intTypePromotion=1
zunia.vn Tuyển sinh 2024 dành cho Gen-Z zunia.vn zunia.vn
ADSENSE
 » 
 » 

Luận văn Thạc sĩ Kỹ thuật điện tử: Nghiên cứu xử lý lỗi trên cấu hình nghịch lưu ba pha ba bậc hình T

Chia sẻ: _ _ | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:85

Thêm vào BST
Báo xấu
9
lượt xem 2
download
 
  Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Mục đích của đề tài là nghiên cứu xử lý lỗi ngắn mạch/hở mạch trên cấu hình nghịch lưu ba pha ba bậc hình T bằng phương pháp thay thế nhánh dự phòng, kết hợp mạch nguồn Z làm tăng điện áp ngõ ra.

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Luận văn Thạc sĩ Kỹ thuật điện tử: Nghiên cứu xử lý lỗi trên cấu hình nghịch lưu ba pha ba bậc hình T

  1. BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ NGUYỄN TRUNG HIẾU NGHIÊN CỨU XỬ LÝ LỖI TRÊN CẤU HÌNH NGHỊCH LUU BA PHA BA BẬC HÌNH T NGÀNH: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ - 60520203 S K C0 0 5 8 9 1 Tp. Hồ Chí Minh, tháng 05/2018
  2. BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ NGUYỄN TRUNG HIẾU NGHIÊN CỨU XỬ LÝ LỖI TRÊN CẤU HÌNH NGHỊCH LƯU BA PHA BA BẬC HÌNH T NGÀNH: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ MÃ SỐ: 60520203 Tp. Hồ Chí Minh, tháng 5 / 2018
  3. BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ NGUYỄN TRUNG HIẾU NGHIÊN CỨU XỬ LÝ LỖI TRÊN CẤU HÌNH NGHỊCH LƯU BA PHA BA BẬC HÌNH T NGÀNH: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ Hướng dẫn khoa học: TS NGUYỄN MINH KHAI Tp. Hồ Chí Minh, tháng 5 / 2018
  4. LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP LÝ LỊCH KHOA HỌC I. LÝ LỊCH SƠ LƯỢC: Họ và tên: Nguyễn Trung Hiếu Giới tính: Nam Ngày, tháng, năm sinh: 02-11-1989 Nơi sinh: Tp.HCM Quê quán: Bến Tre Dân tộc: Kinh Chỗ ở riêng hoặc địa chỉ liên lạc: 692/5c, Vườn Lài, An Phú Động, Q12, HCM. Điện thoại: 0902919839 E-mail: hieuvnautotech@gmail.com II. QUÁ TRÌNH ĐÀO TẠO: 1. Đại học: Hệ đào tạo: Đại học chính quy. Thời gian đào tạo từ 10/2010 đến 07/2014 Nơi học (trường, thành phố): Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP.HCM. Ngành học: Kỹ thuật Điện – Điện Tử. Tên đồ án tốt nghiệp: Xây dựng mô hình chỉnh lưu cầu 3 pha cho động cơ DC và cuộn kích từ máy phát DC điều khiển bằng card DSP F28335. Ngày và nơi bảo vệ đồ án tốt nghiệp: 07/2014 tại Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP.HCM. Người hướng dẫn: ThS. Đỗ Đức Trí. 2. Thạc sĩ: Hệ đào tạo: Chính quy. Thời gian đào tạo từ 10/2016 đến 5/2018 Nơi học (trường, thành phố): Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP.HCM, HCM. Ngành học: Kỹ thuật Điện Tử. Tên luận văn tốt nghiệp: Nghiên cứu xử lý lỗi trên cấu hình nghịch lưu ba pha ba bậc hình T. Ngày và nơi bảo vệ luận văn tốt nghiệp: 5/5/2018 tại Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP.HCM. Người hướng dẫn: TS. Nguyễn Minh Khai. 3. Trình độ ngoại ngữ (biết ngoại ngữ gì, mức độ): Tiếng Anh, mức độ B1. 4. Học vị, học hàm, chức vụ kỹ thuật được chính thức cấp, số bằng, ngày & nơi cấp: Trang i
  5. LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Bằng Kỹ sư, số bằng: 33217, ngày cấp: 29/09/2015, nơi cấp: Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP. HCM. III. QUÁ TRÌNH CÔNG TÁC CHUYÊN MÔN KỂ TỪ KHI TỐT NGHIỆP ĐẠI HỌC: Thời gian Nơi công tác Công việc đảm nhiệm 09/2015 - nay Công ty TNHH Auto N SI Bộ phận MRO IV. CÁC CÔNG TRÌNH KHOA HỌC ĐÃ CÔNG BỐ: [1] Nguyễn Trung Hiếu, Nguyễn Minh Khai, Đỗ Đức Trí, Võ Đại Vân “Xử lý lỗi dung sai cho bộ nghịch lưu ba pha ba bậc nguồn Z hình T”, Hội nghị – Triển lãm quốc tế lần thứ 4 về Điều khiển và Tự động hóa (VCCA-2017) , TB14.3 9:00-09:15 hrs, P[85], trang 69, tháng 12/2017. [2] Đỗ Đức Trí, Nguyễn Minh Khai, Quách Thanh Hải, Nguyễn Trung Hiếu “Bộ nghịch lưu ba bậc hình T tăng áp dựa trên chuyển mạch LC”, Hội nghị – Triển lãm quốc tế lần thứ 4 về Điều khiển và Tự động hóa (VCCA-2017) , TB2.3 10:30-10:45 hrs, P[30], trang 42, tháng 12/2017. Trang ii
  6. LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP LỜI CAM ĐOAN Tôi cam đoan đây là công trình nghiên cứu của tôi. Các số liệu, kết quả nêu trong luận văn là trung thực và chưa từng được ai công bố trong bất kỳ công trình nào khác. Tp. Hồ Chí Minh, ngày 22 tháng 02 năm 2018 (Ký tên và ghi rõ họ tên) Nguyễn Trung Hiếu Trang iii
