Chương 6: Đáp ứng tần số

Chia sẻ: Dovan Thuc | Ngày: | Loại File: PPT | Số trang:21

Thêm vào BST

Báo xấu

291
lượt xem 69
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Nội dung: Giới thiệu, Mô hình phân tích, Đáp ứng vùng tần số thấp, Hiệu ứng điện dung Miller, Đáp ứng vùng tần số cao.

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Chương 6: Đáp ứng tần số

Đáp ứng tần số  Giớithiệu  Mô hình phân tích  Đáp ứng vùng tần số thấp  Hiệu ứng điện dung Miller  Đáp ứng vùng tần số cao
Giới thiệu Biểu diễn ảnh hưởng của tần số của tín hiệu vào đến hệ số khuếch đại (về độ lớn và pha)
Giới thiệu Tần số cắt: hệ số khuếch đại giảm 0,707 lần (3dB) f1 tần số cắt vùng thấp f2 tần số cắt vùng cao
Mô hình phân tích Khâu lọc thông cao Khâu lọc thông thấp
Mô hình phân tích đáp ứng tần số - Khâu lọc thông cao Tụ điện tương đương ngắn mạch tại vùng tần số cao hở mạch tại vùng tần số thấp
Mô hình phân tích đáp ứng tần số - Khâu lọc thông cao Vùng tần thấp, C tương đương hở mạch o v => V =0, A =0 Vùng tần cao, C tương đương ngắn mạch => Vo=Vi, Av=1
Mô hình phân tích đáp ứng tần số - Khâu lọc thông thấp Tụ điện tương đương ngắn mạch tại vùng tần số cao hở mạch tại vùng tần số thấp
Mô hình phân tích đáp ứng tần số - Khâu lọc thông thấp Vùng tần thấp, C tương đương hở mạch o i v => V=V,A=1 Vùng tần cao, C tương đương ngắn mạch => Vo= 0 , Av=0
Mô hình phân tích đáp ứng tần số - T ần s ố c ắt
Mô hình phân tích đáp ứng tần số - T ần s ố c ắt Tần số cắt: hệ số khuếch đại giảm 0,707 lần (3dB) R 1 AV = = R +w C 2 2 2 2 w = 2π f 1 f = 2π RC
Đáp ứng vùng tần số thấp mạch khuếch đại dùng BJT  Vùng tần số thấp bị giới hạn bởi các khâu lọc thông cao do tụ điện ở  cửa vào C (f ) in Ls  ra Cout (fLo)  chân emitơ Cemitter (fLe)  Tần số giới hạn vùng thấp là giá trị lớn nhất của fLs, fLo, fLe
Tần số cắt vùng thấp do tụ cửa vào 1 f LS = v ới R i = R1 / / R2 / /βre 2π ( RS + Ri )CS
Tần số cắt vùng thấp do tụ cửa ra 1 f Lo = v ới R O = RC / / r0 2π ( Ro + RL )CC
Tần số cắt vùng thấp do tụ chân emitơ 1 f LE = v ới R e = RE / /(re + RS / β) 2π ReCE
Mạch khuếch đại dùng FET VDD VDD 5V  Phân tích tương tự BJT RD  3 tụ điện CG, CC, CS 1 Cc  fLG=1/[2π(Rsig+Ri)CG] với CG Rsig Q1 Ri=RG 5 7 6  fLC=1/[2π(Ro+RL)CC] với 4 Ro=RD//rd Vs 3 RL RG RS Cs  fLs=1/[2π(ReqCs] với 0 Req=Rs/[1+Rs(1+gmrd)/ (rd+RD//RL)]
Hiệu ứng điện dung Miller  Cf: điện dung hồi tiếp  Mạch khuếch đại đảo ⇒ Điện dung ở cửa vào và cửa ra tăng lên CMin = (1-Av)Cf CMout = (1-1/Av)Cf ≈ Cf khi Av rất lớn
Đáp ứng vùng tần số cao mạch khuếch đại dùng BJT Vùng tần số cao bị giới hạn bởi các khâu lọc thông thấp do các tụ kí sinh Cbc, Cce, Cbe, Cwi, Cwo
Đáp ứng vùng tần số cao mạch khuếch đại dùng BJT Ci=CWi+Cbe+Cmi Co=CWo+Cce+CMi
Đáp ứng vùng tần số cao mạch khuếch đại dùng BJT
Đáp ứng vùng tần số cao mạch khuếch đại dùng FET VDD 5V VDD RD Cgd Cc 1 6 Q1 CG Rsig 5 7 Cds 4 Cgs Vs 3 RG RS RL CWi Cs CWo 0 Tham khảo 11.10 trang 546, Electronic devices and circuit theory