Bài giảng Điện tử tương tự ( Phùng Kiều Hà) - Chương 4 Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử dụng FET

Chia sẻ: Dovan Thuc | Ngày: | Loại File: PPT | Số trang:71

0
690
lượt xem
218
download

Bài giảng Điện tử tương tự ( Phùng Kiều Hà) - Chương 4 Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử dụng FET

Mô tả tài liệu
  Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Giới thiệu chung: Phân loại, JFET: MOSFET kênh có sẵn (Depletion MOS), MOSFET kênh cảm ứng (Enhancement MOS). Cách phân cực, Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ, Sơ đồ tương đương và tham số xoay chiều.

Chủ đề:
Lưu

Nội dung Text: Bài giảng Điện tử tương tự ( Phùng Kiều Hà) - Chương 4 Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử dụng FET

  1. Chương 4: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử dụng FET  Giớithiệu chung  Phân loại  JFET  MOSFET kênh có sẵn (Depletion MOS)  MOSFET kênh cảm ứng (Enhancement MOS)  Cách phân cực  Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ  Sơ đồ tương đương và tham số xoay chiều
  2. Giới thiệu chung  Trở kháng vào rất lớn, nMΩ-n100MΩ  Được điều khiển bằng điện áp (khác với BJT)  Tiêu tốn ít công suất  Hệ số tạp âm nhỏ, phù hợp với nguồn tín hiệu nhỏ  Ít bị ảnh hưởng bởi nhiệt độ  Phù hợp với vai trò khóa đóng mở công suất nhỏ  Kích thước nhỏ, công nghệ chế tạo phù hợp với việc sử dụng để thiết kế IC
  3. Phân loại  JFET-Junction Field Effect Transistor  Kênh N  Kênh P  MOSFET-Metal Oxide Semiconductor FET  Kênh có sẵn (Depletion MOS) :  Kênh N và P  Kênh cảm ứng (Enhancement MOS):  Kênh N và P
  4. JFET  Cấu trúc  Hoạt động  Đặc tuyến  So sánh với BJT  Ví dụ, bảng tham số kỹ thuật
  5. JFET – Cấu trúc
  6. JFET – Hoạt động  VGS = 0, VDS>0 tăng dần, ID tăng dần
  7. JFET – Hoạt động  VGS = 0, VDS = VP, ID = IDSS  VP điện áp thắt kênh (pinch-off)
  8. JFET – Hoạt động  VGS < 0, VDS > 0, giá trị mức bão hòa của ID cũng giảm dần  VGS = VP, ID = 0
  9. JFET – Đặc tuyến  Đặc tuyến truyền đạt ID = f(VGS) tuân theo phương trình Shockley: ID = IDSS(1 - VGS/VP)2  IG ≈ 0A (dòng cực cổng)  ID = IS (ID dòng cực máng, IS dòng cực nguồn)
  10. JFET – Đặc tuyến P P N-channel, IDSS = 8mA, V = - 4V P-channel, IDSS = 6mA, V = 6V
  11. JFET – Kí hiệu
  12. JFET 2N5457
  13. Datasheet-2N5457 Rating Symbol Value Unit Drain-Source voltage VDS 25 Vdc Drain-Gate voltage VDG 25 Vdc Reverse G-S voltage VGSR -25 Vdc Gate current IG 10 nAdc Device dissipation 250C PD 310 mW Derate above 250C 2.82 mW/0C Junction temp range TJ 125 C 0 Storage channel temp range Tstg -60 to C 0 +150
  14. Datasheet-2N5457-characteristics Characteristic Symbol Min Typ Max Unit VG-S breakdown V(BR)GSS -25 Vdc Igate reverse(Vgs=-15, Vds=0) IGSS -1.0 nAdc VG-S cutoff VGS(off) -0.5 -1.0 Vdc VG-S VGS -2.5 -6.0 Vdc ID-zero gate volage IDSS 1.0 3.0 5.0 mAdc Cin Ciss 4.5 7.0 pF Creverse transfer Crss 1.5 3.0 pF
  15. MOSFET  Cấu trúc  Hoạt động  Đặc tuyến Chú ý: rất cẩn thận khi sử dụng so với JFET vì lớp oxit bán dẫn của MOS dễ bị đánh thủng do tĩnh điện
  16. MOSFET – Cấu trúc N-channel depletion DMOS N-channel enhancement EMOS
  17. MOSFET – Hoạt động N-channel DMOS N-channel EMOS VGS = 0, VDS > 0 VGS > 0, VDS > 0
  18. DMOS – Đặc tuyến truyền đạt Tương tự như của JFET, đặc tuyến truyền đạt ID = f(VGS) tuân theo phương trình Shockley: ID = IDSS(1 - VGS/VP)2 GS D
  19. EMOS – Đặc tuyến truyền đạt  Phương trình đặc tuyến truyền đạt: ID = k(VGS – VT)2 với điện áp mở VT > 0 (kênh N)  VGS < VT, ID = 0
  20. MOSFET – Đặc tuyến truyền đạt P-channel depletion

CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD

Đồng bộ tài khoản