Giáo trình linh kiện_Phần 12

Chia sẻ: Kata_8 Kata_8 | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:7

Thêm vào BST

Báo xấu

63
lượt xem 18
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Tham khảo tài liệu 'giáo trình linh kiện_phần 12', kỹ thuật - công nghệ, điện - điện tử phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Giáo trình linh kiện_Phần 12

Simpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com Linh Kiện Điện Tử Giáo trình Như vậy, VCB(off) = VOC = VCC. Vùng bảo hoà và vùng ngưng là vùng hoạt động không tuyến tính của BJT. Đối với mạch cực phát chung, ta cũng có thể khảo sát tương tự. VIII. KIỂU MẪU MỘT CHIỀU CỦA BJT. Qua khảo sát ở phần trước, người ta có thể dùng kiểu mẫu gần đúng sau đây của transistor trong mạch điện một chiều: E C E C IC=αDCIE≈IE IE ≈ αDCIE B Transistor N P N B E C E C IC=αDCIE≈IE IE ≈ αDCIE B Transistor PNP B Hình 26 Tuy nhiên, khi tính các thành phần dòng điện và điện thế một chiều của transistor, người ta thường tính trực tiếp trên mạch điện với chú ý là điện thế thềm VBE khi phân cực thuận là 0,3V đối với Ge và 0,7V đối với Si. Thí dụ 1: tính IE, IC và VCB của mạch cực nền chung như sau: Trang 78 Biên soạn: Trương Văn Tám
Simpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com Linh Kiện Điện Tử Giáo trình Si RE RC - + IE IC 0,7V VCB +- VEE VCC Si RE RC - + IE IC 0,7V VCB -+ VEE VCC Hình 27 Ta dùng 3 bước: VEE − 0,7 ; IC # αDC # IE Mạch nền phát (ngõ vào): I E = RE Áp dụng định luật kirchoff (ngõ ra), ta có: − Với transistor NPN: VCB = VCC - RC.IC; VCB > 0 − Với transistor PNP: VCB = -VCC + RC.IC; VCB
Simpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com Linh Kiện Điện Tử Giáo trình − Với transistor NPN: VCE = VCC -RC IC >0 − Với transistor PNP: VCE = -VCC + RC.IC
Simpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com Linh Kiện Điện Tử Giáo trình vBE(t) = VBE + vbe(t) Thành phần tức thời = thành phần DC + thành phần xoay chiều. Trong mô hình các dòng điện chạy trong transistor ta thấy: điểm B’ nằm trong vùng nền được xem như trung tâm giao lưu của các dòng điện. Do nối nền phát phân cực thuận nên giữa B’ và E cũng có một điện trở động re giống như điện trở động rd trong nối P-N 26mV khi phân cực thuận nên: re = p n+ n- IE B’ E C ie ic ib’ B Hình 31 Ngoài ra, ta cũng có điện trở rb của vùng bán dẫn nền phát (ở đây, ta có thể coi như đây là điện trở giữa B và B’). Do giữa B’ và C phân cực nghịch nên có một điện trở r0 rất lớn. Tuy nhiên, vẫn có dòng điện ic = α.ie = βib chạy qua và được coi như mắc song song với r0. * α là độ lợi dòng điện xoay chiều trong cách mắc nền chung: ∆I di i α = α ac = C = C = c ∆I E di E i e Thông thường α hoặc αac gần bằng αDC và xấp xĩ bằng đơn vị. * β là độ lợi dòng điện xoay chiều trong cách mắc cực phát chung. ∆i di i β = β ac = h fe = C = C = c ∆i B di B i b Thông thường β hoặc βac gần bằng βDC và cũng thay đổi theo dòng ic. Trị số α, β cũng được nhà sản xuất cung cấp. Như vậy, mô hình của transistor đối với tín hiệu xoay chiều có thể được mô tả như sau: α.ie = β.ib ie B’ E C re ib rb ro Ω Hình 32 rb thường có trị số khoảng vài chục B , r0 rất lớn nên có thể bỏ qua trong mô hình của transistor. Trang 81 Biên soạn: Trương Văn Tám
Simpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com Linh Kiện Điện Tử Giáo trình 2. Điện dẫn truyền (transconductance) Ta thấy rằng, dòng điện cực thu IC thay đổi theo điện thế nền phát VBE. Người ta có thể biểu diễn sự thay đổi này bằng một đặc tuyến truyền (transfer curve) của transistor. Đặc tuyến này giống như đặc tuyến của diode khi phân cực thuận. ID(mA) IC(mA) = IE ID=IO.exp(VD/VT) IC=ICES.exp(VBE/VT) VD(volt) VBE(volt) 0 0 IC(mA) ID=IO.exp(VD/VT) C C gmvbe ≈ Tiếp tuyến có độ B B + Q dốc =gm=IC/VT vbe - VBE(mV) 0 E E Hình 33 Người ta định nghĩa điện dẫn truyền của transistor là: ∆i c i (t) gm = =c ∆VBE v be ( t ) Và đó chính là độ dốc của tiếp tuyến với đặc tuyến truyền tại điểm điều hành Q. Tương tự như diode, ta cũng có: VBE I C = I CES .e VT Trong đó, IC là dòng điện phân cực cực thu; ICES là dòng điện rĩ cực thu khi VBE = 0V KT VT = (T: nhiệt độ Kelvin) e Ở nhiệt độ bình thường (250C), VT = 26mV Ta có thể tính gm bằng cách lấy đạo hàm của IC theo VBE. V dI C I BE gm = = CES .e VT dVBE VT Trang 82 Biên soạn: Trương Văn Tám
Simpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com Linh Kiện Điện Tử Giáo trình IC Và g m = (Ω ) VT IC Ở nhiệt độ bình thường (250C) ta có: g m = 26mV 3. Tổng trở vào của transistor: Người ta định nghĩa tổng trở vào của transistor bằng mô hình sau đây: iin BJT + vin - v in R in = i in Hình 34 Ta có hai loại tổng trở vào: tổng trở vào nhìn từ cực phát E và tổng trở vào nhìn từ cực nền B. Tổng trở vào nhìn từ cực phát E: ie = -iin E C + vbe = -vin B - v in v be R in = = i in ie Hình 35 Theo mô hình của transistor đối với tín hiệu xoay chiều, ta có mạch tương đương ở ngõ vào như sau: E B’ E B’ re re - - ie ie rb rb ib ie β +1 B B + + Hình 36 Trang 83 Biên soạn: Trương Văn Tám
Simpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com Linh Kiện Điện Tử Giáo trình Vì ie=(β+1)ib nên mạch trên có thể vẽ lại như hình phía dưới bằng cách coi như rb dòng ie chạy trong mạch và phải thay rb bằng . β +1 r + (β + 1)re v be r R in = = b + re = b Vậy: β +1 β +1 ie hie = rb+(β+1).re Đặt: h Suy ra: R in = ie β +1 rb Do β>>1, rb nhỏ nên