Vật liệu ceramic tân tiến và động cơ tua bin khí cho máy bay thế hệ mới

Chia sẻ: _ _ | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:7

Thêm vào BST

Báo xấu

29
lượt xem 3
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Bài viết này giới thiệu tình hình phát triển của vật liệu ceramic tân tiến ở Nhật Bản, có đối chiếu so sánh với các nước và khu vực phát triển khác như Mỹ, châu Âu, Trung Quốc. Những hướng phát triển đang được thế giới quan tâm của vật liệu ceramic như vật liệu ceramic dùng trong lĩnh vực y sinh, vật liệu ceramic có tính áp điện (piezoelectric) dùng chế tạo cảm biến sẽ được đề cập. Nhằm giúp độc giả có cái nhìn đầy đủ hơn, tác giả chọn một hướng phát triển tiêu biểu để giới thiệu cụ thể: Vật liệu ceramic tự lành dùng cho lưỡi tuốc bin của động cơ máy bay thế hệ kế tiếp.

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Vật liệu ceramic tân tiến và động cơ tua bin khí cho máy bay thế hệ mới

V t li u ceramic tân ti a bin khí cho máy bay th h m i Nguy H c vi n Công ngh Qu c gia - ng Kushiro, Nh t B n TÓM T T: Ceramic là v t li ng th r n) c a các nguyên t kim lo i ho c phi kim có liên k t ion ho c liên k t hóa tr . Có l ch s phát tri i d ng các s n ph m g m s th n nay v t li c phát tri n thêm nhi u c bi nóng ch y c Tác gi : PGS.TS. Nguy C), kh c t t, siêu c ng và ch ng mài mòn. Nhi u lo i ceramic còn có kh n nhi t t t và có bandgap công tác: H c vi n Công ngh Qu c r ng nên thích h p làm các linh ki n t , bán d n. V i s phát gia - ng Kushiro, tri n c a công ngh nano, v t li u composite c a ceramic v i các Nh t B n h t nano có th c nh ng tính ch t c a plastic ho c Email: son@kushiro-ct.ac.jp kim lo i, nh th c s pd thay th các v t li u này trong các ng d ng công ngh cao y ghép TS. Nguy t nghi p K i -máy bay, k thu t siêu d n... Nh t B n là m t i h ng, Th c s và trong nh u trên th gi i v phát tri n các v t li u Ti n s t i h c Công ngh Nagaoka. ceramic tân ti 2), silic nitrua (Si3N4), silic Hi n nay, TS. Nguy cacbua (SiC)... Bài vi t này gi i thi u tình hình phát tri n c a v t (Junior Associate Professor) t i H c li u ceramic tân ti n Nh t B i chi u so sánh v c vi n Công ngh Qu c gia - ng và khu v c phát tri , châu Âu, Trung Qu c. Nh ng Kushiro, Nh t B n. Nhóm nghiên c u c a TS. t p trung vào: 1) v t li u tân ti n v i kh ng phát tri c th gi i quan tâm c a v t li u ceramic lành cho t li u cer c y sinh, v t li u ceramic các ng d ng nhi cao; 2) u khi n n (piezoelectric) dùng ch t o c m bi chuy ng c a các c u trúc nano b n c p. ng; 3) hàn ma sát k t n i kim lo i và ceramic; 4) s d ng laser gia công/ch a Nh c gi ch n m ng lành v t li u ceramic; 5) in 3D các c u trúc phát tri n tiêu bi gi i thi u c th : v t li u ceramic t lành ceramic c nano. i tu c bin c h k ti p. Trong t li u cômpozit c a g m silicat và h c t ng h p t ph n ng th r n (solid state reaction) b ép nóng (hot-pressing). B m t c a v t li ng h p s ct o v t n t m t cách h th ng b c ng ho ng c c nhi cao). Quá trình này oxy hóa c a các h t nano SiC, t o ra các pha m i, và hàn kín v t n t. Sau khi x lý, v t li c phân tích b ng k thu t nhi u xa tia X (X-ray diffraction) và kính hi