Nghiên cứu khoa học công nghệ<br />
<br />
KHOAN VI LỖ TRÊN VẬT LIỆU THÉP KHÔNG GỈ, SỬ DỤNG<br />
LASER XUNG HÒA BA BẬC HAI CỦA Nd:YAG<br />
Phan Đình Thắng1*, Đặng Văn Mười1, Hoàng Chí Hiếu2, Hồ Anh Tâm3<br />
Tóm tắt: Công nghệ khoan laser có thể tạo được vi lỗ có đường kính rất nhỏ cỡ<br />
vài chục micro mét. Khi chùm bức xạ laser có bước sóng nằm trong vùng tử ngoại,<br />
đường kính vi lỗ có thể nhỏ dưới 20 µm. Công nghệ này được sử dụng trong nhiều<br />
ứng dụng như: chế tạo các thiết bị vòi phun, khe cắm, màng lọc sử dụng trong các<br />
thiết bị đo đạc, cảm biến sinh học, thiết bị kết nối mật độ cao, thiết bị y tế, các thành<br />
phần thiết bị hàng không vũ trụ. Công nghệ khoan laser sử dụng phổ biến bước<br />
sóng trong dải tử ngoại (UV), vùng nhìn thấy (VIS), và vùng hồng ngoại (IR). Thiết<br />
bị khoan laser xung Nd:YAG bơm bằng laser diode, công suất liên tục ở bước sóng<br />
hòa ba bậc hai 532 nm có thể lên tới 50W mà chúng tôi nghiên cứu và thử nghiệm,<br />
có thể khoan được những vi lỗ kích thước dưới 100 µm. Trong nghiên cứu này<br />
chúng tôi tập trung vào loại vật liệu là những tấm thép không gỉ có độ dày từ 0.1<br />
mm tới 0.5 mm.<br />
Từ khóa: Khoan vi lỗ Inox 304, Laser xung Nd:YAG hòa ba bậc hai.<br />
<br />
1. MỞ ĐẦU<br />
Công nghệ khoan laser có ưu điểm nổi bật là không tiếp xúc cơ học, do đó có<br />
thể giảm đáng kể các tác động của lực cơ khí và đảm bảo duy trì sự ổn định bề mặt<br />
tấm kim loại, không gây lệch tâm vi lỗ và ít gây biến dạng vùng khoan. Những ưu<br />
điểm công nghệ khoan laser xung Nd:YAG có được bao gồm: mật độ năng lượng<br />
cao, mật độ công suất hội tụ qua thấu kính lớn (hơn 90%)[1], vùng ảnh hưởng nhiệt<br />
hẹp, chất lượng về mặt khoan cắt cao, phù hợp với ứng dụng khoan chính xác vi lỗ<br />
trên những tấm thép không gỉ. Hơn thế nữa, chi phí thiết kế, chế tạo và vận hành<br />
cho một hệ khoan laser thấp hơn nhiều so với các phương pháp khác như: phương<br />
pháp chùm điện tử, phương pháp quang khắc, phương pháp phóng điện. Chính vì<br />
thế, công nghệ khoan laser được xem là một hướng nghiên cứu, thử nghiệm có rất<br />
nhiều triển vọng. Bên cạnh đó, bức xạ laser có thể hoạt động ở chế độ phát xung,<br />
tần số xung lớn, và sự ổn định cao.<br />
Trong quá trình khoan bằng laser xung, năng suất và chất lượng vi lỗ phụ<br />
thuộc vào các tham số như: mật độ công suất laser, độ rộng xung, tần số xung,<br />
tốc độ khoan, vị trí tiêu cự, chất lượng vật liệu, khí bổ trợ. Những tham số này<br />
ảnh hưởng trực tiếp tới quá trình, mức độ tương tác của chùm bức xạ laser lên vật<br />
liệu thép không gỉ. Mật độ công suất laser là tham số quyết định khả năng khoan<br />
thủng vật liệu, trong khi đó độ rộng xung và tần số xung là hai tham số quan<br />
trọng ảnh hưởng tới chất lượng vi lỗ. Trong thời gian chùm bức xạ laser tương<br />
tác lên bề mặt vật liệu, tại vùng tương tác, năng lượng nhiệt từ laser truyền sang<br />
vật liệu. Hình thành một trường nhiệt độ liên tục trên độ dày nhất định của tấm<br />
thép không gỉ, vùng nhiệt này chịu ảnh hưởng lớn từ tham số độ rộng xung và tần<br />
số xung[2]. Sử dụng laser xung ngắn sẽ tập trung được năng lượng vào một diện<br />
tích rất nhỏ, do vậy hạn chế được sự mở rộng của vùng nhiệt. Ngoài ra, còn tránh<br />
<br />
<br />
Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số 44, 08 - 2016 105<br />
Vật<br />
ật lý<br />
<br />
được những tác động của sóng xung kích do laser xung ddài<br />
được ài hoặc<br />
hoặc laser liên<br />
liên ttục<br />
ục<br />
tương tác lên vvật<br />
ật liệu.<br />
2. TH<br />
THỰC<br />
ỰC NGHIỆM<br />
2.1. Tương tác laser xung Nd:YANd:YAG G bư<br />
bướcớc sóng 532 nm với vật liệu<br />
Sựự ttương<br />
ương tác gi<br />
giữa<br />
ữa laser – vật<br />
vật liệu bắt đầu khi bức xạ laser tiếp xúc với ới bề mặt<br />
vật<br />
ật liệu vvàà được<br />
