BÁO CÁO THỰC TẬP KHOA CÔNG NGHỆ THÔNG TIN

Chia sẻ: Ho Quang Trung Trung | Ngày: | Loại File: PPT | Số trang:33

Thêm vào BST

Báo xấu

774
lượt xem 123
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Tham khảo bài thuyết trình 'báo cáo thực tập khoa công nghệ thông tin', luận văn - báo cáo phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: BÁO CÁO THỰC TẬP KHOA CÔNG NGHỆ THÔNG TIN

TRƯỜNG CAO ĐẲNG NGHỀ VIỆT ĐỨC HÀ TĨNH KHOA CÔNG NGHỆ THÔNG TIN BÁO CÁO THỰC TẬP : Lê Thị Lam GVHD : Hồ Quang Trung SVTH : CĐSC&LRMT08 Lớp Hà Tĩnh : tháng 5 năm 2011
LỜI CẢM ƠN Sau thời gian học tập tại trường được sự chỉ dạy tận tình của thầy cô trong trường nói chung cũng như các thầy cô khoa công nghệ thông tin nói riêng , em đã học hỏi được rất nhiều kiến thức về ngành công nghệ thông tin và các kiến thức khác về văn hoá , xã hội .. Để tạo điều kiện cho chúng em hiểu biết thêm về những kiến thức đã học ở trường so với thực tế . Vừa qua , trường đã cho phép chúng em được đi thực tập tại các công ty , doanh nghiệp …
GIỚI THIỆU VỀ CÔNG TY CÔNG TY TNHH THƯƠNG MẠI & DỊCH VỤ MÁY TÍNH HỒNG HÀ “ 133 Hàm Nghi , Hà Tĩnh “ ĐT : 0511.3213846 Giới thiệu: năm 2007 CÔNG TY TNHH THƯƠNG MẠI & DỊCH VỤ GIA HUỲNH được thành lập và cũng đã trở thành Nhà Phân phối Thiết bị viễn thông tại Đà Nẵng, chuyên cung cấp các linh kiện máy tính, máy in , máy photo , máy fax, h ệ thống tổng đài nội v.v…
CƠ CẤU TỔ CHỨC CỦA CÔNG TY Giám Đốc Phòng Kế Toán Phòng Kinh Doanh Phòng Bảo Hành Phòng Kỹ Thuật
CHUYÊN ĐỀ TỐT NGHIỆP SO S ÁNH DDR , DDR2 , DDR3 Trước khi bắt đầu, cần biết rằng DDR, DDR2 và DDR3 đều dựa trên thiết kế SDRAM ( Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ ) . tức là sử dụng tín hiệu xung nhịp để đồng bộ hóa mọi thứ. DDR là viết tắt của Tốc độ dữ liệu gấp đôi Double Data Rate , tức truyền được hai khối dữ liệu trong một xung nhịp, . Như vậy bộ nhớ DDR có tốc độ truyền dữ liệu cao gấp đôi so với những bộ nhớ có cùng tốc độ xung nhịp nhưng không có tính năng này ( được gọi là bộ nhớ SDRAM, hiện không còn sử dụng cho PC nữa).
Hình 1: Tín hiệu xung nhịp và mode DDR Z
Cần nhớ rằng các tốc độ xung nhịp này là tốc độ tối đa mà bộ nhớ chính thức có được; chứ không thể tự động chạy ở những tốc độ như vậy. Ví dụ, nếu bạn dùng bộ nhớ DDR21066 lên một máy tính chỉ có thể truy cập hệ thống ở tốc độ 400 MHz (800 MHz DDR), thì những bộ nhớ này chỉ có thể truy cập tại 400 MHz (800 MHz DDR) chứ không phải 533 MHz (1,066 MHz DDR). Đó là do tín hiệu xung nhịp được mạch điều khiển bộ nhớ cung cấp, mà mạch điều khiển bộ nhớ lại nằm ngoài bộ nhớ (trong Chip NorthBridge ở bo mạch chủ hoặc tích hợp bên trong CPU, tùy vào từng hệ thống
