zunia.vn

Tuyển sinh 2024 dành cho Gen-Z

zunia.vn

» Kỹ Thuật - Công Nghệ

» Điện - Điện tử

Đề thi học kỳ I năm học 2018-2019 môn Vật liệu bán dẫn - ĐH Sư phạm Kỹ thuật

Chia sẻ: Mỹ Nhân | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:1

Báo xấu

43
lượt xem 3
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Đề thi học kỳ I năm học 2018-2019 môn Vật liệu bán dẫn gồm 4 câu hỏi hệ thống lại kiến thức học phần và giúp các bạn sinh viên ôn tập kiến thức đã học, chuẩn bị cho kỳ thi sắp tới. Tài liệu hữu ích cho các các bạn sinh viên đang theo học và những ai quan tâm đến môn học này dùng làm tài liệu tham khảo.

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Đề thi học kỳ I năm học 2018-2019 môn Vật liệu bán dẫn - ĐH Sư phạm Kỹ thuật

TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT ĐỀ THI HỌC KỲINĂM HỌC 2018-2019 THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH Môn: Vật liệu bán dẫn KHOAKHOA HỌC ỨNG DỤNG Mã môn học: SEMA320712 Đề thi có 01 trang. Bộ môn Công nghệ Vật liệu Ngày thi: 28/12/2018 Thời gian: 60 phút ------------------------- SV được phép sử dụng tài liệu in hoặc viết trên giấy Câu 1:(2.5 điểm) Dựa vào kiến thức đã học, hãy giải thích tại sao nồng độ hạt tải điện của bán dẫn thuần (ni) rất nhạy cảm với độ rộng vùng cấm (Eg) và nhiệt độ của chất bán dẫn điện. Câu 2: (2.0 điểm) Tính nồng độ hạt tải điện của chất bán dẫn điện thuần (intrinsic) Silic ở điều kiện nhiệt độ phòng (300 K). Cho biết Nc = 2.86  1019 (cm-3), NV = 3.10  1019 (cm-3), đọ rộng vùng cấm của Silic (Eg-Si) = 1.1242 (eV). Câu 3:(3.5 điểm) Chất bán dẫn điện GaAs được pha tạp với nồng độ pha tạp NA = 1016 (cm-3) ở nhiệt độ phòng. Cho biết độ rộng vùng cấm của GaAs (Eg-GaAs) = 1.43 (eV), NC = 4.4  1017 (cm-3), NV = 8.3  1018 (cm-3) a) Tính nồng độ hạt tải điện của bán dẫn thuần GaAs (ni); nồng độ hạt tải điện tử (no) và hạt tải điện lỗ trống (po) khi được pha tạp. b) Tìm vị trí mức Fermi khi GaAs được pha tạp? c) Vẽ giản đồ vùng năng lượng (vùng dẫn, vùng hóa trị, mức Fermi, ….) Câu 4:(2 điểm) a)Tính độ dẫn điện () của bán dẫn điện thuần Silic ở điều kiện nhiệt độ phòng (300 K). Cho biết n = 1.41  1016 (m-3), e = 0.145 m2/Vs, p = 0.05 m2/Vs. b)Từ đó suy ra sự đóng góp vào độ dẫn điện của từng thành phần (điện tử và lỗ trống). Ghi chú:Cán bộ coi thi không được giải thích đề thi. Chuẩn đầu ra của học phần Nội dung kiểmtra [CĐR 3.1] Trình bày hiểu biết của mình thông qua năng lực giải quyết vấn Câu 1, 3(a) đề và trả lời các câu hỏi liên quan đến các khái niệm đã học. [CĐR 1.1] Trình bày hiểu biết của mình thông qua năng lực giải quyết vấn đề và trả lời các câu hỏi liên quan đến các khái niệm đã học. [CĐR 2.1.1] Vận dụng kiến thức về cơ học để giải bài tập có liên quan Câu 2, 3(a), 3(b) [CĐR 2.1.1] Vận dụng kiến thức về cơ chế dẫn, các phương trình cơ bản Câu 4 của bán dẫn để giải thích các hiện tượng liên quan đến linh kiện bán dẫn và giải bài tập về linh kiện bán dẫn. Ngày 26 tháng 12 năm 2018 Thông qua Trưởng Bộ môn Trang1

CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD

LV.15: Bộ Đồ Án Tốt Nghiệp Chuyên Ngành Cơ Khí

65 tài liệu

2431 lượt tải

THÔNG TIN

TRỢ GIÚP

HỖ TRỢ KHÁCH HÀNG

Theo dõi chúng tôi

Chịu trách nhiệm nội dung:

Nguyễn Công Hà - Giám đốc Công ty TNHH TÀI LIỆU TRỰC TUYẾN VI NA

LIÊN HỆ

Địa chỉ: P402, 54A Nơ Trang Long, Phường 14, Q.Bình Thạnh, TP.HCM

Hotline: 093 303 0098

Email: support@tailieu.vn

Giấy phép Mạng Xã Hội số: 670/GP-BTTTT cấp ngày 30/11/2015 Copyright © 2022-2032 TaiLieu.VN. All rights reserved.