  7. LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP LỜI CẢM TẠ Xin chân thành gửi lời cảm ơn đến TS. NGUYỄN MINH KHAI, đã tận tình hướng dẫn tôi để thực hiện luận văn. Xin chân thành gửi lời cảm ơn đến toàn thể quí thầy cô trường Đại học Sư Phạm Kỹ Thuật TP. Hồ Chí Minh đã giảng dạy, hướng dẫn và tạo mọi điều kiện, môi trường học tập tốt cho tôi. Xin cảm ơn ban lãnh đạo Khoa Điện – Điện tử Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh đã hỗ trợ sử dụng phòng thí nghiệm Điện tử công suất nâng cao D405 trong suốt thời gian thực hiện luận văn này. Cảm ơn ba mẹ, anh chị em và bạn bè đã động viên tôi trong suốt thời gian học. Xin kính chúc sức khỏe và chân thành cảm ơn. Học viên Nguyễn Trung Hiếu Trang iv
  8. LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP TÓM TẮT LUẬN VĂN Các bộ nghịch lưu công suất đóng vai trò ngày càng quan trọng trong công nghiệp cũng như trong sinh hoạt hộ gia đình. Nâng cao hiệu suất chuyển đổi luôn là nhiệm vụ quan trọng trong lĩnh vực điện tử công suất. Hiện nay, đã có nhiều loại cấu hình nghịch lưu hiệu suất cao. Tuy nhiên, vẫn còn tồn tại một số nhược điểm như: Các khóa bán dẫn không được phép dẫn đồng thời (trùng dẫn); Điện áp ngõ ra luôn nhỏ hơn điện áp DC nguồn cấp; Sử dụng nhiều khóa bán dẫn làm ảnh hưởng đến độ tin cậy của toàn hệ thống; Không được trang bị, thiết kế dự phòng nên khi có sự cố xảy ra toàn bộ hệ thống bị trì trệ, gián đoạn. Bộ nghịch lưu cấu hình T được thiết kế sử dụng nhánh dự phòng tạo cho ngõ ra bộ nghịch lưu có ba cấp điện áp và khả năng hoạt động dưới điều kiện lỗi ngắn mạch/hở mạch. Một mạch tăng áp nguồn z được kết hợp vào bộ nghịch lưu sẽ khắc phục được các nhược điểm mà các bộ nghịch lưu thông dụng đang gặp phải như là cho điện áp ngõ ra cao hơn điện áp nguồn cấp, điện áp ngõ ra được điều khiển dễ dàng bằng cách thay đổi hệ số ngắn mạch. Phương pháp điều khiển, phân tích hoạt động, lựa chọn linh kiện và biểu thức điện áp ngõ ra được tính toán. Các kết quả lý thuyết được kiểm chứng trên phần mềm mô phỏng PSIM và thực nghiệm trên mô hình điều khiển bằng kit DSP TMS320F28355 và FPGA Cyclone II EP2C5T144. Bài nghiên cứu được trình bày gồm 5 chương: Chương 1: Trình bày tổng quan về tính hình nghiên cứu bộ nghịch lưu, ưu khuyết điểm của ba bộ nghịch lưu truyền thống NPC, flying capacitor, cascade multilevel inverter, mục đích của đề tài, cũng như phạm vi và phương pháp nghiên cứu của đề tài. Chương 2: Giới thiệu các cấu hình nghịch lưu, mạch nguồn z, các vấn đề lỗi có thể xảy ra trên các cấu hình nghịch lưu và quy trình xử lý lỗi. Chương 3: Cấu hình nghịch lưu ba pha ba bậc nguồn Z có khả năng chịu lỗi do tác giả đề xuất . Chương 4: Kết quả mô phỏng và thực nghiệm của bộ nghịch lưu đề xuất. Trang v
  9. LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Chương 5: Những ưu điểm và hạn chế của đề tài và hướng phát triển của đề tài trong tương lai. Trang vi
  10. LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP ABSTRACT Multilevel inverters play an increasingly important role in industry as well as in civil. Improving conversion efficiency is always an important task in the field of power electronics. At present, there are many types of high effective inverter. However, there are still some weakness point such as not allow the switches in a phase-leg conducting at the same time, the output voltage is always smaller than the DC power supply, using a lot of semiconductor switches affects the reliability of the entire system, not equipped, redundant design when the whole system occur shoot through or open circuit. The multilevel inverters T type is designed to use a redundant branch providing and inverter output with three levels and ability to operate under fault-tolerant short/open circuit conditions. A boost converter integrated into the inverter will overcome the disadvantages that conventional inverters are experiencing as the output voltage is higher than the supply voltage. The output voltage is controlled easily by changing the short-circuit coefficient. Methods of control, analysis of operation principle, component selection and output voltage expression has been calculated. To verify the performance, PSIM simulation is used and a laboratory prototype