được xác định qua hiệu suất năng llư ượng<br />
ợng laser truyền vvàoào vvậtật liệu. Sự<br />
tương tác laser – vvật<br />
ật liệu đđược<br />
ợc mô tả qua ba quá tr trình<br />
ình ph<br />
phản<br />
ản xạ, hấp thụ, vvàà truy<br />
truyền<br />
ền<br />
qua. Trong đó ssựự hấp thụ laser của vật liệu kim loại thay đổi rất chậm trong vvùn ùng<br />
g<br />
bước sóng hồng ngoại (IR) tới thay đổi mạnh trong vvùng<br />
bước ùng bư<br />
bước<br />
ớc sóng khả kiến (VIS)<br />
[3]<br />
và vùng ttửử ngoại (UV) nhnhưư trong hình<br />
hình 1 ddưới<br />
ới đây . S Sựự hấp thụ photon của vật liệu<br />
cũng<br />
ũng phụ thuộc vvào ào nhi ệt độ, cụ thể th<br />
nhiệt thìì khi nhiệt<br />
nhiệt độ kim loại tăng th thìì ssự<br />
ự hấp thụ<br />
photon ccủaa kim lo<br />
loại<br />
ại cũng tăng theo.<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
Hình 1. 1 HệHệ số hấp thụ phụ thuộc vvào ào bước<br />
bước sóng của một số loại vật liệu [3] [3].<br />
Khi tương tác vvới ới vật liệu llàà nguồn<br />
nguồn laser xung, năng llượng<br />
ợng ttương<br />
ương tác vvới<br />
ới vật liệu<br />
[4]<br />
lớn<br />
ớn hhơn<br />
ơn nhi<br />
nhiềuều so với năng llượng ợng của bức xạ laser li<br />
liên<br />
ên tục<br />
tục . Khoan vvật ật liệu bằng<br />
laser xung ng ngắn,<br />
ắn, vi lỗ đđược<br />
ợc tạo thành<br />
thành nh<br />
nhờờ vào<br />
vào quá trình bbốc<br />
ốc bay vật liệu, vật liệu<br />
nóng chảy<br />
chảy và và đư<br />
được<br />
ợc khí bổ trợ gia công loại bỏ. Vật liệu hấp thụ năng llượng ợng ch<br />
chùm<br />
ùm<br />
tia laser và chuy<br />
chuyểnển pha từ pha rắn sang pha lỏng (nóng chảy), vvàà pha khí (b (bốc<br />
ốc ba<br />
bay,<br />
y,<br />
plasma) khi năng lư lượng<br />
ợng ch ùm bức<br />
chùm bức xạ laser đủ lớn.<br />
Công suất<br />
suất laser ảnh hhưởng ởng trực tiếp tới kết quả quá tr trình<br />
ình khoan vi llỗ,ỗ, độ ddài<br />
ài<br />
xung ảnh hưởng<br />
h ởng trực tiếp tới chất llượng ợng khoan vi lỗ cũng nh như ư hệ<br />
hệ số dẫn nhiệt của<br />
vật<br />
ật liệu vvàà lượng<br />
lượng vật liệu bốc bay. Theo các nghiên cứu cứu của D.K. Harrison vvàà các<br />
ộng sự[5] mật<br />
cộng ật độ công suất llàà một<br />
một hhàm<br />
àm ccủa<br />
ủa độ rộng xung vvàà đường<br />
đường kính vết laser<br />
hội<br />
ội tụ nh<br />
nhưư trong h hình<br />
ình 2:<br />
<br />
<br />
106 P Đ. Th<br />
Thắng,<br />
ắng, Đ.<br />
Đ.V.<br />
V. Mư<br />
Mười,<br />
ời, …<br />
…,, “Khoan<br />
“Khoan vi llỗỗ tr<br />
trên<br />
ên vật<br />
vật liệu thép<br />
thép… hòa ba bbậc Nd:YAG.””<br />
ậc hai của Nd:YAG<br />
Nghiên ccứu<br />
ứu khoa học công nghệ<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
Hình 22. Mật<br />
Mật độ công suất llàà hàm ccủa<br />
ủa đđư<br />
đường<br />
ờng kính vết laser vvà<br />
à độ<br />
độ rộng xung, mật<br />
9 2<br />
độ<br />
ộ công suất có thể đạt đđược<br />
ợc 10 W/mm<br />
W/mm với<br />
với đư<br />
đường<br />
ờng kính laser cỡ 0.1 mm<br />
và độ<br />
độ rộng xung 2 ns [5][5].<br />
Theo đó, đđểể có đđư<br />
ược<br />
ợc mật độ công suất lớn, th thìì laser đư<br />
được<br />
ợc sử dụng phải có độ<br />
rộng<br />
ộng xung ccàng<br />
àng ng<br />
ngắn<br />
ắn vvàà đường<br />
đường kính vết laser ccàng<br />
àng nhỏ<br />
nhỏ càng<br />
càng ttốt,<br />
ốt, và<br />
và công su<br />
suất<br />
ất đỉnh<br />
của<br />
ủa xung laser đđược<br />
ợc tính theo biểu th<br />
thức:<br />
ức:<br />
E xung<br />
Pp (1)<br />
tP<br />
đường kính df vvết<br />
Và đường ết laser hội tụ tỷ lệ với bbước<br />
ớc sóng bức xạ laser λ, và<br />
và ttỷ<br />
ỷ lệ nghịch<br />
với<br />
ới đđường<br />
ờng kính chùm laser d trước<br />
chùm trước khi đi qua thấu kính hội tụ, theo hệ biểu thức:<br />
4 F<br />
df <br />
d (2)<br />
Trong đó PP – công su ất đỉnh [W], Exung – năng lượng<br />
suất lượng trong một xung laser [J],<br />
