kỹ thuật điện tử (Nguyễn Duy Nhật Viễn) - Chương 3: BJT và ứng dụng

Chia sẻ: Nguyen Van Cuong | Ngày: | Loại File: PPT | Số trang:79

Thêm vào BST

Báo xấu

454
lượt xem 117
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

BJT (Bipolar Junction Transistors) Cho 3 lớp bán dẫn tiếp xúc công nghệ liên tiếp nhau. Các cực E: Emitter, B: Base, C: Collector. Điện áp giữa các cực dùng để điều khiển dòng điện. Đường tải tĩnh và điểm làm việc tĩnh của BJT. Đường tải tĩnh được vẽ trên đặc tuyến tĩnh của BJT.Điểm làm việc tĩnh nằm trên đường tải tĩnh ứng với khi không có tín hiệu vào (xác định chế độ phân cực cho BJT). Điểm làm việc tĩnh nằm càng gần trung tâm KL càng ổn định...

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: kỹ thuật điện tử (Nguyễn Duy Nhật Viễn) - Chương 3: BJT và ứng dụng

Kỹ thuật điện tử thu Nguyễn Duy Nhật Viễn
Chương 3 Ch BJT và ứng dụng
Nội dung Cấu tạo BJT   Các tham số của BJT  Phân cực cho BJT  Mạch khuếch đại dùng BJT  Phương pháp ghép các tầng khuếch đại  Mạch khuếch đại công suất
Cấu tạo BJT
BJT (Bipolar Junction Transistors) BJT Cho 3 lớp bán dẫn tiếp xúc công nghệ liên tiếp  nhau. Các cực E: Emitter, B: Base, C: Collector.  Điện áp giữa các cực dùng để điều khiển dòng  điện.
Hai loại BJT Hai NPN PNP n p n p n p E C E C C C Cấu tạo Cấu tạo B B B B Ký hiệu Ký hiệu E E
Nguyên lý hoạt động Nguyên Xét BJT NPN  E=E +E E E I I N P N E C B I R R E E
Nguyên lý hoạt động Nguyên Từ hình vẽ:  IE = IB + IC  Định nghĩa hệ số truyền đạt dòng điện:  α = IC /IE.  ĐỊnh nghĩa hệ số khuếch đại dòng điện:  β = IC / IB.  Như vậy,  β = IC / (IE –IC) = α /(1- α);  α = β / (β +1).  Do đó,  IC = α IE;  IB = (1-α) IE;  β ≈ 100 với các BJT công suất nhỏ. 
Chiều dòng, áp của các BJT Chi - + + - E C E C - - + + + + - - B B npn pnp I E = I B + IC I E = I B + IC VCE = -VBC + VBE VEC = VEB - VCB
Ví dụ Ví Cho BJT như hình vẽ.  C Với IB = 50 µ A , IC = 1 mA  Tìm: IE , T và α  + _ Giải: B  IE = IB + IC = 0.05 mA + 1 mA = 1.05 mA  I = IC / IB = 1 mA / 0.05 mA = 20  + _ α = IC / IE = 1 mA / 1.05 mA = 0.95238  α còn có thể tính theo ể .  E α= = = 20 = 0.95238  +1 21 
Đặc tuyến tĩnh của BJT I mA Vùng bão hòa C Vùng tích Vùng I U R cự c µA V Q R B CE C B E E Giữ giá trị IB không đổi, thay đổi EC, xác định IC, ta có:  C B IC=f(UCE)  IB=const
Các tham số của Các BJT
BJT như một mạng 4 cực BJT Xét BJT NPN, mắc theo kiểu E-C  2 I2=IC I1=IB 1 U2=UCE U 1=UBE 2' 1' 1 2 I1 I2 U1 U2 Mạng 4 cự c 1' 2'
Tham số trở kháng zik Tham Hệ phương trình: z11: Trở kháng vào của   BJT khi hở mạch ngõ ra. U1=z11I1+z12I2.  U2=z21I1+z22I2. z12: Trở kháng ngược của   Ở dạng ma trận: BJT khi hở mạch ngõ  vào. U1 z11 z12 I2 .  z21: Trở kháng thuận của U2 z21 z22 I2 .   BJT khi hở mạch ngõ ra. z11=U1 z12=U1  , , z22: Trở kháng ra của BJT  I1 I2=0 I2 I1=0  khi hở mạch ngõ vào. z21=U2 z22=U2  , , I1 I2=0 I2 I1=0 
Tham số dẫn nạp yik Tham Hệ phương trình: y11: Dẫn nạp vào của BJT   khi ngắn mạch ngõ ra. I1=y11U1+y12U2.  I2=y21U1+y22U2. y12: Dẫn nạp ngược của   Ở dạng ma trận: BJT khi ngắn mạch ngõ  vào. I1 y11 y12 U2 .  y21: Dẫn nạp thuận của I2 y21 y22 U2 .   BJT khi ngắn mạch ngõ y11= I1 y12=I1  , , ra. U1 U2=0 U2 U1=0  y22: Dẫn nạp ra của BJT  y21= I2 y22= I2  , , khi ngắn mạch ngõ vào. U1 U2=0 U2 U1=0 
Tham số hỗn hợp hik Tham h11: Trở kháng vào của Hệ phương trình:   BJT khi ngắn mạch ngõ U1=h11I1+h12U2.  ra. I2 =h21I1+h22U2.  h12: Hệ số hồi tiếp điện Ở dạng ma trận:   áp của BJT khi hở mạch U1 h11 h12 I2 .  ngõ vào. I2 h21 h22 U2 .  h21: Hệ số khuếch đại  h11=U1 , h12=U1  , dòng điện của BJT khi I1 U2=0 U2 I1=0  ngắn mạch ngõ ra. h21=I2 h22=I2  h22: Dẫn nạp ra của BJT , ,  I1 U2=0 U2 I1=0  khi hở mạch ngõ vào.
Phân cực cho BJT Phân
Phân cực cho BJT Phân Cung cấp điện áp một chiều cho các cực của  BJT. Xác định chế độ họat động tĩnh của BJT.  Chú ý khi phân cực cho chế độ khuếch đại:   Tiếp xúc B-E được phân cực thuận.  Tiếp xúc B-C được phân cực ngược. Vì tiếp xúc B-E như một diode, nên để phân cực  cho BJT, yêu cầu VBE≥ Vγ . với BJT Ge: Vγ ~0.3V  Đối  Đối với BJT Si: Vγ ~0.6V
Đường tải tĩnh và điểm làm việc tĩnh của BJT IB=max Đường tải tĩnh được vẽ  Đư ờ ng Ic(mA) trên đặc tuyến tĩnh của tải tĩnh BJT. Quan hệ: IC=f(UCE). VCC/RC Điểm làm Điểm làm việc tĩnh nằm K  việc tĩnh IBQ trên đường tải tĩnh ứng ICQ với khi không có tín hiệu Q(UCEQ, ICQ) vào (xác định chế độ phân cực cho BJT). IB=0 Điểm làm việc tĩnh nằm  L UCE(V) càng gần trung tâm KL UCEQ VCC càng ổn định.
Phân cực bằng dòng cố định Phân VCC II Xét phân cực cho BJT NPN RC  IC Áp dụng KLV cho vòng I:  RB II U CE Q  IB=(VB-UBE)/RB. IB UBE VB I I Áp dụng KLV cho vòng II:   UCE=VCC-ICRC. VCC II RC IC RB II Q UCE IB UBE I