intTypePromotion=1
zunia.vn Tuyển sinh 2024 dành cho Gen-Z zunia.vn zunia.vn
ADSENSE

Nghiên cứu độ rộng vạch phổ hấp thụ dò tìm cộng hưởng electron-phonon trong hố lượng tử thế vuông góc cao vô hạn

Chia sẻ: Thi Thi | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:9

61
lượt xem
0
download
 
  Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Áp dụng phương pháp toán tử chiếu phụ thuộc trạng thái, chúng tôi thiết lập biểu thức giải tích của công suất hấp thụ sóng điện từ trong hố lượng tử thế vuông góc cao vô hạn. Các điều kiện cộng hưởng electron-phonon, dò tìm cộng hưởng electron-phonon bằng quang học thu được từ đồ thị mô tả sự phụ thuộc của công suất hấp thụ vào năng lượng photon.

Chủ đề:
Lưu

Nội dung Text: Nghiên cứu độ rộng vạch phổ hấp thụ dò tìm cộng hưởng electron-phonon trong hố lượng tử thế vuông góc cao vô hạn

NGHIÊN CỨU ĐỘ RỘNG VẠCH PHỔ HẤP THỤ DÒ TÌM CỘNG<br /> HƯỞNG ELECTRON-PHONON TRONG HỐ LƯỢNG TỬ THẾ<br /> VUÔNG GÓC CAO VÔ HẠN<br /> LÊ THỊ THU PHƯƠNG - BÙI ĐÌNH HỢI<br /> Trường Đại học Sư phạm - Đại học Huế<br /> Tóm tắt: Áp dụng phương pháp toán tử chiếu phụ thuộc trạng thái, chúng tôi<br /> thiết lập biểu thức giải tích của công suất hấp thụ sóng điện từ trong hố lượng<br /> tử thế vuông góc cao vô hạn. Các điều kiện cộng hưởng electron-phonon, dò<br /> tìm cộng hưởng electron-phonon bằng quang học thu được từ đồ thị mô tả sự<br /> phụ thuộc của công suất hấp thụ vào năng lượng photon. Sử dụng phương pháp<br /> profile, chúng tôi nghiên cứu độ rộng vạch phổ hấp thụ dò tìm cộng hưởng theo<br /> kích thước của hố. Kết quả tính số cho thấy độ rộng vạch phổ hấp thụ giảm khi<br /> kích thước của hố tăng và tăng khi nhiệt độ tăng.<br /> Từ khóa: Cộng hưởng electron-phonon, dò tìm cộng hưởng electron-phonon bằng<br /> quang học, độ rộng vạch phổ hấp thụ.<br /> <br /> 1. MỞ ĐẦU<br /> Trong các vật liệu dựa trên cấu trúc thấp chiều, các tính chất vật lý của hệ phụ<br /> thuộc vào dạng hình học, kích thước, thành phần vật liệu, môi trường vật liệu bao<br /> quanh,... và tuân theo các quy luật của vật lý lượng tử. Nguồn gốc sâu xa của các<br /> tính chất này cũng như các hiệu ứng được tạo ra là sự lượng tử hóa phổ năng lượng<br /> của hạt tải (electron, lỗ trống,....) và các chuẩn hạt (phonon, polaron,...) trong vật<br /> rắn do hiệu ứng giảm kích thước hoặc khi có mặt điện trường, từ trường. Vì vậy, đối<br /> với các hệ thấp chiều khác nhau, sự lượng tử hóa nói trên là khác nhau, bởi vậy tính<br /> chất vật lý của các hệ thấp chiều khác nhau là khác nhau và khác biệt so với vật liệu<br /> khối. Cũng chính vì vậy, đối với các bán dẫn thấp chiều, đồng thời với việc tìm kiếm<br /> các hiệu ứng vật lý mới thì việc