MẠCH PHÁT XUNG VÀ<br />
TẠO DẠNG XUNG<br />
<br />
Nội dung<br />
Mạch phát xung<br />
Mạch dao động đa hài cơ bản cổng NAND TTL<br />
Mạch dao động đa hài vòng RC<br />
Mạch dao động đa hài thạch anh<br />
Mạch dao động đa hài CMOS<br />
<br />
Trigơ Schmit<br />
Mạch đa hài đợi<br />
Mạch đa hài đợi CMOS<br />
Mạch đa hài đợi TTL<br />
<br />
IC định thời<br />
<br />
Mạch phát xung<br />
Mạch dao động đa hài cơ bản cổng NAND TTL<br />
<br />
Mạch dao động đa hài vòng RC<br />
Mạch dao động đa hài thạch anh<br />
Mạch dao động đa hài CMOS<br />
<br />
Mạch dao động đa hài cơ bản cổng NAND TTL (1)<br />
• Cổng NAND khi làm việc trong vùng chuyển<br />
<br />
tiếp có thể khuếch đại mạnh tín hiệu đầu vào. 2<br />
cổng NAND được ghép điện dung thành mạch<br />
vòng thì có bộ dao động đa hài. VK là đầu vào<br />
điều khiển, khi ở mức cao mạch phát xung, và<br />
khi ở mức thấp mạch ngừng phát.<br />
• Nếu các cổng I và II thiết lập điểm công tác<br />
<br />
tĩnh trong vùng chuyển tiếp và VK = 1, thì mạch<br />
sẽ phát xung khi được nối nguồn.<br />
<br />
Mạch dao động đa hài cơ bản cổng NAND TTL (1)<br />
• Nguyên tắc làm việc của mạch:<br />
• Giả sử do tác động của nhiễu làm cho Vi1 tăng<br />
<br />
một chút, lập tức xuất hiện quá trình phản hồi<br />
dương (hình 6.2a). Cổng I nhanh chóng trở<br />
thành thông bão hoà, cổng II nhanh chóng ngắt,<br />
mạch bước vào trạng thái tạm ổn định. Lúc này,<br />
C1 nạp điện và C2 phóng điện.<br />
• C1 nạp đến khi Vi2 tăng đến ngưỡng thông VT,<br />
trong mạch xuất hiện quá trình phản hồi dương<br />
(hình 6.2b). Cổng I nhanh chóng ngắt còn cổng II<br />
thông bão hoà, mạch điện bước vào trang thái<br />
tạm ổn định mới. Lúc này C2 nạp điện còn C1<br />
phóng cho đến khi Vi1 bằng ngưỡng thông VT<br />
làm xuất hiện quá trình phản hồi dương đưa<br />
mạch về trạng thái ổn định ban đầu.<br />
• Mạch không ngừng dao động<br />
<br />