Trắc nghiệm về phần BJT

Chia sẻ: Dao Son | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:14

Thêm vào BST

Báo xấu

378
lượt xem 67
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Tài liệu tham khảo Trắc nghiệm về phần BJT

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Trắc nghiệm về phần BJT

Email: ductrong90ictu@gmail.com Website: WWW.BeautifulLife.Cwahi.net 1 By Khát Vọng Sống Email: ductrong90ictu@gmail.com Website:WWW.BeautifuLife.Cwahi.net A. Câu hỏi phần BJT. 3.1. Giới thiệu về BJT. 1. Ba điện cực của BJT là gì ? a. phát [emitter], gốc [base], góp [collector]. b. T1, T2, T3 c. nguồn [source], cổng [gate], máng [drain]. d. emitter, gate, collector. 2. Mũi tên trong ký hiệu mạch của BJT luôn luôn chỉ vào loại vật liệu nào ? a. dạng P; b. dạng N; c. dạng base; d. dạng PN. 3. Các BJT được phân loại thành . . . . a. các dụng cụ PPN và PIN. b. NPN và PNP. c. các dụng cụ NNP và PPN . d. dạng N và dạng P. 4. Ký hiệu mạch của transistor PNP là . .b . . 3.2. Cấu tạo của BJT. 5. Có bao nhiêu tiếp giáp PN trong BJT? a. 0. b. 1. c. 2. d. 3. e. 4. 6. Loại vật liệu nào là vùng base của transistor PNP? a. dạng P. b. dạng N c. dạng base. d. dạng PN. 7. So với vùng collector và emitter, vùng base của BJT là . . . . a. rất dày. b. rất mõng. c. rất mềm. d. rất cứng. 8. Trong một BJT, dòng base là . . . . . . . . . . . . . . . . . . khi được so với hai dòng collector và emitter.. a. nhỏ. b. lớn. c. nhanh. d. chậm.
9. Một BJT có cấu tạo để vùng base của nó rất mõng và . . . . .. a. được pha tạp đậm. b. được pha tạp như vùng collector. c. được pha tạp loãng. d. được pha tạp như vùng emitter. 10. Dòng collector của BJT luôn luôn . . . . a. nhỏ hơn nhiều so với dòng emitter của BJT. b. nhỏ hơn so với dòng base. c. bằng dòng emitter. d. bằng dòng emitter trừ dòng base. 11. Trong hoạt động thông thường của transistor NPN, phần lớn điện tử di chuyển vào cực emitter . Email: ductrong90ictu@gmail.com Website: WWW.BeautifulLife.Cwahi.net 2 .... a. ra khỏi transistor thông qua cực collector. b. ra khỏi transistor thông qua cực base. c. sẽ được hấp thụ bởi transistor. d. không phải các trường hợp trên. 12. Phương trình nào biểu diễn quan hệ đúng giữa các dòng base, emitter, và collector ? a. IE = IB + + . b. IC = IB + IE. c. IE = IB + IC. d. IB = IE + IC. 13. Tỷ số của dòng collector và dòng base được gọi là . . . . . . . . a. rho b. pi c. omega d. beta e. alpha. Email: ductrong90ictu@gmail.com Website: WWW.BeautifulLife.Cwahi.net 3 3.3. Chuyển mạch bằng BJT. 14. Khi một chuyển mạch bằng BJT đang dẫn bão hoà, thì VCE xấp xĩ bằng . . . . . . . . a. VCC; b. VB; c. 0,2V; d. 0,7V. 15. Khi một chuyển mạch bằng BJT đang dẫn, thì dòng collector sẽ được giới hạn bởi . . . . . . a. dòng base; b. điện trở tải; c. điện áp base; d. điện trở base. 16. Khi một chuyển mạch bằng BJT ngưng dẫn, thì VCE xấp xĩ bằng . . . . . . a. VCC; b. VB; c. 0,2V; d. 0,7V. 3.4. Trang số liệu và các thông số của BJT. 17. Ba thông số quan trọng của BJT là beta, công suất tiêu tán lớn nhất, và . . . . . . . .