has constructed a base on a TMS320F28335 controller and FPGA Cyclone II EP2C5T144. The paper presents with five chapters: Chapter 1: Overview of inverter research, the advantages and disadvantages of three traditional inverters is NPC, flying capacitors, cascade multilevel inverters. The purpose of the research as well as the limitation and research method. Chapter 2: Introduction of three-level inverter topology, Z-source, fault-tolerant three-level inverter system, fault-tolerant processing. Chapter 3: Presenting the three-level inverter T-type Z-source improve was proposed by the author. Chapter 4: Simulation and experimental results of the proposed topology. Trang vii
  11. LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Chapter 5: The advantages and disadvantages of the research and direction of future development. Trang viii
  12. LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP MỤC LỤC LÝ LỊCH KHOA HỌC .......................................................................................... i LỜI CAM ĐOAN ................................................................................................ iii LỜI CẢM TẠ ...................................................................................................... iv TÓM TẮT LUẬN VĂN ........................................................................................v MỤC LỤC ........................................................................................................... ix DANH MỤC HÌNH ............................................................................................ xii DANH MỤC BẢNG ......................................................................................... xvi DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU, CÁC CHỮ VIẾT TẮT ................................... xvii Chương 1 TỔNG QUAN .......................................................................................1 1.1 Tổng quan lĩnh vực nghiên cứu ..................................................................1 1.2 Mục đích của đề tài .....................................................................................3 1.3 Nhiệm vụ và giới hạn của đề tài .................................................................3 1.4 Phương pháp nghiên cứu ............................................................................3 1.5 Điểm mới của đề tài ....................................................................................4 1.6 Giá trị thực tiễn của đề tài...........................................................................4 Chương 2 CƠ SỞ LÝ THUYẾT ...........................................................................5 2.1 Lý thuyết về nghịch lưu ..............................................................................5 2.1.1 Khái niệm.............................................................................................5 2.1.2 Bộ nghịch lưu áp ..................................................................................5 2.1.3 Các cấu trúc nghịch lưu ba bậc thông dụng.........................................5 2.2 Nghịch lưu tăng áp và nghịch lưu nguồn Z : ............................................10 2.2.1 Nghịch lưu truyền thống kết hợp với bộ tăng áp: ...............................10 2.2.2 Nghịch lưu nguồn Z:...........................................................................10 Trang ix
  13. LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP 2.3 Các vấn đề lỗi xảy ra trong cấu hình nghịch lưu: .................................13 2.4 Lỗi dung sai và lỗi không cho phép xảy ra ...........................................15 2.5 Quy trình xử lý..........................................................................................17 2.5.1 Phát hiện lỗi ........................................................................................17 2.5.2 Cách ly linh kiện lỗi...........................................................................18 2.5.3 Thay thế nhánh bị lỗi bằng nhánh dự phòng .....................................18 Chương 3 CẤU HÌNH BỘ NGHỊCH LƯU BA PHA BA BẬC NGUỒN Z HÌNH T CÓ KHẢ NĂNG CHỊU LỖI (ĐỀ XUẤT) ............................................................22 3.1 Cấu hình bộ nghịch lưu ba pha ba