thiết kế hệ truyền động nâng hạ cơ cấu cầu trục, chương 7

Chia sẻ: Van Dau | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:5

Thêm vào BST

Báo xấu

246
lượt xem 120
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Tính chọn bộ nghịch lưu: Dựa vào kết quả khảo sát và tài liệu ta chọn các thiết bị cho mạch NL như sau: a. Chọn Thyristor và diode: + Trị trung bình của dòng qua thyristor và diode là: 1 I I T I D . Trong đó kf là hệ số hạn chế dòng qua Thyristor theo tần số, nó thay đổi kf=0,85 0,98 khi f=5Hz 50 Hz. Vì ta chỉ điều chỉnh tần số theo chiều giảm để điều chỉnh tốc độ nâng nên fmax=50 Hz. Vậy : 1 90 I T I...

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: thiết kế hệ truyền động nâng hạ cơ cấu cầu trục, chương 7

Chương 7: TÝnh chän c¸c thiÕt bÞ m¹ch lùc 1. TÝnh chän bé nghÞch l-u: Dùa vµo kÕt qu¶ kh¶o s¸t vµ tµi liÖu ta chän c¸c thiÕt bÞ cho m¹ch NL nh- sau: a. Chän Thyristor vµ diode: + TrÞ trung b×nh cña dßng qua thyristor vµ diode lµ: 1 I  .0,9.  I T  I D  . st .dm 3  kf    6 Trong ®ã kf lµ hÖ sè h¹n chÕ dßng qua Thyristor theo tÇn sè, nã thay ®æi kf=0,85  0,98 khi f=5Hz  50 Hz. V× ta chØ ®iÒu chØnh tÇn sè theo chiÒu gi¶m ®Ó ®iÒu chØnh tèc ®é n©ng nªn fmax=50 Hz. VËy : 1  90   I T  I D  . .0,9.  35,33 A 3  0,98  6 I tb VËy ta cÇn chän van cã I tb. max   70,6 A  88,2 A , víi ®iÒu (0,4  0,5) khiÖn lµm m¸t b»ng qu¹t giã + c¸nh t¶n nhiÖt. + §iÖn ¸p ng-îc lín nhÊt ®Æt lªn van: Theo lý thuyÕt th× : Ung.max= Uc0 = Uab + Uc. Ta sö dông c«ng thøc kinh nghiÖm sau: U v  K ba ( K u  1). 6 .U f
Trong ®ã: Kba _ tû sè truyÒn cña MBA, ë ®©y ta kh«ng sö dông MBA nªn Kba =1. Ku =1,3  1,4. Ta chän Ku =1,4 ®Ó an toµn b¶o ®¶m chuyÓn m¹ch ch¾c ch¾n. Uf+ _ lµ ®iÖn ¸p pha ®éng c¬ cña ®éng c¬ khi fmax=50Hz (Uf =220V). Do ®ã: U v  (1,4  1). 6 .220  1293V  1,2kV U v.thuc 1,2 VËy ta chän van cã U ng . max    1,7 kV 0,7 0,7 Tõ kÕt qu¶ trªn, tra sæ tay linh kiÖn ta chän c¸c thyristor vµ diode sö dông trong s¬ ®å cã c¸c th«ng sè nh- sau:  Thyristor lo¹i DK-10 do h·ng Thomson chÕ t¹o:
Ihd Ui.m Ig Ug toff du/dt di/dt (A) (kV) (A) (V) (s) (V/s) (A/s) 100 0,2  0,15 2 40 200 200 1,6  Diode lo¹i 130EPS16S còng cña h·ng Thomson chÕ t¹o: M· hiÖu Itb.,max Uim U Ir Ith (A) Tcp (0C) (A) (V) (V) (A) 130EPS1 130 1800 1,1 100 40 150 6S b. Chän tô chuyÓn m¹ch: Ta cã thÓ chän gi¸ trÞ tô tõ kÕt qu¶ xÐt qu¸ tr×nh chuyÓn m¹ch dßng ®iÖn. 2  I f U  C max  0,666 0,91 m 1 L  0,202 m  L    U m f max fn Im   Trong ®ã: - fn: tÇn sè ®Þnh møc = 50Hz - fmax: tÇn sè cùc ®¹i = 100Hz - Im: dßng tõ ho¸ I m  91 1  (cos ) 2  63,5A - In: dßng ®Þnh møc = 91A - L: ®iÖn c¶m mét pha (r«to+stato) = 2x7,3.10-3H - Um: biªn ®é cùc ®¹i ®iÖn ¸p d©y = 380V 2  63,5.50 380   C max  0,666 0,91 14,6.10 3  0,202  14,6.10 3  =212   380.100 63,5.50  F
Chän C = 200  F (gi¸ trÞ chuÈn). c. Chän cuén kh¸ng san b»ng: + TrÞ hiÖu dông dßng vµo bé nghÞch l-u: 3 I d  I st .dm .  90  1,5  110 A 2 + TrÞ hiÖu dông ®iÖn ¸p vµo nghÞch l-u (bá qua sôt ¸p trªn van vµ ¶nh h-ëng cña c¸c sãng hµi bËc cao): 3. 6 Ud  .U f 1 . cos  1  Trong ®ã: Uf1 lµ trÞ hiÖn dông hµi c¬ b¶n cña ®iÖn ¸p trªn t¶i trªn mét pha (Uf1 =220V). 1 lµ gãc lÖch pha gi÷a thµnh phÇn c¬ b¶n dßng ®iÖn vµ thµnh phÇn c¬ b¶n ®iÖn ¸p cña t¶i .V× t¶i cña ta lµ ®éng c¬ nªn cos1 cã thÓ lÊy b»ng cos®m =0,75. 3. 6 Do ®ã: Ud  .220.0,75  386V  + Gi¸ trÞ cña cuén kh¸ng san b»ng ®-îc tÝnh b»ng c«ng thøc:  0,134. .U d Ld  3  .I d Trong ®ã: Id = (0,05  0,1) Id =11A  =2.n®m/60 (rad/s)  0,134. .386 Do ®ã: Ld  3  0,08H 2 577.11 60 2. TÝnh chän bé chØnh l-u: Tõ kÕt qu¶ tÝnh Id = 110A vµ Ud =386V ta tiÕn hµnh tÝnh chän c¸c van cña bé chØnh l-u cÇu ba pha ®èi xøng nh- sau: + Gi¸ trÞ ®iÖn ¸p ng-îc lín nhÊt ®Æt lªn van lµ:
 U ng . max  .U d max  1,05.U d max  1,05  386  405,3V 3  CÇn chän van cã gi¸ trÞ ®iÖn ¸p ng-îc lín nhÊt tho¶ m·n: U ng 405 U ng . max    580V 0,7 0,7 + TrÞ trung b×nh lín nhÊt cña dßng qua van: I d 110 I tb.van. max    36,67 A 3 3 VËy cÇn chän van cã trÞ trung b×nh dßng lín nhÊt tho¶ m·n: I tb I tb.van   73,33 A  91,67 A (0,4  0,5) Tõ kÕt qu¶ ®ã, tra catalog ta chän c¸c thyristor dïng trong s¬ ®å chØnh l-u lµ lo¹i SF100 cña h·ng Toshiba, NhËt B¶n chÕ t¹o cã c¸c th«ng sè sau: M· hiÖu I (A) Uim kV toff (s) SF100 100 0,4  1,6