tP – đđộ<br />
ộ rộng xung [s], df – đường<br />
đường kính vết laser, F – tiêu ccự ự thấu kính. Theo công<br />
thức (2), để giảm đđường<br />
thức ờng kính vết laser hội tụ có thể thực hiện bằng cách sử dụng<br />
hệệ mở rộng ch chùm<br />
ùm tia làm tăng đường<br />
đường kính chchùm<br />
ùm tia laser. Ngoài ra, hhệệ mở rộng<br />
chùm tia có kh khảả năng tạo chchùm<br />
ùm tia tr<br />
trực<br />
ực chuẩn (ch<br />
(chùm<br />
ùm song song), và làm gi giảm<br />
ảm góc<br />
phân kkỳ ỳ chùm<br />
chùm tia. H Hệệ mở rộng ch chùm<br />
ùm tia có ccấu<br />
ấu trúc thiết kế giống với thết kế<br />
Gallieo, thu hhẹpẹp đư<br />
được<br />
ợc khoảng cách chiều ddài ài giữ<br />
giữaa các th ấu kính của hệ mở rộng[6]<br />
thấu<br />
và đư<br />
được<br />
ợc mô tả trong hhìnhình 3 dư<br />
dưới<br />
ới đây.<br />
Trong thí nghi<br />
nghiệmệm nnày,<br />
ày, chúng tôi ssửử dụng laser Nd:YAG nhân tần bậc hai có độ<br />
rộng<br />
ộng xung 20 ns, tần số phát laser đđược ợc điều chỉnh thông qua điều chỉnh tần số Q Q--<br />
Switch ttừừ 0.5 – 20 Khz. Tinh thểể phi tuyến KTP có kích th thư<br />
ước<br />
ớc 5x5x7 mm vvàà đư được<br />
ợc<br />
phủ lớp chống phản xạ đđư<br />
phủ ược<br />
ợc sử dụng tạo ra bbư ước<br />
ớc sóng hhòa òa ba bậc<br />
bậc hai 532 nm.<br />
Thanh ho hoạtạt chất laser Nd:YAG đđược ợc bbơm<br />
ơm bằng<br />
bằng laser diode với kỹ thuật bbơm ơm<br />
CIDER – kỹ kỹ thuật bbơm<br />
ơm side-pumped,<br />
side pumped, kích thích ph phản<br />
ản xạ nội. Theo<br />
Theo tài li ệu nghi<br />
liệu nghiên<br />
ên<br />
cứu<br />
ứu [8] ththìì hiệu<br />
hiệu suất chuyển đổi quang – quang có th thểể đạt đđược<br />
ợc 18.47 %, vvàà hihiệu<br />
ệu<br />
suất chuyển đổi điện – quang tương ứng llàà 7.1 %. Như vvậy<br />
suất ậy trong hệ laser khoan<br />
nghiên ccứuứu này,<br />
này, công su ất điện bơm<br />
suất bơm cho laser diode ttối ối đa có thể đạt đđược<br />
ợc 630 W<br />
tương ứng tạo ra công suất laser diode có thể đạt đđược ợc 242 W vvàà công su suất<br />
ất laser<br />
<br />
<br />
Tạp<br />
ạp chí Nghi<br />
Nghiên<br />
ên cứu<br />
cứu KH<br />
KH&CN<br />
&CN quân<br />
uân sự,<br />
sự, Số 44<br />
44, 088 - 2016<br />
20 6 107<br />
Vật<br />
ật lý<br />
<br />
hòa ba bbậc<br />
ậc hai λSHG có th<br />
thểể thu đư<br />
được<br />
ợc là<br />
là 44.7 W. Sơ đđồ<br />
ồ bố trí hệ thí nghiệm đđược<br />
ợc cho<br />
trong hình 5, vvới<br />
ới chiều ddài<br />
ài buồng ởng L = 550 mm, hhệệ số mở rộng ch<br />
buồng cộng hhưởng chùm<br />
ùm<br />
tia 2x.<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
3 Sơ đồ<br />
Hình 3. đồ cấu trúc buồng cộng hhư<br />
ưởng<br />
ởng<br />
hhệệ laser Nd:YAG QQ-Switching<br />
Switching nhân ttần<br />
ần bậc hai<br />
hai.<br />
2.2. Tính toán các tham ssố ố thực nghiệm<br />
Trong thí nghi<br />
nghiệm<br />
ệm nnày,<br />
ày, chúng tôi ssẽẽ khảo sát công suất li<br />
liên<br />
ên tục<br />
tục của laser hhòa<br />
òa ba<br />
bậc<br />
ậc hai λSHG, và từ<br />
từ đó tính toán năng llưượng<br />
ợng laser phát và công su<br />
suất<br />
ất đỉnh xung laser.<br />
Giả sử rằng, mật độ nghịch đảo phân tử, nguy<br />
Giả nguyên<br />
ên tử<br />
tử của trạng thái ban đầu (ngay<br />
trước khi phát xung) llàà ni, phụ thuộc vvào<br />
trước ào mật<br />
mật độ nghịch đảo trạng thái cuối (ngay<br />
sau khi phát xung) nf theo hhệệ thức[8].<br />
1<br />
s f<br />
ni n n n f e<br />
(3)<br />
Trong đó, f là tần<br />
tần số lặp lại xung, s là thời<br />
thời gian phát xạ tự phát của mức laser<br />
trên, phương trtrình<br />
ình (3) áp ddụngụng cho chế độ bbơm ục đồng nhất, n là m<br />
ơm liên ttục ật độ tiệm<br />
mật<br />
cận<br />
ận phụ thuộc vvàoào ttỷỷ lệ bbơm<br />
ơm và mật<br />
mật độ nghịch đđảo<br />
ảo lớn nhất có thể đạt đđược<br />
ợc (có thể<br />
đạt<br />
ạt đđược 1/f >> s ). Giá trị<br />
