intTypePromotion=1
zunia.vn Tuyển sinh 2024 dành cho Gen-Z zunia.vn zunia.vn
ADSENSE
 » 
 » 

Tài liệu Phản ứng nhiệt phân

Chia sẻ: Lamnguyen Lamnguyen | Ngày: | Loại File: DOC | Số trang:1

Thêm vào BST
Báo xấu
116
lượt xem 16
download
 
  Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Phản ứng nhiệt phân là sự phân hủy nhiệt của các loại khí như hydrides, carbonyls và các chất cơ kim ở nhiệt độ cao. Để hiểu rõ hơn về điều này mời các bạn tham khảo tài liệu Phản ứng nhiệt phân. Với các bạn chuyên ngành Hóa học thì đây là tài liệu hữu ích.

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Tài liệu Phản ứng nhiệt phân

  1. ­ Phản ứng nhiệt phân: Phản ứng nhiệt phân là sự phân hủy nhiệt của các loại khí như hydrides, carbonyls và  các chất cơ kim? ở nhiệt độ cao. Những ví dụ quan trọng mang tính thương mại đó là  quá trình nhiệt phân ở nhiệt độ cao của silane để sản xuất đa tinh thể Si hoặc phim  sillic vô định hình, và sự phân hủy ở nhiệt độ thấp của nikel carbonyl để lắng đọng  phim nikel.                                      SiH4(k) ­> Si(r) + 2H2(k)             (6500C)    (1)                                      Ni(CO)4(k) ­> Ni(r) + 4CO(k)      (1800C)    (2) Điều thú vị là, phản ứng (2) chính là cơ sở của quá trình Mond được sử dụng từ hơn  một thế kỉ trước trong quá trình tinh luyện Ni. ­ Phản ứng khử: Những phản ứng này thường sử dụng khí hydro đóng vai trò là chất khử đề khử  các  dạng khí như là halides, carbonyl halides, oxihalides hoặc là các hợp chất chứa oxi  khác. Một ví dụ điển hình là sự khử SiCl trên phiến Si đơn tinh thể để sản xuất tấm  epitaxy Si theo các phản ứng:                              SiCl4(k) + 2H2(k) ­> Si(r) + 4HCl(k)          (12000C) Các màng kim loại chịu nhiệt như W và Mo được lắng đọng bằng cách khử gốc  hexaflourides tương ứng, ví dụ:                                  WF6(k) + 3H2(k) ­> W(r) + 6HF(k)    (3000C)                                           MoF6(k) + 3H2(k) ­> Mo(r) + 6HF(k)  (3000C) Hiện các tấm phim Tungsten (Wolfram) được bảo quản ở nhiệt độ thấp đang được  tích cực nghiên cứu như là một vật liệu đầy tiềm năng thay thế cho  các mối tiếp  bằng nhôm và các đường liên kết trong mạch tích hợp.  
ADSENSE

CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD

THÔNG TIN
TRỢ GIÚP
HỖ TRỢ KHÁCH HÀNG
Theo dõi chúng tôi

Chịu trách nhiệm nội dung:

Nguyễn Công Hà - Giám đốc Công ty TNHH TÀI LIỆU TRỰC TUYẾN VI NA

LIÊN HỆ

Địa chỉ: P402, 54A Nơ Trang Long, Phường 14, Q.Bình Thạnh, TP.HCM

Hotline: 093 303 0098

Email: support@tailieu.vn

Giấy phép Mạng Xã Hội số: 670/GP-BTTTT cấp ngày 30/11/2015 Copyright © 2022-2032 TaiLieu.VN. All rights reserved.

 

Đồng bộ tài khoản
2=>2