Phòng thí nghiệm trọng điểm quốc gia: Vật liệu linh kiện và điện tử

PHÒNG THÍ NGHIỆM TRỌNG ĐIỂM QUỐC GIA<br /> <br /> VẬT LIỆU LINH KIỆN VÀ ĐIỆN TỬ<br /> <br /> NATIONAL KEY LABORATORY<br /> FOR ELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES<br /> <br /> 1<br /> <br /> Phòng thí nghiệm Trọng điểm Quốc gia về Vật liệu và Linh kiện Điện tử được<br /> xây dựng tại Viện Khoa học Vật liệu - Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt<br /> Nam. PTNTĐ được chia thành hai khu công nghệ chính:<br /> 1. Khu công nghệ chế tạo và đo đạc các tính chất đặc trưng của vật liệu và linh<br /> kiện điện tử<br /> 2. Khu công nghệ chế tạo vật liệu từ tiên tiến<br /> Khu công nghệ chế tạo và đo đạc các tính chất đặc trưng của vật liệu và linh<br /> kiện điện tử được xây dựng tại nhà A2 - Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ<br /> Việt Nam với tổng diện tích khoảng 800 m2, được bố trí thành các khu chức năng<br /> sau:<br /> - Khu công nghệ chế tạo vật liệu và linh kiện (Tầng 3, nhà A2):<br /> Có nhiệm vụ nghiên cứu công nghệ chế tạo các vật liệu (khối, màng, hạt<br /> nano) và linh kiện tiên tiến, có triển vọng trong kỹ thuật điện tử như: vật liệu thuỷ<br /> tinh pha đất hiếm, vật liệu quang tử, vật liệu laser rắn, công nghệ Si ở kích thước<br /> giới hạn, công nghệ vi cơ điện tử (MEMS/NEMS).<br /> PTNTĐ đã trang bị các thiết bị công nghệ chế tạo linh kiện, xây dựng phòng<br /> sạch cho phép thực hiện công nghệ quang khắc, hệ thống xử lý hoá, rung rửa siêu<br /> âm, thiết bị quay phủ, tạo nước khử iôn, v.v… Nhiều thiết bị đầu tay như đo độ<br /> pH, đo độ dẫn điện, hệ thống lò nung nhiệt độ cao, lò oxy hoá nhiệt, thiết bị chế tạo<br /> linh kiện trên quang sợi sử dụng laser, hàn chíp sử dụng laser, v.v... đã được trang<br /> bị.<br /> - Khu phân tích cấu trúc và đo tính chất của vật liệu và linh kiện (Tầng 2, nhà A2):<br /> <br /> 2<br /> <br /> Có chức năng phân tích cấu trúc, đo tính chất điện, từ, quang của vật liệu, linh<br /> kiện điện tử, quang điện tử. Có thể nói đây là điểm mạnh của PTNTĐ, Viện Khoa<br /> học Vật liệu. So với nhiều cơ sở nghiên cứu trong nước, hệ thống các thiết bị đo và<br /> phân tích cấu trúc của PTNTĐ là đồng bộ và hiện đại với nhiều thiết bị tiên tiến<br /> như: thiết bị hiển vi điện tử quét phân giải cao FESEM và phân tích thành phần<br /> EDX Hitachi S-4800 (phân giải 1.4 nm); thiết bị đo tính chất vật lý PPMS<br /> (Quantum Design) trong từ trường cao đến 7 Tesla, trong giải rộng nhiệt độ; thiết<br /> bị phân tích sử dụng tia X, thiết bị đo phổ tán xạ Raman; thiết bị quét đầu dò đa<br /> chức năng SPM; thiết bị phân tích phổ sợi quang; thiết bị đo phổ hấp thụ hồng<br /> ngoại; thiết bị đo quang phổ phân giải cao; độ nhạy cao; v.v...