tìm kiếm các đặc tính mới trong các hiệu ứng vật lý<br /> quen thuộc có vai trò không kém phần quan trọng. Trong số các hiệu ứng này, chúng<br /> tôi đặc biệt quan tâm đến các hiệu ứng liên quan đến tương tác electron-phonon khi<br /> có mặt của trường sóng điện từ đó là hiệu ứng cộng hưởng electron-phonon khi có<br /> mặt trường laser. Đây là hiệu ứng chỉ sinh ra trong các hệ có phổ năng lượng của<br /> electron bị lượng tử hóa do hiệu ứng giảm kích thước hoặc trường ngoài.<br /> Tạp chí Khoa học và Giáo dục, Trường Đại học Sư phạm Huế<br /> ISSN 1859-1612, Số 03(39)/2016: tr. 48-56<br /> <br /> ĐỘ RỘNG VẠCH PHỔ HẤP THỤ...<br /> <br /> 49<br /> <br /> Hiệu ứng cộng hưởng electron-phonon xảy ra khi hiệu năng lượng giữa hai mức của<br /> electron trong vật liệu bằng năng lượng của phonon quang. Hiệu ứng dò tìm cộng<br /> hưởng electron-phonon bằng quang học xuất hiện khi có mặt trường điện từ trong<br /> đó electron dịch chuyển giữa các mức năng lượng do hấp thụ hoặc phát xạ photon<br /> kèm theo quá trình hấp thụ phonon. Nghiên cứu cộng hưởng electron-phonon cho<br /> các thông tin về cấu trúc, xác suất tán xạ electron-phonon trong vật liệu, cho phép<br /> xác định được khối lượng hiệu dụng của electron, phổ năng lượng và xác định khoảng<br /> cách giữa các mức năng lượng của electron,... Hiệu ứng cộng hưởng electron-phonon<br /> đã được quan tâm nghiên cứu cả về lí thuyết [1, 2] và thực nghiệm [3, 4] đối với<br /> bán dẫn chuẩn hai chiều [5] và chuẩn một chiều [6, 7]. Tuy nhiên, việc nghiên cứu<br /> độ rộng vạch phổ hấp thụ dò tìm cộng hưởng electron-phonon bằng quang học chưa<br /> được quan tâm nghiên cứu. Vì vậy, trong bài báo này, chúng tôi nghiên cứu độ rộng<br /> vạch phổ hấp thụ dò tìm cộng hưởng electron-phonon trong hố lượng tử thế vuông<br /> góc cao vô hạn khi có mặt sóng điện từ.<br /> 2. BIỂU THỨC GIẢI TÍCH CỦA CÔNG SUẤT HẤP THỤ SÓNG ĐIỆN TỪ<br /> TRONG HỐ LƯỢNG TỬ THẾ VUÔNG GÓC CAO VÔ HẠN<br /> Xét một cấu trúc hố lượng tử vuông góc có độ rộng Lz với thế giam giữ cao vô<br /> hạn giả thiết theo phương z. Do thế giam giữ nên chuyển động của electron dọc<br /> theo phương z bị lượng tử hoá với các mức năng lượng gián đoạn mà các mức con<br /> (subband) trong khi các chuyển động trong mặt phẳng (x, y) là tự do. Giải phương<br /> trình Schrodinger cho electron chuyển động trong loại hố thế này, hàm sóng và phổ<br /> năng lượng của electron ở trạng thái |αi được cho bởi [5]<br /> r<br /> <br />  n πz <br /> 2<br /> α<br /> α<br /> sin<br /> exp(i~k⊥<br /> ~r⊥ ),<br /> V<br /> Lz<br /> α 2<br /> ~2 (k⊥<br /> )<br /> α<br /> ≡ Enα (k⊥<br /> )=<br /> + nα , nα = 1, 2, 3, . . . ,<br /> 2me<br /> <br /> |αi =<br /> <br /> (1)<br /> <br /> Eα<br /> <br /> (2)<br /> <br /> trong đó, nα = n2α 0 với 0 = ~2 π 2 /(2me L2z ) là mức năng lượng con thấp nhất;<br /> V = Lx Ly Lz là thể tích chuẩn hoá của hố thế với Lx , Ly , Lz tương ứng là độ dài<br /> α<br /> chuẩn hoá theo các phương x, y, z; k⊥<br /> = (kx , ky ) là thành phần vectơ sóng của<br /> electron trong mặt phẳng x − y và me là khối lượng hiệu dụng của electron.