nt ki m tra s t lành c a v t n a v t li c b nu n c và so sánh v i v t li u nguyên m c khi có v t n ki m ch tc c tính t lành. T khóa: v t li u t lành, ceramic, nano cômpôzit, SiC, ytterbi silicat 1. Gi i thi u 1.1. Vai trò, t m quan tr ng và tri n v ng c a v t li u ceramic t lành Nh g nv it khá i ph i c i thi n hi u su t nhiên li u (fuel effeciecency) c c bin khí (gas turbine engine) [1]. Trong th p niên https://doi.org/10.15625/vap.2021.0003 t i, nhi ho ng c a bin th h k ti p d ki n 18
t kho ng 1500 °C, và h n h p s ng/ma tr n này ngoài nhi m v Kc cho c a silic cacbua (SiC) c xem xét làm ceramic, chúng có th chuy n hóa thành oxit (ví d : v t li u chính cho i tua bin c này [2]. SiO2, NiO) khi ph n ng v i oxy nhi cao, các Tuy nhiên, vì SiC r t d b ng oxit này s ch y vào các v t n t và b t kín chúng l i c (có trong nhiên li u), nên c n ph i ph lên b [6-8]. m t các i tu c bin m t l p ph b o v ng (Environmental barrier coating: EBC) chúng Tuy nhiên, m t khi t t c các h t nano phân tán trong kh i ti p xúc v i c nóng [3]. v t li chuy n h t sang d ng oxit, kh ch a v t n t s không còn n có th b o Các silicat c t hi Lu2Si2O7, Y2Si2O7 và v i tua bin lâu dài u c n thi t là ph i tái s d ng nh t là Yb2Si2O7 nh ng v t li u ti m c kh t lành này. n nay, v n t c a chúng: v t li u cho l p ph nào có th gi n c kh s truy n nhi t th p, tính t lành. và h s giãn n nhi t r t g n v i SiC (4-6×10-6)... Tuy nhiên, các v t li u dai t gãy 1.2. V trí c a Nh t B n trong nghiên c u v v t li u (fracture toughness, KIc) kém vì b n ch t là ceramic, ceramic t lành so v i th gi iNh t B tránh h ng hóc x y ra trong quá trình v n c nghiên c u v v t li u hành, do i tu c bin va ch m v i v t th l ceramic t lành. T i phòng thí nghi m c a GS Ando b i núi l a) ho c do ng su t nhi t bên trong l p ph , i h c Qu c gia Yokohama, v t li u ceramic t lành tính ch t này c c c i thi n. c nghiên c ti p qu n phòng thí nghi m này (xem thêm m c 3) và V t li u ceramic có kh lành là m t gi i pháp ti p t c y m ng nghiên c n cho v này (xem Hình 1). V t li u t lành (self- ng d ng c a v t li u này. healing material) là khái ni m ch nhóm các v t li u có kh ch a lành các v t n t xu t hi n b Ngoài ra, v t li u ceramic t t trong m t ho c bên trong v t li u trong quá trình s d ng c a nh ng nghiên c u chính t i h c Công ngh chúng. Tùy theo lo i v t li u ch y u c u thành nên Nagaoka (PTN GS chúng mà ta phân lo i ra v t li u t lành polymer, v t im ts nghiên c u-giáo d c trên kh p li u t lành cômpôzit, v t li u t lành c c Nh t (Vd: Vi n công ngh v t li u qu c gia ng các v t n t nh r t khó phát hi n và n u không NIMS, Vi n công ngh qu i h c c x lý k p th i thì chúng có th phát tri n v i t c r t nhanh d tg ng v t li u/thi t b . Vì v y, nghiên c u v t li u t lành là m t gi i pháp V i b dày kinh nghi m nghiên c cv t có th gi i quy t tri v này. li u ceramic t lành, Nh t B n hi n là m t trong nh ng S ng các nghiên c u v v t li u t c công cd u v công ngh i h c và b vi n nghiên c u c a Nh t ho c này ng Anh, theo d li u t t ch t ch v JDream III). Rõ ràng r ng, cùng v ng nghiên c u i c u ph bi n khác c a v t li h c TU Deft c i h c Erlangen