Kỹ thuật siêu cao tần & Ra đa<br />
<br />
PHƯƠNG PHÁP ĐIỀU CHỈNH PHỐI HỢP TRONG BỘ CỘNG<br />
CÔNG SUẤT BĂNG TẦN X SỬ DỤNG CẦU T KÉP<br />
Trịnh Xuân Thọ*, Phạm Hữu Lập, Đinh Trọng Quang<br />
<br />
Tóm tắt: Bài báo trình bày kết quả nghiên cứu, đánh giá phương pháp điều<br />
chỉnh phối hợp cho bộ cộng công suất cao băng tần X sử dụng cầu T kép (Magic<br />
Tee). Trên cơ sở ứng dụng lý thuyết siêu cao tần, các kết quả mô phỏng trên phần<br />
mềm cùng sản phẩm chế tạo thực tế đã chứng minh phương pháp này hoàn toàn có<br />
thể áp dụng để chế tạo một bộ cộng công suất dải rộng với hiệu suất cộng cao.<br />
Từ khóa: Cộng công suất băng tần X, Cầu T kép, Phối hợp.<br />
<br />
1. ĐẶT VẤN ĐỀ<br />
Hệ thống phát của đài ra đa luôn là một vấn đề quan trọng trong nhiệm vụ thiết<br />
kế, chế tạo ra đa. Bởi việc nâng cao công suất phát cao tần không phải là việc dễ<br />
dàng. Đặc biệt, đối với những đài ra đa hiện đại sử dụng hệ thống phát bán dẫn, khi<br />
tần số càng cao thì công suất giới hạn của các linh kiện bán dẫn đơn lẻ càng thấp.<br />
Ở băng tần X, khi giới hạn công suất thấp (vài chục watt) có thể sử dụng các<br />
phương pháp cộng công suất trên mạch in như: Wilkinson, hybrid, … Tuy nhiên,<br />
khi yêu cầu công suất cao hàng trăm watt trở lên không thể thực hiện các phương<br />
pháp, do công nghệ bán dẫn và công nghệ mạch in chưa đạt đến công suất giới hạn<br />
cao như vậy [1]-[6].<br />
Qua nghiên cứu, tìm hiểu các đài ra đa hiện đại băng tần X quân đội ta mới<br />
nhập về cho thấy: với công suất phát từ vài trăm watt đến hàng kW, trong hệ thống<br />
phát sẽ sử dụng các phần tử cơ khí siêu cao tần làm bộ cộng để cộng công suất từ<br />
các mô đun bán dẫn đơn lẻ để được công suất tổng theo yêu cầu. Chính vì vậy, để<br />
chủ động trong thiết kế, chế tạo hệ thống phát bán dẫn băng tần X công suất cao<br />
theo định hướng nghiên cứu, phát triển ra đa của quân đội ta việc nghiên cứu, thiết<br />
kế bộ cộng công suất, từ đó tìm giải pháp nâng cao hiệu suất cộng công suất trên<br />
các phần tử cơ khí siêu cao tần là hết sức cần thiết.<br />
Bài báo này nghiên cứu, ứng dụng một phương pháp phối hợp và điều chỉnh<br />
phối hợp trong bộ cộng công suất cao băng tần X sử dụng cầu T kép. Dựa trên các<br />
lý thuyết về siêu cao tần và các công cụ mô phỏng, bài báo sẽ trình bày sự ảnh<br />
hưởng của các phần tử phối hợp đối với hiệu suất cộng công suất. Quá trình mô<br />
phỏng, điều chỉnh và tối ưu tập trung vào tần số từ (8.9÷9.6) GHz, là băng tần của<br />
một số đài ra đa hiện đại hiện nay.<br />
2. NỘI DUNG CẦN GIẢI QUYẾT<br />
2.1. Lý thuyết tổng quan về cầu T kép<br />
Cầu T kép là một mạng 8 cực, được hình thành từ việc ghép 2 chạc ba vuông<br />
góc kiểu H (3-T-H) và kiểu E (3-T-E) có chung mặt phẳng đối xứng P. Chính vì<br />
<br />
<br />
108 T. X. Thọ, P. H. Lập, Đ. T. Quang, “Phương pháp điều chỉnh… cầu T kép.”<br />
Nghiên cứu khoa học công nghệ<br />
<br />
vậy, cầu T kép mang tính chất của cả 2 loại chạc ba này. Hình 1 thể hiện một cầu T<br />
kép với que dò và tấm chắn là các phần tử phối hợp.<br />
Nếu các mặt phẳng đầu cuối của các ống dẫn sóng đồng nhất (1) và (2) được<br />
chọn một cách đối xứng, ma trận trở kháng và mạch tương đương của cầu T kép<br />
được mô tả trong hình 2 [1].<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