a. rho nhỏ nhất; b. pi nhỏ nhất; c. dòng collector nhỏ nhất; d. dòng giử nhỏ nhất. 18. Thông số hfe sẽ bằng với . . . . . . . . của transistor. a. alpha; b. beta; c. dòng collector lớn nhất; d. dòng giử nhỏ nhất. 3.5. Mạch khuyếch đại bằng transistor. 19. Khi mạch khuyếch đại bằng BJT được phân cực đúng để hoạt động ở chế độ A, thì . . . . . . . a. tiếp giáp base - emitter được phân cực thuận và tiếp giáp base - collector được phân cực ngược; b. tiếp giáp base - emitter được phân cực ngược và tiếp giáp base - collector được phân cựcngược; c. tiếp giáp base - emitter được phân cực thuận và tiếp giáp base - collector được phân cực thuận; d. tiếp giáp base - emitter được phân cực ngược và tiếp giáp base - collector được phân cực thuận. 20. Để mạch khuyếch đại hoạt động ở chế độ A, thì tiếp giáp base - collector của BJT cần phải . . a. hở mạch; b. kín mạch; c. được phân cực thuận; d. được phân cực ngược. 21. Hệ số khuyếch đại điện áp của mạch khuyếch đại bằng BJT bằng . . . . . . a. VB/VE; b. Vin / Vout; c. Vout / Vin; d. VCC / VC. 22. Điện áp phân cực tại collector (VC) của mạch khuyếch đại hoạt động ở chế độ A xấp xĩ bằng . a. VCC; b. một nửa VCC; c. 0V; d. 0,2V. 3.6. Phân tích tín hiệu ở mạch khuyếch đại phân cực base. 23. Trở kháng vào của mạch khuyếch đại phân cực base sẽ bằng . . . . . . . . a. 1kΩ; b. tỷ lệ nghịch với beta; c. tỷ lệ thuận với beta; d. không phải các trường hợp trên. 24. Trở kháng ra của mạch khuyếch đại phân cực base sẽ bằng..... . . . . . . . . a. Rc; b. tỷ lệ nghịch với beta; c. tỷ lệ thuận với beta; d. 1kΩ. 25. Độ lệch pha giữa hai tín hiệu vào và ra của mạch khuyếch đại phân cực base bằng . . . . . . .. a. 0o; b. 90o;
c. 180o; d. 270o. 26. Công thức chung để tính hệ số khuyếch đại điện áp của mạch khuyếch đại phân cực base là . . . ... a. Av = VCC / Vc; b. Av = VB / VE; c. Av = rc / re; d. Av = RL x x . Email: ductrong90ictu@gmail.com Website: WWW.BeautifulLife.Cwahi.net 4 3.7. Phép đo trở kháng vào và ra. 27. Trở kháng vào của một mạch khuyếch đại bằng transistor có thể đo được bằng cách sử dụng . a. đồng hồ đo điện trở [ohmmeter]; b. đồng hồ đo trở kháng; c. máy vẽ đặc tuyến; d. điện thế kế mắc nối tiếp với máy tạo sóng. 28. Trở kháng ra của một mạch khuyếch đại bằng transistor có thể đo được bằng cách sử dụng . . a. đồng hồ đo điện trở [ohmmeter]; b. đồng hồ đo trở kháng; c. máy vẽ đặc tuyến; d. điện thế kế đặt vào vị trí của điện trở tải. 3.8. Họ đặc tuyến ra của BJT. 29. Họ đặc tuyến ra của BJT là đồ thị của . . . . . . a. dòng base theo điện áp collector - emitter; b. dòng collector theo điện áp base -emitter; c. dòng collector theo điện áp collector - emitter; d. dòng emitter theo điện áp base - emitter. 