Giáo trình hướng dẫn phân tích các loại diode phân cực trong bán kì âm tín hiệu p5

Chia sẻ: Fwet Ret | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:5

Thêm vào BST

Báo xấu

75
lượt xem 4
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Tham khảo tài liệu 'giáo trình hướng dẫn phân tích các loại diode phân cực trong bán kì âm tín hiệu p5', khoa học tự nhiên, vật lý phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Giáo trình hướng dẫn phân tích các loại diode phân cực trong bán kì âm tín hiệu p5

.Giáo trình Linh Kiện Điện Tử IE = IC + IB, ta có: IE = 1mA + 0,01mA = 1,01mA I 1mA α DC = C = = 0,99 Và từ phương trình: I E 1,01mA Một transistor Si PNP có βDC = 50 khi IE = 1,5mA. Xác định IC. Giải: β DC 50 α DC = = = 0,98 1 + β DC 1 + 50 IC = βDC.IE = 0,98 x 1,5 = 1,47mA V. DÒNG ĐIỆN RỈ TRONG TRANSISTOR. Vì nối thu nền thường được phân cực nghịch nên cũng có một dòng điện rỉ ngược (bảo hoà nghịch) đi qua mối nối như trong trường hợp diode được phân cực nghịch. Dòng điện rỉ ngược này được ký hiệu là ICBO, được nhà sản xuất cho biết, được mô tả bằng hình vẽ sau: Current (dòng điện) IE = 0 RC Base (cực nền) VCC ICBO Openemitter (cực phát hở) Cực E ICBO để hở Collector (cực thu) Hình 6 Đây là dòng điện đi từ cực thu qua cực nền khi cực phát để hở. Hình vẽ sau đây cho ta thấy thành phần các dòng điện chạy trong transistor bao gồm cả dòng điện ICBO. p n+ n- IC = αDCIE + ICBO αDCIE IE ICBO IE IB RE RC VEE VCC Hình 7 Trang 66 Biên soạn: Trương Văn Tám
. iáo trình Linh Kiện Điện Tử G Như vậy, ta có: IC = αDCIE + ICBO Nếu ICBO xấp xỉ 0, xem như không đáng kể. Ta có: IC ≅ αDCIE Đó là công thức lý tưởng mà ta đã thấy ở phần trên. Ngoài ta, từ phương trình dòng điện căn bản: IE = IB + IC Suy ra, IC = αDC(IC + IB) + ICBO IC = αDCIC + αDC IB + ICBO Ta tìm thấy: α DC I IC = I B + CBO 1 − α DC 1 − α DC α DC α DC β DC = ⇒ 1 + β DC = +1 Nhưng: 1 − α DC 1 − α DC α DC + 1 − α DC 1 1 + β DC = = 1 − α DC 1 − α DC Thay vào phương trình trên, ta tìm được: IC = βDCIB + (βDC + 1)ICBO Người ta đặt: ICEO = (βDC + 1)ICBO và phương trình trên được viết lại: IC = βDCIB + ICEO Như vậy, ta có thể hiểu dòng điện rỉ ICEO như là dòng điện chạy từ cực C qua cực E của transistor khi cực B để hở. Trị số của ICEO cũng được nhà sản xuất cho biết. Current (dòng điện) Emitter (cực phát) RC ICEO VCC ICEO Openbase (cực nền hở) IB = 0 Collector (cực thu) Cực nền hở Hình 8 Các thông số βDC, αDC, ICBO, ICEO rất nhạy với nhiệt độ. VI. ĐẶC TUYẾN V-I CỦA TRANSISTOR. Người ta thường chú ý đến 3 loại đặc tuyến của transistor: − Đặc tuyến ngõ vào. − Đặc tuyến ngõ ra − Đặc tuyến truyền Mạch tổng quát R1ể xác định 3 đặc tuyến trên được biểu diễn 2bằng mô hình sau: đ R I1 BJT I2 V1 V2 Trang 67 Ngõ raiên22 ạn: Trương Văn Tám B V so V11 Ngõ vào
. iáo trình Linh Kiện Điện Tử G Điểm cần chú ý: tuỳ theo loại transistor và các cách ráp mà nguồn V11, V22 phải mắc đúng cực (sao cho nối thu nền phân cực nghịch và nối phát nền phân cực thuận). Các Ampe kế I1, I2, các volt kế V1 và V2 cũng phải mắc đúng chiều. Chúng ta khảo sát hai cách mắc căn bản:L 1. Mắc theo kiểu cực nền chung: Mạch điện như sau: RE RC IE IC I1 I2 + + + V1 V2 VEE VCC + VBE VCB Hình 10 Đặc tuyến ngõ vào (input curves). Là đặc tuyến biểu diễn sự thay đổi của dòng điện IE theo điện thế ngõ vào VBE với VCB được chọn làm thông số. Đặc tuyến có dạng như sau: VCB = 20V IE (mA) VCB = 10V VCB = 01V VCB = 00V VCB để hở VBE (Volt) 0,2 0,4 0,6 0 Hình 11 Nhận xét: Trang 68 Biên soạn: Trương Văn Tám
. Giáo trình Linh Kiện Điện Tử − Khi nối thu nền để hở, đặc tuyến có dạng như đặc tuyến của diode khi phân cực thuận. − Điện thế ngưỡng (knee voltage) của đặc tuyến giảm khi VCB tăng. Đặc tuyến ngõ ra (output curves) Là đặc tuyến biểu diễn sự thay đổi của dòng điện cực thu IC theo điện thế thu nền VCB với dòng điện cực phát IE làm thông số. Đặc tuyến có dạng như sau: Ta chú ý đến ba vùng hoạt động của transistor. Vùng tác động: Nối nền phát phân cực thuận, nối thu nền phân cực nghịch. Trong vùng này đặc tuyến là những đường thẳng song song và cách đều. Trong các ứng dụng thông thường, transistor được phân cực trong vùng tác động. Vùng tác động IC (mA) 6 mA 6 5 mA 5 4 mA 4 Vùng bão hòa 3 mA 3 2 mA 2 1 1 mA ICBO IE= 0mA 0 2 4 6 8 VCB (V) Vùng ngưng Hình 12 Vùng ngưng: nối nền phát phân cực nghịch (IE=0), nối thu nền phân cực nghịch. Trong vùng này transistor không hoạt động. Vùng bảo hoà: nối phát nền phân cực thuận, nối thu nền phân cực thuận. Trong các ứng dụng đặc biệt, transistor mới được phân cực trong vùng này. 2. Mắc theo kiểu cực phát chung. Đây là cách mắc thông dụng nhất trong các ứng dụng của transistor. Mạch điện như sau: Trang 69 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử . RC IC RB I2 IB + + I1 + + VCC V1 V2 VBB VBE VCB Hình 13 Đặc tuyến ngõ vào: Biểu diễn sự thay đổi của dòng điện IB theo điện thế ngõ vào VBE. Trong đó hiệu thế thu phát VCE chọn làm thông số. IB (µA) VCE = 0V Đặc tuyến như sau: VCE = 1V 100 VCE = 10V 80 60 40 20 VBE (V) 0,2 0,4 0,6 0,8 0 Hình 14 Đặc tuyến ngõ ra: Biểu diễn dòng điện cực thu IC theo điện thế ngõ ra VCE với dòng điện ngõ vào IB được chọn làm thông số. Dạng đặc tuyến như sau: Trang 70 Biên soạn: Trương Văn Tám