Đề thi & đáp án lý thuyết Điện tử dân dụng năm 2012 (Mã đề LT4)

CỘNG HOÀ XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM Độc lập - Tự do - Hạnh phúc<br /> <br /> ĐỀ THI TỐT NGHIỆP CAO ĐẲNG NGHỀ KHOÁ 3 (2009-2012) NGHỀ: ĐIỆN TỬ DÂN DỤNG MÔN THI: LÝ THUYẾT CHUYÊN MÔN NGHỀ Mã đề thi: ĐTDD - LT04 Hình thức thi: Viết Thời gian: 180 Phút (Không kể thời gian giao đề thi) ĐỀ BÀI<br /> <br /> Câu 1 (2đ) : Trình bày ký hiệu, phương trình và bảng trạng thái của các cổng logic cơ bản. Câu 2 (2đ): Nêu nhiệm vụ các linh kiện và giải thích nguyên lý hoạt động của mạch khuếch đại công suất đẩy kéo (push – pull) dùng đảo pha đối xứng phụ có sơ đồ mạch như sau :<br /> R9<br /> <br /> BR1 R2 R5<br /> <br /> Q2<br /> R3 C1 R6<br /> <br /> Q4<br /> C3<br /> <br /> Vout<br /> <br /> Q1<br /> Vin<br /> 1<br /> <br /> R7<br /> <br /> R10<br /> SPEAKER<br /> <br /> 2<br /> 3<br /> <br /> Q3 Q5<br /> R8 R11<br /> <br /> R4<br /> <br /> 0<br /> <br /> R12<br /> <br /> C2<br /> <br /> Câu 3 (3đ): Hãy cho biết a) Các nguyên nhân có thể dẫn đến làm nóng Transistor công suất ngang (sò ngang) và cách kiểm tra sò ngang. b) Các nguyên nhân có thể dẫn đến khung sáng bị co, bị nở rộng theo chiều ngang. Câu 4 (3đ): (phần tự chọn, các trường tự ra đề) ………, ngày ………. tháng ……. năm ………<br /> DUYỆT HỘI ĐỒNG THI TN TIỂU BAN RA ĐỀ THI<br /> <br /> CỘNG HOÀ XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM Độc lập-Tự do-Hạnh phúc<br /> <br /> ĐÁP ÁN ĐỀ THI TỐT NGHIỆP CAO ĐẲNG NGHỀ KHOÁ 3 (2009-2012) NGHỀ: ĐIỆN TỬ DÂN DỤNG MÔN THI: LÝ THUYẾT CHUYÊN MÔN NGHỀ Mã đề thi: ĐA ĐTDD - LT04<br /> Câu Nội dung I. Phần bắt buộc 1 Trình bày ký hiệu, phương trình và bảng trạng thái của các cổng Điểm 0,25đ<br /> <br /> logic cơ bản<br /> 1. Cổng đệm (BUFFER): Cổng đệm là cổng logic có một ngõ vào và một ngõ ra.<br /> x y<br /> <br />  y=x<br /> <br /> x 0 1<br /> <br /> y 0 1<br /> <br /> 0,25đ<br /> <br /> 2. Cổng đảo (NOT): Cổng đảo là cổng có một ngõ vào và một ngõ ra.<br /> x y<br /> _<br /> <br /> <br /> <br /> y= x<br /> <br /> x 0 1 x1 0 0 1 1 x2 0 1 0 1<br /> <br /> y 1 0 y 0 0 0 1<br /> <br /> 0,25đ<br /> <br /> 3. Cổng VÀ (AND) ):<br /> x1 x2 y<br /> <br /> y = x1.x2 4. Cổng HOẶC (OR) ):<br /> x1 x2 y<br /> <br /> 0,25đ x1 0 0 1 1 x1 0 0 1 1 x2 0 1 0 1 x2 0 1 0 1 y 0 1 1 1 0,5đ y 1 1 1 0<br /> <br /> y = x1 + x2 5. Cổng NAND = AND+NOT:<br /> x1 x2<br /> <br /> y<br /> <br /> y  x1 . x 2<br /> 6. Cổng NOR = OR+NOT: x1 0 0 1 1 x2 0 1 0 1 y 1 0 0 0 0,5đ<br /> <br /> x1 x2<br /> <br /> 1 3 2<br /> <br /> y<br /> <br /> y  x1  x 2<br /> <br /> 2<br /> <br /> Nêu nhiệm vụ các linh kiện và giải thích ngguyên lý hoạt động của mạch khuếch đại công suất push - pull dùng đảo pha đối xứng phụ có sơ đồ mạch như sau :<br /> R9<br /> <br /> BR1 R2 R5<br /> <br /> Q2<br /> R3 C1 R6<br /> <br /> Q4<br /> C3<br /> <br /> Vout<br /> <br /> Q1<br /> Vin<br /> 1<br /> <br /> R7<br /> <br /> R10<br /> SPEAKER<br /> <br /> 2<br /> 3<br /> <br /> Q3 Q5<br /> R8 R11<br /> <br /> R4<br /> <br /> 0<br /> <br /> R12<br /> <br /> C2<br /> <br /> R1: phân cực cho Q1 R2, R3: phân cực cho Q2, Q3 C1: tụ cách ly DC. C3: tụ xuất âm cho tải loa. R8: phân cực cho Q5 R4, R11: Ổn định nhiệt độ R6, R7, R10: Ổn định nhiệt độ R9: Hạn dòng cho các cực ở chân C của transistor R12, C2: nâng cao độ trung thực của âm thanh điều hoà mạch công suất. Giả sử ngõ vào bán kỳ dương tín hiệu Vin đi vào cực B của Q1 qua tụ C1. Tín hiệu ngõ ra ở cực C của Q1 được rẽ làm hai nhánh. Nhánh 1 đi vào cực B của Q2 qua điện trở gánh R3 và được lấy ra tại cự E của Q2. Nhánh 2 đi vào cực B của Q3. Do tính chất của bán kỳ dương, áp vào cực B của Q1 dương, làm cho Q1 dẫn yếu, làm cho dòng qua R3 giảm. Dẫn đến áp phân cực cho hai transistor Q2 và Q3 giảm, làm cho Q2 và Q3 dẫn yếu. Do đó dòng trên R8 giảm, áp rơi trên R8 cũng giảm, làm cho Q5 dẫn mạnh. Trong khi đó áp rơi trên VCE của Q2 lớn, làm cho Q4 nghưng dẫn. Kết quả, giá trị điện áp đã được nạp đầy của tụ xuất âm, C3 được xả qua loa xuống mass rồi đến Q5.