Transistor vây hiệu ứng trường

Đề tài nhằm khảo sát chi tiết ảnh hưởng của độ dày thân linh kiện tới đặc tính hoạt động tắt-mở của transistor hiệu ứng trường xuyên hầm cấu trúc lưỡng cổng. Cụ thể là đưa ra các giải thích vật lý đầy đủ của các ảnh hưởng tìm được, xác định được độ dày tối ưu để nâng cao đặc tính điện của linh kiện khi sử dụng các loại vật liệu bán dẫn có vùng cấm và hằng số điện môi khác nhau như Si, Ge, In0.53Ga0.47As.

87p capheviahe27 23-02-2021 27 6   Download