3.9. Sai hõng trong mạch BJT. 30. Khi kiểm tra một BJT tốt bằng đồng hồ đo điện trở, thì BJT sẽ biểu hiện . . . . . . a. sẽ biểu hiện tỷ số điện trở thuận - nghịch cao trên cả hai tiếp giáp; b. sẽ biểu hiện tỷ số điện trở thuận - nghịch cao trên tiếp giáp collector - base; c. sẽ biểu hiện tỷ số điện trở thuận - nghịch cao trên tiếp giáp emitter - base; d. không phải các ý trên. 31. Khi đầu que dương của một đồng hồ đo điện trở [ohmmeter] được nối đến base, còn đầu que âm được nối đến collector của một transistor NPN, thì giá trị điện trở đo được là bao nhiêu ? a. 0Ω; b. điện trở thấp; c. 5kΩ; d. điện trở cao. 32. Khi đầu que âm của một ohmmeter được nối đến cực base và đầu que dương được nối đến cực emitter của một transistor NPN, thì giá trị điện trở đo được là bao nhiêu ? a. 0Ω; b. điện trở thấp; c. 5kΩ; d. điện trở cao. 33. Điện trở đo được giữa hai cực collector và emitter của một transistor tốt là bao nhiêu ?
a. 0Ω; b. điện trở thấp; c. 5kΩ; d. điện trở cao. 34. Giá trị điện áp trên collector của transistor ở hình 3.40a, là bao nhiêu ? a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; ((5-0.7): 10 3 )*50 d. 15V. 35. Điện áp trên collector của transistor ở mạch hình 3.40b là bao nhiêu ? a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; d. 15V. Email: ductrong90ictu@gmail.com Website: WWW.BeautifulLife.Cwahi.net 5 36. Mức điện áp DC trên collector của transistor ở mạch hình (3.41), là bao nhiêu ? a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; d. 15V. 37. Điện áp DC trên cực base của transistor ở mạch hình 3.41, là bao nhiêu ? a. 0,2V; b. 0,7V; c. 7,5V; d. 15V. 38. Điện áp tín hiệu trên collector của transistor ở mạch hình 3.41, là bao nhiêu ? a. 50mVpp; b. 0,2Vpp; c. 7,5Vpp; d. 15Vpp. 39. Nếu tụ đầu ra (C2) ở hình 3.41, hở mạch, thì mức điện áp tín hiệu trên collector của transistor
là bao nhiêu ? a. 50mVpp; b. 0,2Vpp; c. 7,5Vpp; d. 15Vpp. C. Câu hỏi phần mạch BJT. 4.1. Giới thiệu. 1. Tại sao cần phải ổn định mạch khuếch đại bằng BJT để chống lại sự thay đổi ở beta ? a. do beta thay đổi theo nhiệt độ, b. do beta thay đổi theo sự thay đổi ở các tụ ghép tầng; c. do beta khác nhau trong các BJT cùng loại; d. cả a và c. 2. Giá trị beta điển hình của một transistor có thể xem xét là . . . . . . . . . a. + 50% và - 50%; b. +50% và - 100%; c. + 100% và - 50%; dương 100 đến trừ 50 d. + 100% và -100%. 3. Nếu beta thay đổi, thì sự thiếu ổn định điểm phân cực trong mạch khuyếch đại như thế nào ? a. điện áp collector sẽ thay đổi; b. dòng collector sẽ thay đổi; c. dòng emitter sẽ thay đổi; d. tất cả các ý trên. 4.2. Phân cực phân áp. 4. Trong mạch phân cực phân áp, tại sao điện áp tại điểm nối của Rb1 và Rb2 được xem là độc lập với dòng base của transistor ? a. dòng base không chảy qua Rb1 hoặc Rb2; b. dòng base nhỏ so với dòng chảy qua