Kỹ thuật bù tần số cho mạch OCL-LDO đạt được thời gian khôi phục ngắn

Chia sẻ: Liễu Yêu Yêu | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:4

Thêm vào BST

Báo xấu

24
lượt xem 3
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Bài viết "Kỹ thuật bù tần số cho mạch OCL-LDO đạt được thời gian khôi phục ngắn" trình bày về kỹ thuật bù tần số cho mạch ổn áp điện áp rơi thấp (Low-Dropout Regulator: LDO) không sử dụng tụ điện ngoài chip (Output Capacitor-Less: OCL) cho các ứng dụng tích hợp hoàn toàn trên chip. Phương pháp bù đề xuất kết hợp ba phương pháp bù bao gồm sử dụng tụ Miller, sử dụng tụ điện kết hợp với điện trở phản hồi và sử dụng phản hồi tích cực để cho phép giảm giá trị của tụ bù Miller mà vẫn đảm bảo được độ dự trữ pha (Phase margin: PM) cao và hệ số khuếch đại một chiều (Gain) lớn, từ đó tăng tần số tại hệ số khuếch đại của vòng lặp bằng 1 (Gain-Bandwidth: GBW). Mời các bạn cùng tham khảo!

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Kỹ thuật bù tần số cho mạch OCL-LDO đạt được thời gian khôi phục ngắn

Hội nghị Quốc gia lần thứ 25 về Điện tử, Truyền thông và Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2022) Kỹ Thuật Bù Tần Số Cho Mạch OCL-LDO Đạt Được Thời Gian Khôi Phục Ngắn Nguyễn Thế Quang1, Đỗ Thị Hương Giang1, Đàm Thị Yến1, Vũ Xuân Duy1, Nguyễn Đình Như Quỳnh1, Lê Thị Luận2 và Nguyễn Hữu Thọ1 1 Khoa Vô Tuyến Điện Tử, Học Viện Kỹ Thuật Quân Sự, 2Viện Điện tử, Viện Khoa học và Công nghệ Quân sự 1 236 Hoàng Quốc Việt, Bắc Từ Liêm, Hà Nội, 217 Hoàng Sâm, Cầu Giấy, Hà Nội Email: quangnt@mta.edu.vn, giang21112000@gmail.com, damyen2410@gmail.com, kunoduy@gmail.com, nguyenquynhvtdt@gmail.com, leluan2010@gmail.com, tho.nh@mta.edu.vn Abstract— Bài báo này trình bày về kỹ thuật bù tần số cho mạch được sử dụng phổ biến là bù sử dụng tụ Miller [6-8], bù sử ổn áp điện áp rơi thấp (Low-Dropout Regulator: LDO) không sử dụng tụ điện kết hợp với điện trở phản hồi [9, 10] và bù sử dụng tụ điện ngoài chip (Output Capacitor-Less: OCL) cho các dụng phản hồi tích cực [11, 12]. Phương pháp bù sử dụng tụ ứng dụng tích hợp hoàn toàn trên chip. Phương pháp bù đề xuất Miller đạt được độ dự trữ pha (Phase Margin: PM) lớn nhưng kết hợp ba phương pháp bù bao gồm sử dụng tụ Miller, sử dụng tụ điện kết hợp với điện trở phản hồi và sử dụng phản hồi tích có tần số tại hệ số khuếch đại của vòng lặp bằng 1 (Gain- cực để cho phép giảm giá trị của tụ bù Miller mà vẫn đảm bảo Bandwidth: GBW) không lớn. Phương pháp bù sử dụng tụ được độ dự trữ pha (Phase margin: PM) cao và hệ số khuếch đại điện kết hợp với điện trở phản hồi đạt được GBW rộng nhưng một chiều (Gain) lớn, từ đó tăng tần số tại hệ số khuếch đại của không có PM lớn. Trong khi đó, phương pháp bù sử dụng phản vòng lặp