Mạch tách sóng toàn chu kỳ dùng cấu trúc DTMOS trong hệ thống thu hoạch năng lượng cao tần

Chia sẻ: _ _ | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:5

Thêm vào BST

Báo xấu

20
lượt xem 5
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Bài viết trình bày đề xuất việc sử dụng cấu trúc MOSFET điện áp ngưỡng động cho mạch tán sóng toàn chu kỳ CCR để nâng cao hiệu quả của mạch thu hoạch năng lượng cao tần. Trong bài viết, mạch tách sóng toàn chu kỳ dùng cấu trúc DTMOS và mạch tách sóng toàn chu kỳ dùng cấu trúc cực thân nối với cực nguồn BTMOS được thiết kế trên công nghệ 65 nm Silicon phủ trên lớp kim loại mỏng.

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Mạch tách sóng toàn chu kỳ dùng cấu trúc DTMOS trong hệ thống thu hoạch năng lượng cao tần

Hội nghị Quốc gia lần thứ 23 về Điện tử, Truyền thông và Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2020) M§ch tách sóng toàn chu k˝ dùng cßu trúc DTMOS trong hª thËng thu ho§ch n´ng l˜Òng cao t¶n Nguyπn Thùy Linh⇤ , Nguyπn V´n Trung⇤ , Ki∑u Kh≠c Ph˜Ïng⇤ , và Nguyπn Huy Hoàng⇤ ⇤ §i hÂc kˇ thu™t Lê Qu˛ ôn, Hà NÎi, Viªt Nam Email: linhnt@lqdtu.edu.vn Tóm t≠t nÎi dung—Bài báo ∑ xußt viªc s˚ dˆng cßu thu ho§ch n´ng l˜Òng cao t¶n ó là m˘c tín hiªu cao trúc MOSFET iªn áp ng˜Ông Îng (Dynamic Threshold t¶n trong môi tr˜Ìng rßt nh‰, th˜Ìng  m˘c µW [2]. MOSFET) cho m§ch tách sóng toàn chu k˝ (Cross-coupled – m˘c n´ng l˜Òng này, iªn áp vào cao t¶n cıa m§ch Rectifier) CCR ∫ nâng cao hiªu sußt cıa m§ch thu ho§ch tách sóng th˜Ìng thßp hÏn iªn áp ng˜Ông (Threshold n´ng l˜Òng cao t¶n (RF Energy Harvesting). Trong bài Voltage) Vth cıa ph¶n t˚ tích c¸c dùng ∫ tách sóng. báo, m§ch tách sóng toàn chu k˝ dùng cßu trúc DTMOS Do v™y, hiªu sußt cıa m§ch tách sóng th˜Ìng thßp d®n và m§ch tách sóng toàn chu k˝ dùng cßu trúc c¸c thân ∏n hiªu sußt cıa toàn bÎ m§ch thu ho§ch n´ng l˜Òng nËi vÓi c¸c nguÁn BTMOS ˜Òc thi∏t k∏ trên công nghª 65 nm Silicon phı trên lÓp kim lo§i m‰ng (Silicon on Thin cao t¶n cÙng không cao. Box). Hai m§ch tách sóng ˜Òc o §c ki∫m nghiªm th¸c ∫ t´ng hiªu sußt cıa m§ch tách sóng, mÎt sË các gi£i t∏ ∫ so sánh tr¸c quan k∏t qu£ nh¨m ánh giá hiªu n´ng pháp kˇ thu™t ã ˜Òc ∑ xußt nh˜ áp dˆng các lo§i cıa hai lo§i cßu trúc MOSFET trong m§ch tách sóng cao công nghª ch∏ t§o khác nhau ho∞c ∑ xußt lo§i v™t liªu t¶n. Ngoài ra, hª thËng thu ho§ch n´ng l˜Òng cao t¶n mÓi dùng cho m§ch tách sóng [3], [4], [5]. Các gi£i cÙng ˜Òc thi∏t k∏ ∫ thu ho§ch n´ng l˜Òng cıa tín hiªu pháp phát tri∫n cßu trúc cıa m§ch tách sóng cÙng ˜Òc di Îng LTE  b´ng t¶n 950 MHz th¸c t∏ tÁn t§i trong ∑ xußt nh˜ m§ch t¸ i∑u chønh iªn áp ng˜Ông (Vth môi tr˜Ìng không gian t¸ do. K∏t qu£ o §c cho thßy Cancellation) [6], cßu trúc chønh l˜u toàn sóng d§ng vi m§ch thu ho§ch n´ng l˜Òng dùng m§ch tách sóng toàn sai (Differential-drive) [7], [8], cßu trúc chønh l˜u toàn chu k˝ cßu trúc DTMOS có th∫ t§o ra iªn áp mÎt chi∑u sóng dùng m§ch bù phˆ [9]. 