Rb1 và Rb2; c. chỉ có dòng emitter ảnh hưởng đến dòng chảy qua Rb1 và Rb2; d. tụ nối tầng (tụ ghép tầng) chặn dòng base chảy qua mạch phân áp. 5. Trong các mạch khuyếch đại phân cực phân áp, sự chênh lệch điện áp giữa emitter và base luôn luôn bằng . . . . . a. 0V; b. 0,2V; c. 0,7V; vce =vbb-0.7 d. 2V. 6. Trong các mạch khuyếch đại phân cực phân áp, khi đã tính được điện áp emitter DC, thì dòng collector tại điểm tĩnh có thể tính gần đúng bằng cách chia điện áp emitter cho . . . . . a. điện trở ở nhánh base; b. điện trở ở nhánh emitter; c. điện trở ở nhánh collector; d. điện trỏ của tải. 7. Trong các mạch khuyếch đại phân cực phân áp, điện áp collector được tính bằng cách . . . . . .. a. nhân dòng collector với điện trở collector; b. nhân dòng collector với điện trở tải; c. cộng điện áp base với điện áp emitter;
d. trừ sụt áp trên điện trở collector khỏi điện áp nguồn. 4.3. Các tham số tín hiệu của mạch phân cực phân áp. 8. Mạch phân cực phân áp độc lập với beta, nhưng phải trả giá cho sự không phụ thuộc với beta là gì ? a. làm giảm độ ổn định; b. trở kháng ra thấp; c. suy giảm hệ số khuyếch đại điện áp; beta d. cả b và c. Email: ductrong90ictu@gmail.com Website: WWW.BeautifulLife.Cwahi.net 10 Email: ductrong90ictu@gmail.com Website: WWW.BeautifulLife.Cwahi.net 11 9. Khi tính trở kháng vào, hai điện trở base (Rb1 và Rb2) xuất hiện dưới dạng . . . . . với các linh kiện khác. a. nối tiếp; b. nối tiếp / song song; c. song song; d. nối tiếp ngược, chiều nhau. 10. Điện trở động của tiếp giáp base - emitter là được mắc . . . . . . a. nối tiếp với điện trở tín hiệu ở nhánh base; b. song song với điện trở tín hiệu ở nhánh base; c. song song với điện trở tín hiệu ở nhánh emitter; d. nối tiếp với điện trở tín hiệu ở nhánh emitter. 11. Trở kháng ra của mạch khuyếch đại emitter chung sẽ bằng . . . . . . a. điện trở collector; b. điện trở tải; c. điện trở collector mắc song song với điện trở tải; d. beta lần điện trở collector. 4.4. Các thay đổi ở mạch khuyếch đại phân cực phân áp. 12. Kiểu mạch khuyếch đại phân cực phân áp nào có trở kháng vào cao nhất ? a. được rẽ mạch tụ toàn bộ; b. phân tách điện trở emitter; c. không được rẽ mạch tụ; nối tiếp tụ d. tất cả các ý trên. 13. Kiểu mạch khuyếch đại phân cực phân áp nào có trở kháng ra cao nhất ? a. được rẽ mạch tụ toàn bộ; b. phân tách điện trở emitter; c. không được rẽ mạch tụ; d. tất cả các ý trên. 14. Kiểu mạch khuyếch đại phân cực phân áp nào có hệ số khuyếch đại cao nhất ? a. được rẽ mạch tụ toàn bộ; b. phân tách điện trở emitter; c. không được rẽ mạch tụ; d. tất cả các ý trên. 15. Kiểu mạch khuyếch đại phân cực phân áp nào có méo dạng ít nhất ? a. được rẽ mạch tụ toàn bộ; b. phân tách điện trở emitter; c. không được rẽ mạch tụ; d. tất cả các ý trên.