<br /> Nếu hố lượng tử trên được đặt trong một trường sóng điện từ phân cực thẳng<br /> đặc trưng bởi vector cường độ điện trường dọc theo phương z, có biên độ E0 và<br /> tần số ω thì khi đó công suất hấp thụ sóng điện từ của hệ được cho bởi P (ω) =<br /> (E02 /2)Re[σzz (ω)] với Re σzz (ω) là phần thực của tenxơ độ dẫn chéo theo phương z,<br /> <br /> 50<br /> <br /> LÊ THỊ THU PHƯƠNG - BÙI ĐÌNH HỢI<br /> <br /> có dạng [8]<br /> Re{σzz (ω)} = e2<br /> <br /> X<br /> <br /> |jzαβ ||zαβ |<br /> <br /> α,β<br /> <br /> (fβ − fα )γαβ (ω)<br /> ,<br /> [~ω − (Eβ − Eα )]2 + [γαβ (ω)]2<br /> <br /> (3)<br /> <br /> β<br /> α<br /> ) và Eβ ≡ Enβ (k⊥<br /> ) lần lượt là năng<br /> trong đó, e là điện tích của electron, Eα ≡ Enα (k⊥<br /> lượng của electron ở trạng thái ban đầu |αi và trạng thái cuối |βi; fα ≡ fnα ,k⊥α ) là hàm<br /> phân bố Fermi-Dirac cho electron ở trạng thái |αi, zαβ = hα|z|βi và jzαβ = hα|jz |βi<br /> là các thành phần ma trận của toán tử toạ độ và toán tử dòng điện. Sau quá trình<br /> tính toán ta thu được<br /> <br /> <br /> <br /> 2π<br /> L2z (−1)nα −nβ − 1 (−1)nα +nβ − 1<br /> <br /> <br /> δkα ,kβ 2<br /> +<br /> , nếu nα 6= nβ<br /> 2<br /> 2<br /> ⊥ ⊥ π<br /> V<br /> (n<br /> −<br /> n<br /> )<br /> (n<br /> +<br /> n<br /> )<br /> α<br /> β<br /> α<br /> β<br /> (4)<br /> zαβ =<br /> 2<br /> <br />  2π δ β Lz ,<br /> nếu nα = nβ ,<br /> α<br /> V k⊥ ,k⊥ 2<br /> <br /> và<br /> jzαβ<br /> <br /> <br /> h<br /> nα −nβ<br /> − 1 (−1)nα +nβ − 1 i<br />  2πie~nα δ β (−1)<br /> +<br /> , nếu nα =<br /> 6 nβ<br /> α<br /> me V k⊥ ,k⊥<br /> nα − nβ<br /> nα + nβ<br /> =<br /> <br /> 0,<br /> nếu nα = nβ .<br /> <br /> (5)<br /> <br /> Số hạng γαβ (ω) trong (3) được gọi là hàm dạng phổ. Sử dụng lý thuyết phản ứng<br /> tuyến tính và phương pháp toán tử chiếu phụ thuộc trạng thái, ta thu được biểu<br /> thức của hàm dạng phổ [8]<br /> γαβ (ω)(fβ − fα ) = π<br /> <br /> X<br /> <br /> |Cβµ (q)|2<br /> <br /> µ,q<br /> <br /> n<br /> <br /> <br /> (1 + Nq )fα (1 − fµ ) − Nq fµ (1 − fα ) δ(~ω − Eµ + Eα − ~ωq )<br /> o<br /> <br /> <br /> + Nq fα (1 − fµ ) − (1 + Nq )fµ (1 − fα ) δ(~ω − Eµ + Eα + ~ωq )<br /> X<br /> + π<br /> |Cαµ (q)|2<br /> <br /> ×<br /> <br /> µ,q<br /> <br /> n<br /> <br /> <br /> (1 + Nq )fµ (1 − fβ ) − Nq fβ (1 − fµ ) δ(~ω − Eβ + Eµ − ~ωq )<br /> o<br /> <br /> <br /> + Nq fµ (1 − fβ ) − (1 + Nq )fβ (1 − fµ ) δ(~ω − Eβ + Eµ + ~ωq ) ,<br /> <br /> ×<br /> <br /> (6)<br /> trong đó δ(. . .) là hàm delta Dirac; Nq là hàm phân bố Planck cho phonon ở trạng<br /> thái có vectơ sóng q. Để thu được biểu thức tường minh cho hàm dạng phổ trong hố<br /> <br /> 51<br /> <br /> ĐỘ RỘNG VẠCH PHỔ HẤP THỤ...