c y sinh [4] n Nürnberg c c ) (piezoelectric) [5] dùng ch t o c m bi n... ceramic có kh lành là m ng nghiên c 1.3. Các th m nh c a Nh t B n trong công ngh c quan tâm vì nh ng l i ích thi t th c do này chúng mang l i. ng, ceramic t lành (t Nh t B n luôn t hào v i vai trò là m t trong nh ng hàn v t n t) s c gia c b ng các ch t giúp hàn g n qu u tiên khám phá ra v t li u ceramic, và (healing agent) các h Các ch t không ng y m nh nghiên c c này. Hi p h i Ceramic Nh t B n là m t trong nh ng h i khoa h c k thu i nh t th gi a, nhi u thành viên c a h i hi m nh ng v trí ch ch t trong các h i ceramic Hoa K và châu Âu. quan Khoa h c và Công ngh Nh t B n (Japan Science n công ngh công nghi ng m i (New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)) nh v t li u t lành, là m t trong nh ng tr m Hình 1. minh h a cho EBC t ch a lành v t n t tri n c khoa h c v t li u. 19
2. M t s nghiên c u tiêu bi u c a Nh t v v t li u vào m t ph n th ng c a b t nano SiC (0 ceramic t lành t o ra h n h p b n h p này G u c a tác gi ng minh c tr u và tán nh b ng máy nghi n bi (ball- thành công kh ch a lành v t n t trên b m t tinh khi t cao, r c cho c a Yb2Si2O7/SiC, m t v t li u cômpôzit (composite) 80 °C trong t s y 24 gi . H n y h a h n cho l p ph EBC [9-11]. Trong cômpozit h c nghi tách các này, mono-silicat Yb2SiO5 c s d t kh i k t t . Cu i cùng, h n h p b t m c chu n healing agent th c p, s ph n ng v i SiO2 c oxy b c ép nóng trong lò thiêu k t 30 MPa, hóa t t -silicat Yb2Si2O7, kèm theo 1550 °C trong 1 gi ng khí argon (Ar) vi c giãn n th tích s giúp b t kín v t n u thú t ng kính v c a v t li u cômpozit không ch ph c 44 mm. h i v giá tr c khi có v t n t) mà còn ng 20% nh ng su ng su t nén) t n b nu c c t thành các t i xung quanh v trí v t n a lành. m u hình h p ch nh t (36 mm × 4 mm × 3 mm), trong nh dài c c vát 45°, theo tiêu M t s báo cáo ch ra r ng Yb2Si2O7 chu n Nh t B n (Japanese Industrial Standard) JIS có th b phân gi i thành Yb2SiO5 và Si(OH)4 khi b b n u n c a các thanh cômpôzit s c c trong 1300 ~ 1400 °C [12]. o nhi phòng b m tra u n u quá trình chuy n hóa-phân gi i c b m (four-point bending). Nh p ngoài (outer t tái s d ng span) L và nh p trong (inner span) l là 30 và 10 mm, Yb2SiO5 nhi u l cung c p m t cách lâu dài tính và t t (cross- c thi t l p là 0,5 a lành v t n t cho v t li u cômpozit (xem b n u n B c a m u th c tính theo Hình 2). Nói cách khác, chúng ta có th phát tri n lo i công th c sau: v t li u t u này s mang l i l i ích 2 B = 3P (L - l) / 2wt (1) to l a bin khí th h ti ng d ng nhi cao khác c a v t li u w và t là chi u r ng và chi u dày c a m u và ceramic. P là t i tr ng khi m u b t gãy. M c tiêu c a d án nghiên c u này là t ng h p nên kh o sát ng c a các v t n t trên b m n các v t li u cômpôzit t n b ng cách s b n u n, trên b m t m u, các v t n c t o d ng m t quy trình x lý nhi c bi c b ng cách s d ng indenter c c ng c tái sinh liên t c. Nh Vickers v i t i tr ng 2 kgf (19.6 N). Các m u này s có th k v ng vào vi c c i thi hi u su t c (annealing) 1250 °C trong 2 gi kích ho t nhiên li u c a c tua bin khí th h ti p theo. kh ch a lành v t n t c a chúng. Bài vi t này