Hình 1. Hình dạng cơ khí cầu T kép.<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
Hình 2. Ma trận trở kháng và mạch tương đương của cầu T kép.<br />
Một số tính chất chính của cầu T kép lý tưởng:<br />
- Nếu truyền sóng H10 vào cổng E thì tại cổng (1) và (2) có 2 sóng đồng biên,<br />
ngược pha, còn trong cổng H không có sóng ra.<br />
- Nếu truyền sóng H10 vào cổng H thì tại cổng (1) và (2) có 2 sóng đồng biên,<br />
đồng pha, còn trong cổng E không có sóng ra.<br />
- Khi kích thích sóng H10 vào cổng 1 hoặc cổng 2 thì sẽ có 2 sóng ra đồng biên<br />
ở cổng E và H mà không ra cổng còn lại.<br />
- Khi kích thích đồng thời vào cổng 1 và 2 các sóng H10 đồng pha thì tại cổng<br />
H có sóng ra với biên độ là tổng biên độ tại cổng 1 và 2. Sóng tại cổng E có<br />
biên độ là hiệu biên độ của các sóng tại cổng 1 và 2. Nếu sóng tại cổng 1 và<br />
2 ngược pha thì ở cổng H là cổng hiệu và cổng E là cổng tổng. Đây là tính<br />
chất quan trọng để áp dụng thiết kế bộ cộng công suất.<br />
Khi tại điểm rẽ nhánh của cầu T kép không được phối hợp hoàn toàn, tồn tại<br />
phần năng lượng phản xạ ở các cổng. Sự phản xạ này gây nên 2 điểm bất lợi cho<br />
phần tử T kép, đó là:<br />
Thứ nhất, chính là phần năng lượng tổn hao vô ích không truyền đến tải.<br />
<br />
<br />
Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số Đặc san Ra đa, 08 - 2016 109<br />
Kỹ thuật siêu cao tần & Ra đa<br />
<br />
Thứ hai, phần năng lượng phản xạ sẽ ảnh hưởng đến các tầng đầu vào là các bộ<br />
khuếch đại công suất, nếu phản xạ quá lớn có thể làm giảm chất lượng hoặc hỏng<br />
các tầng này.<br />
Khi cầu T kép là một mạng 8 cực không tổn hao, thuận nghịch và được phối<br />
hợp ở tất cả các cổng thì ma trận tán xạ S của nó dạng gọn như sau [4]:<br />
0 0 1 i<br />
i<br />
1 0 0 -1<br />
S = <br />
2 1 -1 0 0<br />
<br />
i i 0 0<br />
Như vậy, cầu T kép được phối hợp hoàn toàn ở các nhánh, đồng thời giữa<br />
nhánh 1 và nhánh 2 cũng cách ly điện. Như vậy, trong trường hợp lý tưởng, cầu T<br />
kép được phối hợp hoàn toàn thì sẽ không có sự truyền sóng giữa cổng 1 và cổng<br />
2, hay giữa cổng H và cổng E.<br />
2.2. Phương pháp phối hợp trong cầu T kép<br />
Như đã trình bày ở trên, để nâng cao hiệu suất cộng công suất thì bộ cộng phải<br />
đảm bảo không tổn hao và phối hợp ở tất cả các cổng. Cầu T kép đơn thuần là một<br />
mạng 8 cực chưa được phối hợp. Chính vì vậy, cần nghiên cứu thực hiện các<br />
phương pháp phối hợp và điều chỉnh phối hợp cho cầu T kép. Các phương pháp<br />
phối hợp đề cập ở đây chính là cách sử dụng thêm một số phần tử đưa vào để phối<br />
hợp cho cầu T kép.<br />
Ở phạm vi bài báo sử dụng các phần tử phối hợp là que dò và tấm chắn (hình 1).<br />
Cơ chế phối hợp của 2 phần tử này:<br />
- Que dò đặt vuông góc với thành rộng của nhánh H tạo ra sự phối hợp<br />
hoàn toàn ở cổng H và phối hợp một phần cho cổng E.<br />
- Tấm chắn đặt ở thành hẹp của nhánh nhánh E, kết hợp với que dò tạo ra<br />
sự phối hợp hoàn toàn cho cổng E.<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
Hình 3. Phối hợp bằng que dò trong T kép.<br />
Que dò thường là hình nón cụt (hình 3). Tuy nhiên, để đơn giản hóa trong cấu<br />
trúc, đơn giản cho gia công cơ khí, ta thực hiện rời rạc hóa hình nón thành kết cấu<br />
<br />
<br />