Những thanh nhớ ( Module ) bảng mạch điện tử nhỏ gắn những Chip nhớ sử dụng một cái tên khác: PCxzzzz, trong đó x là thế hệ công nghệ, còn zzzz là tốc độ truyền tải tối đa trên lý thuyết (còn gọi là băng thông tối đa). Con số này cho biết bao nhiêu Byte dữ liệu có thể được truyền từ mạch điều khiển bộ nhớ sang Module bộ nhớ trong mỗi xung nhịp đồng hồ . Thật ra rất dễ giải thích bằng cách nhân xung nhịp DDR tính bằng MHz với 8, ta sẽ có tốc độ truyền tải tối đa trên lý thuyết tính bằng MB/giây. Ví dụ, bộ nhớ DDR2800 có tốc độ truyền tải tối đa trên lý thuyết là 6,400 MB/giây (800 x 8) và Module bộ nhớ mang tên PC26400. Trong một số trường hợp, con số này được làm tròn. Ví dụ như bô nhớ DDR31333 có tốc ưng module i tốinhớ trên lý thuycó là 10,666 MB/giây nh độ truyền tảbộ đa của nó lại ết tên PC310666 hoặc PC310600 tùy nhà sản xuất.
Cần phải hiểu rằng những con số này chỉ là số tối đa trên lý thuyết, và trên thực tế chúng không bao giờ đạt đến, bởi bài toán đang tính có giả thiết rằng bộ nhớ sẽ gửi dữ liệu đến mạch điều khiển bộ nhớ theo từng xung nhịp một, mà điều này thì không xảy ra. Mạch điều khiển bộ nhớ và bộ nhớ cần trao đổi lệnh (ví dụ như lệnh hướng dẫn bộ nhớ gửi dữ liệu được chứa tại một vị trí nhất định) và trong suốt thời gian này bộ nhớ sẽ không gửi dữ liệu. Trên đây là lý thuyết cơ bản về bộ nhớ DDR, hãy đến với những thông tin cụ thể hơn.
1. Tốc độ : Một trong những khác biệt chính giữa DDR, DDR2 và DDR3 là tốc độ truyền dữ liệu lớn nhất của từng thế hệ. Dưới đây là danh sách tốc độ chung nhất cho từng thế hệ. Một số nhà sản xuất đã tạo ra được những loại chip lớn hơn cả tốc độ trong bảng–ví dụ như các bộ nhớ đặc biệt hướng tới giới overclock. Những xung nhịp có đuôi 33 hoặc 66MHz thực ra đã được làm tròn (từ 33.3333 và 66.6666).
• 2. Điện áp : Bộ nhớ DDR3 hoạt động ở điện áp thấp hơn so với DDR2, DDR2 lại dùng điện áp thấp hơn DDR. Như vậy bộ nhớ DDR3 sẽ tiêu thụ ít điện hơn DDR2, và DDR2 tiêu thụ ít hơn DDR. Thường thì bộ nhớ DDR sử dụng điện 2.5 V, DDR2 dùng điện 1.8 V và DDR3 là 1.5 V (mặc dù các module cần đến 1.6 V hoặc 1.65 V rất phổ biến và những chip chỉ yêu cầu 1.35 V trong tương lai cũng không phải là hiếm).
• Một số module bộ nhớ có thể yêu cầu điện áp cao hơn trong bảng, nhất là khi bộ nhớ hỗ trợ hoạt động ở tốc độ xung nhịp cao hơn tốc độ chính thức (ví dụ như bộ nhớ để overclock).