4.5. Mạch khuyếch đại phân cực emitter. 16. Điện áp base tại điểm tĩnh của mạch khuyếch đại phân cực emitter thường bằng . . . . . . a. 0V; b. 0,7V; c. 2V; d. Vcc. 17. Nhược điểm của mạch khuyếch đại phân cực emitter khi so với mạch khuyếch đại phân cự c phân áp là mạch khuyếch đại phân cực emitter yêu cầu . . . . . a. các transistor có beta cao hơn; b. hai nguồn cung cấp; c. giá trị Vcc cao hơn; d. không phải các ý trên. 18. Hệ số khuyếch đại điện áp của mạch khuyếch đại phân cực emitter là . . . . . a. phụ thuộc vào beta; b. được tính bằng công thức chung như đối với mạch khuyếch đại phân cực phân áp; c. bằng với beta x re. d. luôn luôn cao hơn so với hệ số khuyếch đại điện áp của mạch kh. đại phân cực phân áp. 4.6. Mạch khuyếch đại phân cực hồi tiếp kiểu điện áp. 19. Các mạch khuyếch đại phân cực hồi tiếp kiểu điện áp thực tế thích hợp cho làm việc với . ... a. các tín hiệu tần số cao; b. các nguồn cung cấp điện áp thấp; c. các mạch cần trở kháng vào rất cao; d. các mạch cần trở kháng ra rất thấp. Email: ductrong90ictu@gmail.com 20. Trở kháng vào của mạch khuyếch đại phân cực hồi tiếp kiểu điện áp bị ảnh hưởng bởi . . . . a. giá trị công suất trên điện trở collector; b. hệ số khuyếch đại điện áp của bộ khuyếch đại; c. giá trị điện trở của điện trở hồi tiếp; d. cả b và c. 4.7. Mạch khuyếch đại nhiều tầng ghép RC. 21. Tại sao cần phải biết trở kháng vào của mỗi tầng trong một bộ khuyếch đại nhiều tầng ? a. do trở kháng vào toàn mạch là tích của trở kháng vào của mỗi tầng; b. do hệ số khuyếch đại điện áp của một tầng bị tác động bởi trở kháng vào của tầng tiếp theo ; c. do trở kháng vào của một tầng là điện trở tải của tầng trước; d. cả b và c. 22. Một trong những ưu điểm chính của việc sử dụng các tụ ghép giữa các tầng là gì ? a. các tụ ghép cho phép mạch khuyếch đại nhiều tầng truyền các tín hiệu DC; b. các tụ ghép tầng cho phép các mạch phân cực trong mổi tầng độc lập nhau; c. các tụ ghép tầng rẽ mạch điện trở emitter nên làm tăng hệ số khuyếch đại; d. cả b và c. 23. Hệ số khuyếch đại điện áp toàn bộ của mạch khuyếch đại nhiều tầng sẽ bằng với . . . . . . . . a. tổng trở kháng vào của mổi tầng; b. tích hệ số khuyếch đại điện áp của mổi tầng; c. hệ số khuyếch đại điện áp của tầng đầu tiên;
d. hệ số khuyếch đại điện áp của tầng cuối cùng 24. Trở kháng vào của toàn bộ mạch khuyếch đại nhiều tầng sẽ bằng với . . . . . . . . a. tổng trở kháng vào của mổi tầng; b. tích trở kháng vào của mổi tầng; c. trở kháng vào của tầng đầu tiên; d. trở kháng vào của tầng cuối cùng. Cái này của trở kháng ra 25. Trở kháng ra của toàn bộ mạch khuyếch đại nhiều tầng sẽ bằng với . . . . . . . . a. tổng trở kháng ra của mổi tầng; b. tích trở kháng ra của mổi tầng; c. trở kháng ra của tầng đầu tiên; d. trở kháng ra của tầng cuối cùng. 4.8. Các tụ điện ghép tầng và rẽ mạch. 26. Trị số điện dung