ợc khi 1/f trị của n có thể<br />
thể tính được<br />
đ ợc dựa vvào<br />
ào công su ất phát li<br />
suất liên<br />
ên<br />
ục Pcw, thu được<br />
tục được khi độ phẩm chất buồng cộng hhư ưởng<br />
ởng Q đạt giá trị lớn nhất.<br />
Pcw s<br />
n nng (4)<br />
hvV<br />
đó hv là năng lư<br />
Trong đó, ợng photon, vvàà V thể<br />
lượng thể tích laser hiệu dụng, nng là ngư<br />
ngưỡng<br />
ỡng<br />
mật độ nghịch đảo, là hhệệ số li<br />
mật liên<br />
ên kết<br />
kết ngo<br />
ngoài:<br />
ài:<br />
<br />
1 1 1 <br />
(5)<br />
nng ln <br />
l r1r2 <br />
ln r1 (6)<br />
2<br />
ln ln r1 ln r2 2 l<br />
Trong đó, ết diện ngang phát xạ kích thích, l là chi<br />
đó tiết chiều<br />
ều ddài<br />
ài thanh ho ạt chất, <br />
hoạt<br />
là tín hiệu<br />
hiệu Q-<br />
Q-switch<br />
switch truy ền qua lớn nhất, r1 và r2 tương ứng llàà hệ<br />
truyền hệ số phản xạ của<br />
gương trư<br />
trước<br />
ớc và<br />
và gương sau, là hệ<br />
hệ số mất mát thanh laser.<br />
M t độ<br />
Mật độ nghịch đảo ngay sau khi một xung laser phát ra llàà một một hàm<br />
hàm ssố<br />
ố của mật<br />
độ<br />
ộ nghịch đảo ngay tr trước<br />
ớc khi xung laser phát ra vvàà ngư<br />
ngưỡngỡng mật độ nghịch đảo, từ<br />
đó ccũng<br />
ũng có thể xác định đđược ợng trong một xung laser phát ra Exung và<br />
ợc năng llượng<br />
suất phát trung bbìnhh Ptb:<br />
công suất<br />
ni n f nng ln ni / n f (7)<br />
<br />
<br />
108 P Đ. Th<br />
Thắng,<br />
ắng, Đ.<br />
Đ.V.<br />
V. Mư<br />
Mười,<br />
ời, …<br />
…,, “Khoan<br />
“Khoan vi llỗỗ tr<br />
trên<br />
ên vật<br />
vật liệu thép<br />
thép… hòa ba bbậc Nd:YAG.””<br />
ậc hai của Nd:YAG<br />
Nghiên cứu khoa học công nghệ<br />
<br />
E xung ( ni n f )hvV (8)<br />
Ptb E xung f (9)<br />
Từ thời gian chùm laser di chuyển hết một vòng buồng cộng hưởng tR = 2L/c (L<br />
là chiều dài buồng cộng hưởng), ta có thể tính được công suất đỉnh laser phát xung<br />
tỷ lệ nghịch với chiều dài buồng cộng hưởng[8]:<br />
1<br />
Vhv ln <br />
Pp r1 n n ni <br />
(10)<br />
1 i ng <br />
tR nng <br />
2<br />
Từ các phương trình (3), (4), (8) ta có thể tính toán năng lượng một xung laser<br />
theo công suất laser phát liên tục.<br />
<br />
<br />
1 / s f nf<br />
(11)<br />
E xung Pcw s 1 e 1 <br />
n <br />
<br />
Trong đó, n = ( n - nng)/nng, n f = (nng - nf)/nng là các biến chuẩn hóa từ các<br />
<br />
biến gốc của chúng. Giá trị của các biến này 0 < n < , 0 < n f < 1, giá trị của<br />
<br />
n f có thể tính được bằng cách giải phương trình (3) và phương trình (7), và chú ý<br />
<br />
rằng từ phương trình (7) giá trị n f < n i , từ điều kiện n i < n nên 0 < n f < n <br />
và do vậy hệ số ngoài cùng của phương trình (11) có giá trị trong vùng từ 1 đến 2.<br />
Một cách đơn giản trong phương trình (11) năng lượng xung laser chỉ phụ thuộc<br />
vào công xuất phát liên tục, thời gian sống ở mức laser trên và tần số lặp lại xung f,<br />
và hệ số khác như tiết diện ngang bức xạ kích thích laser hoặc phẩm chất dương<br />
của buồng cộng hưởng.<br />
Các giá trị tham số của laser và Q-Switch được tính toán trong bảng sau:<br />
Bảng 1. Các tham số laser và Q-Switch.<br />
Tham số Laser P: công suất liên tục ở bước sóng laser cơ bản 1064 nm<br />
Nd:YAG τs: thời gian bức xạ tự phát mức laser trên<br />
P = cw (W) 100 λ: bước sóng laser cơ bản 1064 nm<br />
s (ms) 0.23 V: thể tích laser hiệu dụng<br />
l: chiều dài thanh hoạt chất Nd:YAG<br />
λ (µm) 1064 L: chiều dài buồng cộng hưởng<br />
V (cm3) 0.02 r1: hệ số phản xạ của gương trước với bước sóng 532 nm<br />
l (mm) 75 r2: hệ số phản xạ gương sau<br />
L (mm) 550 : tỷ số tín hiệu truyền qua Q-Switch lớn nhất<br />
r1 0.8<br />
r2 0.997 β: hệ số mất mát trong thanh laser<br />
σ: tiết diện phát xạ kích thích<br />
0.987<br />
-1<br />
txung: độ rộng xung<br />
(cm ) 0.0023<br />
cm2 8.7x10-19<br />