110 T. X. Thọ, P. H. Lập, Đ. T. Quang, “Phương pháp điều chỉnh… cầu T kép.”<br />
Nghiên cứu khoa học công nghệ<br />
<br />
nhảy bậc, tức là que dò sẽ gồm nhiều hình trụ với đường kính khác nhau đặt nối<br />
tiếp, đồng trục theo chiều giảm dần của đường kính. Điều này sẽ cho ra kết quả<br />
khác đôi chút so với việc dùng hình nón, nhưng quá trình điều chỉnh đường kính,<br />
độ dài các que dò hình trụ ta sẽ thu được kết quả mong muốn.<br />
Trong thực tế, rất khó để xây dựng được một công thức tính toán cụ thể các<br />
tham số tán xạ S theo bộ tham số các phần tử phối hợp. Chính vì vậy, cần phải có<br />
quá trình điều chỉnh phối hợp để thu được kết quả đạt yêu cầu người thiết kế đặt ra<br />
trước đó. Quá trình điều chỉnh này được thực hiện trên phần mềm thiết kế siêu cao<br />
tần. Đối tượng điều chỉnh là bộ tham số của các phần tử phối hợp, bao gồm: kích<br />
thước 3 chiều và vị trí của chúng.<br />
3. MÔ PHỎNG, TÍNH TOÁN, THẢO LUẬN<br />
3.1. Các tham số đầu vào<br />
Bộ cộng dùng cầu T kép với các tham số cụ thể:<br />
- Kích thước ống dẫn sóng: Chuẩn WR-90.<br />
- Vật liệu: Nhôm.<br />
3.2. Phương pháp, công cụ mô phỏng<br />
Ví dụ dưới đây trình bày quá trình điều chỉnh phối hợp trên phần mềm mô<br />
phỏng cao tần CST (Computer Simulation Technology). Để có thể thấy rõ vai trò<br />
của các phần tử phối hợp, ta so sánh với cầu T kép khi chưa được phối hợp.<br />
Như đã trình bày ở mục 2.2, phần tử phối hợp là que dò và tấm chắn. Vì quá<br />
trình điều chỉnh các tham số của que dò (chiều cao, đường kính, vị trí) và các tấm<br />
chắn (vị trí, kích thước 3 chiều) có thể sẽ phải lặp đi lặp lại nhiều lần cho đến khi<br />
bộ cộng thỏa mãn yêu cầu của người thiết kế. Vì vậy, bộ tham số ban đầu của các<br />
phần tử phối hợp có thể lựa chọn bất kỳ. Ở đây, tác giả chọn vị trí ban đầu của que<br />
dò là tâm của vùng chuyển tiếp, đặt sát ở thành rộng của nhánh 3-T-H. Còn các<br />
tấm chắn đặt ở một phía của thành hẹp trên nhánh E.<br />
3.3. Kết quả mô phỏng<br />
a. Cầu T kép khi chưa phối hợp<br />
Cầu T kép khi chưa phối hợp được thiết kế trên phần mềm CST (hình 4):<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
Hình 4. Cầu T kép khi chưa phối hợp.<br />
<br />
<br />
Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số Đặc san Ra đa, 08 - 2016 111<br />
Kỹ thuật siêu cao tần & Ra đa<br />
<br />
Từ kết quả mô phỏng (hình 5, hình 6) ta thấy: Hệ số cách ly giữa 2 cổng đầu<br />
vào (S12) không đủ lớn. Hệ số phản xạ tại cổng H (S33) quá lớn.<br />
Với các tham số tán xạ như vậy thì hiệu suất của bộ cộng sẽ rất thấp. Do đó, cần<br />
phải phối hợp cho bộ cộng. Với mong muốn S31, S32 ≈ -3dB và các tham số tán xạ<br />
còn lại rất nhỏ.<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
Hình 5. Hệ số cách ly giữa các cổng vào 1 và 2.<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
Hình 6. Hệ số phản xạ tại đầu ra H.<br />
b. Cầu T kép khi phối hợp bằng que dò và tấm chắn<br />
Từ cấu trúc hình nón được mô tả trong hình 3, que dò được thiết kế rời rạc hóa<br />
theo 3 tầng hình trụ (hình 7). Ở đây, di và li (i=1,2,3) tương ứng là đường kính và<br />
chiều cao các hình trụ.<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
Hình 7. Hình dạng que dò dùng trong thiết kế.<br />
<br />
<br />
112 T. X. Thọ, P. H. Lập, Đ. T. Quang, “Phương pháp điều chỉnh… cầu T kép.”<br />