0.6V trong i∑u kiªn m˘c tín hiªu di Îng LTE ¶u vào Viªc i∑u chønh c¸c thân cıa bán d®n hiªu ˘ng tr˜Ìng là -19 dBm. (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) Keywords—Thu ho§ch n´ng l˜Òng cao t¶n, m§ch tách MOSFET ∫ t´ng dòng c¸c máng cıa MOSFET là mÎt sóng toàn chu k˝, MOSFET iªn áp ng˜Ông Îng DTMOS, kˇ thu™t rßt phÍ bi∏n. Trong ó, MOSFET có iªn áp MOSFET có c¸c thân ˜Òc nËi vÓi c¸c nguÁn BTMOS. ng˜Ông i∑u chønh Îng DTMOS là mÎt cßu trúc tiêu bi∫u. Trong cßu trúc DTMOS, c¸c thân cıa bán d®n ˜Òc nËi vÓi c¸c cÍng, i∑u này khác vÓi cßu trúc I. GIŒI THIõU cıa mÎt MOSFET thông th˜Ìng khi mà c¸c thân ˜Òc Hiªn nay, thu ho§ch n´ng l˜Òng cao t¶n ang tr nËi vÓi c¸c nguÁn BTMOS. – [10], các tác gi£ ã thành chı ∑ hßp d®n cho các nhà nghiên c˘u trên th∏ ch˘ng minh r¨ng trong ph§m vi iªn áp vào nh‰, cßu giÓi và trong n˜Óc. Kˇ thu™t thu ho§ch n´ng l˜Òng cao trúc DTMOS cho dòng iªn c¸c máng lÓn hÏn so vÓi t¶n th¸c hiªn thu ho§ch tín hiªu cao t¶n trong môi tr˜Ìng BTMOS. Trong kˇ thu™t thu ho§ch n´ng l˜Òng, cßu trúc và chuy∫n Íi n´ng l˜Òng ó thành n´ng l˜Òng tín hiªu DTMOS cÙng ã ˜Òc ∑ xußt cho m§ch tách sóng ki∫u mÎt chi∑u nh¨m cung cßp n´ng l˜Òng cho các m§ch iªn MOSFET k∏t nËi d§ng i Ët [11], m§ch t¸ i∑u chønh t˚ làm viªc. Thông qua viªc s˚ dˆng kˇ thu™t thu ho§ch iªn áp ng˜Ông [12], m§ch tách sóng toàn chu k˝ dùng n´ng l˜Òng có th∫ cho phép hiªn th¸c hóa các ˘ng dˆng m§ch bù phˆ [13]. không s˚ dˆng pin (Battery-less) [1]. VÓi s¸ phát tri∫n Trong các nghiên c˘u v∑ ˘ng dˆng cßu trúc DTMOS cıa khoa hÂc công nghª, ∞c biªt là công nghª 5G hiªn cho m§ch tách sóng, ch˜a có nghiên c˘u nào ∑ xußt nay, tín hiªu cao t¶n ang ngày càng tr nên phÍ bi∏n áp dˆng cßu trúc DTMOS cho m§ch tách sóng toàn chu rÎng rãi trong môi tr˜Ìng sËng nh˜ tín hiªu truy∑n hình k˝. M§ch tách sóng toàn chu k˝ trên n∑n công nghª sË, tín hiªu di Îng, tín hiªu Wifi. Các tín hiªu này tr CMOS ã ˜Òc áp dˆng trong mÎt sË ∑ xußt v∑ cßu thành nguÁn n´ng l˜Òng h˙u ích cho các m§ch thu ho§ch trúc hª thËng thu ho§ch n´ng l˜Òng d§ng phËi hÒp thi∏t n´ng l˜Òng cao t¶n. Tuy nhiên, mÎt nh˜Òc i∫m lÓn cıa k∏ (Co-design) và em l§i k∏t qu£ cao v˜Òt trÎi so vÓi ISBN: 978-604-80-5076-4 235