bậc nguồn Z hình T có khả năng chịu lỗi ...............................................................................................................................22 3.2 Nguyên lý hoạt động của bộ nghịch lưu ba pha ba bậc nguồn Z hình T có khả năng chịu lỗi. ..................................................................................................23 3.3 Giải thuật điều chế độ rộng xung (PWM) .................................................27 3.4 Chế độ ngắn mạch và chế độ không ngắn mạch .......................................28 3.4.1 Chế độ không ngắn mạch ...................................................................28 3.4.2 Chế độ ngắn mạch ..............................................................................28 Chương 4 KẾT QUẢ MÔ PHỎNG VÀ THỰC NGHIỆM.................................30 4.1 Xây dựng mô hình thực nghiệm ...............................................................30 4.1.1 Mô hình thực nghiệm..........................................................................30 4.1.2 Mô tả chi tiết ......................................................................................32 4.1.2.1 Kit điều khiển TMS320F28335 ......................................................32 4.1.2.2 Kit FPGA Cyclone II EP2C5T144 .................................................32 4.1.2.3 Mạch nguồn kích ............................................................................33 4.1.2.4 Mạch cảm biến áp ...........................................................................33 Trang x
  14. LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP 4.1.2.5 Mạch nghịch lưu đề xuất .....................................................................35 4.2 Kết quả mô phỏng và thực nghiệm:...........................................................35 4.2.1 Kết quả mô phỏng : ................................................................................37 4.2.2 Kết quả thực nghiệm : ............................................................................46 Chương 5 KẾT LUẬN ........................................................................................58 5.1 Kết luận .....................................................................................................58 5.2 Hướng phát triển .......................................................................................58 TÀI LIỆU THAM KHẢO ...................................................................................60 PHỤ LỤC ............................................................................................................63 Trang xi
  15. LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP DANH MỤC HÌNH Hình 2.1: Cấu hình bộ nghịch lưu ba pha ba bậc dạng NPC ......................................6 Hình 2.2: Cấu hình bộ nghịch lưu ba pha ba bậc dạng tụ kẹp. ...................................7 Hình 2.3: Cấu hình bộ nghịch lưu ba pha ba bậc dạng cascade. .................................8 Hình 2.4: Cấu hình bộ nghịch lưu ba pha ba bậc hình T. ...........................................9 Bảng 2.1: So sánh số linh kiện các cấu hình nghịch lưu ba pha ba bậc ......................9 Hình 2.5: Cấu hình nghịch lưu nguồn Z. ..................................................................11 Hình 2.6: Cấu hình nghịch lưu nguồn Z ở trạng thái không ngắn mạch. .................11 Hình 2.7: Cấu hình nghịch lưu nguồn Z ở trạng thái ngắn mạch..............................12 Hình 2.8: (a) S1a hở mạch. .......................................................................................16 (b) S1a ngắn mạch (bậc zero)....................................................................................16 (c) S1a ngắn mạch bậc âm. .......................................................................................16 Hình 2.9: (a) S2a hở mạch. .......................................................................................17 (b) S2a ngắn mạch. ....................................................................................................17 Hình 2.10: Thêm linh kiện dự phòng : một cho nửa trên và một cho nửa dưới cầu nghịch lưu. .................................................................................................................19 Hình 