Báo cáo thí nghiệm điện tử tương tự - Bài 2
lượt xem 43
download
MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÙNG TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (BJT) Điểm đánh giá Chuẩn bị Lý thuyết Báo cáo kết quả TN Kiểm tra Kết quả CBGD nhận xét và ký tên
Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!
Nội dung Text: Báo cáo thí nghiệm điện tử tương tự - Bài 2
- Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT) BÀI 2 : MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÙNG TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (BJT) Điểm đánh giá CBGD nhận xét và ký tên Chuẩn bị Báo cáo Kiểm tra Kết quả Lý thuyết kết quả TN PHẦN I : CÁC CÂU HỎI CHUẨN BỊ Ở NHÀ Căn cứ vào kiến thức đã học ở các môn Điện Tử 1,ĐIện Tử 2,Phần Cơ Sở Lý Thuyết gợi ý của Giáo Trình Hướng Dẫn Thí Nghiệm Điện Tử Tương Tự, và cũng nhằm mục đích hiểu kỹ tiến trình thí nghiệm, kiểm chứng bằng thực nghiệm những kiến thức lý thuyết đã học, sinh viên phải chuẩn bị trước ở nhà những kiến thức sau đây trước khi vào Phòng Thí Nghiệm : I.1. Cho mạch điện cùng các trị số như Hình 2-1. Ngắn mạch các mA kế. Giả thiết các thông số của Transistor C1815 như sau : hfe = = 220, Vγ= 0,5V , bỏ qua điện trở ra 1/hoe. Biến trở P1 được đặt tại điểm giữa. Hình 2-1 Phân cực transistor NPN mắc kiểu CE I.1.1 Tính điểm làm việc tĩnh Q(ICQ, VCEQ) của mạch : .......................................................................................................................................... ............................................................................................................................................ ............................................................................................................................................ ............................................................................................................................................ ............................................................................................................................................ ............................................................................................................................................ I.1.2 Xác định trạng thái hoạt động của BJT : Theo anh (chị), điểm làm việc tĩnh Q của transistor đang được phân cực thuộc vùng nào I C = f (VCE ) I B =const trên họ đặc tuyến ngõ ra : ............................................................................................................................................ ............................................................................................................................................ 11
- Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT) I.2. Cho mạch điện cùng các trị số như Hình 2-2. Ngắn mạch các mA kế. Giả thiết các thông số của Transistor A 1015 như sau : hfe = = 220, Vγ= 0,5V , bỏ qua điện trở ra 1/hoe. Biến trở P1 được đặt tại điểm giữa. Hình 2-2 Phân cực transistor PNP mắc kiểu CE Tính điểm làm việc tĩnh Q(ICQ, VCEQ) của mạch : I.2.1 .......................................................................................................................................... ............................................................................................................................................ ............................................................................................................................................ ............................................................................................................................................ ............................................................................................................................................ ............................................................................................................................................ Xác định trạng thái hoạt động của BJT : I.2.2 Theo anh (chị), điểm làm việc tĩnh Q của transistor đang được phân cực thuộc vùng nào trên họ đặc tuyến ngõ ra : I = f (V ) CE I B = const C ............................................................................................................................................ ............................................................................................................................................ I.3. Cho mạch điện cùng các trị số như Hình 2-3. Giả thiết các thông số của Transistor C1815 như sau : hfe = 220, bỏ qua điện trở ra 1/hoe. Bỏ qua nội trở của nguồn tín hiệu 12
- Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT) Hình 2-3 Khuếch đại xoay chiều (AC) ghép CE dùng BJT-NPN Khảo sát DC : I.3.1 a. Vẽ mạch tương đương DC và xác định điểm làm việc tĩnh Q (ICQ, VCEQ) : ................................................................................................................................................ ................................................................................................................................................ ................................................................................................................................................ ................................................................................................................................................ ................................................................................................................................................ ................................................................................................................................................ ................................................................................................................................................ ................................................................................................................................................ ................................................................................................................................................ ................................................................................................................................................ ................................................................................................................................................ Mạch tương đương DC b. Cho biết trạng thái hoạt động của transistor : ................................................................................................................................................ ................................................................................................................................................ ................................................................................................................................................ ................................................................................................................................................ ................................................................................................................................................ ................................................................................................................................................ ................................................................................................................................................ I.3.2 Khảo sát AC của mạch khuếch đại ở dãy tần giữa : a. Vẽ mạch tương đương AC ở dãy tần giữa của mạch : b. Viết công thức và tính các thông số sau của mạch : - Tổng trở vào Zi : ................................................................................................................................................ - Tổng trở ra Zo : ................................................................................................................................................ - Độ lợi dòng điện Ai : ................................................................................................................................................ 13
- Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT) - Độ lợi điện áp Av : ................................................................................................................................................ I.4. Cho mạch điện cùng các trị số như Hình 2-4. Ngắn mạch J2, J3, J5 để khảo sát mạch Darlington. Giả thiết hfe Transistor T1 C1815 là : hfe = 220 và của Transistor T2 H1061 là hfe = 100. Biến trở P1 đặt ở giữa. Mạch tương đương DC Hình 2-4: Khuếch đại ghép Darlington Vẽ mạch tương đương DC và xác định hệ số khuếch đại dòng β của toàn mạch : ...................................................................................................................................................... ...................................................................................................................................................... ...................................................................................................................................................... ...................................................................................................................................................... ...................................................................................................................................................... PHẦN II : KẾT QUẢ THỰC NGHIỆM Phần này bao gồm các kết quả và số liệu thu nhận được từ thực nghiệm của Phần II : Tiến Trình Thí Nghiệm (trong Giáo Trình Thí Nghiệm) và nhận xét của sinh viên khi đối chiếu với lý thuyết đã học. II.1. PHÂN CỰC BJT NPN Phân cực : II.1.1. Vẽ lại sơ đồ nguyên lý của mạch: Bảng A2-1 Thông số Thông số tính toán Nhận xét Thông số hiệu cần đo chỉnh β = hfe VR2 Trạng thái hoạt động của V − VCE VR 2 (Điện áp VCE) [V] BJT (Ngưng dẫn, Khuếch IB = [A] I C = CC [ A ] = Ic / Ib [V] R 3 + P2 R2 đại, Bão hòa) ≈ 12 5.5 ÷ 6.5 0.1 ÷ 0.2 14
- Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT) Cho biết điểm làm việc tĩnh Q trong cả 3 trường hợp phân cực nêu trên II.1.2. của VCE : Q1(ICQ, VCEQ) Trạng thái hoạt động Q1(ICQ1, VCEQ1) Q2(ICQ2, VCEQ2) Q3(ICQ3, VCEQ3) II.2. PHÂN CỰC BJT PNP: Phân cực : II.2.1. Vẽ lại sơ đồ nguyên lý của mạch Bảng A2-2 Thông số Thông số tính toán Nhận xét Thông số hiệu cần đo chỉnh β = hfe VR2 Trạng thái hoạt động của V − VCE V (Điện áp VCE) [V] BJT (Ngưng dẫn, Khuếch I B = R 2 [A] I C = CC [ A ] = Ic / Ib [V] R 3 + P2 R2 đại, Bão hòa) ≈ -12 -5.5 ÷ -6.5 -0.1 ÷ -0.2 Cho biết điểm làm việc tĩnh Q trong cả 3 trường hợp phân cực nêu trên II.2.2. của VCE : Q1(ICQ, VCEQ) Trạng thái hoạt động Q1(ICQ1, VCEQ1) Q2(ICQ2, VCEQ2) Q3(ICQ3, VCEQ3) II.3. MẠCH KHUẾCH ĐẠI GHÉP CE: Khảo sát DC: II.3.1. Xác định điểm làm việc tĩnh Q(ICQ, VCEQ) của mạch : - Đo điện áp VCEQ = ........................................................ - Đo điện áp tại điểm A : VA = ........................................................ - Tính dòng : VA − VCEQ I CQ = = -------------------- R4 + R5 ⇒ Điểm làm việc tĩnh Q(ICQ, VCEQ) = ............................................................... Cho biết trạng thái hoạt động của BJT : ………………………………………… 15
- Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT) Khảo sát đặc tính khuếch đại ở dãy tần giữa : II.3.2. Bảng A2-3 Thông số cần đo Trị số điện áp vào VIN (p-p) = 30 mV VOUT VOUT(p-p) Độ lợi điện áp Av = VIN(p-p) Độ lệch pha ΔΦ Quan sát trên dao động ký và vẽ trên cùng một hệ trục tọa độ dạng tín hiệu điện áp ngõ vào (VIN) và tín hiệu điện áp ngõ ra (VOUT) trong trường hợp : Khi VIN = 30 mV ♦ Nhận xét về các đặc trưng của mạch khuếch đại CE (về hệ số khuếch đại dòng β, hệ số khuếch đại áp Av, độ lệch pha ΔΦ) .................................................................................................................................... .................................................................................................................................... .................................................................................................................................... .................................................................................................................................... .................................................................................................................................... .................................................................................................................................... .................................................................................................................................... .................................................................................................................................... .................................................................................................................................... Khảo sát đáp ứng tần số của mạch khuếch đại : II.3.3. II.3.3.A. Đọc biên độ đỉnh - đỉnh VOUT(pp) tại ngõ ra. Ghi nhận độ lợi Av tại f = 1KHz VOUT(p-p) Độ lợi điện áp Av = = VIN(p-p) II.3.3.B. Giữ nguyên biên độ điện áp tín hiệu vào VIN (pp) = 30mV. Đo biên độ đỉnh - đỉnh tại ngõ ra VOUT(pp), ghi nhận độ lợi Av tại các tần số khảo sát vào bang A 2-4. Bảng A2- 4 Tần số 100Hz 200Hz 1Khz 10Khz 20Khz 50Khz 100Khz Biên độ VOUT(p-p) (V) Av 16
- Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT) II.3.3.C. Vẽ biểu đồ Bode thể hiện quan hệ Biên độ – Tần số theo Bảng A2- 4 (Av theo tần số f) |AV | 0 f (Hz) fCL = ………………………….. Xác định tần số cắt dưới theo thực nghiệm : II.4. MẠCH KHUẾCH ĐẠI GHÉP CC Khảo sát chế độ DC : II.4.1. Chỉ dùng 1 BJT (T1- NPN C1815) - Tải R5= 100Ω II.4.1.A. ♦ Vẽ lại sơ đồ nguyên lý của mạch khi ngắn mạch J1, J5: Bảng A2- 5 Thông số cần đo Thông số tính toán VR2 [V] VOUT [V] VR 2 VR 5 β = hfe = Ic / Ib IB = IC = [A] [ A] R2 R5 0,05V 0,1V ♦ Dựa vào kết qủa bảng A2- 5, nhận xét gì về hệ số khuếch đại dòng điện β của mạch ghép CC với mạch ghép CE (Cùng dùng chung một loại BJT C1815-NPN) ở phần thí nghiệm II.1 ở bảng A2-1 (khi BJT hoạt động chế độ khuếch đại) ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... 17
- Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT) II.4.1.B. Ghép Darlington 2 BJT (T1- NPN C1815 và T2 – NPN C1061) - Tải R5= 100Ω ♦ Vẽ lại sơ đồ nguyên lý của mạch khi ngắn mạch J2, J3, J5: Bảng A2-6 Thông số cần đo Thông số tính toán β = hfe = Ic / Ib VR2 [V] VR5 [V] VR 5 VR 2 IB = IC = [A] [ A] R2 R5 0,05V 0,1V ♦ Trên cơ sở đo hệ số khuếch đại dòng β , so sánh kết quả đo giữa tầng lặp lại đơn ở bảng A2-5 và tầng lặp lại Darlington của bảng A2-6. Giải thích sự khác nhau về 2 cách ghép này : ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... Khảo sát chế độ AC : II.4.2. Chỉ dùng 1 BJT (T1- NPN C1815) - Tải 100Ω II.4.2.A. Bảng A2-7 Thông số cần đo Trị số điện áp vào VIN (p-p) = 100 mV VOUT VOUT(p-p) Độ lợi điện áp Av1 = VIN(p-p) Độ lệch pha ΔΦ ♦ Quan sát trên dao động ký và vẽ trên cùng một hệ trục tọa độ dạng tín hiệu điện áp ngõ vào (VIN) và tín hiệu điện áp ngõ ra (VOUT) ) (chú ý biên độ và pha) : 18
- Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT) ♦ Giữ nguyên biên độ và tần số ngõ vào. Thay tải R5 bằng các tải R4 và R6, xác định VOUT. Tính hệ số khuếch đại Av khi dùng các tải khác nhau, ghi kết quả vào bảng A2-8 . Bảng A2-8 Tải VIN (p-p) VOUT (p-p) Độ lợi điện áp Av R4 =1K R5 = 100 R6 = 5,1K ♦ Kết luận về vai trò tầng đệm CC ? ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... ♦ Nhận xét về các đặc trưng của mạch khuếch đại CC (về hệ số khuếch đại dòng β, hệ số khuếch đại áp Av, độ lệch pha ΔΦ) ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... II.4.2.B. Ghép Darlington 2 BJT (T1- NPN C1815 và T2 – NPN C1061) - Tải 100Ω: Bảng A2-9 Thông số cần đo Trị số điện áp vào VIN (p-p) = 100 mV VOUT VOUT(p-p) Độ lợi điện áp Av2 = VIN(p-p) Độ lệch pha ΔΦ ♦ Quan sát trên dao động ký và vẽ trên cùng một hệ trục tọa độ dạng tín hiệu điện áp ngõ vào (VIN) và tín hiệu điện áp ngõ ra (VOUT) (chú ý biên độ và pha) : 19
- Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT) ♦ Trên cơ sở đo hệ số khuếch đại dòng và hệ số khuếch đại thế, so sánh kết quả đo giữa tầng lặp lại đơn và tầng lặp lại Darlington. ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... MẠCH KHUẾCH ĐẠI GHÉP CB (Mạch A2-5B) II.5. Vẽ lại sơ đồ mạch nguyên lý Đo hệ số truyền dòng α : II.5.1. Bảng A2-10 Dòng Ie /T1 (Chỉnh P1) Dòng Ic / T1 1 Ie1 = 1 mA Ic1 = ……………………mA 2 Ie2 = 2 mA Ic2 = …………………..mA Tính hệ số truyền dòng: α = (Ic2 - Ic1) / (Ie2 - Ie1) = ………………………… Khảo sát chế độ AC : II.5.2. Đo các giá trị VOUT, độ lệch pha ΔΦ ghi vào bảng A2-11, tính Av. II.5.2.A. Bảng A2-11 Thông số cần đo Trị số điện áp vào VIN (p-p) = 100 mV VOUT VOUT(p-p) Độ lợi điện áp Av = VIN(p-p) Độ lệch pha ΔΦ 20
- Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Lưỡng Cực (BJT) II.5.2.B. Quan sát trên dao động ký và vẽ trên cùng một hệ trục tọa độ dạng tín hiệu điện áp ngõ vào (VIN) và tín hiệu điện áp ngõ ra (VOUT) ) (chú ý biên độ và pha) : II.5.2.C. Tính hệ số khuếch đại Av khi có tải (Ura có nối J4) và khi không có tải (Ura không nối J4), ghi kết quả vào bảng A2-12 . Bảng A2-12 Tải VIN (p-p) VOUT (p-p) Độ lợi điện áp Av Không nối J4 Nối J4 II.5.2.D. So sánh sự mất mát biên độ xung khi nối chốt tải cho 3 bộ khuếch đại emitter chung, collector chung và base chung. Kết luận sơ bộ về khả năng ứng dụng của mỗi loại. ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... ................................................................................................................................... 21
CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD
-
Báo cáo thí nghiệm Điều chỉnh tự động truyền động điện
39 p | 652 | 208
-
Báo cáo thí nghiệm - Truyền động điện phần lý thuyết
8 p | 642 | 162
-
Báo cáo thí nghiệm Lý thuyết điều khiển tự động 1
23 p | 432 | 130
-
BÁO CÁO THÍ NGHIỆM CƠ SỞ TRUYỀN ĐỘNG ĐIỆN 2
13 p | 499 | 128
-
Báo cáo thí nghiệm điện tử công suất 1
0 p | 504 | 98
-
Báo cáo thí nghiệm Thông tin số - ĐTVT Bách Khoa Hà Nội k57
19 p | 502 | 90
-
Báo cáo thí nghiệm cơ sở truyền động điện
13 p | 436 | 69
-
Báo cáo thí nghiệm điện tử tương tự - Bài 1
11 p | 728 | 64
-
Báo cáo thí nghiệm điện tử tương tự-Bài 6 : Mạch Khuếch Đại Dùng Transistor Trường (FET)
8 p | 278 | 31
-
Báo cáo thí nghiệm điện tử tương tự - Bài 4
10 p | 323 | 30
-
Báo cáo thí nghiệm điện tử tương tự-Bài 2 : Mạch Khuếch Đại Dùng
11 p | 359 | 30
-
Báo cáo thí nghiệm điện tử tương tự - Bài 5
6 p | 191 | 28
-
Báo cáo thí nghiệm điện tử tương tự- Bài 1 : Diode bán dẫn
10 p | 304 | 27
-
Báo cáo thí nghiệm điện tử tương tự - Bài 3
9 p | 186 | 26
-
Báo cáo thí nghiệm điện tử tương tự - Bài 7
11 p | 168 | 23
-
Báo cáo thí nghiệm điện tử tương tự - Bài 6
8 p | 155 | 22
-
Báo cáo thí nghiệm Điện tử công suất - ThS. Bùi Hữu Hiên
90 p | 41 | 6
Chịu trách nhiệm nội dung:
Nguyễn Công Hà - Giám đốc Công ty TNHH TÀI LIỆU TRỰC TUYẾN VI NA
LIÊN HỆ
Địa chỉ: P402, 54A Nơ Trang Long, Phường 14, Q.Bình Thạnh, TP.HCM
Hotline: 093 303 0098
Email: support@tailieu.vn