bằng 1 (Gain-Bandwidth: GBW). Mạch OCL-LDO đề hồi tích cực đạt được PM lớn nhưng có thời gian khôi phục xuất giảm thời gian khôi phục (Recovery time) của LDO trong (recovery time: TR) dài (9 µs trong [11] và 3.2 µs trong [12]). điều kiện chuyển tải từ cực tiểu đến cực đại và ngược lại, và cải Bài báo này đề xuất mạch OCL-LDO cho hệ thống quản lý thiện tỷ số loại bỏ tạp âm nguồn cung cấp (Power supply rejection nguồn trong các ứng dụng SoC và các hệ thống nhúng với PM ratio: PSRR). Mạch LDO với kỹ thuật bù đề xuất được thiết kế cao và TR ngắn. Điều này đạt được bằng cách kết hợp ba trên công nghệ CMOS 180 nm. Kết quả mô phỏng thể hiện rằng mạch có thời gian khôi phục khi thay đổi dòng tải từ 0 µA đến 100 phương pháp bù: sử dụng tụ Miller, sử dụng tụ điện kết hợp với mA và ngược lại lần lượt là 592 ns và 524 ns. Tỷ số loại bỏ tạp âm điện trở phản hồi và sử dụng phản hồi tích cực trong mạch nguồn cung cấp tại 10 kHz và 100 kHz lần lượt là 52 dB và 34 dB. OCL-LDO. Phần còn lại của bài báo được tổ chức như sau, Mạch tiêu thụ dòng điện 64 µA trong điều kiện không tải. trong phần II, bài báo sẽ trình bày tổng quan về mạch OCL- LDO, bao gồm các thành phần mạch, nguyên lý hoạt động và Keywords- Ổn áp điện áp rơi thấp, không có tụ ngoài chip, bù đáp ứng tần số. Phần III sẽ trình bày về kỹ thuật bù tần số cho tần số, thời gian khôi phục. mạch OCL-LDO đề xuất. Phần IV cung cấp các kết quả mô phỏng mạch và cuối cùng là kết luận trong Phần V. I. GIỚI THIỆU II. TỔNG QUAN VỀ MẠCH OCL-LDO Mạch ổn áp điện áp rơi thấp (Low-dropout Regulator: LDO) là một thành phần rất quan trọng trong các hệ thống Mạch LDO là mạch ổn áp tuyến tính có điện áp rơi thấp, quản lý nguồn tích hợp trên chip vì LDO có thể cung cấp điện mạch tạo ra điện áp đầu ra ổn định ngay cả khi điện áp đầu vào áp đầu ra ổn định, sạch và có đáp ứng quá độ nhanh, kích và tải thay đổi. Cấu trúc tổng quát của mạch OCL-LDO được thước nhỏ [1, 2]. Mạch LDO truyền thống sử dụng một tụ điện thể hiện như trên Hình 1. tại đầu ra lớn vài µF để đạt được hoạt động ổn định và giảm sự VIN thay đổi của điện áp đầu ra trong đáp ứng chuyển đổi tải [3]. VIN C1 Tuy nhiên, một tụ điện lớn tại đầu ra sẽ làm tăng diện tích VRFF chiếm của mạch và khó để tích hợp vào hệ thống tất cả trên ω p1 EA MP một chip (System-on-Chip: SoC) và các hệ thống nhúng. Ngoài ra, mạch LDO truyền thống cũng làm tăng các thành ω p0 VOUT phần ký sinh do các kết nối bên ngoài chip. Để vượt qua hạn Vòng lặp C2 chế của mạch LDO truyền thống, mạch LDO không sử dụng tụ RF1 điện ngoài chip (Output Capacitor-Less LDO: OCL-LDO) đã IL CL được tập trung nghiên cứu trong những năm gần đây [4, 5]. Mạch OCL-LDO đạt được một số đặc tính như đáp ứng quá độ RF2 nhanh, tỷ số loại bỏ tạp âm nguồn cung