Transistor hai cực tính -BJT

Chia sẻ: Nguyễn Hoàng Hà | Ngày: | Loại File: PPT | Số trang:24

Thêm vào BST

Báo xấu

288
lượt xem 73
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

BJT là 1 loại lkbd 3 cực có khả năng khuếch đại hoặc hoạt động như 1 khóa đóng mở. Nó sử dụng cả hai loại hạt dẫn: điện tử, lỗ trống.

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Transistor hai cực tính -BJT

Transistor hai cực tính -BJT Cấu tạo Nguyên tắc hoạt động Ba sơ đồ cơ bản của BJT Đặc tuyến của BJT Mạch phân cực cơ bản cho BJT Mạch khuếch đại lớp A dùng BJT
Transistor hai cực tính -BJT Cấu tạo C  BJT là 1 loại lkbd 3 cực có khả N năng khuếch đại hoặc hoạt động B P như 1 khóa đóng mở. Nó sử dụng cả hai loại hạt dẫn: điện tử, lỗ N+ trống.  BJT được cấu tạo từ 2 lớp tx P- E N, các lớp bán dẫn này có mật độ hạt dẫn đa số không giống nhau. C N+, P+ là lớp bán dẫn có mật độ cao hơn. P  BJT có hai chuyển tiếp P-N rất B gần nhau. Hoạt động của BJT N dựa trên sự tương tác giữa hai P+ chuyển tiếp này. E
Transistor hai cực tính -BJT Nguyên tắc hoạt động  Nguồn E1 phân cực cho JE, Nguồn E JE JC C E2 phân cực cho JC IE IC N+ P N  Khi E1,E2 = 0,hình thành miền αIE nghèo ở JE và JC tương tự 2 diode B  Khi E1 = 0, E2 != 0, JC phân cực ICBO E1 E2 ngược, vùng nghèo tăng, có dòng ngược ICBO. ICBO
Transistor hai cực tính -BJT Nguyên tắc hoạt động  Khi E1 != 0, E2 != 0, điện tử từ N+ phun qua P tạo dòng IE, và lỗ trống E JE JC C IE IC từ P phun qua N+ tao dong IB. ̣ ̀ N+ P N  nN+ >> nP, 1 lượng nhỏ điện tử αIE được tái hợp ở lớp B còn phần lớn vẫn khuếch tán tới lớp C. tại C điện B tự sẽ bi điện trường Jc hút về tạo ICBO E1 E2 nên dòng IC α = (đtử tới C ) / (đtử phát từ E ) α hệ số truyền đạt dòng điện phát IC = α IE +ICBO ≈ α IE IC = β IB IE = IB +IC β = α/(1-α) =>IC = α/(1-α) IB β : hệ số khuêch đai dong ́ ̣ ̀
Transistor hai cực tính -BJT Nguyên tắc hoạt động IC  Khi BJT đã được phân cực. C αIE Thêm nguồn tín hiệu nhỏ nguôn ̀ dong is như hình vẽ. ̀ JC  Mức độ phân cực JE sẽ thay đổi B ib JE is theo is làm dòng điện tử E tới C cũng thay đổi theo => iC thay đổi E1 E theo is. ib ~ is và ic = β ib IE  iC lớn hơn is => BJT khuếch đại tính hiệu. iC = IC + ic (2.61)
Transistor hai cực tính -BJT Ba sơ đồ cơ bản của BJT  B chung IE IC C E Tín hiệu vào cần khuếch  RC RL RE B đại được đưa vào 2 cực E,B. E1 E2 Tín hiệu ra được lấy từ 2  cực C,B.  Mạch khuếch đại áp (RC//RL >> RE).  Mạch có độ lợi dòng
Transistor hai cực tính -BJT Ba sơ đồ cơ bản của BJT RC  E chung C Tín hiệu vào cần khuếch  IC B VOUT đại được đưa vào 2 cực B, E. IB E RB E2 VIN Tín hiệu ra được lấy từ 2  cực C, E. E1  Từ 2.59 và 2.60 ⇒IC = α ( IB + IC ) + ICBO ⇒IC = β IB + ICEO Với: β = α/(α-1) hệ số khuếch đại dòng mạch E.C. ICEO = (β+1) ICBO (
Transistor hai cực tính -BJT Ba sơ đồ cơ bản của BJT  C chung E2 C Tín hiệu vào cần khuếch  B đại được đưa vào 2 cực B, G. E RB Tín hiệu ra được lấy từ 2  VIN cực E,G. E1 RE VOUT G  Mạch khuếch đại dòng (IE>> IB).  Mạch có độ lợi áp ≈ 1 .