<br /> - Khu thiết kế chế tạo thử nghiệm và mô phỏng-mô hình hoá (Tầng 2, nhà A2):<br /> PTNTĐ đã xác lập khu thiết kế chế tạo thử và trang bị hệ thống máy tính cho<br /> mô phỏng, mô hình hoá chủ yếu là các hệ vật lý có cấu trúc nano và các hệ thấp<br /> chiều dựa trên các bán dẫn và vật liệu từ.<br /> - Khu công nghệ chân không, CVD (Tầng 1, nhà A2):<br /> Các thiết bị chân không như thiết bị phún xạ cathode chuyên dụng chế tạo các<br /> màng mỏng từ đa lớp; thiết bị chế tạo điện cực kim loại; thiết bị bốc bay bằng laser<br /> được bố trí ở tầng 1 nhà A2. Các thiết bị trên được bổ sung kết hợp với một số thiết<br /> bị chân không có từ trước của Viện KHVL như thiết bị bốc bay bằng chùm điện tử,<br /> thiết bị lắng đọng hoá học pha hơi MPCVD tạo vật liệu kim cương nhân tạo, vật<br /> liệu ống nanô các bon.<br /> <br /> 3<br /> <br /> KHU THIẾT BỊ CÔNG NGHỆ<br /> CHẾ TẠO VẬT LIỆU VÀ LINH KIỆN ĐIỆN TỬ<br /> <br /> EQUIPMENTS FOR FABRICATION OF<br /> ELECRONIC MATERIALS AND DEVICES<br /> <br /> 4<br /> <br /> HỆ BAY HƠI CHÂN KHÔNG<br /> MINI SPUTTER<br /> Nơi đặt máy/Location<br /> P 312, Nhà A2<br /> Cán bộ phụ trách/Administrator<br /> TS. Phan Ngọc Hồng/PGS. Vũ Đình Lãm<br /> ĐT:<br /> Email: hongpn@ims.vast.ac.vn<br /> <br /> - Kích thước bia kim loại: f 50.8 mm<br /> - Diện tích vùng lắng đọng: f 40 mm<br /> - Độ đồng đều của màng: 10%<br /> - Dễ dàng thay bia kim loại<br /> <br /> I. GIỚI THIỆU<br /> Hệ Mini Sputter là thiết bị bay hơi chân không<br /> hiện đại được sử dụng để tạo điện cực, màng<br /> mỏng các vật liệu. Màng mỏng các vật liệu<br /> được lắng đọng bằng kỹ thuật phún xạ Katôt<br /> trong môi trường khí Ar. Bằng kỹ thuật này có<br /> thể chế tạo màng mỏng của hầu hết các vật<br /> liệu kim loại, các hợp chất. Màng mỏng nhận<br /> được bằng phương pháp phún xạ thường có độ<br /> sạch khá cao do không có tương tác của vật<br /> liệu với vật liệu thuyền như trong kỹ thuật bốc<br /> bay nhiệt.<br /> <br /> III. CÁC YÊU CẦU VỀ MẪU VÀ CÁC<br /> KHẢ NĂNG CỦA HỆ<br /> Yêu cầu về mẫu :<br /> - Kích thước mẫu tối đa có đường kính<br /> 40mm<br /> - Các đế sử dụng để tạo màng cần đảm bảo<br /> sạch, không có các thành phần nhả khí mạnh<br /> trong môi trường chân không<br /> - Vật liệu nguồn ở dạng đĩa kích thước:<br /> 50.8mm×5mm với các vật liệu không từ tính<br /> 50.8mm×2mm với các vật liệu từ tính<br /> Khả năng bốc bay :<br /> - Chiều dày của các lớp màng có thể đạt từ<br /> vài nano và cao nhất đạt dưới 1mm<br /> - Có thể tạo được màng mỏng của hầu hết<br /> kim loại hoặc một số các hợp chất.<br /> <br /> II. ĐẶC ĐIỂM CỦA THIẾT BỊ<br /> - Kích thước buồng chân không: f 312 mm,<br /> chiều cao 42 mm<br /> - Mức độ chân không tối đa 7x10-5 Pa (5.0<br /> x10-7 torr)<br /> - Nguồn phát xạ RF 200W<br /> <br /> 5<br /> <br />