của các tụ rẽ mạch và ghép tầng là một trong những yếu tố chính khi xác định .. . . . . a. tần số cắt thấp; b. hệ số khuyếch đại điện áp; c. hệ số khuyếch đại dòng điện; d. tấn số cắt cao. 27. Nếu trở kháng vào của tầng thứ hai là 1kΩ, thì tụ ghép nối giữa tầng thứ nhất và tầng thứ hai sẽ có Xc vào khoảng . . . . . đối với tần số thấp nhất sẽ được khuyếch đại. a. 1Ω; b. 10Ω; c. 100Ω; d. 1kΩ; e. 10kΩ. 4.9. Các bộ khuyếch đại ghép trực tiếp. 28. Các mạch khuyếch đại ghép trực tiếp có ưu điểm hơn các mạch khuyếch đại ghép RC là ở c hổ chúng có thể khuyếch đại . . . . . . a. các mức tín hiệu lớn hơn; b. các tín hiệu tần số cao; c. các mức tín hiệu nhỏ hơn; d. các tín hiệu tần số thấp. 29. Trong thực tế các bộ khuyếch đại ghép trực tiếp có thể dễ bị ảnh hưởng với vấn đề . . . . . . a. về hệ số khuyếch đại; b. về độ bảo hoà; c. về độ trôi DC; d. về trở kháng. 4.10. Sai hỏng của các mạch bằng transistor. 30. Điện áp đo được trên collector của Q1 trong mạch hình 4.24JC, vào khoảng 20VDC, a. mạch đúng chức năng; b. tụ C2 bị ngắn mạch; c. tụ C2 bị hở mạch; d. điện trở R1 bị hở mạch. 31. Điện áp đo được trên collector của Q2 ở mạch hình 4.24JC, là 13,8VDC,
a. mạch đang làm việc đúng chức năng; b. transistor Q2 bị hở mạch giữa collector và emitter; c. tụ C5 bị ngắn mạch; d. điện trở R8 bị ngắn mạch. 32. Điện áp DC tại điểm nối của hai điện trở R4 và R5 ở mạch hình 4.24JC, bằng 0V. a. mạch đang làm việc đúng chức năng; b. transistor Q1 bị ngắn mạch giữa collector và emitter; c. tụ C4 hở mạch; d. điện trở R2 bị ngắn mạch. c. tụ C3 bị ngắn mạch; d. tụ C5 bị hở mạch. 33. Hệ số khuếch đại điện áp tín hiệu của Q2 ở mạch hình 4.24JC, gần bằng hai lần hệ số khuếch đại tính được, a. mạch đang đúng chức năng; b. tụ C3 hở mạch; 34. Hệ số khuyếch đại điện áp tín hiệu của Q1 gần bằng 3, a. mạch đúng chức năng; b. tụ C4 hở mạch; c. tụ C4 bị ngắn mạch; d. tụ C2 hở mạch. E. Câu hỏi phần mạch BJT khác. 5.1. Mạch khuyếch đại collector chung. 1. Trong mạch khuyếch đại collector chung, cực collector . . . . . a. được nối với mức đất của nguồn DC; b. được nối với mức đất của tín hiệu; c. nối với Vcc; d. cả b và c. 2. Mạch khuyếch đại collector chung có thể sử dụng kiểu phân cực . . . . . . . . a. emitter; b. hồi tiếp điện áp collector ; c. phân áp ; d. cả a và c. 3. Cấu hình collector chung có . . . . . . c chung a. trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp;
b. trở kháng vào thấp và trở kháng ra bằngRc; c. trở kháng vào cao và trở kháng ra bằng Rc; d. ngoài các trường hợp trên Email: ductrong90ictu@gmail.com Website: WWW.BeautifulLife.Cwahi.net 4. Hệ số khuyếch đại điện áp của mạch collector chung là . . . . . a. lớn hơn 1; b. đúng bằng 1; c. hơi nhỏ hơn 1; d. bằng với ớ . 