txung (ns) 20<br />
<br />
<br />
Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số 44, 08 - 2016 109<br />
Vật<br />
ật lý<br />
<br />
3. KẾT<br />
KẾT QUẢ V<br />
VÀ<br />
À THẢO<br />
THẢO LUẬN<br />
3.1. Hi<br />
Hiệu<br />
ệu suất laser phát h hòa<br />
òa ba bậc<br />
b hai<br />
Tính toán hi<br />
hiệu<br />
ệu suất chuyển đổi bbư ước<br />
ớc sóng khi nhân tần sử dụng tinh thể phi<br />
tuyến KTP llàà bư<br />
tuyến bước<br />
ớc quan trọng để kiểm tra chất llượng ợng buồng cộng hhưởng<br />
ởng và<br />
và đi<br />
điều<br />
ều<br />
chỉnh công suất phát laser hhòa<br />
chỉnh òa ba bbậc<br />
ậc hai, hiệu suất chuyển đổi bbước<br />
ớc sóng có thể<br />
được tính theo biể<br />
được biểuu th ức[9]:<br />
thức<br />
P532<br />
ef (12)<br />
P1064<br />
đó P532, P1064 tương ứng llàà công su<br />
Trong đó, suất<br />
ất λSHG và công su<br />
suất<br />
ất laser bbơm<br />
ơm (laser<br />
phát ở bước<br />
b ớc sóng 1064 nm). Module laser Nd:YAG bbơm ơm bbằng<br />
ằng laser diode có công<br />
suất phát ở bbư<br />
suất ước<br />
ớc sóng ccơ<br />
ơ bản<br />
bản đư<br />
được<br />
ợc điều chỉnh theo ddòng<br />
òng bbơm,<br />
ơm, dòng<br />
dòng bơm<br />
bơm ttối<br />
ối đa 30<br />
A tương ứng với công suất phát lớn nhất ở bbước ớc sóng 1064 nm, ng ngưưỡng<br />
ỡng phphát<br />
át laser<br />
ở khoảng 11A. Kết quả thí nghiệm đđược ợc mô tả nh<br />
nhưư sau:<br />
Bảng 2. Thông<br />
ảng 2. hông ssố<br />
ố phát laser của module laser Nd:YAG<br />
được<br />
được cung cấp từ hhãng<br />
ãng ssản<br />
ản xuất<br />
xuất..<br />
Dòng bbơm<br />
ơm (A) 10 15 20 25 30<br />
Công suất<br />
suất bư<br />
bước<br />
ớc sóng 1064 nm (W) 0 19.4 40 90 108<br />
Kết quả khảo sát vvàà đo đạc<br />
Kết đạc công su<br />
suất<br />
ất laser bbước<br />
ớc sóng hhòa<br />
òa ba bậc<br />
bậc hai và<br />
và hi<br />
hiệu<br />
ệu<br />
suất nhân tần đđư<br />
suất ược<br />
ợc tr<br />
trình<br />
ình bày trong hình sau:<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
Hình 44.. Đồ<br />
Đồ thị công suất laser bbướcớc sóng hhòa<br />
òa ba bbậcậc hai phụ thuộc vvào ào dòng bbơm<br />
ơm..<br />
Trong hình 4 ở tr trên,<br />
ên, kkết<br />
ết quả đo cho thấy ng<br />
ngưưỡng<br />
ỡng phát laser hhòa òa ba bậc<br />
bậc hai ttương<br />
ương<br />
ứng với ddòngòng bơm 11,2 A đđối ối với cả ba lần khảo sát. Đ Đường<br />
ờng 1 có hiệu suất phát<br />
hòa ba bbậcậc hai thấp hhơn<br />
ơn hhẳn<br />
ẳn so với hai đđư<br />
ường<br />
ờng còn<br />
còn lại,<br />
lại, vvàà có hi<br />
hiệu<br />
ệu suất thấp nhất chỉ<br />
đạt<br />
ạt 22 % tại ddòngòng bbơm<br />
ơm 25 A. Nguyên nhân là góc ttới ới tia laser tới tinh thể KTP<br />
chưa thỏa<br />
thỏa mãn ều kiện góc hợp pha (90o)[10-11]<br />
mãn điều [10 11]<br />
. Trong hai đư đường<br />
ờng phía trên,<br />
trên, kkết<br />
ết<br />
quả đo lần hai vvàà llần<br />
quả ần thứ ba, sau khi hiệu chỉnh hiệu suất phát cao hhơn ơn rrất<br />
ất nhiều,<br />
hiệu suất có thể đạt đđược<br />
hiệu ợc 60 % tại ddòng<br />
òng bbơm<br />
ơm 20 A. T Tạiại ddòng<br />
òng bơm<br />
bơm này, hohoạt<br />
ạt động<br />
laser đđạt<br />
ạt được<br />
đ ợc độ ổn định cao, các mode dao đđộng ộng trong buồng cộng hhưởng ởng đđưược<br />
ợc<br />
khuếch đại vvàà ccộng<br />
khuếch ộng hhưởng<br />
ởng mạnh, vvàà duy trì trong khokhoảng<br />
ảng ddòng<br />
òng bơm<br />
bơm ttừ<br />
ừ 20 – 25 A.<br />
<br />
<br />
110 P Đ. Th<br />
Thắng,<br />
ắng, Đ.<br />
Đ.V.<br />
V. Mư<br />
Mười,<br />
ời, …<br />
…,, “Khoan<br />
“Khoan vi llỗỗ tr<br />
trên<br />
ên vật<br />
vật liệu thép<br />
thép… hòa ba bbậc Nd:YAG.””<br />
ậc hai của Nd:YAG<br />
Nghiên ccứu<br />
ứu khoa học công nghệ<br />
<br />
Sau đó m mật<br />
ật độ nghịch đảo tích lũy trạng thái đạt bbão ão hòa, công susuất<br />
ất phát laser bbơm<br />
ơm<br />