2.11: Thêm một nhánh dự phòng cho mỗi pha của cầu nghịch lưu. ................20 Hình 2.12: Thêm một cầu nghịch lưu dự phòng (bên phải). .....................................21 Hình 3.1: Cấu hình nghịch lưu ba pha ba bậc nguồn Z hình T có khả năng chịu lỗi22 Hình 3.2: Giai đoạn hoạt động bình thường..............................................................23 Hình 3.3: Giai đoạn xảy ra sự cố...............................................................................24 Hình 3.4: Dạng sóng điện áp pha A trước tải khi S1a hở mạch. ................................24 Hình 3.6: Cấu hình nghịch lưu ba bậc nguồn Z hình T sau khi đóng nhánh dự phòng. ...................................................................................................................................26 Hình 3.7: Giải thuật tạo PWM cho bộ nghịch lưu ba pha ba bậc hình T. .................27 Hình 4.1: Sơ đồ khối mô hình thực nghiệm ..............................................................30 Hình 4.2: Mạch thực nghiệm đề xuất ........................................................................31 Hình 4.3: Mô hình thực tế thí nghiệm đề xuất ..........................................................31 Hình 4.4: Kit vi xử lý DSP TMS320F28335. ...........................................................32 Trang xii
  16. LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Hình 4.5: Kit FPGA Cyclone II EP2C5T144. ..........................................................32 Hình 4.6: Sơ đồ chân của IC DCH01. .......................................................................33 Hình 4.7: Sơ đồ mạch nguồn kích. ............................................................................33 Hình 4.8: Sơ đồ nguyên lý mạch cảm biến áp. .........................................................34 Hình 4.9: Mạch cảm biến áp. ....................................................................................34 Hình 4.10: Hình dạng và sơ đồ chân của IGBT G40N60 và G40N120. ..................35 Hình 4.11: Hình dạng và sơ đồ chân của điốt DSEI60-06. .......................................35 Bảng 4.1: Thông số mạch sử dụng trong mô phỏng và thực nghiệm. ......................36 Hình 4.12: Điện áp dây VAB ở điều kiện bình thường. .............................................37 Hình 4.13: Điện áp pha VAN ở điều kiện bình thường. .............................................37 Hình 4.14: Dòng điện qua tải pha A ở điều kiện bình thường. .................................38 Hình 4.15: Điện áp trên thanh cái ở điều kiện bình thường. .....................................38 Hình 4.16: Điện áp trên tụ ở điều kiện bình thường. ................................................39 Hình 4.17: Tổng méo hài (THD) ở điều kiện bình thường. ......................................39 Hình 4.18: Điện áp dây VAB ở điều kiện lỗi S1a hở mạch nhưng không được xử lý. 40 Hình 4.19: Điện áp dây VAB ở điều kiện lỗi S4a hở mạch nhưng không được xử lý. 40 Hình 4.20: Điện áp pha VAN ở điều kiện lỗi S1a hở mạch nhưng không được xử lý. 41 Hình 4.21: Dòng điện qua tải pha A ở điều kiện lỗi S1a hở mạch nhưng không được xử lý...........................................................................................................................41 Hình 4.22: Điện áp trên thanh cái ở điều kiện lỗi S1a hở mạch nhưng không được xử lý. ...............................................................................................................................42 Hình 4.23: Điện áp trên tụ ở điều kiện lỗi S1a hở mạch nhưng không được xử lý. ...42 Hình 4.24: Tổng méo hài (THD) ở điều kiện lỗi S1a hở mạch nhưng không được xử lý. ...............................................................................................................................43 Hình 4.25: Điện áp dây VAB ở điều kiện đã được xử lý lỗi. .....................................43 Hình 4.26: Điện áp pha VAN ở điều kiện đã được xử lý lỗi. .....................................44 Hình 4.27: Dòng điện qua tải pha A ở điều kiện đã được xử lý lỗi. .........................44 Hình 4.28: Điện áp trên thanh cái ở điều kiện đã được xử lý lỗi. .............................45 Hình 4.29: Điện áp trên tụ ở điều kiện đã được xử lý lỗi. ........................................45 Trang xiii