cấp cao và chất lượng Điểm cực trội ổn áp tốt. Thành ra, nó rất thích hợp cho các ứng dụng SoC và Hình 1. Cấu trúc tổng quát của mạch OCL-LDO các thiết bị điện tử mang xách như điện thoại di động, máy tính Mạch OCL-LDO bao gồm bộ khuếch đại lỗi (EA) có hai cá nhân. Tuy nhiên, việc loại bỏ tụ điện lớn tại đầu ra yêu cầu tín hiệu đầu vào là điện áp tham chiếu (VREF) và điện áp phản các kỹ thuật bù tần số để đảm bảo ổn định cho OCL-LDO, đặc hồi, bóng bán dẫn công suất (MP), mạng phản hồi điện trở (RF1, biệt là tại các dòng tải thấp. Hiện này, ba kỹ thuật bù tần số RF2), các tụ điện ký sinh của bóng bán dẫn công suất (C1, C2), ISBN 978-604-80-7468-5 52
Hội nghị Quốc gia lần thứ 25 về Điện tử, Truyền thông và Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2022) dòng tải ( I L ) và tụ điện ký sinh tại đầu ra (CL) với giá trị điển so với  p1 và PM của mạch sẽ giảm theo sự giảm của I L . Vì hình nhỏ hơn 100 pF. Điện áp đầu vào VIN cấp nguồn cho vậy, cần thực hiện bù tần số đối với OCL-LDO để cải thiện mạch EA và cực S của MP. Bộ khuếch đại lỗi sẽ so sánh điện PM tại các dòng tải thấp. áp tham chiếu với điện áp được trích ra từ mạng phản hồi điện trở để tạo ra tín hiệu điều khiển đưa đến bóng bán dẫn công III. KỸ THUẬT BÙ TẦN SỐ CHO OCL-LDO ĐỀ XUẤT suất. Tín hiệu này điều khiển làm tăng hoặc giảm dòng của Kỹ thuật bù tần số cho mạch OCL-LDO đề xuất được thể bóng bán dẫn cung cấp ra tải, từ đó làm ổn định điện áp đầu ra. hiện như trên Hình 3. Bù tần số đạt được bằng cách kết hợp ba Điện áp đầu ra của mạch LDO được xác định trong biểu thức phương pháp bù là sử dụng tụ bù Miller (CC), sử dụng tụ bù (1). Biểu thức này cho thấy điện áp đầu ra không phụ thuộc (CF) kết hợp với điện trở phản hồi và sử dụng phản hồi tích cực vào điện áp đầu vào. (Active Feedback: AF). Để thấy được hiệu quả của kỹ thuật bù  R  tần số đề xuất, bài báo sẽ đi vào phân tích từng phương pháp VOUT  VREF  1  F 1  (1) bù tần số riêng lẻ.  RF 2  VIN LDO sử dụng phản hồi âm để điều chỉnh dòng điện nên độ VIN ổn định của vòng phản hồi trở thành tham số quan trọng cần AF xem xét trong thiết kế. Với mạch EA một tầng, OCL-LDO sẽ VRFF có hai điểm cực: một điểm cực trội tại đầu ra của mạch EA EA MP Bù phản (  p1 ) và một điểm cực tại đầu ra của mạch (  p 0 ). Hai điểm hồi tích cực VOUT cực này được xác định theo biểu thức (2) và (3) [13]. Tụ bù Miller CC RF1 g CF  p 0  out  I L (2) CL CL go, EA Tụ bù phản hồi RF2  p1   IL (3) (C1  (1  AP )C2 ) Hình 3. Kỹ thuật bù tần số cho mạch OCL-LDO đề xuất Trong đó, g out là điện dẫn tương đương đầu ra của mạch Trong trường hợp mạch OCL-LDO sử dụng tụ bù Miller LDO và được xác định như gout  g ds  g L  g  , với β là hệ số thì một điểm không có tần số bằng g mp / CC được tạo ra thông phản