Hợp chất hóa học Gecman

Chia sẻ: Nguyen Nhi | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:6

Thêm vào BST

Báo xấu

167
lượt xem 14
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Gecman là tên gọi của một hợp chất hóa học với công thức GeH4. Nó là hiđrua đơn giản nhất của gecmani và là một trong những hợp chất hữu ích nhất của gecmani. Giống như các hợp chất tương tự (silan và mêtan, gecman có cấu trúc tứ diện. Nó cháy trong không khí để sinh ra GeO2 và nước.

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Hợp chất hóa học Gecman

Hợp chất hóa học Gecman Tetrahiđrua gecmani Danh pháp Germane IUPAC Tên khác Tetrahiđrua
gecmani, gecmanometan, monogecman Nhận dạng Số CAS [7782-65-2] Thuộc tính Công thức phân GeH4 tử 76,62 g mol−1 Phân tử gam Bề ngoài Khí không màu 3,3 kg m−3 khí. Tỷ trọng Điểm nóng −165 °C (108 K) chảy Điểm sôi −88 °C (195 K)
Độ hòa tan thấp trong nước Cấu trúc Hình dạng Tứ diện phân tử Mômen lưỡng OD cực Các nguy hiểm Nguy hiểm Độc hại, dễ cháy chính Hợp chất liên quan Anion khác GeCl4 Hợp chất khác CH4 Ngoại trừ khi có ghi chú khác, các dữ liệu được lấy
cho hóa chất ở trạng thái tiêu chuẩn (25 °C, 100 kPa) Phủ nhận và tham chiếu chung Gecman là tên gọi của một hợp chất hóa học với công thức GeH4. Nó là hiđrua đơn giản nhất của gecmani và là một trong những hợp chất hữu ích nhất của gecmani. Giống như các hợp chất tương tự (silan và mêtan, gecman có cấu trúc tứ diện. Nó cháy trong không khí để sinh ra GeO2 và nước. Tổng hợp Có nhiều phương pháp tổng hợp gecman trong công nghiệp.[1] Các phương pháp này có thể phân loại thành: (a) Phương pháp khử hóa học, (b) Phương pháp khử điện hóa, (c) Phương pháp dựa trên cơ sở plasma. Phương pháp khử hóa học là sự cho tiếp xúc của các hợp chất chứa gecmani như gecmani nguyên tố, tetraclorua gecmani, điôxít gecmani, gecmanua với các tác nhân khử như borohiđrua natri, borohiđrua kali, borohiđrua liti, hiđrua nhôm liti, hiđrua nhôm natri, hiđrua liti, hiđrua natri, hiđrua magiê. Phản ứng có thể thực hiện trong dung dịch lỏng hay trong dung môi hữu cơ. Ở quy mô phòng thí nghiệm, gecman có thể điều chế bằng phản ứng của các hợp chất Ge(IV) với các tác nhân hiđrua. Phản ứng tổng hợp điển hình là của Na2GeO3 với borohiđrua natri.[2] Na2GeO3 + NaBH4 + H2O → GeH4 + 2 NaOH + NaBO2
Phương pháp khử điện hóa là cho một hiệu điện thế giữa catôt bằng gecmani kim loại trong dung dịch chất điện phân và anôt bằng các kim loại như molypđen hay cadmi. Trong phương pháp này, các khí gecman và hiđrô sinh ra tại catôt trong khi anôt có phản ứng tạo ra các ôxít của molypđen hay cadmi. Phương pháp tổng hợp bằng plasma là sự tấn công gecmani kim loại bằng các nguyên tử hiđrô (H) được sinh ra bằng cách dùng nguồn plasma cao tần để tạo ra gecman và digecman. Phổ biến Gecman đã được phát hiện có trong khí quyển sao Mộc.[3] Sử dụng trong công nghiệp bán dẫn Khí này bị phận hủy ở khoảng 600K sinh ra gecmani và hiđrô. Do tính không bền nhiệt của nó nên gecman được sử dụng trong công nghiệp bán dẫn để phát triển kết tinh phép trầm tích của gecmani theo các phương pháp MOVPE hay trầm tích chùm phân tử.[4] Các tiền chất gecmani hữu cơ (như isobutylgermane, triclorua ankylgecmani, triclorua dimetylaminogecmani) đã được thử nghiệm như là các chất lỏng thay thế ít độc hại hơn thay cho germane để trầm tích các màng chứa gecmani theo phương pháp MOVPE.[5] An toàn Gecman là chất khí dễ cháy và khả năng tự cháy là khá cao, đồng thời độc hại với con người. Tham khảo 1. ^ US Patent 7,087,102 (2006)
2. ^ Girolami G. S.; Rauchfuss T. B. Và Angelici R. J.: Synthesis and Technique in Inorganic Chemistry, University Science Books: Mill Valley, CA, 1999. 3. ^ Kunde V.; Hanel R.; Maguire W.; Gautier D.; Baluteau J. P.; Marten A.; Chedin A.; Husson N.; Scott, N. (1982). “The tropospheric gas composition of Jupiter's north equatorial belt /NH3, PH3, CH3D, GeH4, H2O/ and the Jovian D/H isotopic ratio”. Astrophysical J. 263: 443-467. doi:10.1086/160516. 4. ^ Venkatasubramanian, R.; Pickett, R. T.; Timmons, M. L. (1989). “Epitaxy of germanium using germane in the presence of tetramethylgermanium”. Journal of Applied Physics 66: 5662-5664. doi:10.1063/1.343633. 5. ^ E. Woelk, D. V. Shenai-Khatkhate, R. L. DiCarlo Jr., A. Amamchyan, M. B. Power, B. Lamare, G. Beaudoin, I. Sagnes (2006). “Designing Novel Organogermanium MOVPE Precursors for High-purity Germanium Films”. Journal of Crystal Growth 287 (2): 684-687. doi:10.1016/j.jcrysgro.2005.10.094. http://www.sciencedirect.com/science?_ob=ArticleURL&_udi=B6TJ6- 4HNSJS8-X&_user=10&_handle=V-WA-A-W-AUY-MsSWYWW-UUA- U-AAZBCYVDBE-AAZAAZCCBE-WUWZDAWZE-AUY- U&_fmt=summary&_coverDate=01%2F25%2F2006&_rdoc=103&_orig= browse&_srch=%23toc%235302%232006%23997129997%23614855!&_c di=5302&view=c&_acct=C000050221&_version=1&_urlVersion=0&_use rid=10&md5=b727a26cf1d2921d65096fc 1f93658bb.