<br /> <br /> 0.5đ<br /> <br /> 0.5đ<br /> <br /> Mặt khác tại ngõ ra cực C của Q1 ta có tín hiệu bị đã đảo pha 180o với tín hiệu vào Vin. Tín hiệu ngõ ra ở cực C của Q1 là tín ngõ vào cực B của Q3. Mà tín hiệu ngõ ra ở cực C của Q3 đảo pha 180 o so với ngõ vào cực B của nó. Vậy sau hai lần đảo pha, tín hiệu ngõ ra ở cực C của Q3 (là ngõ vào cực B của Q5, cũng là ngõ ra tụ xuất âm) đồng pha với tín hiệu vào Vin. Do đó bán kỳ dương của tín hiệu vào Vin, tạo ra điện áp với bán kỳ âm, gây lực đẩy loa. Tương tự như vậy, với bán kỳ âm của tín hiệu vào Vin, áp rơi trên cực B của Q1 giảm, làm cho Q1 dẫn mạnh. Dẫn đến dòng qua R3 lớn, làm cho áp rơi trên R3 lớn. Dẫn đến Q2 và Q3 dẫn mạnh. Điều này làm cho dòng qua R8 lớn, dẫn đến áp rơi trên R8 lớn, làm cho Q5 ngưng dẫn. Trong khi đó, áp rơi trên Q2 giảm, làm cho Q4 dẫn mạnh. Kết quả, tụ xuất âm được nạp từ mass qua loa, đến tụ C3, rồi qua Q4 về nguồn âm. Do đó bán kỳ âm của tín hiệu vào Vin, tạo ra điện áp với bán kỳ dương, gây lực kéo loa. 3 a) Các nguyên nhân có thể dẫn đến làm nóng Tranzitor công suất ngang (sò ngang) và cách kiểm tra sò ngang * Các nguyên nhân có thể dẫn đến làm nóng Tranzitor công suất ngang (sò ngang) - Ngõ ra của sò ngang, tuc là cuộn Flyback đã bị chạm hay quá tải. - Ngõ vào cực B/ hay có nghĩa là sóng quét ngang tới đã quét ngang tới quá mạnh. * Cách kiểm tra Tranzitor công suất ngang (sò ngang) (1). Cách đo nóng : chỉ khi nào quét ngang không chạy mạch bình thường hoặc không chạy thì ta mới thực hiện phép đo ở cực C/H. out. Nếu cực C có điện áp dương : + Đúng bằng B+ : Sò ngang đang ngắt. + Cao hơn B+ hoặc cao vọt : có xung Fly back, sò ngang đã dẫn. + Thấp hơn B+ : có sự rò rỉ ở sò ngang, tụ điện, diode damper hoặc Flyback. (2). Cách đo nguội: tháo sò ngang ra ngoài và dùng VOM kiểm tra. + Với sò ngang bình thường : kiểm tra đo trasistor bình thường. + Với sò ngang có diode đệm và điện trở B-E: + RBE thuận và nghịch : Khoảng vài chục ôm. + RCE thuận : rất lớn thường là∞ . + RCE nghịch : là điện trở thuận của diode. b) Các nguyên nhân có thể dẫn đến khung sáng bị co và bị nở rộng bề ngang * Các nguyên nhân làm khung sáng bị co theo bề ngang: - H.V bị cao quá bình thường ( đi đôi với đánh lửa) - B+ = 110V bị thiếu. - Tụ đếm chân C/ H.out thiếu trị số. * Các nguyên nhân dẫn đến làm khung sáng bị mở rộng theo bề ngang. - Có sự rò rỉ nhẹ ở sò ngang nên làm yếu đi phần nào điện áp H.V<br /> <br /> 0.5đ<br /> <br /> 0.5đ<br /> <br /> 0.5đ<br /> <br /> 1.0đ<br /> <br /> 0.75đ<br /> <br /> 0.75đ<br /> <br /> - Công suất ngang chạy mạnh do B+ vọt cao hoặc do sóng quét ngang đến công suất cao bị cao -> hiện tượng: chỉnh Bright càng cao thì khung sáng càng yếu đi và có lõm đen ở giữa màn hình nếu bị nặng hơn thì khung sáng có thể bị mất hẳn luôn. - Tụ đệm chân C / H.out gắn vi sai ( tăng trị số ). Cộng (I) 7đ II. Phần tự chọn, do trường biên soạn<br /> ………,<br /> <br /> ngày ………. tháng ……. năm ………<br /> TIỂU BAN RA ĐỀ THI<br /> <br /> DUYỆT<br /> <br /> HỘI ĐỒNG THI TN<br /> <br />