Hội nghị Quốc gia lần thứ 23 về Điện tử, Truyền thông và Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2020) các cßu trúc hª thËng thu ho§ch n´ng l˜Òng khác [14], [15]. Trong bài báo này, các m§ch tách sóng toàn chu k˝ ˘ng dˆng cßu trúc BTMOS và DTMOS ˜Òc thi∏t k∏ trên công nghª 65nm SOTB CMOS. Các m§ch tách sóng và hª thËng thu ho§ch n´ng l˜Òng dùng các m§ch tách sóng này ˜Òc o §c trong phòng thí nghiªm và o §c vÓi tín hiªu cao t¶n th¸c t∏ trong môi tr˜Ìng ∫ ˜a ra k∏t qu£ tr¸c quan v∑ hiªu n´ng cıa hai lo§i cßu trúc MOSFET. Ph¶n còn l§i cıa bài báo ˜Òc tÍ ch˘c nh˜ sau: Trong ph¶n II, thi∏t k∏ m§ch tách sóng toàn chu k˝ áp dˆng cßu trúc DTMOS và BTMOS ˜Òc giÓi thiªu. Các k∏t qu£ o §c cıa m§ch tách sóng vÓi máy phát tín hiªu chu©n và tín hiªu di Îng LTE  b´ng t¶n Hình 1. ∞c tuy∏n ID-VGS cıa MOSFET dùng cßu trúc DTMOS và xuËng 950 MHz ˜Òc trình bày trong ph¶n III. Ph¶n IV BTMOS k∏t lu™n l§i bài báo. II. MÑCH TÁCH SÓNG TOÀN CHU K› DÙNG DTMOS VÀ BTMOS A. M§ch iªn nguyên l˛ Trong công nghª 65nm SOTB [16], các c¸c thân cıa PMOS và NMOS có th∫ i∑u khi∫n ˜Òc ∫ thay Íi hiªu iªn áp gi˙a c¸c nguÁn và c¸c thân VSB cıa MOSFET. Khi VSB ˜Òc i∑u khi∫n thì iªn áp ng˜Ông cıa MOSFET cÙng ˜Òc i∑u khi∫n theo ph˜Ïng trình 1 [17]. p p Vthn = Vthn0 + ( 2| F| + VSBn 2| F |) (1) vÓi Vthn là iªn áp ng˜Ông cıa NMOS. Vthn0 iªn áp ng˜Ông cıa NMOS khi VSB = 0. F là iªn áp d£i phØng (flatband voltage). là hª sË phân áp c¸c thân. T¯ ph˜Ïng trình 1, b¨ng viªc nËi c¸c thân vÓi c¸c c˚a  cßu trúc DTMOS, khi iªn áp VGS làm m NMOS thì iªn áp ó cÙng làm gi£m giá tr‡ iªn áp ng˜Ông cıa NMOS. NhÌ v™y, dòng c¸c máng ¶u ra cıa DTMOS Hình 2. M§ch tách sóng toàn chu k˝: (a) dùng BTMOS, (b) dùng DTMOS s≥ lÓn hÏn so vÓi cßu trúc BTMOS. Hình 1 mô ph‰ng ∞c tuy∏n mËi quan hª dòng iªn c¸c máng cıa NMOS dùng cßu trúc DTMOS và BTMOS trên công nghª 65nm SOTB vÓi hiªu iªn áp VGS . K∏t qu£ mô ph‰ng cho thßy dòng c¸c máng cıa MOSFET dùng cßu trúc DTMOS lÓn hÏn dòng c¸c máng cıa cßu trúc BTMOS. M§ch iªn nguyên l˛ cıa m§ch tách sóng toàn chu k˝ 3 t¶ng dùng cßu trúc BTMOS và DTMOS dùng cho thi∏t k∏ ˜Òc th∫ hiªn  hình 2. Thông sË cıa MOSFET trong c£ hai m§ch tách sóng là W/L = 1.5µm/0.06µm. Hình 3 th∫ hiªn hình £nh layout cıa các m§ch tách sóng ã thi∏t k∏ trên chip 65nm SOTB. Hình 3. Hình £nh chip d˜Ói kính hi∫n vi B. Bo m§ch tách sóng k∏t hÒp vÓi m§ch phËi hÒp c§nh ó, các m§ch phËi hÒp cho các m§ch tách sóng Bo m§ch tách sóng lo§i FR4 ˜Òc th∫ hiªn trên hình cÙng ˜Òc thi∏t k∏ ∫ £m b£o m§ch tách sóng ˜Òc 4. Trên bo m§ch, chip tách sóng ˜Òc nËi vÓi bo thông phËi hÒp vÓi nguÁn 50⌦ t§i b´ng t¶n xuËng cıa tín qua dây nËi b¨ng vàng ∫ gi£m £nh h˜ng k˛ sinh. Bên hiªu di Îng LTE. ISBN: 978-604-80-5076-4 236
Hội nghị Quốc gia lần thứ 23 về Điện tử, Truyền thông và Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2020) Hình 5 th∫ hiªn k∏t qu£ o §c hª sË ph£n x§ S11 cıa xßp xø -12 dBm. Cùng cho m˘c iªn áp ra 1V trên t£i 10 M ⌦, m§ch tách sóng toàn chu k˝ dùng DTMOS chø c¶n m˘c tín hiªu vào xßp xø -13 dBm. So sánh vÓi mÂi lo§i t£i, bÎ tách sóng dùng cßu trúc DTMOS cho iªn áp ¶u ra lÓn hÏn so vÓi m§ch dùng BTMOS. Tín hiªu cao t¶n tÁn t§i trong không gian t¸ do là các Hình 4. Bo m§ch tách sóng k∏t hÒp cùng m§ch phËi hÒp các m§ch tách sóng. Trong ph§m vi b´ng t¶n (945 - 960) MHz, S11 cıa c£ hai m§ch tách sóng ∑u nh‰ hÏn m˘c -10 dB. (a) (a) (b) Hình 6. o §c iªn áp ra cıa m§ch tách sóng vÓi tín hiªu vào hình sin: (a) M§ch tách sóng dùng BTMOS, (b) M§ch tách sóng dùng DTMOS tín hiªu có i∑u ch∏, vì v™y, m§ch tách sóng cÙng ˜Òc o §c vÓi các tín hiªu i∑u ch∏ t¯ máy phát tín hiªu chu©n. Hình 7 th∫ hiªn k∏t qu£ o §c iªn áp ra cıa các m§ch tách sóng vÓi mÎt sË lo§i tín hiªu i∑u ch∏ nh˜ QAM và BPSK. T¯ k∏t qu£ o §c cho thßy, iªn áp ¶u ra cıa m§ch tách sóng dùng cßu trúc DTMOS cao hÏn m§ch tách sóng dùng cßu trúc BTMOS vÓi mÂi lo§i tín hiªu i∑u ch∏ ˜Òc o §c. (b) Hình 5. o §c S11 cıa các m§ch: (a) M§ch tách sóng dùng BTMOS, (b) M§ch tách sóng dùng DTMOS B. K∏t qu£ o §c vÓi tín hiªu iªn tho§i di Îng LTE 950 MHz Ti∏p theo, m§ch tách sóng ˜Òc k∏t nËi vÓi ´ng ten III. KòT QUÉ O ÑC chßn t˚ n˚a sóng ∫ thu ho§ch n´ng l˜Òng cıa tín hiªu A. K∏t qu£ o trong phòng thí nghiªm cao t¶n th¸c t∏ trong môi tr˜Ìng. Hình 8 th∫ hiªn hình £nh cıa quá trình o §c hª thËng thu ho§ch n´ng l˜Òng Hình 6 th∫ hiªn k∏t qu£ o §c iªn áp ra cıa m§ch trong môi tr˜Ìng. Hª thËng thu ho§ch n´ng l˜Òng ˜Òc tách sóng vÓi các t£i khác nhau khi cßp tín hiªu cao t¶n ∞t trong phòng làm viªc ∫ thu tín hiªu cao t¶n trong ¶u vào là tín hiªu hình sin. Hình v≥ cho thßy, vÓi tín không gian. T§i ‡a i∫m o §c, tín hiªu di Îng LTE hiªu hình sin, m§ch tách sóng dùng cßu trúc BTMOS  b´ng t¶n xuËng (945-960) MHz có m˘c tín hiªu là lÓn cho ra iªn áp 1V trên t£i 10 M ⌦ khi m˘c tín hiªu vào nhßt vì v™y hª thËng thu ho§ch n´ng l˜Òng ˜Òc thi∏t ISBN: 978-604-80-5076-4 237
Hội nghị Quốc gia lần thứ 23 về Điện tử, Truyền thông và Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2020) Hình 7. o §c iªn áp ra cıa m§ch tách sóng vÓi các lo§i tín hiªu Hình 9. Công sußt cıa tín hiªu di Îng LTE b´ng 950 MHz t§i i∫m i∑u ch∏ o §c k∏ ∫ thu ho§ch n´ng l˜Òng cıa tín hiªu này. 150 giây n§p tˆ. Công sußt cıa tín hiªu di Îng LTE trong môi tr˜Ìng Hình 11 và hình 12 th∫ hiªn k∏t qu£ o §c iªn áp Hình 10. o §c iªn áp ra trên tˆ ¶u ra và công sußt ¶u ra cıa các hª thËng thu ho§ch n´ng l˜Òng trên t£i iªn tr 10M ⌦. iªn áp ra trung bình cıa hª thËng thu ho§ch n´ng l˜Òng dùng m§ch tách sóng toàn chu k˝ vÓi cßu trúc DTMOS khi thu ho§ch tín hiªu LTE là xßp xø 0.6V. Ëi vÓi hª thËng dùng cßu trúc BTMOS, giá tr‡ iªn áp ra trung bình là 0.35V. Công sußt ra trung bình theo thÌi gian o cıa m§ch áp dˆng Hình 8. o §c hª thËng