3. Thời gian trễ Thời gian trễ là khoảng thời gian mà mạch điều khiển bộ nhớ phải đợi từ lúc yêu cầu lấy dữ liệu cho đến lúc dữ liệu thực sự được gửi tới đầu ra . Nó còn được gọi là CAS Latency hoặc đơn giản là CL. Con số này được viết theo đơn vị chu kỳ xung nhềp. khiểụ bộ nhớ phải có CL3 tức làxung ị u Ví dn một bộ nhớ đợi 3 chu kỳ mạch đi nhịp từ lúc truy vấn cho đến khi dữ liệu được gửi. Với một bộ nhớ CL5, mạch điều khiển bộ nhớ phải đợi 5 chu kỳ xung nhịp . Vì thế cần sử dụng những Module có CL thấp nhất có thể.
Hình 2: Latency.
Bộ nhớ DDR3 có nhiều chu kì xung nhịp trễ lớn hơn bộ nhớ DDR2, và DDR2 lại có nhiều chu kì xung nhịp trễ cao hơn DDR. Bộ nhớ DDR2 và DDR3 còn có thêm một chỉ số nữa gọi là AL (Thời gian trễ bổ sung – Additional Latency ) hoặc đơn giản là A. Với bộ nhớ DDR2 và DDR3, tổng thời gian trễ sẽ là CL+AL. gần như toàn bộ các bộ nhớ DDR2 và DDR3 đều có AL 0, tức là không có thêm thời gian trễ bổ sung nào cả. Dưới đây là bảng tổng hợp giá trị CL phổ biến nhất.
• Như vậy bộ nhớ DDR3 cần hoãn nhiều chu kỳ xung nhịp hơn so với DDR2 mới có thể chuyển được dữ liệu, nhưng điều này không hẳn đồng nghĩa với thời gian đợi lâu hơn (nó chỉ đúng khi so sánh các bộ nhớ cùng tốc độ xung nhịp).
Ví dụ, một bộ nhớ DDR2800 CL5 sẽ hoãn ít thời gian hơn (nhanh hơn) khi chuyển dữ liệu so với bộ nhớ DDR3800 CL7. Tuy nhiên, do cả hai đều là bộ nhớ “800 MHz” nên đều có cùng tốc độ truyền tải lớn nhất trên lý thuyết (6,400 MB/s). Ngoài ra cũng cần nhớ rằng bộ nhớ DDR3 sẽ tiêu thụ ít điện năng hơn so với bộ nhớ DDR2. Khi so sánh các module có tốc độ xung nhịp khác nhau, bạn cần phải tính toán một chút. nên nhớ chúng ta đang nói đến “chu kỳ xung nhịp.” Khi xung nhịp cao hơn, chu kỳ từng xung nhịp cũng ngắn hơn.
Ví dụ với bộ nhớ DDR2800, mỗi chu kỳ xung nhịp kéo dài 2.5 nano giây, chu kỳ = 1/tần số ( nhớ rằng bạn cần sử dụng xung nhịp thực chứ không phải xung nhịp DDR trong công thức này; để đơn giản hơn chúng tôi đã tổng hợp một bảng tham khảo dưới đây). Vì thế một bộ nhớ DDR2800 có CL 5 thì thời gian chờ ban đầu này sẽ tương đương 12.5 ns (2.5 ns x 5). Tiếp đến hãy giả sửỗi chu ộ nhớ DDR31333 với CL 7. ns ,i vìộthế ớ này m một b kỳ xung nhịp sẽ kéo dài 1.5 Vớ b nh tổng thời gian trễ sẽ là 10.5 ns (1.5 ns x 7). Vì vậy mặc dù thời gian trễ của bộ nhớ DDR3 có vẻ cao hơn (7 so với 5), thời gian chờ thực tế lại thấp hơn. Vì thế đừng nghĩ rằng DDR3 có thời gian trễ tệ hơn DDR2 bởi nó còn tùy thuộc vào tốc độ xung nhịp.
Thường thì nhà sản xuất sẽ công bố Timings bộ nhớ theo dạng một dãy số được phân chia bởi dấu gạch ngang (như 5 Thời gian trễ CAS 555, 7101010…). thường là số đầu tiên trong chuỗi. Hình 3 và 4 dưới đây là một ví dụ.