<br /> <br /> lượng tử thế vuông góc cao vô hạn ta cần tính các yếu tố ma trận trong tương tác<br /> electron-phonon<br /> Cαµ (q) = V (q)hα | ei~q~r | µi<br /> 2π<br /> = V (q)<br /> δ(q⊥ + k⊥µ − k⊥α )Inα ,nµ (qz ),<br /> Lx Ly<br /> <br /> (7)<br /> <br /> trong đó<br /> 2<br /> Inα ,nµ (qz ) =<br /> Lz<br /> <br /> ZLz<br /> dz sin(<br /> <br /> nα πz iqz z<br /> nµ πz<br /> )e sin(<br /> ).<br /> Lz<br /> Lz<br /> <br /> (8)<br /> <br /> 0<br /> <br /> Nên<br /> | Cαµ (q) |2 =<br /> <br /> 4π 2<br /> | V (q) |2 δ(q⊥ + k⊥µ − k⊥α ) | Inα ,nµ (qz ) |2 .<br /> (Lx Ly )2<br /> <br /> (9)<br /> <br /> Tiếp theo, ta tiến hành việc lấy tổng theo vectơ q và theo trạng thái |µi, |ηi. Ta sử<br /> dụng công thức chuyển tổng thành tích phân. Do các biến độc lập nhau nên có thể<br /> lấy tích phân riêng đối với từng biến. Xét tương tác electron và phonon quang, thế<br /> tán xạ cho bởi<br /> <br /> <br /> e2 ~ω0 1<br /> 1<br /> 1<br /> 2<br /> |V (q)| =<br /> −<br /> ,<br /> (10)<br /> 2<br /> 20 Ω χ∞ χ0 q⊥ + qz2<br /> trong đó 0 , χ∞ , χ0 lần lượt là hằng số điện, hằng số điện môi tần số cao và hằng số<br /> điện môi tĩnh. Bình phương yếu tố ma trận | Cαµ (q) |2 có chứa hàm Delta và chú ý<br /> Z∞<br /> −∞<br /> <br /> 2<br /> q⊥<br /> <br /> π<br /> 1<br /> | Inα ,nµ (qz ) |2 dqz =<br /> (2 + δnα ,nµ ).<br /> 2<br /> 2<br /> + qz<br /> L z q⊥<br /> <br /> Cuối cùng ta thu được<br /> <br /> <br /> e2 ~ω0 1<br /> 1<br /> γαβ (ω)(fβ − fα ) =<br /> −<br /> 80 Ω χ∞ χo<br /> X<br /> <br /> i<br /> 2me | k01(+) | h<br /> 01(+)<br /> ×<br /> (2 + δnα ,nµ ) 2 2<br /> f<br /> (1<br /> +<br /> N<br /> )<br /> −<br /> (f<br /> +<br /> N<br /> )f<br /> β<br /> q<br /> ~<br /> β<br /> q<br /> ~<br /> µ<br /> 2<br /> ~ (k⊥α − k01(+)<br /> )<br /> nµ<br /> ii<br /> 2me | k01(−) | h 01(−)<br /> − 2 2<br /> f<br /> (1 − fβ − Nq~) + Nq~fβ<br /> 2<br /> ~ (k⊥α − k01(−)<br /> ) η<br /> h<br /> i<br /> h 2m | k<br /> X<br /> e<br /> 02(+) |<br /> 02(+)<br /> f<br /> (1<br /> −<br /> f<br /> +<br /> N<br /> )<br /> −<br /> N<br /> f<br /> (2 + δnη ,nβ ) 2 2<br /> α<br /> q~<br /> q~ α<br /> 2<br /> ~ (k02(+) − k⊥β<br /> ) η<br /> nη<br /> i<br /> 2me | k02(−) | h<br /> 02(−)<br /> − 2 2<br /> fα (1 + Nq~) − (fα + Nq~)fη<br /> ,<br /> 2<br /> ~ (k02(−) − k⊥β<br /> )<br /> <br /> +<br /> <br /> (11)<br /> <br /> 52<br /> <br /> LÊ THỊ THU PHƯƠNG - BÙI ĐÌNH HỢI<br /> <br /> với<br /> k01(±)<br /> k02(±)<br /> fµ01(±)<br /> fη02(±)<br /> <br /> <br /> i1/2<br /> 2me h<br /> β2<br /> 2<br /> 2<br /> ,<br /> =<br /> k⊥ + 2 ~(ω ± ω0 ) − (nβ − nµ )0<br /> ~<br /> <br /> i1/2<br /> 2me h<br /> α2<br /> 2<br /> 2<br /> =<br /> k⊥ − 2 ~(ω ± ω0 ) − (nη − nα )0<br /> ,<br /> ~<br /> <br /> n 1  ~2 k 2<br /> o−1<br /> 01(±)<br /> 2<br /> = 1 + exp<br /> + 0 (nµ ) − EF<br /> ,<br /> kB T<br /> 2me<br /> <br /> o−1<br /> n 1  ~2 k 2<br /> 02(±)<br /> 2<br /> = 1 + exp<br /> + 0 (nη ) − EF<br /> .<br /> kB T<br /> 2me<br /> <br /> Biểu thức (11) là tường minh. Tuy nhiên, để làm rõ hơn kết quả giải tích cũng như<br /> giải thích được ý nghĩa vật lí của kết quả thu được, trong phần tiếp theo chúng tôi<br /> sẽ trình bày hiệu ứng cộng hưởng electron-phonon dò tìm quang học cũng như khảo<br /> sát độ rộng vạch phổ cộng hưởng electron-phonon trong hố lượng tử thế vuông góc<br /> cao vô hạn.<br /> 3. ĐỘ RỘNG VẠCH PHỔ DÒ TÌM CỘNG HƯỞNG ELECTRON-PHONON BẰNG<br /> QUANG HỌC TRONG HỐ LƯỢNG TỬ THẾ VUÔNG GÓC CAO VÔ HẠN<br /> Để thấy rõ các đặc trưng vật lý của các kết quả giải tích thu được, chúng tôi thực<br /> hiện đánh giá số và vẽ đồ thị công suất hấp thụ P (ω) vào năng lượng photon đối<br /> với hố lượng tử thế vuông góc cao vô hạn GaAs. Các thông số còn lại được sử<br /> dụng [9]: điện tích e = 1.6 × 10−19 C, khối lượng hiệu dụng của electron me =<br /> 0.067m0 = 6.097 × 10−32 kg, hằng số Planck ~ = 1.04065 × 10−33 Js, hằng số<br /> Boltzmann kB = 1.38066 × 10−23 J/K, hằng số điện môi 0 = 13.5, độ thẩm điện<br /> môi cao tần χ∞ = 10.9, độ thẩm điện môi tĩnh χ0 = 12.9, năng lượng mức Fermi<br /> EF = 0.05 eV, năng lượng phonon quang ~ωq = ~ω0 =36.25 meV, biên độ điện<br /> trường E0 = 105 V/m. Các kết luận được thu nhận trong giới hạn lượng tử mạnh,<br /> trong đó chúng tôi chỉ xét các dịch chuyển xảy ra ở các vùng con của electron với<br /> nα = 1, nβ = 2 và phonon với m = 2<br /> Công suất hấp thụ P được mô tả ở hình 1 như là một hàm của năng lượng photon.<br /> Với Lz = 40 nm, ta được ∆E21 = 10.5952 meV. Từ hình vẽ ta thấy có 3 đỉnh cực<br /> đại mô tả các quá trình dịch chuyển khác nhau<br /> + Đỉnh thứ 1 định vị tại giá trị năng lượng photon ~ω = 25.6548 meV. Giá trị năng<br /> lượng này thỏa mãn điều kiện ~ω = ~ω0 − ∆E21 , hay E2 = E1 + ~ω0 − ~ω. Đây<br /> chính là điều kiện dò tìm cộng hưởng electron-phonon bằng quang học. Nó mô tả<br /> một electron ở trạng thái ban đầu có năng lượng E1 dịch chuyển lên trạng thái sau<br /> <br />
ADSENSE

CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD

 

Đồng bộ tài khoản
14=>2