thu ho§ch n´ng l˜Òng trong môi tr˜Ìng th¸c cßu trúc DTMOS là 35.6 nW, trong khi giá tr‡ ó cıa t∏ m§ch dùng cßu trúc BTMOS là 12 nW. ˜Òc o §c và k∏t qu£ ˜Òc th∫ hiªn trong hình 9. Theo hình v≥, m˘c tín hiªu di Îng tÁn t§i  i∫m o thay Íi trong kho£ng (-22, -11) dBm t§i thÌi i∫m o §c. M˘c công sußt tín hiªu di Îng tính trung bình theo thÌi gian o §c là -18.6 dBm. Trong o §c ¶u tiên, hª thËng dùng ∫ thu ho§ch tín hiªu di Îng nh¨m n§p n´ng l˜Òng mÎt chi∑u lên tˆ 10µF . K∏t qu£ cıa quá trình o §c ˜Òc th∫ hiªn trên hình v≥ 10. Theo ó, hª thËng thu ho§ch n´ng l˜Òng dùng m§ch tách sóng toàn chu k˝ vÓi cßu trúc DTMOS và BTMOS ∑u th∫ hiªn kh£ n´ng thu ho§ch tín hiªu di Îng LTE. Bên c§nh ó, iªn áp trên tˆ cıa m§ch dùng DTMOS §t 0.54V và m§ch dùng BTMOS là 0.34V sau Hình 11. o §c iªn áp ra trên t£i 10 M ⌦ ISBN: 978-604-80-5076-4 238
Hội nghị Quốc gia lần thứ 23 về Điện tử, Truyền thông và Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2020) [2] S. Kitazawa, H. Ban, K. Kobayashi, “Energy Harvesting from Ambient RF Sources," IEEE IMWS IWPT, 39-42, 2012. [3] K. Ishibashi, J. Ida, L. T. Nguyen, R. Ishikawa, Y. Satoh, D. M. Luong, “RF characteristics of rectifier devices for ambient RF energy harvesting,", ISESD Conference, 2019 [4] M. Awad, P. Benech, J. -M. Duchamp, “Design of Dickson Rec- tifier for RF energy harvesting in 28 nm FD-SOI technology," EUROSOI-ULIS, 2018 [5] D. Cavalheiro, F. Moll, S. Vatchev, “Tunel FET device char- acteristics for RF energy harvesting passive rectifiers," IEEE NEWCAS,2015 [6] K. Kotani, T. Ito, “High efficiency CMOS rectifier circuit with self-Vth-cancellation and power regulation functions for UHF RFIDs," IEEE Asian Solid-state Circuit Conference, pp. 119- Hình 12. o §c công sußt ra trên t£i 10 M ⌦ 122, 2007. [7] K. Kotani, T. Ito, “High efficiency Differential-Drive CMOS B£ng I tÍng k∏t l§i các k∏t qu£ o §c các m§ch tách Rectifier for UHF RFIDs," IEEE Journal of Solid-State Circuits, sóng dùng cßu trúc BTMOS và DTMOS. T¯ các k∏t qu£ Vol. 44, pp. 3011-3018, 2009. trên cho thßy m§ch tách sóng toàn chu k˝ dùng cßu trúc [8] P. T. Theilmann, C. D. Presti, D. J. Kelly, P. M. Asbeck, “A DTMOS cho ¶u ra lÓn hÏn so vÓi m§ch dùng cßu trúc µW Complementary Bridge Rectifier With Near Zero Turn-on BTMOS. Voltage in SOS CMOS for Wireless Power Supplies," IEEE Transaction on Circuit and Systems, Vol. 59, pp. 2111-2124, B£ng I. BÉNG SO SÁNH 2012. BTMOS DTMOS [9] P. Kamalinejad, K. Keikhosravy, S. Mirabbasi, V. C. M. Leung, Vout vÓi tín hiªu sin 1V@-13dBm 1V@-12dBm “An Efficiency Enhancement Technique for CMOS Rectifier Vout vÓi tín hiªu i∑u ch∏ 0.9V @-15dBm 1.05V @-15dBm with Low Start-Up Voltage for UHF RFID Tags," IEEE In- Vout