gi i thi u Yb2Si2O7 t v t li u cômpôzit t i thích M t c t c a các m u v t và các v t n t do indenter t o t ch a lành c a nó. Ngoài ra, m t s k t qu c quan sát b ng kính hi nt u tiên c a d án nghiên c u ch t o v t li u t lành c báo cáo. c ng Vickers HV t gãy KIc c tính b ng các công th c sau [13]: 2.1. V t li u cômpôzit c t ng h p b ng ph n ng tr ng thái r n (solid state reaction) s d ng - nóng (hot- u tiên, b t Yb2O3 và SiO2 c tr n theo t l c thêm Hình 2. quy trình tái ch - tái s d v t li u Hình 3. c t gãy c a các có kh ch a lành v t n n cômpôzit 20
HV = 1.854F / d2 (2) KIc = 0,203HVa2c-1,5 (3) F là t i tr ng gây lõm, d ng chéo v t lõm, a ng chéo và c dài n a 1/2 v t n t. C u trúc tinh th c a h n h p b t và cômpôzit k nh b nhi u x tia X (X-ray diffraction: XRD) v i b c x Cu-K ( = 1,54186 Å). Ph m vi quét là 20 - c quét (step angle) là 0,02°. nh hi phân gi i cao c a các v t n t c quan sát b ng máy SEM. Thành ph n v t Hình 4. Ph XRD và phân tích EDS trên b m t ch t c a các healing agent s u tra b ng cách cômpôzit ch a 10 vol% SiC s d ng m t ph tán x ng tia X và h u h nh nhi u x SiC b che l p b i các (Energy dispersive X-ray spectrometry: EDS) g n nh c a hai silicat. Hình 4(b) cho th y có ba mi n tránh hi u n b m t riêng bi m) trên b m t c a (surface charging-up) trong quá trình quan sát, các cômpôzit. Phân tích EDS cho th y Si chi m c ph m t l p vàng (ho ng trong các mi trí s 1) v i Yb:Si = 11,7:88,3, kho ng 5 nm giúp d n. cho th y r ng chúng là các h t SiC. T l nguyên t Yb:Si trong mi n xám nh t (v trí s 2) là 63,5:41,5 = Các cômpôzit c c x lý nhi t trong 1,7:1, cho th y mi n xám nh t là Yb2SiO5. Trong các m c c bi t (Japan Fine Ceramics Center) mi trí s 3), t l Yb:Si là 50,4:49,6 800 °C trong 1 gi . T ng c là 5 :1, cho th y các mi n này là Yb2Si2O7 k kg/gi , t gia nhi t và làm l nh là 10 °C/phút. Sau thu t phân tích nh (Hình 4(c)) c s d ng tính khi x lý nhi t, m ph n di n tích b m t c a SiC (mi k t qu ph xác nh n li u s phân gi i Yb2Si2O7 thành c tính cho th y ph n th tích c a SiC là 10,7%. K t Yb2SiO5 và Si(OH)4 có x y ra u ki n này hay qu này phù h p v i ph n th tích c a SiC (10% th không. tích) trong h n h p b t u c a cômpôzit, ch ng t r ng SiC không ph n ng v i các silicat trong quá 2.2. K t qu trình thiêu k t. K t qu c dai c tóm t c ng Vickers c a v t li u Hình 5 trình bày ph XRD và k t qu quan sát SEM cômpôzit không c gia c SiC (ch có ytterbi silicat) c a các cômpôzit sau khi trong không khí 1250 °C là 8,5 GPa ng h p t i tr ng gây lõm là 2 kgf. trong 2 gi . Hình 6 th hi n ph XRD và nh SEM c a Vi c gia c b ng SiC (có giá tr HV l n ng s giúp cômpôzit ch a 10 vol c và sau khi trong c ng. Th t v y, c ng không khí ho i v i cômpozit ch a 5% SiC t giá tr l n nh t là 9,3 GPa v i 10 vol% SiC. (Hình 5(b)), các v t n c ch a lành m t ph n c ng c a cômpôzit l i gi khi sau khi . Sau khi nh nhi u x c a ng SiC ti p t c c ng c a cômpôzit Yb2SiO5 m, ch ng t thành ph n Yb2SiO5 ch a 20% SiC là 6,9 GPa, ch b ng 80% giá tr c a trong cômpôzit gi m. i v i cômpôzit ch a 10 vol% ytterbi silicat. dai t gãy c a ytterbi silicat là 2,5 SiC, các v t n t g n m t sau khi trong