1<br />
<br />
+<br />
<br />
Chương 5<br />
<br />
Bộ nhớ trong<br />
<br />
5.1 Bộ nhớ chính bán dẫn<br />
Tổ chức<br />
DRAM và SRAM<br />
Các loại ROM<br />
Logic Chip<br />
Đóng gói<br />
Tổ chức Module<br />
Bộ nhớ xen kẽ<br />
5.2 Sửa lỗi<br />
5.3 Tổ chức DRAM cải tiến<br />
DRAM đồng bộ<br />
Rambus DRAM<br />
DDR SDRAM<br />
Cache DRAM<br />
<br />
+<br />
<br />
NỘI DUNG<br />
2<br />
<br />
+<br />
<br />
3<br />
<br />
Hoạt động của ô nhớ<br />
<br />
+<br />
<br />
4<br />
<br />
Hoạt động của ô nhớ<br />
<br />
<br />
Ô nhớ là phần tử nhớ được 1 bit thông tin<br />
<br />
<br />
<br />
Tính chất ô nhớ<br />
hai trạng thái ổn định<br />
Có thể ghi/đọc ô nhớ<br />
<br />
<br />
<br />
Các tín hiệu<br />
Tín hiệu select - chọn 1 ô nhớ<br />
Tín hiệu control -chỉ định đọc hoặc ghi<br />
Dữ liệu<br />
Data in: đặt trạng thái ô nhớ<br />
Sense: dữ liệu đầu ra<br />
<br />
5<br />
<br />
Các loại bộ nhớ bán dẫn<br />
Kiểu bộ nhớ<br />
<br />
Random-access<br />
memory (RAM)<br />
Read-only<br />
memory (ROM)<br />
Programmable<br />
ROM (PROM)<br />
<br />
Loại<br />
<br />
Read-write<br />
memory<br />
Read-only<br />
memory<br />
<br />
Erasable PROM<br />
(EPROM)<br />
<br />
Xoá<br />
<br />
Electrically,<br />
byte-level<br />
<br />
Cơ chế ghi<br />
Electrically<br />
<br />
Volatility<br />
Volatile<br />
<br />
Masks<br />
Not possible<br />
<br />
UV light, chiplevel<br />
<br />
Nonvolatile<br />
Electrically<br />
<br />
Electrically Erasable<br />
PROM (EEPROM)<br />
<br />
Read-mostly<br />
memory<br />
<br />
Flash memory<br />
<br />
Electrically,<br />
block-level<br />
Table 5.1 Semiconductor Memory Types<br />
<br />
Electrically,<br />
byte-level<br />
<br />