zunia.vn

Tuyển sinh 2024 dành cho Gen-Z

zunia.vn

» Kỹ Thuật - Công Nghệ

» Kĩ thuật Viễn thông

Nghiên cứu thiết kế bộ khuếch đại tạp âm thấp sử dụng công nghệ MMIC dùng cho ra đa băng X

Chia sẻ: _ _ | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:6

Báo xấu

27
lượt xem 4
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Bài viết trình bày phương pháp thiết kế một bộ khuếch đại tạp âm thấp công nghệ MMIC hoạt động ở tần số trung tâm 10 GHz ứng dụng cho rađa. Bóng bán dẫn sử dụng là transistor hiệu ứng trường NP2500MS với công nghệ 0.25 µm AlGaN/ GaN HEMT của hãng WIN Semiconductor, Đài Loan.

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Nghiên cứu thiết kế bộ khuếch đại tạp âm thấp sử dụng công nghệ MMIC dùng cho ra đa băng X

Hội nghị Quốc gia lần thứ 24 về Điện tử, Truyền thông và Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2021) Nghiên cứu thiết kế bộ khuếch đại tạp âm thấp sử dụng công nghệ MMIC dùng cho ra đa băng X Nguyễn Xuân Ngọc*, Nguyễn Huy Hoàng*, Lương Duy Mạnh* *Khoa Vô tuyến điện tử Học Viện Kỹ thuật Quân sự Email: duymanhcs2@mta.edu.vn Tóm tắt—Trong bài báo này, chúng tôi trình bày xuất cách thiết kế một bộ LNA cho rađa băng X gồm 2 phương pháp thiết kế một bộ khuếch đại tạp âm thấp tầng khuếch đại [1], nhấn mạnh vào nâng cao hệ số công nghệ MMIC hoạt động ở tần số trung tâm 10 GHz ứng dụng cho rađa. Bóng bán dẫn sử dụng là transistor khuếch đại, tối thiểu tạp âm, thuận tiện cho phối hợp trở hiệu ứng trường NP2500MS với công nghệ 0.25 µm kháng (PHTK) giữa 2 tầng và tổn hao đầu ra nhỏ. AlGaN/ GaN HEMT của hãng WIN Semiconductor, Đài Loan. Mục tiêu thiết kế nhằm đạt được hệ số khuếch đại Tuy nhiên do đặc điểm mô hình và linh kiện dùng (HSKĐ) tối thiểu là 25 dB và hệ số tạp âm nhỏ hơn 1 dB. thiết kế mạch đều do nhà sản xuất (NSX) cung cấp nên Quy trình thiết kế được thực hiện trên phần mềm Keysight ADS với mô hình, linh kiện MMIC do hãng đối với các linh kiện thụ động như L và C thì NSX chỉ cung cấp. Chỉ tiêu của bộ khuếch đại được đánh giá cả ở cung cấp rời rạc một số giá trị nhất định gây khó khăn mức độ tín hiệu nhỏ và tín hiệu lớn thông qua phân tích lý thuyết và mô phỏng trên phần mềm. cho quá trình PHTK, hơn nữa khi hoạt động ở tần số siêu cao thì việc bố trí các linh kiện, mạch phân áp cũng ảnh Từ khóa— LNA GaN HEMT, khuếch đại tạp âm thấp hưởng không nhỏ tới mạch PHTK nhất là các mạch cho rađa, LNA băng X rađa. PHTK phức tạp, nhiều phần tử. Khảo sát 5 công trình đã I. GIỚI THIỆU công bố trước đây [2], [3], [4], [5] và [6] sử dụng sơ đồ Các bộ khuếch đại tạp âm thấp (LNA) có nhiều ứng ghép 2 hoặc 3 tầng khuếch đại, điểm chung ở đây là việc dụng quan trọng trong các hệ thống thông tin vô tuyến PHTK giữa các tầng đều phải sử dụng tụ ghép tầng Cp hiện nay như: thông tin vệ tinh, thông tin di động hay để nối tầng, đây là phương pháp thông thường để cách ly rađa. Các bộ thu trên đòi hỏi phải nhỏ gọn, tiếp nhận về mặt một chiều giữa các transistor, tuy nhiên việc gắn thông tin nhanh và chính xác, đặc biệt là trong thời đại thêm tụ điện thường làm xê dịch phối hợp trở kháng giữa công nghệ ngày nay thì yêu cầu đó càng trở thành quan các tầng khuếch đại. Kết quả Bảng 1 cũng cho thấy [3], trọng hơn. Tín hiệu thu là các tín hiệu vô tuyến, năng [4] và [5] mặc dù sử dụng 3 tầng khuếch đại tuy nhiên hệ lượng tín hiệu thu thường rất nhỏ, lan truyền trong môi số khuếch đại không cao hơn thậm chí còn thấp hơn so trường có nhiều tạp âm và nhiễu, tổn hao đường truyền với việc sử dụng 2 tầng khuếch đại, công trình [2], [5] dải lớn. Đặc biệt trong lĩnh vực rađa, tín hiệu đầu vào máy thông còn nhỏ hơn dải tần số hoạt động được công bố. thu rất nhỏ nên thường yêu cầu bộ LNA phải có HSKĐ Trong phạm vi bài báo, nhóm nghiên cứu đề xuất việc lớn, hệ số tạp âm nhỏ và phối hợp đầu vào, đầu ra tốt mạch PHTK giữa 2 tầng khuếch đại không sử dụng tụ nối cũng như cho khả năng tiêu thụ nguồn thấp. Để thực tầng Cp mà sử dụng đoạn đường truyền ghép (Coupled hiện được điều này thì các bộ LNA phải được chế tạo Line) [7], [8]; vừa đảm bảo cho quá trình thiết kế đơn dựa trên các công nghệ vật liệu bán dẫn thế hệ mới với giản, dễ hiệu chỉnh vừa đảm bảo thuận tiện cho việc cấp công nghệ chế tạo mạch cao tần kiểu mới. Với sự ra đời nguồn một chiều cho các transistor. Mạch PHTK vào và của công nghệ mạch tích hợp nguyên khối (MMIC), các ra vẫn sử dụng các phần tử tập trung L và C như được thể mạch điện cao tần thế hệ mới ngày nay có thể được chế hiện trong sơ đồ nguyên lý. Phần còn lại của bài báo tập tạo với kích thước nhỏ gọn, cho công suất tiêu thụ thấp trung vào giải thích kết quả mô phỏng thu được trên linh và có độ tích hợp cao. Để đáp ứng những yêu cầu ngày kiện thực tế MMIC và so sánh kết quả thiết kế với một càng cao đối với các bộ LNA như đã nêu, bài báo đề số bài báo nước ngoài đã được phát hành. ISBN 978-604-80-5958-3 84
Hội nghị Quốc gia lần thứ 24 về Điện tử, Truyền thông và Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2021) II. XÂY DỰNG SƠ ĐỒ NGUYÊN LÝ Hình 1. Sơ đồ nguyên lý toàn mạch trên phần tử lý tưởng A. Chọn sơ đồ và điểm làm việc tĩnh cho transistor Từ phần này, nhóm đề tài sử dụng phương pháp phân tích và chạy mô phỏng trên phần mềm Keysight ADS [9], các chỉ tiêu bộ LNA dựa trên mô hình tín hiệu nhỏ dựa trên việc khảo sát đặc tuyến tĩnh và đặc tuyến động từ mô hình bóng bán dẫn do NSX cung cấp. Đây là bóng bán dẫn có dải tần hoạt động lên tới 50 GHz hoàn toàn phù hợp để lựa chọn thiết kế bộ LNA theo yêu cầu. Để đảm bảo HSKĐ cao nhóm nghiên cứu sử dụng sơ đồ ghép 2 tầng khuếch đại (Hình 1). Phương pháp thiết kế với tầng thứ nhất là ưu tiên cho hệ số tạp âm nhỏ, HSKĐ Hình 2. Đặc tuyến ra của bóng GaN HEMT với các giá trị VGS khác nhau ở mức vừa phải; tầng thứ hai ưu tiên cho HSKĐ cao, tạp L và C, điểm khác là các linh kiện này không phải gắn âm ở mức cho phép để đảm bảo hệ số tạp âm toàn mạch ngoài mà được NSX cung cấp trong gói thiết kế nhằm nhỏ hơn 1 dB. Để bắt đầu quá trình thiết kế, trước tiên ta tích hợp vào mạch thành một khối thống nhất. Do đó giá xác định điểm làm việc tĩnh là điểm m1 và m2 trên Hình trị của cuộn cảm L chỉ cố định ở một số giá trị nhất định 2. Transistor thứ nhất được cấp điện áp cực máng là VDS1 nên cách thực hiện là chọn gần với giá trị lý tưởng nhất =10 V, dòng tĩnh IDS1=38 mA (điểm m1) mục đích là và bù trừ bằng các đoạn đường truyền (TL) cho trường dòng IDS1 nhỏ để hệ số tạp âm nhỏ, với transistor thứ 2 hợp L lý tưởng sai khác nhỏ với L MMIC, nếu giá trị sai chọn VDS2=10.5 V và IDS2 = 53 mA (điểm m2), cao hơn khác lớn có thể thực hiện ghép song song hoặc nối tiếp tầng thứ nhất về cả VDS và IDS nhằm mục đích nâng cao nhiều cuộn cảm để được giá trị L tương đương gần nhất HSKĐ. Như vậy với cách chọn điểm làm việc này công với lý tưởng. Việc tính các giá trị của C cũng làm tương suất tiêu thụ của bộ LNA Pdc = 0.94 W. tự, tuy nhiên NSX cho phép thay đổi giá trị của điện B. Thiết kế mạch PHTK vào và ra dung C được mịn hơn bằng việc thay đổi các kích thước Mạch PHTK vào và PHTK ra được thiết kế theo mạch dài (L) và rộng (W) của linh kiện. Sơ đồ thực tế trên linh phối hợp chữ L được thực hiện trên các phần tử tập trung kiện MMIC của mạch PHTK vào và ra được thể hiện trong ISBN 978-604-80-5958-3 85
Hội nghị Quốc gia lần thứ 24 về Điện tử, Truyền thông và Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2021) Hình 3 và 4. Các phần tử thụ động L, C, TL, ghép chữ T xuất sử dụng đoạn đường truyền ghép (CLin) với thông và lỗ via nối đất đều là các linh kiện MMIC của NSX. số ghép phù hợp vừa đảm bảo cách ly về mặt một chiều thay cho tụ nối tầng Cp vừa thuận tiện cho việc phân áp cho transistor. Sơ đồ thiết kế PHTK giữa 2 tầng khuếch đại được thể hiện trong Hình 5. Ngoài ta việc phối hợp theo kiểu này còn thuận tiện cho việc điều chỉnh dải thông vì nhà sản xuất cho phép thay đổi các thông số ghép của mạch CLin trên linh kiện MMIC với các giá trị rất nhỏ. Hình 3. Mạch PHTK vào trên linh kiện MMIC Hình 5. Mạch PHTK giữa 2 transistor sử dụng CLin D. Mạch phân áp và tụ ghép tín hiệu Cp Việc cấp nguồn một chiều cho transistor được thực hiện thông qua các cuộn chặn Lch và đoạn đường truyền trở kháng cao TL để đảm bảo rằng tại tần số thiết kế 10 GHz trở kháng của mạch phân áp là rất lớn so với trở kháng đường truyền, ngược lại đối với tụ ghép Cp, tại tần số thiết kế trung tâm, trở kháng của tụ điện là rất nhỏ so với trở kháng đường truyền. Sơ đồ mạch phân áp trên linh kiện MMIC thể hiện trong hình 6. Hình 4. Mạch PHTK ra trên linh kiện MMIC C. Thiết kế mạch PHTK giữa 2 transistor Đối với mạch PHTK giữa 2 tầng khuếch đại vẫn được thiết kể để đảm bảo trở kháng ra của tầng một ZR1 được phối hợp với trở kháng vào tầng hai ZV2 nhằm đảm bảo năng lượng siêu cao tần truyền từ tầng 1 sang tầng 2 không bị phản xạ ngược lại. Ngoài ra, liên quan đến việc cấp nguồn VDS1 cho transistor 1 và VGS2 cho transistor 2 nên nếu PHTK bằng phần tử L và C hay đoạn đường Hình 6. Mạch phân áp trên linh kiện MMIC truyền (ngắn hoặc hở mạch đầu cuối) thì vẫn phải chèn Sơ đồ mạch điện toàn mạch sau khi layout được thể thêm tụ ghép Cp vào, việc này dễ làm lệch PHTK giữa hiện trong Hình 7. Mạch in sau layout có kích thước khá 2 transistor theo thiết kế ban đầu, nhóm nghiên cứu đề nhỏ gọn 5.42mm x 1.02mm. ISBN 978-604-80-5958-3 86
Hội nghị Quốc gia lần thứ 24 về Điện tử, Truyền thông và Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2021) III. ĐÁNH GIÁ KẾT QUẢ Hình 7. Layout MMIC toàn mạch LNA Hình 8 thể hiện kết quả mô phỏng các chỉ tiêu 8.6 GHz đến 11 GHz). Hệ số cách ly (S12) trong toàn quan trọng như: hệ số KĐCS, phối hợp vào/ra và độ cách dải thông tốt hơn -49 dB. Hệ số tạp âm của mạch được ly của bộ LNA được thiết kế thông qua ma trận tham số thể hiện trong Hình 9. Hệ số tạp âm trong dải thông là tán xạ [S]. nhỏ hơn 1 dB và tại tần số trung tâm hệ số tạp âm đạt được là 0.95 dB. Hình 9. Kết quả mô phỏng hệ số tạp âm Độ ổn định của mạch LNA thiết kế được thể hiện Hình 8. Đặc tính mạch LNA được thiết kế trong Hình 10. Trong toàn dải thông hệ số ổn định lớn hơn 4, đảm bảo tính ổn định không điều kiện của bộ Kết quả cho thấy phối hợp đầu ra là rất tốt trong khi LNA được thiết kế. đầu vào phải hy sinh việc phối hợp để đạt được hệ số tạp âm mong muốn. S22 tốt nhất bằng -34 dB tại tần số 10 GHz trong khi S11 tốt hơn -5 dB trong dải thông. Kết quả này phản ánh phương pháp thiết kế là phù hợp và chính xác vì đối với LNA thì tín hiệu vào rất nhỏ nên việc S11 như trên là một kết quả chấp nhận được. Sau khi qua bộ LNA tín hiệu đã lớn hơn rất nhiều nên nếu S22 không tốt sẽ ảnh hưởng xấu tới bộ khuếch đại. Ngoài ra hệ số KĐCS đạt được 27.5 dB tại tần số thiết kế. Dải thông (mức giảm 3 dB) đạt được là 2.4 GHz (từ Hình 10. Kết quả mô phỏng hệ số ổn định K ISBN 978-604-80-5958-3 87
Hội nghị Quốc gia lần thứ 24 về Điện tử, Truyền thông và Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2021) Hình 11 mô tả kết quả mô phỏng cấp độ tín hiệu lớn mạch LNA trên cấu trúc mạch đề xuất. Ta thấy tại điểm nén 1 dB, hệ số KĐCS đạt được bằng 26.5 dB trong khi công suất ra là 18.7 dBm. Như vậy bộ LNA về cơ bản đã có các thông số kỹ thuật tương đối tốt. Kết quả cho thấy phương pháp thiết kế là đúng đắn, đạt được mục tiêu theo hướng thiết kế ban đầu là có HSKĐ cao hơn 25 dB, tạp âm nhỏ hơn 1 dB, tổn hao đầu ra tốt. Bên cạnh đó LNA đề xuất cũng độ cách ly tốt và ổn định không điều kiện trong toàn bộ Hình 11. Kết quả mô phỏng tín hiệu lớn tại 10 GHz dải thông. Bảng 1. SO SÁNH KẾT QUẢ THIẾT KẾ VỚI MỘT SỐ BÀI BÁO NƯỚC NGOÀI Tham khảo- [2]-2013 [3]-2016 [4]-2017 [5]-2018 [6]-2020 LNA đề xuất năm Dải tần làm 9.7 ÷ 12.9 8.5 ÷ 10.5 8 ÷ 10 8 ÷ 11 8 ÷ 11 8.6 ÷ 11 việc (GHz) Sơ đồ 2 tầng 3 tầng 3 tầng 3 tầng 2 tầng 2 tầng Hệ số tạp âm
Hội nghị Quốc gia lần thứ 24 về Điện tử, Truyền thông và Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2021) các transistor. Mô phỏng ở cấp độ tín hiệu nhỏ và lớn cho [7] David M. Pozar, “Microwave Engineering,” John Wiley & Sons Inc, pp. 426-436, 2011. kết quả tốt, so sánh với các bài báo khác có cùng sơ đồ 2 [8] Jia-Sheng Hong, “Microstrip Filters for RF/Microwave Applications,” John Wiley & Sons Inc, pp. 75-111, 2011. tầng và 3 tầng khuếch đại (Bảng 1) cho thấy bộ LNA đề [9] URL, https://www.keysight.com/zz/en/products/software/- xuất cho hệ số khuếch đại cao hơn, hệ số tạp âm thấp hơn pathwave-advanced-design-system.html. và tổn hao đầu ra ở mức tốt. Tuy nhiên nhược điểm của bộ LNA đề xuất là tổn hao ngược đầu vào còn hơi cao, bên cạnh đó dải thông của bộ LNA đề xuất còn chưa bao phủ hết băng tần X (8 GHz đến 12 GHz). Nhóm nghiên cứu đang tiếp tục khắc phục các nhược điểm trên trong các thiết kế tiếp theo. Phương pháp PHTK sử dụng đoạn đường truyền ghép là một nội dung tham khảo khá tốt trong việc thiết kế PHTK trong mạch có nhiều tầng khuếch đại, nhóm nghiên cứu tin rằng phương pháp thiết kế bộ LNA trong nghiên cứu này góp phần làm phong phú thêm các phương pháp PHTK tối ưu sử dụng trong bộ LNA nói riêng và các mạch RF nói chung. LỜI CẢM ƠN Nghiên cứu này được tài trợ bởi Quỹ phát triển khoa học và công nghệ quốc gia (NAFOSTED) trong đề tài mã số 102.04-2018.14. TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Rowan Gilmore, Les Besser, “Practical RF circuit Design for modern Wireless systems,” Active Circuits and Systems, Artech House Boston, Vol. 2, pp. 88-93, 2003. [2] W. Chang, G. Jeon, Y. Park, S. Lee and J. Mun, “X-band low noise amplifier MMIC using AlGaN/GaN HEMT technology on SiC substrate,” Asia-Pacific Microwave Conference Proceedings (APMC), Seoul, pp. 681-684, 2013. [3] B. Kim and W. Gao, "X-Band Robust Current-Shared GaN Low Noise Amplifier for Receiver Applications," IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS), Austin, TX, 2016. [4] M. Vittori, S. Colangeli, W. Ciccognani, A. Salvucci, G. Polli, and E. Limiti, “High performance X-band LNAs using a 0.25 um GaN technology,” 13th Conference on Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics (PRIME), pp. 157-160, Jun. 12-15, 2017. [5] O. Kazan, F. Kocer and O. A. Civi, "An X-Band Robust GaN Low-Noise Amplifier MMIC with Sub 2 dB Noise Figure," 48th European Microwave Conference (EuMC), Madrid, pp. 1202-1204, 2018. [6] S. Zafar, S. Osmanoglu, M. Ozturk, B. Cankaya, D. Yilmaz, A. Kashif and E. Ozbay, “GaN based LNA MMICs for X-Band Applications,” Proceedings of 17th International Bhurban Conference on Applied Science & Technology (IBCAST) Islamabad, Pakistan, pp. 699 – 702, Jan. 2020. ISBN 978-604-80-5958-3 89

CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD

LV.15: Bộ Đồ Án Tốt Nghiệp Chuyên Ngành Cơ Khí

65 tài liệu

2428 lượt tải

THÔNG TIN

TRỢ GIÚP

HỖ TRỢ KHÁCH HÀNG

Theo dõi chúng tôi

Chịu trách nhiệm nội dung:

Nguyễn Công Hà - Giám đốc Công ty TNHH TÀI LIỆU TRỰC TUYẾN VI NA

LIÊN HỆ

Địa chỉ: P402, 54A Nơ Trang Long, Phường 14, Q.Bình Thạnh, TP.HCM

Hotline: 093 303 0098

Email: support@tailieu.vn

Giấy phép Mạng Xã Hội số: 670/GP-BTTTT cấp ngày 30/11/2015 Copyright © 2022-2032 TaiLieu.VN. All rights reserved.