Bipolar Junction Transistors

Chương này gồm có những nội dung chính sau: Diodes, bipolar junction transistor (BJT), metal oxide semiconductor effect transistor (MOSFET), insulated gate bipolar transistor (IGBT), thyristor, gate turn of thyrisor (GTO), triode alternative current (TRIAC). Mời tham khảo.

19p tangtuy19 21-07-2016 68 15   Download

Sơ lược về lịch sử phát triển của ngh ành Điện tử Vào năm 1947, tại phòng thí nghiệm của Bell, John Bardeen v à Walter Brattain đã thành công trong việc phát minh Transistor l ưỡng cực BJT(Bipolar Junction Transistor). Đây là một bước ngoặt đánh dấu sự bắt đầu của thời đại bán dẫn. Phát minh này và một chuỗi phát triển của công nghệ vi điện tử đ ã thật sự làm thay đổi cuốc sống loài người. 1948 Transistor đầu tiên ra đời. Đây là một cuộc Cách mạng của ng ành điện tử. 1950 Mạch...

6p trannguyen1111 14-07-2010 114 20   Download

Transitor hay còn gọi là bóng dẫn gồm ba lớp bán dẫn ghép với nhau hình thành hai mối tiếp giáp PN , nếu ghép theo thứ tự PNP ta được Transistor thuận , nếu ghép theo thứ tự NPN ta được Transistor ngược. về phương diện cấu tạo Transistor tương đương với hai Diode đấu ngược chiều nhau. Cấu trúc này được gọi là Bipolar Junction Transitor (BJT) vì dòng điện chạy trong cấu trúc này bao gồm cả hai loại điện tích âm và dương (Bipolar nghĩa là hai cực tính)...

5p trancannam007 24-12-2009 413 150   Download