Giáo trình linh kiện_Phần 13

Chia sẻ: Kata_8 Kata_8 | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:7

Thêm vào BST

Báo xấu

64
lượt xem 15
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Tham khảo tài liệu 'giáo trình linh kiện_phần 13', kỹ thuật - công nghệ, điện - điện tử phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Giáo trình linh kiện_Phần 13

Simpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com Linh Kiện Điện Tử Giáo trình v be R in = = rb + (β + 1)re = h ie Vậy: ib rπ=(1+β).re≈βre Người ta đặt: Thông thường βre>>rb nên: Rin=hie ≈rπ≈βre β 1 26mV 26mV 1 1 Vậy: rπ = và re = re = ≈ = = Ngoài ra, ; IC gm gm IE IC gm 26mV v 1 ⇒ g m v be = β i b re ≈ be = ⇒ g m v be = i e ≈ i c = βi b ; Ta chú ý thêm là: ie gm 4. Hiệu ứng Early (Early effect) Ta xem lại đặc tuyến ngõ ra của transistor trong cách mắc cực phát chung. Năm 1952. J.Early thuộc phòng thí nghiệm Bell đã nghiên cứu và hiện tượng này được mang tên Ông. Ông nhận xét: Ở những giá trị cao của dòng điện cực thu IC, dòng IC tăng nhanh theo VCE (đặc tuyến có dốc đứng). Ở những giá trị thấp của IC, dòng IC tăng không đáng kể khi VCE tăng (đặc tuyến gần như nằm ngang). Nếu ta kéo dài đặc tuyến này, ta thấy chúng hội tụ tại một điểm nằm trên trục VCE. Điểm này được gọi là điểm điện thế Early VA. Thông thường trị số này thay đổi từ 150V đến 250V và người ta thường coi VA = 200V. IC(mA) VCE(volt) 0 10 20 30 Early voltage 40 50 VCE = -VA = -200V IC(mA) Q ICQ ∆IC = ICQ VCE(volt) 0 VCEQ ∆VCE = VCE -(-VA) = VCE + VA ≈ VA Hình 39 Trang 85 Biên soạn: Trương Văn Tám
Simpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com Linh Kiện Điện Tử Giáo trình Người ta định nghĩa tổng trở ra của transistor: ∆VCE VCE − (−VA ) VCE + VA r0 = = = IC − 0 IC IC VA 200V Thường VA>>VCE nên: r0 = = IC IC 5. Mạch tương đương xoay chiều của BJT: Với tín hiệu có biện độ nhỏ và tần số không cao lắm, người ta thường dùng hai kiểu mẫu sau đây: Kiểu hỗn tạp: (hybrid-π) Với mô hình tương đương của transistor và các tổng trở vào, tổng trở ra, ta có mạch tương đương hỗn tạp như sau: ib ic B C rb gmvbe ro rπ vbe E Hình 40(a) Kiểu mẫu re: (re model) Cũng với mô hình tương đương xoay chiều của BJT, các tổng trở vào, tổng trở ra, ta có mạch tương đương kiểu re. Trong kiểu tương đương này, người ta thường dùng chung một mạch cho kiểu ráp cực phát chung và cực thu chung và một mạch riêng cho nền chung. - Kiểu cực phát chung và thu chung: Trang 86 Biên soạn: Trương Văn Tám
Simpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com Linh Kiện Điện Tử Giáo trình ic B C (E) ib IE IC IB IB βre βib ro ra vào ra vào vbe Kiểu cực phát chung Kiểu cực thu chung E (C) Hình 40(b) - Kiểu cực nền chung ic C IE IC ie B re ro αie vào ra Kiểu cực nền chung Hình (c) B Thường người ta có thể bỏ ro trong mạch tương đương khi RC quá lớn. Kiểu thông số h: (h-parameter) Nếu ta coi vbe và ic là một hàm số của iB và vCE, ta có: vBE = f(iB,vCE) và iC = f(iB,vCE) Lấy đạo hàm: δv δv v be = dv BE = BE di B + BE dv CE δi B δv CE δi C δi i c = di C = di B + C dv CE δi B δv CE Trong kiểu mẫu thông số h, người ta đặt: δi C δi δv δv h ie = BE ; h re = BE ; h fe = β = ; h oe = C δi B δv CE δi B δv CE Vậy, ta có: vbe = hie.ib + hre.vce ic = hfe.ib + hoe.vce Từ hai phương trình này, ta có mạch điện tương đương theo kiểu thông số h: Trang 87 Biên soạn: Trương Văn Tám
Simpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com Linh Kiện Điện Tử Giáo trình ib B C + hie 1 ~ hfeib hrevce h oe - vbe vce E Hình 41 hre thường rất nhỏ (ở hàng 10-4), vì vậy, trong mạch tương đương người ta thường bỏ hre.vce. So sánh với kiểu hỗn tạp, ta thấy rằng: h ie = rb + (β + 1)re = rb + rπ Do rb
Simpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com Linh Kiện Điện Tử Giáo trình ic ic C C ib ib B B 1 gmvbe ro hie rπ hfeib h oe vbe vbe E E Hình 42 1 Mạch tương đương đơn giản: (có thể bỏ r0 hoặc ) h oe Trang 89 Biên soạn: Trương Văn Tám
Simpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com Linh Kiện Điện Tử Giáo trình Bài tập cuối chương 1. Tính điện thế phân cực VC, VB, VE trong mạch: β=100/Si RE=1K RC=3K VC VE V V CC VB EE 12V 2V 2. Tính IC, VCE trong mạch điện: +6V +6V RC RB IC 2K 430K β=100/Si 1K RE 3. Tính VB, VC, VE trong mạch điện: +12V RC 5K VC VB β=100/Si RB VE 33K 1K RE VBB 2V Trang 90 Biên soạn: Trương Văn Tám
Simpo PDF Merge and Split Unregistered Version - http://www.simpopdf.com Linh Kiện Điện Tử Giáo trình CHƯƠNG 6 TRANSISTOR TRƯỜNG ỨNG (FIELD EFFECT TRANSISTOR) Chúng ta đã khảo sát qua transistor thường, được gọi là transistor lưỡng cực vì sự dẫn điện của nó dựa vào hai loại hạt tải điện: hạt tải điện đa số trong vùng phát và hạt tải điện thiểu số trong vùng nền. Ở transistor NPN, hạt tải điện đa số là điện tử và hạt tải điện thiểu số là lỗ trống trong khi ở transistor PNP, hạt tải điện đa số là lỗ trống và hạt tải điện thiểu số là điện tử. Điện trở ngõ vào của BJT (nhìn từ cực E hoặc cực B) nhỏ, từ vài trăm Ω đến vài KΩ, trong lúc điện trở ngõ vào của đèn chân không rất lớn, gần như vô hạn. Lý do là ở BJT, nối nền phát luôn luôn được phân cực thuận trong lúc ở đèn chân không, lưới khiển luôn luôn được phân cực nghịch so với Catod. Do đó, ngay từ lúc transistor BJT mới ra đời, người ta đã nghĩ đến việc phát triển một loại transistor mới. Điều này dẫn đến sự ra đời của transistor trường ứng. Ta phân biệt hai loại transistor trường ứng: − Transistor trường ứng loại nối: Junction FET- JFET − Transistor trường ứng loại có cổng cách điện: Isulated gate FET-IGFET hay metal-oxyt semiconductor FET-MOSFET. Ngoài ra, ta cũng khảo sát qua loại VMOS (MOSFET công suất-Vertical chanel MOSFET), CMOS và DMOS. I. CẤU TẠO CĂN BẢN CỦA JFET: Mô hình sau đây mô tả hai loại JFET: kênh N và kênh P. Trong JFET kênh N gồm có hai vùng n+ là hai vùng nguồn và thoát. Một vùng n- pha ít tạp chất dùng làm thông lộ (kênh) nối liền vùng nguồn và vùng thoát. Một vùng p- nằm phía dưới thông lộ là thân và một vùng p nằm phía trên thông lộ. Hai vùng p và p- nối chung với nhau tạo thành cực cổng của JFET. Trang 91 Biên soạn: Trương Văn Tám