hồi được xác định bởi RF 2 / ( RF 2  RF1 ) , Ap là hệ số qua đường tín hiệu giữa đầu ra của mạch EA và đầu ra của khuếch đại điện áp của bóng bán dẫn công suất, g o , EA là độ mạch OCL-LDO. Trong đó g mp là độ hỗ dẫn của bóng bán dẫn dẫn đầu ra của bộ khuếch đại lỗi. Các điện dung công suất. Điểm không này giúp tăng PM của OCL-LDO. C1  Cgs  Cgb và C2  Cgd với Cgs , Cgb , Cgd là các điện dung GBW của mạch trong trường hợp này được xác định theo biểu ký sinh của bóng bán dẫn công suất. Hình 2 thể hiện đáp ứng thức (4) [13]. tần số và pha vòng hở của OCL-LDO [13].  Gm, EA GBW  (4) 100 CC Min IL Trong đó, Gm, EA là độ hỗ dẫn của mạch khuếch đại lỗi. Biểu Biên độ (dB) 50 Max IL thức (4) tiết lộ rằng GBW và CC tỷ lệ nghịch với nhau. Điều 0 Điểm này có nghĩa là muốn GBW rộng thì giá trị của tụ CC phải nhỏ. cực trội Nhưng mạch OCL-LDO ổn định cần có tụ CC lớn. Vì vậy, -50 Δω p1 phương pháp bù sử dụng tụ Miller có GBW nhỏ. Trong khi đó, GBW tỷ lệ nghịch với thời gian khôi phục (TR) khi chuyển tải -100 [14]. Như một kết quả, phương pháp bù sử dụng tụ Miller có 180 TR dài. Để giảm TR thì cần có giải pháp để giảm giá trị của tụ bù CC trong khi vẫn đảm bảo PM lớn. 135 Δω p0 Trong trường hợp OCL-LDO sử dụng một tụ điện kết hợp Pha (deg) với điện trở phản hồi để bù tần số thì tụ điện (CF) được nối 90 giữa tín hiệu đầu ra và tín hiệu phản hồi để tạo ra cặp điểm cực, điểm không trong vòng phản hồi để bù pha. Các điểm cực 45 Điểm cực (  p ) và điểm không (  z ) này lần lượt được xác định theo không trội 0 biểu thức (5) và (6) [9]. 100 Tần số (Hz) 105 1 p  (5) Hình 2. Đáp ứng tần số của OCL-LDO hai tầng CF RF 1 Có thể thấy từ Hình 2 rằng, khi I L thay đổi thì vị trí của 1 z  (6)  p 0 và  p1 cũng thay đổi, trong đó  p 0 sẽ thay đổi nhanh hơn CF ( RF 1 / / RF 2 ) ISBN 978-604-80-7468-5 53
Hội nghị Quốc gia lần thứ 25 về Điện tử, Truyền thông và Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2022) Trong đó điểm không luôn luôn nhỏ hơn điểm cực và pha 90.47 dB và GBW 6.6 MHz. Kết quả cho thấy phương pháp bù được bù tốt nhất khi hai điểm này cách xa nhau. Điều này đạt tần số đề xuất có Gain và PM tương đương với phương pháp được bằng cách chọn tỷ số RF1 / RF 2 lớn. Tuy nhiên, khi tỷ số bù sử dụng tụ Miller CC trong khi cải thiện được 3.5 MHz của này lớn thì VREF sẽ nhỏ hơn nhiều VOUT , dẫn đến khó khăn GBW. Điều này là do mạch OCL-LDO đề xuất kết hợp ba phương pháp bù tần số nên cho phép giảm giá trị của tụ bù trong việc thiết kế mạch tạo điện áp tham chiếu (tạo ra VREF ) Miller mà không ảnh hưởng tới chất lượng PM của mạch. trong các công nghệ mới có điện áp đầu ra LDO nhỏ hơn 1 V. Thành ra, phương pháp bù này khó đạt được PM lớn. Vì vậy, phương pháp bù này thường được sử dụng kết hợp với các phương