Transistor hiệu ứng trường xuyên hầm

Luận văn nhằm nghiên cứu vật lý linh kiện và khảo sát thiết kế các TFET có cấu trúc pha tạp đối xứng. Cụ thể, đề tài đề xuất nghiên cứu chi tiết TFET pha tạp đối xứng dựa trên xuyên hầm điểm, giải thích khả năng tăng dòng dẫn và giảm dòng rò lưỡng cực của cấu trúc TFET được nghiên cứu.

78p capheviahe27 23-02-2021 40 5   Download

Đề tài nghiên cứu giúp hiểu rõ vai trò và ảnh hưởng của điện môi cực cổng dị cấu trúc tới đặc tính điện cũng như đưa ra các tham số thiết kế phù hợp nhằm nâng cao đặc tính tắt-mở của các loại TFET có cấu trúc khác nhau. Mời các bạn cùng tham khảo nội dung chi tiết.

102p capheviahe27 23-02-2021 27 4   Download

Đề tài nhằm khảo sát chi tiết ảnh hưởng của độ dày thân linh kiện tới đặc tính hoạt động tắt-mở của transistor hiệu ứng trường xuyên hầm cấu trúc lưỡng cổng. Cụ thể là đưa ra các giải thích vật lý đầy đủ của các ảnh hưởng tìm được, xác định được độ dày tối ưu để nâng cao đặc tính điện của linh kiện khi sử dụng các loại vật liệu bán dẫn có vùng cấm và hằng số điện môi khác nhau như Si, Ge, In0.53Ga0.47As.

87p capheviahe27 23-02-2021 27 6   Download