1064 nm tăng ch chậmậm lại vvàà không tăng khi ddòng<br />
òng b<br />
bơm<br />
ơm đạtạt gần 30 A trở đi. Hiệu suất<br />
phát laser hòa ba bbậc ậc hai cũng vvìì đó mà gigiảm<br />
ảm mạnh xuống chỉ ccòn òn 35,55 % ở ddòngòng<br />
bơm 25 A.<br />
3.2. K<br />
Kết<br />
ết quả khoan vi lỗ<br />
1. Ảnh hhưởng<br />
ởng dòng<br />
dòng bbơm<br />
ơm laser lên đưđường<br />
ờng kính vi lỗ<br />
Công suất<br />
suất phát laser li ên tục<br />
liên tục hòa<br />
hòa ba bbậc<br />
ậc hai đư<br />
được<br />
ợc điều chỉnh trong khokhoảng<br />
ảng 20 –<br />
40 W, trong khokhoảng ảng nnày,<br />
ày, hoạt<br />
hoạt động laser có độ ổn định cao vvàà hiệuhiệu suất phát hhòaòa<br />
ba bbậc<br />
ậc hai cao từ 45 – 55 %. Tính toán theo công th thức<br />
ức (9) th<br />
thìì năng<br />
năng lư ợng xung<br />
lượng<br />
laser có giá tr<br />
trịị trong khoảng 13.33 – 26.67 mJ, tương ứng với công suất đỉnh la laser<br />
ser<br />
tính theo công th ức (1) 0.6665x106 – 1.3335 x106 W.<br />
thức<br />
Trong kết<br />
kết quả báo cáo thực nghiệm nnày, ày, các tham ssốố đđược<br />
ợc khảo sát llàà công su<br />
suất<br />
ất<br />
laser nhân ttần<br />
ần λSHG, ttần ần số xung Q Q-Switch,<br />
Switch, và ththời<br />
ời gian tương<br />
tương tác chùm bbức ức xạ<br />
laser lên vvật<br />
ật liệu thép không gỉ. Trong khi đó, khí hỗ hỗ trợ gia công llàà khí N2 và áp<br />
suất ddòng<br />
suất òng khí 0.5 MPa, ttốc ốc độ khoan cố định ở 5 mm/s vvàà th thời<br />
ời gian trễ hệ vi dịch<br />
chuy<br />
chuyểnển là<br />
là 100 ms. K Kếtết quả khoan vi lỗ tr trên<br />
ên vật<br />
vật liệu thép không gỉ khi thay đổi<br />
dòng bbơm<br />
ơm đư<br />
được<br />
ợc tr trình<br />
ình bày ở hình<br />
hình dư<br />
dưới<br />
ới đây.<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
a)<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
b)<br />
Hình 55. Kết<br />
Kết quả khoan vi lỗ tr<br />
trên<br />
ên vvật<br />
ật liệu thép không gỉ độ ddày<br />
ày 0.1 mm, th<br />
thời<br />
ời gian<br />
phát xung laser 100 ms, và ttần<br />
ần số QQ-Switch<br />
Switch 1.5kHz. a) Ảnh chụp vi lỗ tr<br />
trên<br />
ên hhệệ<br />
Micro<br />
Micro--Raman,<br />
Raman, b) đư<br />
đường<br />
ờng kính vi lỗ thay đổi theo ddòng<br />
ng bơm.<br />
bơm<br />
<br />
<br />
Tạp<br />
ạp chí Nghi<br />
Nghiên<br />
ên cứu<br />
cứu KH<br />
KH&CN<br />
&CN quân<br />
uân sự,<br />
sự, Số 44<br />
44, 088 - 2016<br />
20 6 111<br />
Vật<br />
ật lý<br />
<br />
Ở kết quả trtrên,<br />
ên, vvới<br />
ới ddòng<br />
òng b<br />
bơm<br />
ơm nhnhỏỏ hhơn<br />
ơn 16 A, công su<br />
suất<br />
ất laser phát nhỏ, mật độ<br />
công suất<br />
suất chưa<br />
chưa đđủủ để khoan thủng tấm kim loại, không hhìnhình thành vi llỗ.<br />
ỗ. Khi ddòng<br />
òng<br />
bơm llớn<br />
ớn hơn<br />
hơn 16A và tăng ddần ần thì<br />
th đư<br />
đường<br />
ờng kính vi lỗ cũng tăng theo, tuy nhi<br />
nhiên<br />
ên khi<br />
mật độ công ssuất<br />
mật ất bắt đầu đạt mức bbão<br />
ão hòa ttại<br />
ại dòng<br />
dòng bơm<br />
bơm 25 A, th<br />
thìì đường<br />
đường kính vi lỗ<br />
nằm<br />
ằm khoảng 130 – 140 μm.<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
a)<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
b)<br />
Hình 66. Kết<br />
Kết quả khoan vi lỗ trtrên<br />
ên vvật<br />
ật liệu thép không rỉ 304 độ dầy 0.3 mm, ddòng òng<br />
bơm 21 A, ttần<br />
ần số Q<br />
Q-Switc<br />
Switc<br />
Switch h 1.5 kHz. a) Ả Ảnh<br />
nh chụp<br />
chụp trên<br />
trên kính hi<br />
hiển<br />
ển vi, b) Đ ờng kính<br />
Đường<br />
vi llỗ<br />
ỗ phụ thuộc theo thời gian phát laser<br />
laser.<br />
2. Ảnh hhưởng<br />
ởng thời gian phát laser<br />
Hình 6 trên đây là kkết<br />
ết quả đường<br />
đ ờng kính vi lỗ khi thay đổi thời gian phát laser, tức<br />
là thay đđổi<br />
ổi số lư<br />
lượng<br />