pháp bù khác để đạt được PM lớn hơn 600. Trong trường hợp mạch OCL-LDO sử dụng phương pháp bù phản hồi tích cực thì đầu ra của LDO được mắc nối tiếp với tụ bù Ca và tầng phản hồi về cực cổng của bóng bán dẫn công suất (Hình 4). Mạch AF tạo ra một điểm không để cải thiện PM của LDO [15]. Tuy nhiên phương pháp bù này khó thiết kế để đạt được PM lớn. VIN Vgate Hình 5. Kết quả mô phỏng đáp ứng tần số của OCL-LDO đề xuất Vb1 Hình 6 thể hiện kết quả mô phỏng thời gian khôi phục điện áp đầu ra của LDO khi thay đổi dòng tải trong ba trường hợp Vout Ca bù tần số: sử dụng tụ bù Miller; sử dụng kết hợp tụ bù Miller Vb2 và tụ điện kết hợp với điện trở phản hồi; và phương pháp bù đề xuất. Dòng tải (IL) được thiết lập có thời gian thay đổi nhanh 100 ns và có khoảng thay đổi rộng từ 0 µA đến 100 mA. Mạch Hình 4. Sơ đồ mạch nguyên lý của mạch AF OCL-LDO được thiết kế để tạo ra điện áp đầu ra ổn định tại 0.9 V cho các ứng dụng SoC và hệ thống nhúng. Đồng thời, Bảng 1 thể hiện kết quả mô phỏng trên phần mềm Cadence mạch được thiết kế để có Gain và PM (> 60o) như nhau đối với cho ba phương pháp bù tần số riêng lẻ đối với mạch OCL- cả ba phương pháp bù tần số. LDO. Mạch OCL-LDO được thiết kế để có hệ số khuếch đại (Gain) như nhau với cả ba phương pháp bù tần số. Kết quả mô phỏng cho thấy phương pháp bù tần số sử dụng tụ bù Miller đạt được PM lớn hơn 60o nhưng có GBW hẹp (3.1 MHz), trong khi phương pháp sử dụng tụ bù kết hợp với trở phản hồi và phương pháp sử dụng phản hồi tích cực đạt được GBW rộng (13.8 MHz và 16.5 MHz) nhưng có PM thấp (24.2o và 26.4o). Dựa trên các kết quả phân tích và mô phỏng ở trên, bài báo đề xuất kết hợp đồng thời cả ba phương pháp bù này trong mạch OCL-LDO để đảm bảo mạch làm việc ổn định (PM cao) và cải thiện được GBW. Bảng 1. So sánh các phương pháp bù tần số đối với OCL-LDO CC CF AF Gain (dB) 90.52 90.57 90.51 Hình 6. Kết quả mô phỏng thời gian khôi phục của OCL-LDO đối với PM 60.1o 24.2o 26.4 GBW (MHz) 3.1 13.8 16.5 ba phương pháp bù tần số Thời gian khôi phục trong trường hợp sử dụng tụ bù Miller IV. KẾT QUẢ MÔ PHỎNG khi dòng tải tăng (TR3(R)) (IL chuyển từ 0 lên 100 mA) và giảm (TR3(F)) (IL chuyển từ 100 mA xuống 0) lần lượt là 842 ns và Mạch OCL-LDO với phương pháp bù tần số đề xuất được 764 ns. Thời gian khôi phục trong trường hợp sử dụng kết hợp thiết kế trên công nghệ CMOS 180 nm. Mạch tiêu thụ 64 µA tụ bù Miller và tụ điện kết hợp với điện trở phản hồi lần lượt là và 115.2 µW công suất trong điều khiện không tải với điện áp nguồn cung cấp 1.8 V. 757 ns và 675 ns. Trong khi đó, TR khi sử dụng phương pháp Hình 5 thể hiện kết quả mô phỏng đáp ứng tần số của mạch bù tần số đề xuất lần lượt là 592 ns và 524 ns. Kết quả mô OCL-LDO đề xuất tại dòng tải nhỏ 10 nA. Phương pháp bù đề phỏng trên Hình 6 thể hiện rằng, bằng cách mở rộng GBW, xuất đạt được PM bằng 60.17o, hệ số khuếch đại một chiều phương pháp bù tần số đề xuất cho mạch OCL-LDO giảm ISBN 978-604-80-7468-5 54