MPa.m1/2, n m kho ng gi a dai c a mono-silicat (2,3 MPa.m1/2) và -silicat (2,7 MPa.m1/2) [14] t gãy KIc c a cômpôzit bi n c dai u gi m khi vol%. S t n t i cùng lúc c a ba cl c coi là nguyên nhân chính d n nm (density) th p c a cômpozit có ng SiC cao, h qu là c dai c a chúng b suy gi m. Hình 4(a) th hi n ph XRD (XRD pattern) c a cômpôzit v i 10 vol c khi và Hình 4(b) là phân tích thành ph n b ng SEM-EDS c a m . nh nhi u x c a c Yb2Si2O7 và Yb2SiO5 u xu t hi n, ch ng t s t n t i ng th i c a c hai silicat Hình 5. Ph XRD c a các cômpozit ch a trong cômpôzit. R nh SiC b ng cách s (a) 0; (b) 5; (c) 10; (d) 20 vol% SiC sau khi và k t d ng các ph XRD vì ph n th tích SiC r t nh , qu ch ng 21
ng thêm 400 °C [15], t c là t quá nhi chuy n ti p th y tinh (glass transition) 1202 °C c a SiO2 [12]. u này có th y nhanh quá trình nóng ch y c a th y tinh SiO2. Th y tinh SiO2 nóng ch y s lan ra và khi m ng thích h p SiO2 nóng ch y ti p xúc v i Yb2SiO5, chúng có th bi i mono-silicat thành i- n ng sau: Yb2SiO5 + SiO2 = Yb2Si2O7 (5) Vì Yb2Si2O7 có m th tích (volume density) l n 2SiO5, và SiO2 có m th tích g [16], nên -silicat t o thành có th tích l ng Hình 6. Ph XRD c a cômpôzit ch a 10 vol% SiC: th tích m t mát c a các ch t ph n ng (SiC và mono- c khi ; (b) sau khi trong không khí; (c) sau silicat). Nói cách khác, Yb2Si2O7 m c hình thành khi trong Ar; và nh ch ng ng m r ng th tích. Do c u trúc cômpôzit c và r n, s m r ng c a Yb2Si2O7 theo không khí (Hình 6(b)). Ngoài ra, nh nhi u ng r i xa v t n t là r t h n ch x Yb2SiO5 trong cômpozit m. Tuy nhiên, ng m r ng v phía v t n ng m r ng c a chi u dài v t n nh XRD h Yb2Si2O7 m i hình thành này c minh h a b ng các i khi cômpôzit trong Ar (Hình 6(c)), K t qu là, s giãn n cho th y vi c ng r t h n ch th tích này s giúp khép mi ng các v t n t. i v i vi c làm lành v t n t. i v i cômpôzit ch a 20 vol% SiC, các v t n c ch a lành hoàn toàn Hình 8 cho th b n u c các thanh b ng cách trong không khí, và Yb2SiO5 h u cômpôzit. b n u n c a ytterbi silicat là 152 MPa. bi n m t kh i b m t (Hình 5(d)). S bi n i c b n c a cômpôzit ng h p c t gãy, giá tr Hình 7 là minh h c a quá trình t ch a lành d nc i v i 10 vol s v t n t các cômpôzit. Các h c phân gi m d n v i các m u có hàm ng nh t trong cômpôzit, c bên trong h t (grain) Trong các m u th ct os nv tn t b n gi m ho c trên biên h t (grain boundary) c a Yb2Si2O7 ho c 30 ~ 50% so v i các m u thiêu k t. Tuy nhiên, có th Yb2SiO5. Khi m t t i tr ng gây lõm ng lên b th b n c a t t c các cômpozit có c ph c m t cômpôzit, các v t n t s phát tri n t các nh c a h i sau khi b n u n c a v t lõm và l i khuy t t t trên b m t v t li u. Khi cômpôzit ch a 5 vol c ph c h i v giá tr c trong không khí, các h t SiC b m t b oxy u (152 MPa). các cômpôzit ng SiC hóa và t o thành SiO2 theo ph n ng sau: t 10 vol% tr lên, hi u qu ph c h i th m chí còn n khi các m u sau quá trình t b n SiC (s) + 3/2O2 (g) = SiO2 (l) + CO (g) + 943 kJ/mol (4) còn u. M c b n trong các cômpôzit ch a 10 vol% và 20 vol% SiC l t Nhi 1250 °C, th nóng là 34 MPa và 62 MPa. S c i thi n này có liên quan ch y c a SiO2 (1650 °C). Tuy nhiên, nhi ng khá n ng su t nén t n t i xung quanh v t lõm do quá l n (943 kJ/mol) sinh ra t ph n ng t a nhi t m nh trình gây ra [17]. này, có th c c b t i các v trí ph n Hình 7 minh h a quá trình t lành trong v t Hình 8 b n u n c a các m u (0~20 vol% SiC) li u cômpôzit không có v t n t, có v t n t, và sau khi t lành 22