ợng xung laser khoan trên vật vật liệu, thời gian phát laser thay đổi từ<br />
100 – 1400 ms. Trong thí nghi nghiệm<br />
ệm nnày,<br />
ày, công susuất<br />
ất laser đạt khoảng 25.7 W ở ddòng òng<br />
6<br />
bơm 21 A tương ứng với công suất đỉnh laser xung 1.285x10 W. Đường Đường kính vi lỗ<br />
đo đư<br />
được<br />
ợc nằm trong khoảng 90 – 110 μm, vvới ới sai số ± 5 μm. C Công<br />
ông suất<br />
suất laser đđư<br />
ược<br />
ợc<br />
<br />
<br />
<br />
112 P Đ. Th<br />
Thắng,<br />
ắng, Đ.<br />
Đ.V.<br />
V. Mư<br />
Mười,<br />
ời, …<br />
…,, “Khoan<br />
“Khoan vi llỗỗ tr<br />
trên<br />
ên vật<br />
vật liệu thép<br />
thép… hòa ba bbậc Nd:YAG.””<br />
ậc hai của Nd:YAG<br />
Nghiên ccứu<br />
ứu khoa học công nghệ<br />
<br />
giữ nguyên,<br />
giữ nguyên, thì ththời<br />
ời gian ttương<br />
ương tác chùm bbứcức xạ laser llên<br />
ên vvật<br />
ật liệu thay đổi, đđường<br />
ờng<br />
kính vi llỗ<br />
ỗ thay đổi không nhiều, llàà do khi vi llỗỗ được<br />
đ ợc hhình<br />
ình thành, chùm tia laser ssẽẽ<br />
đi qua vi llỗ,<br />
ỗ, không ttương<br />
ương tác vvới<br />
ới vật liệu nữa nnên<br />
ên kích thư<br />
thước<br />
ớc vi lỗ<br />
lỗ được<br />
đ ợc duy tr<br />
trì.<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
Hình 77. Sự ự thay đổi đđư ờng kính vi lỗ theo tần số Q<br />
ường Q-Switch.<br />
Switch. Quá trình khoan vvới ới<br />
dòng bbơmơm 21 A, th<br />
thời<br />
ời gian phát laser 1000 ms ms.<br />
3. Ảnh hhưởng<br />
ởng của tần số Q Q--Switch<br />
Switch<br />
Sựự thay đổi đđường<br />
ờng kính vi lỗ đđư ược<br />
ợc khảo sát trong khoảng tần số Q Q--Switch<br />
Switch 1 –<br />
2 kHz như trong hhình ình 9, đường<br />
đường kính vi lỗ thay đổi trong khoảng 70 – 100 μm vvới ới<br />
sai ssố<br />
ố ± 5 μm. Đư Đường<br />
ờng kính vi lỗ ít thay trong vvùng ùng tần<br />
tần số Q<br />
Q-Switch<br />
Switch 1.4 – 1.8 kHz<br />
bởi<br />
ởi công suất đỉnh đạt ổn định trong vvùng ùng tần<br />
tần số này.<br />
này. Khi thay đđổiổi tần số Q Q--<br />
Switch tăng ddần,ần, cô<br />
công<br />
ng su ất xung laser giảm dần về công suất trung bbình<br />
suất ình (công<br />
suất phát li<br />
suất liên<br />
ên ttục),<br />
ục), năng llưượng<br />
ợng xung không đủ hhình ình thành vi llỗ<br />
ỗ trên<br />
trên ttấm<br />
ấm vật liệu<br />
thép không ggỉ. ỉ. Trong các thí nghiệm tr trên<br />
ên đều<br />
đều sử dụng khí hỗ trợ N2, bbởi ởi khí N2<br />
như là m một<br />
ột loại khí trtrơơ ở nhiệt độ cao<br />
cao,, gi<br />
giảm<br />
ảm vùng<br />
vùng ảnh hhưởng<br />
ởng nhiệt tr ên vật<br />
trên vật liệu,<br />
ngăn ccảnản sự mở quá tr trình<br />
ình nóng ch<br />
chảy<br />
ảy vvàà bbốc<br />
ốc bay vật liệu, chất llượng<br />
ợng vi lỗ đđư ược<br />
ợc<br />
cải<br />
ải thiện vvàà sạch<br />
sạch hhơn.<br />
ơn.<br />
4. K<br />
KẾT<br />
ẾT LUẬN<br />
Những<br />
Nh ững kết quả nghi<br />
nghiênên cứu<br />
cứu khoan vi lỗ tr trên<br />
ên vật<br />
vật liệu thép không gỉ, độ ddày ày khác<br />
nhau được<br />
được nghi<br />
nghiên<br />
ên ccứu<br />
ứu và thử<br />
thử nghiệm tr trên<br />
ên hệhệ thống laser xung Nd:YAG phát ở<br />
bước sóng hhòa<br />
bước òa ba bbậc<br />
ậc hai λSHG = 532 nm. Công su suất<br />
ất laser phát ở chế độ li liên<br />
ên ttục<br />
ục<br />
điều chỉnh trong khoảng 20 – 40 W, phát xung qua phương pháp Q<br />
điều Q--Switch<br />
Switch quang<br />
– âm ttần<br />
ần số trong khoảng 1.4 – 1.7 kHz có th thểể đáp<br />
đáp ứng đđư ược<br />
ợc rất nhiều ứng dụng<br />
trong các llĩnh<br />
ĩnh vực khác nhau như ch chếế tạo mmàng<br />
àng lọc,<br />
lọc, thiết bị vvòi<br />
òi phun, thi ết bị cảm<br />
thiết<br />
biến. Chất llư<br />
biến. ượng<br />
ợng vi lỗ ttương<br />
ương đđối<br />
ối ổn định, đđườngờng kính vi lỗ đạt đượcđ ợc trong dải 70<br />
– 110 μm, vvớiới thời gian ttương<br />
ương tác chùm bbức ức xạ laser với vật li liệu<br />