Transistor hai cực tính -BJT ̣ ́ Đăc tuyên BJT (E chung )  Mạch khảo sát đặc tuyến V-A của BJT kiểu CE A
Transistor hai cực tính -BJT ̣ ́ Đăc tuyên BJT (E chung )  Đặc tuyến ngõ vào IB =f(VBE) Thực chất ngõ vao đây chính lớp tiêp ̀ ́ xuc P-N của đặc tuyến diode. ́ Ở mỗi điện thế VBE thì dòng IB có giá trị khác nhau ví dụ như VBE ≈ 0,25V; IB = 10μA VBE ≈ 0,5V ; IB = 50 μA VBE ≈ 0,6V ; IB = 80 μA
Transistor hai cực tính -BJT ̣ ́ Đăc tuyên BJT (E chung )  Đặc tuyến ngõ ra IC =f(VCE) Lần lượt đặt và giữ IB bằng cac giá trị xac ́ ́ ̣ đinh. Thay đổi VCE, đo IC. Môi thông số IB cho ̃ một đặc tuyến chỉ rõ sự thay đổi của IC theo VCE.
Transistor hai cực tính -BJT ̣ ́ Đăc tuyên BJT (E chung ) ̀ ̣ ̣ ̉  Vung hoat đông cua BJT
Transistor hai cực tính -BJT ̣ ́ Đăc tuyên BJT (E chung )  Đặc tuyến truyền đạt dòng điện IC = f(β) • Độ khuếch đại dòng điện β của transistor có trị số thay đổi theo dòng điện IC. • Trong phạm vi dòng điện lớn, giá trị β giảm, cho nên đặc tuyến không còn tuyến tính nữa.
Transistor hai cực tính -BJT Tra cứu-hình dạng-cách đo thử Transistor của nhật • Thường kí hiệu là A…, B…, C…, D… • VD: A564, B733, C828, D1555 • Trong đó: - Các transistor ký hiệu A và B là transistor thuận PNP còn ký hiệu C và D là transistor ngược NPN. - Các transistor A và C thường có công suất nhỏ và tần số làm việc cao (f>5M), còn các transistor B và D thường có công suất lớn và tần số làm việc thấp hơn.
Transistor hai cực tính -BJT Tra cứu-hình dạng-cách đo thử Transistor của mỹ 1N…chỉ Diode, 2N…chỉ BJT. Sau đó là thứ tự của sản phẩm. VD: 2N2222, 2N3055, 2N4073… Ngoài ra BJT của mỹ còn nhiều loại kí hiệu như : HEP…, MPS…, MJE…, TIP…, ZTX…
Transistor hai cực tính -BJT Tra cứu-hình dạng-cách đo thử Transistor của cac nước Châu âu ́ • Thường có 2 chữ cái ở đầu và 3 chữ số ở sau - Chữ cái đầu chỉ chất bán dẫn chế tạo : A Germani, B Silic, C Gali Acxennit, D Indi Antimoanit. -\Chữ cái thứ 2 chỉ dải tần số làm việc : . C: BJT âm tầng công suất nhỏ . D: BJT âm tầng công suất lớn . F: BJT cao tầng công suất nhỏ . L: BJT cao tầng công suất lớn . S: BJT chuyển mạch công suất nhỏ . U: BJT chuyển mạch công suất lớn • VD: AF 240 là transistor loại Germani tần số cao.
Transistor hai cực tính -BJT Phân cưc BJT ̣  Đường tai DC ̉  Đường tai DC ngõ vao ̉ ̀ IB=1/Rb ( Vbb – VB )  Đường tai DC ngõ ra ̉ Ic=1/Rc ( Vcc – VCE )
Transistor hai cực tính -BJT ̣ ́ Đăt tuyên BJT (E chung )  Cac mach phân cực ( sách KTDT trang 132) ́ ̣
Transistor hai cực tính -BJT ̣ ́ Đăt tuyên BJT (E chung )  Phân tich &Thiêt kế phân cực ́ ́
Transistor hai cực tính -BJT Mach khuêch đai lớp A ̣ ́ ̣ Mạch khuếch đại lớp A có điểm tĩnh được phân  cực sao cho BJT luôn hoạt động ở vùng khu ếch đại. và áp tĩnh khác 0 mạch tiêu hoa năng lượng  Dòng đáng kể. Hiệu suất thấp, ηmax = 25%  Khuếch đại trung thực, ít méo phi tuyến. trong các tầng khuếch đại tín hiệu nhỏ  Dùng