ L Ì = i ặ k d x - ^ % = - : : ^ x + c, dx J 88o dx S8q 18
Từ điều kiện biên : c ,= 3 ^ .„ v à * L = _ a^(x-x„) E8(J " dx eSo Từ đó lấy tích phân ta được : _ -qNd qNj p r - -q ^ d Ể. 2 £00 2 -q N j . .2 ''à qi > (x -x „ ) 2 ee 0 Tưofng tự : Khi X