
Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát cấu hình nhám từ mật độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử InN/GaN
10
lượt xem 4
download
lượt xem 4
download

Mục tiêu của đề tài "Khảo sát cấu hình nhám từ mật độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử InN/GaN" là tính toán được cấu hình nhám thông qua việc sử dụng mật độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử được chế tạo từ hai loại vật liệu bán dẫn InN và GaN.
Chủ đề:
Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD