Bài giảng Cơ sở kỹ thuật điện tử: Chương 6 - Phân cực cho trasistor hiệu ứng trường (FET)

Chia sẻ: _ _ | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:10

Thêm vào BST

Báo xấu

5
lượt xem 2
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Bài giảng "Cơ sở kỹ thuật điện tử: Chương 6 - Phân cực cho trasistor hiệu ứng trường (FET)" trình bày các nội dung chính sau đây: Mạch phân cực cho JFET; Mạch phân cực cho D-MOSFET; Mạch phân cực cho E-MOSFET. Mời các bạn cùng tham khảo chi tiết nội dung bài giảng!

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Bài giảng Cơ sở kỹ thuật điện tử: Chương 6 - Phân cực cho trasistor hiệu ứng trường (FET)

BỘ GIÁO DỤC VÀO ĐÀO TẠO KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ ĐH Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM Bộ Môn Cơ Sở Kỹ Thuật Điện tử Chương 6: PHÂN CỰC CHO TRASISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG (FET)
NỘI DUNG CHÍNH 6.1 Mạch phân cực cho JFET  Mạch phân cực cố định  Mạch phân cực cầu phân áp  Mạch phân cực hồi tiếp áp 6.2 Mạch phân cực cho D-MOSFET 6.3 Mạch phân cực cho E-MOSFET  Mạch phân cực hồi tiếp  Mạch phân cực cầu phân áp
6.1. Các dạng mạch phân cực cho JFET 6.1.1. Mạch phân cực cố định: IG = 0, ID= IS VDD * Mạch vòng GS: ID VGS  VGG (1) RD C2 Thế (1) vào phương trình Shockley: D VO 2  VGS  C1 I D  I DSS  1   Vi G NJFET  VP  RG S ID1, ID2 1M IS * Mạch vòng DS: VGG VDS = VDD – ID.RD Điểm làm việc tĩnh Q(ICQ, VCEQ) 3
6.1. Các dạng mạch phân cực cho JFET 6.1.2. Mạch tự phân cực: VDD IG = 0, ID= IS ID * Mạch vòng GS: VGS   I D .RS RD Thế VGS vào phương trình Shockley: C2 2 D VO  VGS  C1 I D  I DSS 1   G NJFET  VP  Vi ID1, ID2 RG S IS 1M Chọn nghiệm thoả điều kiện: 0  ID  IDSS RS VP  VGS  0 * Mạch vòng DS: VDS = VDD – ID.(RD+RS) Điểm làm việc tĩnh Q(IDQ, VDSQ) 4
6.1. Các dạng mạch phân cực cho JFET 6.1.3. Mạch phân cực cầu phân áp: IG = 0, ID= IS VDD VG  R2 VDD VGS    I D .RS  VG  R1  R2 ID Thế VGS vào phương trình Shockley: 2  VGS  R1 RD I D  I DSS  1   C2  VP  D VO ID1, ID2 C1 G Vi NJFET Chọn nghiệm thoả: 0  ID  IDSS R2 S IS VP  VGS  0 RS * Mạch vòng DS: VDS = VDD – ID.(RD+RS) Điểm làm việc tĩnh Q(IDQ, VDSQ) 5
6.1. Các dạng mạch phân cực cho JFET 6.1.4. Đường tải một chiều (DCLL)  Biểu diễn quan hệ: ID= f(VDS)|(DC)  Xây dựng bằng cách áp dụng ĐL Kirchhoff cho mạch vòng DS Vdd * Xét đáp ứng DC: tụ  hở mạch Vi= 0 RD * Mạch vòng DS: Vo -VDD + IDRD + VDS + ISRS= 0 RL Vi RG RS VDD 1  ID   VDS RD  RS RD  RS (DCLL) 6
6.2. Mạch phân cực cho D-MOSFEET VDD VDD VDD I R RD D C C R1 R D D V D V C 2 2 D D VO C O C G 2 Vi G NJFE O C G 1 Vi 1 T Vi NJFE RG S RG S 1 T R2 S 1M 1M RS R VGG S Tương tự như JFET, D-MOSFET cũng dùng các dạng mạch phân cực: Cố định, Tự phân cực, Phân cực dùnng cầu phân áp. Lưu ý: VP  VGS 0  ID ID= IS IG= 0 2  VGS  Điểm làm việc tĩnh Q(IDQ, VDSQ) I D  I DSS 1    VP  7
6.3. Mạch phân cực cho E-MOSFEET 6.3.1. Mạch phân cực hồi tiếp: IG= 0  VD= VG Suy ra : VDS= VGS VDD (2) RD Thế (2) vào phương trình: D VO ID1, ID2 RG Thế vào (2) chọn nghiệm ID sao cho VT  VGS VI G S * Mạch vòng DS: Điểm làm việc tĩnh Q(IDQ, VDSQ) 8
6.3. Mạch phân cực cho E-MOSFEET 6.3.2. Mạch phân cực cầu phân áp: IG= 0  VDD (3) RD R1 Thế (3) vào phương trình: D VO ID1, ID2 VI G S Thế vào (3) chọn nghiệm ID sao cho VT  VGS R2 RS Mạch vòng DS: Điểm làm việc tĩnh Q(IDQ, VDSQ) 9