5.2. Hệ số khuyếch đại dòng điện và công suất. 5. Hệ số khuyếch đại công suất của một mạch có thể tính được bằng phép nhân. . . . . a. beta với hệ số khuyếch đại điện áp; b. bình phương dòng tải với điện áp tải; c. hệ số khuyếch đại điện áp với hệ số khuyếch đại dòng; d. công suất vào và công suất ra. 6. Cấu hình BJT nào cho sự khuyếch đại công suất ? a. emitter chung; b. base chung; c. collector chung; d. tất cả các ý trên. 5.3. Cặp Darlinhton. 7. Cặp Darlington thay cho transistor thông thường trong mạch collector chung sẽ . . . . . . . a. làm tăng trở kháng vào của mạch; b. cho phép mạch điều khiển tải điện trở thấp hơn; c. thay đổi điện áp phân cực emitter bằng 0,7V; d. tất cả các ý trên. 8. Nếu cặp Darlington được lắp bằng hai transistor với mổi transistor bằng 40, thì mạch Darlington có beta bằng . . . . .ví sao lại bằng (40) 2 nhỉ a. 40; b. 80; c. 60; d. 1600. 9. Mạch Darlington khi hoạt động khuyếch đại ở chế độ A, điện áp giữa cực base và emitter là bao nhiêu ? a. 0,2V; b. 0,7V; c. 1,4V; d. 2V. 5.4. Tầng collector chung trong mạch khuyếch đại nhiều tầng. 10. Thông thường, tầng collector chung là tầng cuối cùng trước tải. Chức năng chính của tầng collector chung là để . . . . . . a. cho khuyếch đại điện áp; b. làm bộ đệm cho các bộ khuyếch đại điện áp khỏi điện trở tải thấp; c. cho sự đảo pha tín hiệu; d. cho đường dẫn tần số cao để cải thiện đáp ứng tần số tầng cuối cao. 11. Một bộ khuyếch đại điện áp có ba tầng có các hệ số khuyếch đại là 32, 16, và 1. Hệ số khuyếch đại điện áp của toàn mạch là bao nhiêu ? a. 49V; b. 49; c. 512V;
d. 512. 5.5. Các mạch khuyếch đại base chung. 12. Cấu hình base chung có . . . . a. trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp; b. trở kháng vào thấp và trở kháng ra bằng Rc; c. trở kháng vào cao và trở kháng ra bằng Rc; d. ngoài các ý trên. 13. Hệ số khuyếch đại dòng của mạch base chung là . . . . a. lớn hơn 1; b. đúng bằng 1; c. hơi nhỏ hơn so với 1; d. bằng beta . 5.6. So sánh các cấu hình của mạch khuyếch đại. 14. Cấu hình emitter chung có . . . . . a. trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp; b. trở kháng vào thấp và trở kháng ra bằng Rc; c. trở kháng vào trung bình và trở kháng ra bằng Rc; d. ngoài các trường hợp trên. 15. Khi BJT được mắc theo cấu hình base chung, thì mạch có khả năng cung cấp . . . . . a. hệ số khuyếch đại điện áp và công suất; b. hệ số khuyếch đại dòng điện và công suất; c. hệ số khuyếch đại dòng điện, điện áp và công suất; d. chỉ có hệ số khuyếch đại điện áp. 16. Khi BJT được mắc theo cấu hình collector chung, thì mạch có khả năng cung cấp . . . . . . a. hệ số khuyếch đại điện áp và công suất; b. hệ số khuyếch đại dòng điện và công suất; c. hệ số khuyếch đại dòng điện, điện áp và công suất; d. chỉ có hệ số khuyếch đại điện áp. 17. Khi BJT được mắc theo cấu hình emitter chung, thì mạch có khả năng cung cấp . . . . . a. hệ số khuyếch đại điện áp và công suất; b. hệ số khuyếch đại dòng điện và công