Phún xạ phần 3

Chia sẻ: Danh Ngoc | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:8

Thêm vào BST

Báo xấu

147
lượt xem 31
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Tham khảo tài liệu 'phún xạ phần 3', kỹ thuật - công nghệ, năng lượng phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Phún xạ phần 3

Phún xạ (tiếp) Cải thiện việc sử dụng bia nhờ thay đổi hình dạng các nam nam châm (tiếp) châm p) Đại học Bách khoa Hà Nội Bá Hà 2/2/2006 21 21
Phún xạ (tiếp) Magnetron không cân bằng Đại học Bách khoa Hà Nội Bá Hà 2/2/2006 22 22
Phún xạ (tiếp) Các loại magnetron Magnetron các loại khác nhau cho phép thay đổi các tính chất từ trường của nguồn với các hiệu ứng được tạo ra như sau: Unbalance (Không cân bằng): Bằng cách thay đổi góc ra của các đường sức từ Unbalance trường trong các magnetron không cân bằng có thể điều chỉnh số lượng điện tử được tr thoát ra, do đó, cả mức độ bắn phá ion đối với màng mỏng được tạo thành. tho nh. Balance (Cân bằng): Dùng để giảm thiểu lượng năng lượng bổ sung cho màng mỏng Balance ng mọc trên đế và tạo ra điều kiện bắn phá ion thấp. p. Field Strength (Cường độ từ trường): Thay đổi cường độ từ trường để điều chỉnh nh cường độ và hiệu điện thế phóng điện. Có thể sử dụng để bù trừ với thay đổi điện áp gây ra bởi hiện tượng ăn mòn bia trong quá trình phún xạ. gây Magnetic Field Shape (Phân bố từ trường): Thay đổi phân bố từ trường trong không Magnetic ng gian gây ra sự biến đổi tương tác giữa plasma với anode nhằm điều chỉnh áp suất làm gian nh viiệc cực tiểu. v u. Đại học Bách khoa Hà Nội Bá Hà 2/2/2006 23 23
Phún xạ (tiếp) Cơ chế lấp đầy các rãnh, bước trong màng mỏng phún xạ Năng lượng của các nguyên tử tới bề mặt màng ~ 1 – 15 eV. ng Các nguyên tử vật liệu màng bị bứt ra do ra quá trình bắn phá bởi các ion Ar + sẽ lại tái qu lắng đọng sau khi truyền bớt động năng cho ng các nguyên tử khác trong màng và tìm được vị trí có lợi về mặt năng lượng. ng. Quãng đường tự do trung bình của các nguyên tử tới được tính theo công thức thực nguyên nghiệm: nghi m: L (cm) = 5x10-3/P (torr) (cm) /P Đại học Bách khoa Hà Nội Bá Hà 2/2/2006 24 24
Phún xạ (tiếp) Vi cấu trúc của các màng mỏng phún xạ Đại học Bách khoa Hà Nội Bá Hà 2/2/2006 25 25
Phún xạ (tiếp) Thiết bị phún xạ trong công nghiệp Đại học Bách khoa Hà Nội Bá Hà 2/2/2006 26 26
Phún xạ (tiếp) Các ưu điểm của phương pháp phún xạ Tốc độ mọc màng cao Diện tích của màng mỏng lớn, với độ đồng đều cao Có tính bám dính tốt giữa các vật liệu màng mỏng và đế nên có thể thay đổi ứng suất trong màng mỏng Có thể tạo màng phún xạ kim loại, điện môi hay bán dẫn Có thể tạo màng phún xạ với các vật liệu hợp chất thích hợp Đại học Bách khoa Hà Nội Bá Hà 2/2/2006 27 27
Cám ơn đã theo dõi !!! !!! Mọi góp ý, bổ sung xin gửi đến: Dr. Le Tuan Hanoi University of Technology Institute of Engineering Physics Dept. of Electronic Materials 2nd Floor, C9 Building 1 Dai Co Viet Str., Hanoi, Vietnam Mobile: 0912 560 536 E-mail: le.tuan@vnn.vn Đại học Bách khoa Hà Nội Bá Hà 2/2/2006 28 28