Hội nghị Quốc gia lần thứ 25 về Điện tử, Truyền thông và Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2022) được thời gian khôi phục (GBW của phương pháp bù tần số sử thời nghiên cứu cải tiến kiến trúc của mạch OCL-LDO để giảm dụng kết hợp tụ bù Miller và tụ điện kết hợp với điện trở phản khoảng thay đổi điện áp đầu ra của mạch khi chuyển tải. hồi là 4.4 MHz). TÀI LIỆU THAM KHẢO Hình 7 thể hiện kết quả mô phỏng tỷ số loại bỏ tạp âm [1] H. Eul, “ICs for mobile multimedia communications,” in Proc. IEEE Int. nguồn cung cấp (PSRR). PSRR được mô phỏng trong một Solid-State Circuits Conf. Dig. Tech. Papers, San Francisco, CA, USA, khoảng tần số rộng từ 0 Hz đến hơn 100 MHz. Mạch OCL- pp. 21–39, Feb. 2006. LDO đề xuất đạt được PSRR bằng 52 dB tại tần số 10 kHz và [2] D. Evans, M. McConnell, P. Kawamura and L. Krug, “SoC integration 34 dB tại tần số 100 kHz. challenges for a power management/analog baseband IC for 3G wireless chipsets,” in ISPSD, pp.77-80, May 2004. [3] Milliken RJ, Silva-Martíınez J, Sánchez-Sinencio E, “Full on-chip CMOS low-dropout voltage regulator,” IEEE Transaction on Circuits and System I: Regular Papers, vol. 54, no. 9, pp. 1879–1890, 2007 [4] E. N. Y. Ho and P. K. T. Mok, “A Capacitor-Less CMOS Active Feedback Low-Dropout Regulator With Slew-Rate Enhancement for Portable On-Chip Application,” IEEE Trans. Circuits Syst.II, Exp. Briefs, vol. 57, no. 2, Feb. 2010. [5] C. Park, M. Onabajo and J. S. Martinez, “External Capacitor-Less Low Drop-Out Regulator With 25 dB Superior Power Supply Rejection in the 0.4–4 MHz Range,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 49, no. 2, pp. 486- 501, Feb. 2014. [6] G. S. Kim, J. K. Park, G.-H. Ko, and D. Baek, ‘‘Capacitor-less low- dropout (LDO) regulator with 99.99% current efﬁciency using active feed-forward and reverse nested Miller compensations,’’ IEEE Access, vol. 7, pp. 98630–98638, 2019. Hình 7. Kết quả mô phỏng PSRR của mạch OCL-LDO đề xuất [7] F. Galicia, et al., "Comparison of Two Internal Miller Compensation Techniques for LDO Regulators," in 16th International Conference on Bảng 2 tổng kết và so sánh chất lượng của mạch OCL- Electrical Engineering, Computing Science and Automatic Control LDO đề xuất với các nghiên cứu trước. Mạch OCL-LDO đề (CCE), Mexico City, Mexico, 2019. xuất có thời gian khôi phục ngắn nhất (0.592 µs) và PSRR cao [8] K. Shin, D. Jee, and D. Jeon, "A 65nm 0.6-1.2V Low-Dropout Regulator nhất (52 dB) với trả giá về dòng tiêu thụ. Điều này đạt được Using Voltage-Difference-to-Time Converter