Hình 9 là nh ch p quang h c và nh SEM sau thí nghi b n u n c a các m n t, có v t n t, và sau khi trong không khí (ho c Ar), v i 10% SiC th tích. Trong b nu nb m, v t t gãy có th không ch y qua tâm c a m u th mà m y u nh t n a hai ch t t i v im uv c ng t gãy x y ra tâm và ch y xuyên qua các v t n t t o s n (Hình 9(c)). u này cho th y r ng vi c ch a lành v t n t là không hi u qu ng h p này và v t n ct os n v n là khuy t t t nghiêm tr ng nh t trên b m t m u. iv im c trong không khí (trong 2 gi ), t gãy v trí cách xa v t lõm (Hình 9(c)), ch ng t r ng các v t n t xung quanh v t lõm c ch a lành. Hình 10. nh SEM c khi , ph i: sau khi ) Hình 10 là nh SEM c a cômpôzit ch a 10 vol% SiC, cho th y vi c gia nhi c có th sau khi c trong c 800 °C trong 1 gi và chu k t ch a lành lên nhi t l n (bón l n). tr i qua nhi u chu k th nghi m kh lành [18]. Chúng ta có th th y hi u qu t ch a lành có th kéo c a hi ng t ch a lành trong v t li u này. Nghiên dài không ch m n b n chu k u này có c u này d ki n m ng cho s phát tri n c a v t t ph n Yb2Si2O7 c tr l i li u ceramic có kh ch n. thành Yb2SiO5 r t Yb2SiO5 l i góp ph n vào vi c ch a lành v t n t chu k ti 3. M t s lab nghiên c u tiêu bi u c a Nh t B n i. C ng trong thí nghi m c công ngh c m bi n x lý v c này, nhi ch m c 800 °C. 3.1. Lab nghiên c u v Công ngh Nano và v t li u M t m c nhi ng h n 1300~1400 °C Nanocomposite t Nagaoka ng hi u qu (Nagaoka University of Technology) c a quá trình tái ch -tái s d ng Yb2SiO5 và kéo dài Website: https://etigo.nagaokaut.ac.jp/people/staff/ kh ch a lành thêm nhi u chu k . nky15/index.html/ 2.4. Tóm t t và tri n v ng nhi m: NAKAYAMA Tadachika Trong nghiên c u này, v t li u cômpôzit tài nghiên c u: V t li u tua bin máy bay th h ti p Yb2Si2O7/SiC c thiêu k t b ng ph n ng tr ng thái theo có th t ph c h i nhi u l n b ng nanocomposite r ch a lành hóa (k t h p v i H c vi n Công ngh qu c gia Cao v tn tc c nghiên c u trong ng Kushiro) quan v i các thông s ng ng healing agent. Vi c l y th y tinh SiO2 vào v t n t 3.2. Lab nghiên c u v v t li u ch u nhi t t và s giãn n th tích c a Yb2Si2O7 là chính Công ngh Nagaoka Website: http://ntic.nagaokaut.ac.jp/seeds-collection/ laboratory-25 nhi m: NANKO Makoto tài nghiên c u: ng d ng c a kim lo i và ceramic nhi c tính t lành 3.3. Lab nghiên c u v k thu t v t li u tân ti n t i c gia Yokohama (Yokohama National University) Website: http://www.nakaolab.ynu.ac.jp/en/ nhi m: NAKAO Wataru tài nghiên c u: Ch t n l c ti t ki m nhiên li u v i "v t li u ceramic không b phá h y ngay c khi có v t n t xâm nh p" Hình 9. (a) nh ch p quang h c và (b-d) n SEM th hi t gãy c a các m u: (b) t n t, (c) 3.4. Nhóm nghiên c u v v t li u siêu h p kim và v t n t sau khi ch u nhi t thu c Lab SIP-MI, Vi n nghiên c u qu c v t n t sau khi trong không khí. gia v khoa h c v t li u (NIMS) 23