ệu rất ngắn 1000 –<br />
1500 ms. Trong tương lai, nghiên ccứu ứu trtrên<br />
ên những<br />
những hệ laser có bư bước<br />
ớc sóng ngắn<br />
trong vùng ttửử ngoại có thể tạo đđượcợc những vi lỗ nhỏ hhơn ơn 50 μm. Nh óm tác gi<br />
Nhóm giảả<br />
gửi<br />
ửi lời cảm ơn chân thành ttớiới ban llãnh<br />
ãnh đạoạo Trung tâm Công nghệ laser, lời cảm<br />
<br />
<br />
Tạp<br />
ạp chí Nghi<br />
Nghiên<br />
ên cứu<br />
cứu KH<br />
KH&CN<br />
&CN quân<br />
uân sự,<br />
sự, Số 44<br />
44, 088 - 2016<br />
20 6 113<br />
Vật lý<br />
<br />
ơn tới TS. Lê Đình Nguyên, và tập thể cán bộ nghiên cứu của Trung tâm công<br />
nghệ laser đã tạo điều kiện và tư vấn cho nhóm tác giả thực hiện nghiên cứu và<br />
hoàn thành bài báo này.<br />
TÀI LIỆU THAM KHẢO<br />
[1]. Walter Koechner: “Solid-State Laser Engineering, sixth revised and updated<br />
edition”. 18496 Yellow Schoolhouse Rd, Round Hill, VA 20141, U.S.A.<br />
Library of congress control number: 2005932556, ISBN-10: 0-387-29094-X,<br />
e-ISBN: 0-387-29338-8.<br />
[2]. L.M. Cabalin, J.J. Laserna: “Experimental determination of laser induced<br />
breakdown thresholds of metals under nanosecond Q-switched laser<br />
operation”. Depurtment qf’Analytica1 Chemistry, Faculty of” Sciences,<br />
University of Mdlaga. E-29071 Mblaga. Spain Received 23 October 1997;<br />
accepted 23 February 1998. Spectrochimica Acta Part B 53 (1998) 723-730.<br />
[3]. Greg Bates: “Laser-Material Interaction for Marking: Wavelength dependence<br />
of materials: metals, plastics, semiconductors, and other materials”.<br />
Advanced Laser Center, Miyachi Unitek Corporation.<br />
[4]. Ikhlas Jabir Mahmood: “Theoretical Study of Drilling Process Materials By<br />
Laser Pulses (Micro, Nano and Picoseconds)”. International Journal of<br />
Science and Research (IJSR) ISSN (Online): 2319-7064. Index Copernicus<br />
Value (2013): 6.14 | Impact Factor (2013): 4.438.<br />
[5]. P.T. Pajak, A.K. De Silva, D.K. Harrison, J.A. McGeough: “Research and<br />
developments in laser beam machining”. Zeszyty Naukowe Politechniki<br />
Poznazskiej, Budowa Maszyn I Zarzadzanie Produkcja 2005.<br />
[6]. Sintec Optronics Technology Pte Ltd: “Beam expander”10 Bukit Batok<br />
Crescent #07-02 The Spire Singapore 658079.Tel: +65 63167112 Fax: +65<br />
63167113.<br />
[7]. Susumu Konno, Shuichi Fujikawa, and Koji Yasui “Highly efficient 68-W<br />
green-beam generation by use of an intracavity frequency-doubled diode<br />
side-pumped Q-switched Nd:YAG rod laser”, © 1998 Optical Society of<br />
America, OCIS codes: 140.3480, 140.3540, 140.2620, 140.2580. 20<br />
September 1998 y Vol. 37, No. 27 y APPLIED OPTICS.<br />
[8]. W. K. Marshall, K. Cowles, and H. Hemmati “Performance of efficient Q-<br />
Switched diode-laser-pumped Nd:YAG and Ho:YLF lasers for space<br />
applications”. Communications systems research section, TDA Progress<br />
Report 42-95, July-September 1988.<br />
[9]. R.J.Jones: “Second Harmonic Generation, Fall 2012”. Optical Sciences<br />
[10].V.I. Donin, D.V. Yakovin and A.V. Gribanov: “Diode-Pumped Nd:YAG<br />
Green Laser with Q-Switch and Mode Locking”. Institute of Automation and<br />
Electrometry, Siberian Branch of RAS, Novosibirk.<br />
[11]. P K Mukhopadhyay, K Ranganathan, S K Sharma, J George, R Sunder and T<br />
P S Nathan: “Highly efficient green beam generation by simulataneous side<br />
and end of an intracavity frequency double Q-Switched Nd:YAG laser”. Solid<br />
state laser Division, Center for Advanced Technology, Indore, M. P. 452013,<br />
INDIAN.<br />
<br />
<br />
114 P Đ. Thắng, Đ.V. Mười, …, “Khoan vi lỗ trên vật liệu thép… hòa ba bậc hai của Nd:YAG.”<br />
Nghiên cứu khoa học công nghệ<br />
<br />
ABSTRACT<br />
MICRO-HOLE DRILLING ON THE MATERIAL OF STAINLESS STEEL<br />
BY USING PULSE LASER OF