suất; c. hệ số khuyếch đại dòng điện, điện áp và công suất; d. chỉ có hệ số khuyếch đại điện áp. 5.7. Nguồn dòng điện. 18. Ký hiệu nào sau đây là ký hiệu của nguồn dòng điện ? d 20. Một nguồn dòng hằng 10mA cung cấp cho tải 1kΩ. Nếu thay đổi điện trở tải là 2kΩ, thì dòng chảy qua tải là bao nhiêu ? a. 1mA; b. 5mA; c. 10mA; d. 40mA. 5.8. Mạch khuyếch đại vi sai. 21. Một mạch khuyếch đại vi sai được thiết kế với nguồn dòng hằng 10mA, nguồn cung cấp 12V,
và điện trở ở nhánh collector (Rc) cho cả hai BJT là 1kΩ. Cả hai đầu vào được thiết lập là 100mV. Mức chênh lệch điện áp đo được giữa hai hai đầu ra collector của transistor là bao nhiêu ? a. 0V; b. 100mV; c. 5V; d. 7V. 22. Một mạch khuyếch đại vi sai được thiết kế với nguồn dòng hằng 10mA, nguồn cung cấp 12V, và điện trở ở nhánh collector (Rc) cho cả hai BJT là 1kΩ. Cả hai đầu vào được thiết lập là 100mV. Mức điện áp đo được trên collector của một trong hai đầu ra của transistor so với đất là bao nhiêu ? a. 0V; b. 100mV; c. 5V; d. 7V. 5.9. Sai hỏng trong các mạch BJT. 23. Điện áp tín hiệu trên tải trong mạch ở hình 5.21JC, đo được là 1Vpp. Vấn đề có nhiều khả năng xảy ra nhất đối với mạch là gì ? a. beta của transistor thấp; b. tụ điện ghép ở đầu ra bị ngắn mạch; c. transistor bị ngắn mạch tại tiếp giáp base - emitter; d. mạch đang làm việc đúng chức năng. Email: ductrong90ictu@gmail.com Website: WWW.BeautifulLife.Cwahi.net 20 B CC 2 1 2 24. Điện áp trên base ở mạch hình 5.21JC, đo được là 1,2VDC. Vấn đề có nhiều khả năng xảy ra nhất đối với mạch là gì ? a. beta của transistor thấp; b. tụ điện ghép ở đầu ra bị ngắn mạch; c. transistor bị ngắn mạch tại tiếp giáp base - emitter; d. mạch đang làm việc đúng chức năng. 25. Tín hiệu ra ở mạch hình 5.21JC, dao động trên mức 6VDC. Vấn đề có nhiều khả năng xảy ra nhất đối với mạch là gì ? a. beta của transistor thấp; b. tụ điện ghép ở đầu ra bị ngắn mạch; c. transistor bị ngắn mạch tại tiếp giáp base - emitter; d. mạch đang làm việc đúng chức năng. 26. Mức tín hiệu vào ở mạch hình 5.22JC, được đặt ở mức 0. Điện áp trên collector của Q1 và Q2 đo được là 12V. Vấn đề có nhiều khả năng xảy ra nhất đối với mạch là gì ? a. transistor Q1 hở mạch; b. transistor Q2 hở mạch; c. nguồn dòng bị hỏng; d. mạch làm việc bình thường.
27. Mức tín hiệu vào ở mạch hình 5.22JC, được đặt ở mức 0. Điện áp trên collector của Q1 đo được là 12V và điện áp trên Q2 đo được là 0,2V. Vấn đề có nhiều khả năng xảy ra nhất đối với mạch là gì ? a. transistor Q1 hở mạch; b. transistor Q2 hở mạch; c. nguồn dòng bị hỏng; d. mạch làm việc bình thường 28. Mức tín hiệu vào ở mạch hình 5.22JC, được đặt ở mức 0. Điện áp trên collector của Q1 và Q2 đo được là 6V. Vấn đề có nhiều khả năng xảy ra nhất đối với mạch là gì ? a. transistor Q1 hở mạch; b. transistor Q2 hở mạch; c. nguồn dòng bị hỏng; d. mạch làm việc bình thường