  17. LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Hình 4.30: Tổng méo hài (THD) ở điều kiện đã được xử lý lỗi. ..............................46 Hình 4.31: Kết quả thực nghiệm điện áp dây VAB ở điều kiện bình thường. ...........46 Hình 4.32: Kết quả thực nghiệm điện áp pha VAN ở điều kiện bình thường. ...........47 Hình 4.33: Kết quả thực nghiệm dòng điện qua tải pha A ở điều kiện bình thường. ...................................................................................................................................47 Hình 4.34: Kết quả thực nghiệm điện áp trên thanh cái ở điều kiện bình thường. ...48 Hình 4.35: Kết quả thực nghiệm điện áp trên tụ ở điều kiện bình thường. ..............48 Hình 4.36: Kết quả thực nghiệm tổng méo hài (THD) ở điều kiện bình thường......49 Hình 4.37: Kết quả thực nghiệm điện áp dây VAB ở điều kiện lỗi S4a hở mạch nhưng không được xử lý. .....................................................................................................49 Hình 4.38: Kết quả thực nghiệm điện áp dây VAB ở điều kiện lỗi S1a hở mạch nhưng không được xử lý. .....................................................................................................50 Hình 4.39: Kết quả thực nghiệm điện áp pha VAN ở điều kiện lỗi S1a hở mạch nhưng không được xử lý. .....................................................................................................50 Hình 4.40: Kết quả thực nghiệm dòng điện qua tải pha A ở điều kiện lỗi S1a hở mạch nhưng không được xử lý. ..........................................................................................51 Hình 4.41: Kết quả thực nghiệm điện áp trên thanh cái ở điều kiện lỗi S1a hở mạch nhưng không được xử lý. ..........................................................................................51 Hình 4.42: Kết quả thực nghiệm điện áp trên tụ ở điều kiện lỗi S1a hở mạch nhưng không được xử lý. .....................................................................................................52 Hình 4.43: Kết quả thực nghiệm tổng méo hài (THD) ở điều kiện lỗi S1a hở mạch nhưng không được xử lý. ..........................................................................................52 Hình 4.44: Kết quả thực nghiệm điện áp dây VAB ở điều kiện đã được xử lý lỗi.....53 Hình 4.45: Kết quả thực nghiệm điện áp pha VAN ở điều kiện đã được xử lý lỗi. ...53 Hình 4.46: Kết quả thực nghiệm dòng điện qua tải pha A ở điều kiện đã được xử lý lỗi. ..............................................................................................................................54 Hình 4.47: Kết quả thực nghiệm điện áp trên thanh cái ở điều kiện đã được xử lý lỗi. ...................................................................................................................................54 Hình 4.48: Kết quả thực nghiệm điện áp trên tụ ở điều kiện đã được xử lý lỗi........55 Trang xiv
  18. LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP Hình 4.49: Kết quả thực nghiệm tổng méo hài (THD) ở điều kiện đã được xử lý lỗi. ...................................................................................................................................55 Trang xv
  19. LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP DANH MỤC BẢNG Bảng 2.1: So sánh số linh kiện trong các cấu hình nghịch lưu ba bậc ....................... 9 Bảng 2.2: Các nguyên nhân thường gặp .................................................................. 14 Bảng 4.1: Thông số dùng trong mô phỏng và thí nghiệm........................................ 36 Bảng 4.2: So sánh kết quả giữa mô phỏng và thực nghiệm. .................................... 57 Trang xvi
ADSENSE

CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD

LV.26: Bộ 320 Luận Văn Thạc Sĩ Y Học
320 tài liệu
1247 lượt tải
THÔNG TIN
TRỢ GIÚP
HỖ TRỢ KHÁCH HÀNG
Theo dõi chúng tôi

Chịu trách nhiệm nội dung:

Nguyễn Công Hà - Giám đốc Công ty TNHH TÀI LIỆU TRỰC TUYẾN VI NA

LIÊN HỆ

Địa chỉ: P402, 54A Nơ Trang Long, Phường 14, Q.Bình Thạnh, TP.HCM

Hotline: 093 303 0098

Email: support@tailieu.vn

Giấy phép Mạng Xã Hội số: 670/GP-BTTTT cấp ngày 30/11/2015 Copyright © 2022-2032 TaiLieu.VN. All rights reserved.

 

Đồng bộ tài khoản
2=>2