Nghiên cứu khoa học công nghệ<br />
<br />
Mẫu được thiết kế thêm các tấm phối hợp ở cổng ra E. Có nhiều cách đặt tấm<br />
phối hợp. Ở đây, ta lựa chọn 2 tấm phối hợp đặt sát thành hẹp của cổng E (hình 8).<br />
Cũng giống như việc điều chỉnh que dò, các tham số độ dài, độ dày của các tấm<br />
phối hợp được điều chỉnh để có thể đạt được kết quả tốt nhất.<br />
Hình 9÷12 là kết quả mô phỏng mẫu sau khi đã điều chỉnh phối hợp:<br />
- Độ cách ly giữa các cổng đầu vào (S21≈-28dB) lớn hơn, dải rộng hơn.<br />
- Hệ số truyền S31, S32≈-3dB với độ lệch nhỏ hơn 0.02dB.<br />
- Hệ số phản xạ đầu vào S11, S22< -21dB; và đầu ra S3320, |S34|>40).<br />
- Hệ số sóng đứng tại cổng H và E nhỏ (< 1.2).<br />
<br />
<br />
Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số Đặc san Ra đa, 08 - 2016 115<br />
Kỹ thuật siêu cao tần & Ra đa<br />
<br />
4. KẾT LUẬN<br />
Trong quá trình hiệu chỉnh, ta thấy dùng tấm phối hợp giúp mở rộng dải tần<br />
hoạt động của bộ cộng, tức là các tham số tán xạ có thể thỏa mãn yêu cầu trong<br />
một dải tần rộng hơn trước khi có tấm phối hợp ở cổng E.<br />
Với hiệu suất cộng lớn, bộ cộng công suất có thể sử dụng cho các hệ thống phát<br />
bán dẫn của các đài ra đa băng X hiện nay. Bộ cộng đã được thử nghiệm cộng 2<br />
mô đun công suất băng X trên 100 W do Viện Ra đa đang chế tạo, thử nghiệm.<br />
Kết quả nghiên cứu và thực nghiệm này là cơ sở để mở rộng nghiên cứu các<br />
phương pháp phối hợp và điều chỉnh phối hợp đối với các phần tử cao tần khác,<br />
như: bộ cộng công suất dạng đĩa nhiều đầu vào...<br />
TÀI LIỆU THAM KHẢO<br />
[1]. N. Marcuvitz, “Waveguide Handbook”, New York Dover Publications Inc., 1951.<br />
[2]. Roberto Sorrentino, Giovanni Bianchi, “Microwave and RF Engineering”, 2010.<br />
[3]. David M. Pozar, “Microwave Engineering”, 4th edition, John Wiley & Sons<br />
Inc, 2012.<br />
[4]. Kiều Khắc Lâu, “Cơ sở kỹ thuật siêu cao cần”, Nhà xuất bản Giáo dục, 2006.<br />
[5]. P. Debnath, S. Roy, “An analysis of wave guide Magic Tee at X band using<br />
HFSS”, International Journal of Emerging Technology and Advanced<br />
Engineering, Vol. 2, May 2012, pp 267 – 270.<br />
[6]. Z. X. Wang, W. B. Dou, Z. L. Mei, “A compact H-plane Magic Tee designed at<br />
W band”, Progress In Electromagnetics Research B, Vol. 5, pp 35–48, 2008.<br />
<br />
<br />
ABSTRACT<br />
THE METHOD OF MATCHING FOR X BAND POWER COMBINER<br />
USING MAGIC TEE<br />
In this paper, a method of tuning and matching for X band high power<br />
combiner using Magic Tee is presented. Based on the theory of Radio<br />
frequency and microwave, using the electromagnetic simulation software to<br />
design a matched Magic Tee. The research results showed that: Wideband,<br />
high efficiency power combiner is completely designed by matching method<br />
using metal steps and metal plates.<br />
Keywords: X band power combiner, Magic Tee, Matching.<br />
<br />
Nhận bài ngày 15 tháng 06 năm 2016<br />
Hoàn thiện ngày 26 tháng 07 năm 2016<br />
Chấp nhận đăng ngày 01 tháng 08 năm 2016<br />
<br />
Địa chỉ: Viện Ra đa / Viện Khoa học và Công nghệ Quân sự - Bộ Quốc phòng.<br />
Email: xuantho6482@gmail.com<br />
<br />
<br />
<br />
116 T. X. Thọ, P. H. Lập, Đ. T. Quang, “Phương pháp điều chỉnh… cầu T kép.”<br />