Website: https://samurai.nims.go.jp/profiles/ [7] Maruoka, D. & Nanko, M. Improved crack healing osada_toshio Ni/Al2O3 by Y or Si doping. J. Am. Ceram. Soc. 99, ng nhóm: TS. OSADA Toshio (Principal 2451 2457 (2016). Invesitator) [8] Chlup, Z., Flasar, P., Kotoji, A. & Dlouhy, I. tài nghiên c u: Siêu h p kim và v t li u ceramic t Fracture behaviour of Al2O3/SiC nanocomposite lành ng d ng cho tua bin ceramics after crack healing treatment. J. Eur. Ceram. Soc. 28, 1073 1077 (2008). [9] Nguyen, S. T. et al. Strength improvement and 3.5. Nhóm nghiên c u v v t li u Ceramic tân ti n t i Lab Materials & Processing, H c vi n công ngh surface oxidation treatment. J. Am. Ceram. Soc. 100, qu c gia ng Kushiro (NIT-KC) 1 10 (2017). Website: https://www.kushiro-ct.ac.jp/mech/staff/ [10] Nguyen, S. T. et al. Self-crack healing ability and son.html strength recovery in ytterbium disilicate/silicon carbide nanocomposites. Int. J. Appl. Ceram. ng nhóm: TS. NGUY Technol. 16, 39 49 (2019). Prof.) [11] Nguyen, S. T. et al. Self-healing behavior and tài nghiên c u chính: V t li u tua bin máy bay th strength recovery of ytterbium disilicate ceramic h ti p theo có th t ph c h i nhi u l n b ng reinforced with silicon carbide nanofillers. J. Eur. nanocomposite hóa (k t h p v Ceram. Soc. 39, 3139 3152 (2019). Nagaoka) [12] Ueno, S., Ohji, T. & Lin, H.-T. Recession behavior of Yb2Si2O7 phase under high speed steam jet at Tài li u tham kh o high temperatures. Corros. Sci. 50, 178 182 (2008). [1] Perepezko, J. H. The hotter the engine, the better. [13] Niihara, K., Nakahira, A. & Hirai, T. The effect of Science (80-. ). 326, 1068 1069 (2009). stoichiometry on mechanical properties of boron [2] Spitsberg, I. & Steibel, J. Thermal and carbide. J. Am. Ceram. Soc. 67, C 13 (1984). Environmental Barrier Coatings for SiC/SiC CMCs [14] Al Nasiri, N., Patra, N., Horlait, D., Jayaseelan, D. in Aircraft Engine Applications*. Int. J. Appl. D. & Lee, W. E. Thermal Properties of Rare-Earth Ceram. Technol. 1, 291 301 (2004). Monosilicates for EBC on Si-Based Ceramic [3] Richards, B. T. & Wadley, H. N. G. Plasma spray Composites. J. Am. Ceram. Soc. 99, (2016). deposition of tri-layer environmental barrier [15] Riley, F. L. Structural Ceramics. (Cambridge, UK: coatings. J. Eur. Ceram. Soc. (2014). Cambridge University Press, 2009). [4] L. Treccani, T. Y. Klein, F. Meder, K. Pardun, and [16] Greil, P. Generic principles of crack-healing ceramics. J. Adv. Ceram. 1, 249 267 (2012). biomedical, biotechnological and environmental [17] Pham, H. V., Nanko, M. & Nakao, W. High Acta Biomater., vol. 9, no. 7, pp. temperature Bending Strength of Self Healing 7115 7150, 2013. Ni/Al2O3 Nanocomposites. Int. J. Appl. Ceram. [5] Technol. 13, 973 983 (2016). prospects of lead- J. [18] S. T. Nguyen et al. Eur. Ceram. Soc., vol. 25, no. 12, pp. 2693 2700, 2005. [6] Ando, K., Furusawa, K., Takahashi, K. & Sato, S. Crack-healing ability of structural ceramics and a Adv. Eng. Mater., vol. 22, no. 7, p. 2000157, 2020. new methodology to guarantee the structural integrity using the ability and proof-test. J. Eur. Ceram. Soc. 25, 549 558 (2005). 24