vÓi tín hiªu LTE 0.35V @-19 dBm 0.6V @-19dBM ternational Green Computing Conference Proceedings, pp.1-6, Pout vÓi tín hiªu LTE 12nW @-19 dBm 35.6nW @-19 dBm 2013. [10] F. Assaderaghi, D. Sinitsky, S. Parke, J. Bokor, P. K. Ko, C. Hu, “A dynamic threshold voltage MOSFET (DTMOS) for very low voltage operation," IEEE Electron Device Letters, Vol. 15, pp. IV. KòT LUäN 510-512, 1994. [11] S. Chouhan, K. Halonen, “The design and Implementation of Bài báo thi∏t k∏ các m§ch tách sóng toàn chu k˝ DTMOS biased all PMOS rectifier for RF energy harvesting," dùng cßu trúc DTMOS và BTMOS cho các MOSFET IEEE International New Circuits and Systems Conference, pp. trong m§ch ∫ so sánh ánh giá hiªu n´ng cıa hai lo§i 444-447, 2014. cßu trúc này khi áp dˆng cho m§ch tách sóng. Các m§ch [12] S. Chouhan, K. Halonen, “The DTMOS based UHF RF to tách sóng ˜Òc o §c, ki∫m nghiªm vÓi máy phát tín DC conversion," IEEE International Conference on Electronics, hiªu chu©n và vÓi tín hiªu cao t¶n th¸c t∏ trong môi Circuits, and Systems, pp. 629-632, 2013. tr˜Ìng. K∏t qu£ o §c cho thßy m§ch tách sóng dùng [13] N. T. Linh, Y. Sato, K. Ishibashi, “A 2.77 µW Ambient RF Energy Harvesting using DTMOS Cross-Coupled Rectifier on cßu trúc DTMOS t§o ra iªn áp và công sußt ¶u ra 65 nm SOTB and Wide Bandwidth System Design," MDPI lÓn hÏn so vÓi m§ch dùng cßu trúc BTMOS. Nh˜ v™y, Electronics, Vol. 8(10), 1173, 2019 viªc áp dˆng cßu trúc DTMOS cho các m§ch tách sóng [14] M. Stoopman, S. Keyrouz, H. J. Visser, K. Phillips, W. A. tín hiªu cao t¶n trên công nghª CMOS có th∫ nâng cao Serdijn, “Co-Design of a CMOS Rectifier and Small Loop hiªu qu£ cıa m§ch hÏn so vÓi cßu trúc MOSFET thông Antenna for Highly Sensitive RF Energy Harvesters," IEEE th˜Ìng. Hª thËng thu ho§ch n´ng l˜Òng dùng m§ch tách Journal of Solid-State Circuits, Vol. 49, pp.622-634, 2014. sóng ã thi∏t k∏ trên cßu trúc DTMOS cho iªn áp ra [15] K. R. Sadagopan, J. Kang, Y. Ramandass, A. Natarajan, “A 960pW Co-Integrated-Antenna Wireless Energy Harvester for 0.6V khi thu ho§ch n´ng l˜Òng cıa tín hiªu di Îng LTE Wifi Backchannel Wireless Powering," ISSCC 2018, pp. 136- b´ng 950 MHz  m˘c -19dBm trong môi tr˜Ìng. 137, 2018. [16] Y. Yamamoto, et. al., “Ultralow-Voltage operation of Silicon- TÀI LIõU on-Thin-Box (SOTB) 2 Mbit SRAM down to 0.37 V Ultilizing Adaptive back bias”, VLSI Technology Symposium, pp. T212- [1] X. Lu, P. Wang, D. Niyato,D. I. Kim, Z. Han, “Wireless 213, June 2013. Networks with RF Energy Harvesting: A contemporary Survey," IEEE communication surveys and tutorials, Vol. 17, pp. 757- [17] J. P. Uyemura, “CMOS logic circuit design", Kluwer Academic 789, 2015. publishers, 3rd, 2002. ISBN: 978-604-80-5076-4 239