
M ĐUỞ Ầ
Vât liêu đa pha s t t h p la vât liêu co cac tinh chât săt điên va săt t ắ ổ ợ ư
tôn tai trong t ng pha vât liêu riêng biêt và liên k t hai pha thông qua tính ư ế
ch t s t đàn h i t n t i trong t ng pha. Các nghiên c u cho th y v t li uấ ắ ồ ồ ạ ừ ứ ấ ậ ệ
đa pha s t t h p có tính ch t t t h n nhi u so v i v t li u đa pha s tắ ổ ợ ấ ố ơ ề ớ ậ ệ ắ
đn pha [24, 82]. B ng cách t h p v t li u có tính áp đi n v i các v tơ ằ ổ ợ ậ ệ ệ ớ ậ
li u s t t có tính t gi o ng i ta có th t o ra v t li u đa pha s t tệ ắ ừ ừ ả ườ ể ạ ậ ệ ắ ổ
h p có các u đi m c a c hai pha v t li u.ợ ư ể ủ ả ậ ệ
Trong các nghiên c u v v t li u đa pha s t, h ng nghiên c u vứ ề ậ ệ ắ ướ ứ ề
kh năng đi u khi n tính ch t t c a v t li u b ng đi n th (đi nả ề ể ấ ừ ủ ậ ệ ằ ệ ế ệ
tr ng) thay vì s d ng t tr ng đang thu hút đc s quan tâm c a cácườ ử ụ ừ ườ ượ ự ủ
nhà khoa h c b i kh năng ng d ng trong công ngh l u tr thông tin.ọ ở ả ứ ụ ệ ư ữ
D a trên nguyên lý này, m t th h l u tr thông tin g i tên là MERAMự ộ ế ệ ư ữ ọ
(Magneto-Electric Random Access Memories) m i đc h a h n có thớ ượ ứ ẹ ể
thay th đc các b nh t MRAM trong t ng lai [4, 27, 28, 36, 117,ế ượ ộ ớ ừ ươ
147]. Khác v i các c ch đo t truy n th ng, trong v t li u này, nhớ ơ ế ả ừ ề ố ậ ệ ờ
liên k t đi n t gi a các pha t và đi n mà quá trình đo t có th đcế ệ ừ ữ ừ ệ ả ừ ể ượ
th c hi n d i tác d ng c a đi n tr ng ngoài. B nh MERAM ngự ệ ướ ụ ủ ệ ườ ộ ớ ứ
d ng c ch đo t b ng đi n tr ng có các u đi m v t tr i so v iụ ơ ế ả ừ ằ ệ ườ ư ể ượ ộ ớ
các ph ng pháp truy n th ng nh m t đ l u tr thông tin cao, t c đươ ề ố ư ậ ộ ư ữ ố ộ
ghi b nh nhanh, gi m năng l ng tiêu th , khi ghi thông tin ít gây nhộ ớ ả ượ ụ ả
h ng đn các ô nh xung quanh. ưở ế ớ
Hòa nh p v i s phát tri n các h ng nghiên c u v v t li u đa ch cị ớ ự ể ướ ứ ề ậ ệ ứ
năng hi n nay, Khoa V t lý k thu t và Công ngh nano và Phòng thíệ ậ ỹ ậ ệ
nghi m tr ng đi m Công ngh micro-nano thu c Tr ng Đi h c Côngệ ọ ể ệ ộ ườ ạ ọ
ngh (ĐHQGHN) đang tri n khai các nghiên c u c b n và ng d ng v tệ ể ứ ơ ả ứ ụ ậ
li u đa pha s t t h p. ệ ắ ổ ợ
1