with Direct Output nhờ phương pháp bù tần số đề xuất cho phép mở rộng GBW Feedback," IEEE Trans. Circuits Syst. II: Express Briefs, vol. 68, no. 1, trong khi đảm bảo mạch làm việc ổn định với PM lớn hơn 60o pp. 67-71, Jan. 2021. và có hệ số khuếch đại một chiều lớn (90.47 dB). [9] X. Wang, F. Wang, and Z. Li "The Analysis of LDO and the Stability of Loop Compensation," in International Conference on Electrical and Bảng 2. Tổng kết và so sánh chất lượng của mạch OCL-LDO Control Engineering, 2010. [7] [12] [14] Đề xuất [10] N. Liu, and D. Chen, "A Transient-Enhanced Output-Capacitorless LDO Công nghệ 180 nm 65 nm 350 nm 180 nm With Fast Local Loop and Overshoot Detection," IEEE Trans. Circuits Nguồn cấp 3.3 V 1.2 V 5V 1.8 V Syst. I, Reg. Papers, vol. 67, no. 10, pp. 3422-3432, Oct. 2020. VOUT (V) 1.8 0.8 2.5 0.9 [11] E. Ho, and P. Mok, "A Capacitor-Less CMOS Active Feedback Low- Dòng tiêu thụ 100 µA 14 µA 66 µA 64 µA Dropout Regulator With Slew-Rate Enhancement for Portable On-Chip khi không tải Application," IEEE Trans. Circuits Syst. II: Express Briefs, vol. 57, no. 2, pp. 80-84, Feb. 2010. IL, max (mA) 50 100 100 100 [12] G. Li, et al., "Dual Active-Feedback Frequency Compensation for IL, min (µA) 0 0 10 0 Output-Capacitorless LDO with Transient and Stability Enhancement in Tedge (µs) N/A 0.22 0.4 0.1 65-nm CMOS," IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 35, no. 1, TR (µs) 21.85 3.2 0.7 0.592 pp. 415-429, April. 2019. PSRR (dB) N/A 33@10kHz 41@10kHz 52@10kHz [13] J. Torres, et al., "Low Drop-Out Voltage Regulators: Capacitor-less FOM (ns) 27 0.168 0.462 0.38 Architecture Comparison," IEEE Circuits and Systems Magazine, vol. 14, no. 2, pp.6-26, 2014. Tedge: thời gian chuyển tải từ thấp lên cao hoặc từ cao xuống thấp [14] X. Ming, et al., "A Fast-Transient Capacitor-Less LDO With Dual Paths FOM  TR .IQ / I L,max [14] Active-Frequency Compensation Scheme," IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 37, no. 9, pp. 10332-10347, April. 2022. V. KẾT LUẬN [15] H. Lee, and P.K.T. Mok, “Active-feedback frequency-compensation technique for low-power multistage amplifiers,” IEEE JSSC, vol. 38, pp. Mạch OCL-LDO với kỹ thuật bù tần số đã được giới thiệu, 511-520, Mar. 2003. phân tích và mô phỏng. Kỹ thuật bù tần số kết hợp giữa phương pháp bù sử dụng tụ Miller, phương pháp bù sử dụng tụ điện kết hợp với điện trở phản hồi và phương pháp bù sử dụng phản hồi tích cực được đề xuất. Với kỹ thuật bù tần số đề xuất, mạch OCL-LDO đạt được thời gian khôi phục điện áp đầu ra ngắn trong điều kiện chuyển tải nhanh và có chất lượng PSRR tốt. Hướng phát triển tiếp theo của nghiên cứu là tập trung vào tối ưu mạch OCL-LDO để giảm dòng tiêu thụ của mạch. Đồng ISBN 978-604-80-7468-5 55