Đề tài seminar : Khắc bằng chùm điện tử

Chia sẻ: Pham Van Thanh | Ngày: | Loại File: PPT | Số trang:15

Thêm vào BST

Báo xấu

139
lượt xem 30
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Electron beam lithography (EBL) là thuật ngữ chỉ công nghệ tạo các chi tiết trên bề mặt (các phiến Si...) có kích thước và hình dạng giống như thiết kế bằng cách sử dụng chùm điện tử có năng lượng cao làm biến đổi các chất cản quang phủ trên bề mặt phiến. EBL là một công cụ phổ biến trong công nghệ nanô để tạo ra các chi tiết, các linh kiện có kích thước nhỏ với độ chính xác cực cao....

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Đề tài seminar : Khắc bằng chùm điện tử

Nhóm 6 : Đề tài seminar : Khắc bằng chùm điện tử
oThành viên : 1. Phạm văn Thanh 2. Phạm văn Cường 3. Nguyễn văn Cường 4. Nguyễn xuân Thái 5. Nguyễn hữu Kiên 6.Nguyễn văn Mạnh 7.Trương văn Dũng 8. Bùi văn Phong
Quang khắc chùm điện tử Electron beam lithography (EBL) là thuật ngữ chỉ công nghệ tạo các chi tiết trên bề mặt (các phiến Si...) có kích thước và hình dạng giống như thiết kế bằng cách sử dụng chùm điện tử có năng lượng cao làm biến đổi các chất cản quang phủ trên bề mặt phiến. EBL là một công cụ phổ biến trong công nghệ nanô để tạo ra các chi tiết, các linh kiện có kích thước nhỏ với độ chính xác cực cao.
NGUYÊN LÝ CỦA EBL Khác với quang khắc truyền thống ( Cấu tạo của thiết EBL photolithography), bị sử EBL gần giốngện ưử dụng chùm đi nh t một nên không cần mặt nạ kính hiển vi điện tử qué tạo hình mà chiếu trực , có nghĩa là tạo chùm tiếđiện tử có ện tửlượng p chùm đi năng lên bềcao, t mẫu,khuếch đại mặ sau đó và dùng các cuộnhdâynhể quét và thu ẹp đ ờ hệ điệnấu kính từ,vẽira các th tử nhằm rồ chiếu chichùm cầệntạo. Chùmp tiết đi n tử trực tiế điện tử ẫu cần tạo lên m của các EBL mạnh có thể có kích thước từ vài nm đến hàng trăm nm .
NGUYÊN LÝ CỦA EBL Bề mặt của phiến được phủ một hợp chất hữu cơ gọi là chất cản quang (resist) . Chất này bị biến đổi tính chất dưới tác dụng của chum điện ̀ tử
Nguyên lý 2 phương pháp trong EBL Nguyên lý 2 phương pháp trong EBL: kỹ thuật liff-off (trái) và kỹ thuật ăn mòn (phải)
Một số loại cản quang và độ phân giải của chúng
Kỹ thuật lift-off PHỦ LỚP CẢN QUANG DƯƠNG LÊN ĐẾ PHẦN CẢN QUANG DƯƠNG ĐƯỢC CHIẾU SÁNG SẼ BỊ ĂN MÒN ĐỂ LẠI KHUÔN CÓ HÌNH DẠNG VẬT LIỆU CẦN TẠO SỬ DỤNG PHƯƠNG PHÁP BỐC BAY VẬT LIỆU ĐỂ PHỦ VẬT LIỆU LÊN KHUÔN LOẠI BỎ KHUÔN CẢN QUANG THU ĐƯỢC VẬT LIỆU CÓ HÌNH DẠNG MONG MUỐN TRÊN ĐẾ
Kỹ thuật ăn mòn NGƯỜI TA PHỦ LÊN TẤM ĐẾ LỚP VẬT LIỆU TẠO KHUÔN SAU ĐÓ PHỦ LỚP CẢN QUANG ÂM LÊN TRÊN. SAU KHI TRÁNG RỬA, PHẦN CẢN QUANG ÂM ĐƯỢC CHIẾU SÁNG SẼ K HÔNG BỊ ĂN MÒN, PHẦN CẢN QUANG KHÔNG ĐƯỢC CHIẾU SÁNG BỊ ĂN MÒN ĐỂ LỘ RA LỚP VẬT LIỆU. ĂN MÒN LỚP VẬT LIỆU LỘ RA LOẠI BỎ LỚP CẢN QUANG, NGƯỜI TA THU ĐƯỢC VẬT LIÊU CẦN CHẾ TẠO
PHƯƠNG PHÁP EBL Ưu Điểm : •Vì dung chum điện tử nên có khả năng tạo chum tia hẹp hơn ̀ ̀ ̀ rất nhiều so với ánh sáng, do đó có thể tạo các chi tiết có độ phân giải cao và kích thước nhỏ hơn rất nhiều so với photolithography. •Dễ dàng tạo các chi tiết phức tạp. •Chum điện tử có thể điều khiển quét trên bề mặt mẫu bằng ̀ cách cuộn dây nên có thể vẽ trực tiếp chi tiết mà không cần mặt nạ như photolithography  Nhược Điểm : Phương pháp EBL chậm hơn nhiều so với photolithography ,rất đắt tiền
Ứng Dụng ViệnCôngnghệ Massachuset (MIT, Mỹ) vừa tìm được cách chế tạo chip với các kích thước chi tiết 9nm. Kỷ lục công nghệ đạt được trong phòng thí nghiệm trước đây là 25nm. Các tấm wafer để sản xuất chip
Ứng Dụng Có kích thước cực nhỏ: 0,15 x 0,15 mm và bề dày chỉ 7,5 micro mét
Ứng Dụng
Thanks for Watching