Mô hình transistor

Xem 1-20 trên 30 kết quả Mô hình transistor
  • Transistor trường phân tử là ứng cử viên đầy hứa hẹn để thay thế transistor trường MOSFET trong tương lai vì kích thước nhỏ, công suất tiêu thụ thấp và tốc độ cao. Trong công trình này, chúng tôi giới thiệu mô hình transistor trường phân tử ba chân. Cấu trúc của MFET giống MOSFET truyền thống, nhưng kênh dẫn được thay bằng phân tử benzene ghép 1-4. Chúng tôi sử dụng phương pháp hàm Green không cân bằng để tính hàm truyền và cuối cùng đặc trưng dòng thế của MFET.

    pdf8p namson94 22-07-2012 68 15   Download

  • Thyristor còn gọi là SCR ( silixon-controller-rectifier) là loại linh kiện 4 lớp P-N đặt xen kẽ nhau. Có thể mô phỏng một Thyristor bằng hai transistor Q1, Q2 như H.I.1d. Transistor Q1 ghép kiểu PNP, còn Q2 kiểu NPN.Gọi 1, 2 là hệ số truyền điện tích của Q1và Q2. Khi đặt điện áp U lên hai đầu A &K của Thyristor, các mặt tiếp giáp J1 & J3 chuyển dịch thuận, còn mặt tiếp giáp J2 chuyển dịch ngược ( J2 mặt tiếp giáp chung của Q1 & Q2 ). Do đó dòng chảy qua J2...

    pdf58p ntgioi120406 27-11-2009 897 279   Download

  • Chúng tôi đưa ra mô hình CNTFET đồng trục, dùng ống Nano Cacbon (CNT) dạng đơn tường làm kênh dẫn. CNTFET có cổng hình trụ bao quanh ống CNT. Để mô phỏng về đặc tính dòng-thế của CNTFET, chúng tôi dùng thuật toán hàm Green (NEGF). Chương trình sử dụng giao diện GUI trong Matlab là phương tiện để tính toán và trình bày kết quả.

    pdf13p thorthor1234 24-05-2018 1 0   Download

  • Tạo một dự án tên là Transistor và đặt tên một thư mục mới có cùng tên. Khi dự án này mới được tạo ra, hãy chắc chắn rằng bạn bao gồm các thư viện bipolar.slb. Hình 50 cho thấy mạch bóng bán dẫn bằng cách sử dụng một phần 2N3904 và áp dụng một hình sin thoáng qua đầu vào. VSIN nguồn điện áp là một tín hiệu thoáng qua là một hình sin chứ không phải hơn so với một xung sóng vuông. Chúng ta hãy nhìn vào các thông số cho nguồn này.

    doc9p dohongpro 27-09-2011 193 41   Download

  • Mô hình của bộ khuyếch đại tuyến tính Hãy xác định hệ số khuyếch đại điện áp, AV = vL/vS của mô hình mạch khuyếch đại thể hiện ở hình 2.3, với các điện trở nội của đầu vào và đầu ra là ri và ro; hệ số khuyếch đại nội của phần tử khuyếch đại, µ; điện trở nội của nguồn tín hiệu là RS, và điện trở tải là RL. Theo hình vẽ.

    pdf56p nhi_93 30-03-2013 76 19   Download

  • Tác giả phát triển bộ mô phỏng cho linh kiện điện tử nano, Nemo-Vn2. Trong công trình này tác giả sử dụng bộ mô phỏng để nghiên cứu kỹ đặc tính của transistor đơn điện tử. Mô hình của transistor điện tử dựa trên phương pháp hàm grenn không cân bằng và được thực hiện bằng sử dụng giao diện đồ họa của người sử dụng matlab. Những đặc trưng dòng - thế như dòng thể máng - thể cống được nghiên cứu kỹ.

    pdf9p uocvongxua10 18-09-2015 30 3   Download

  • Tài liệu tham khảo hướng dẫn cách sử dụng ISIS - Proteus, phần 3: Mô phỏng tương tự, bài số 2: Mạch Schmitt biến đổi sin thành vuông dùng Transistor. Phân tích: Mạch này gồm có các loại linh kiện: điện trở, tụ điện, tụ phân cực, transistor loại 2N3904, nguồn cung cấp một chiều, nguồn tín hiệu xoay chiều hình sin.

    pdf10p laikavina 28-08-2010 449 193   Download

  • Thyristor còn gọi là SCR là loại linh kiện 4 lớp P-N đặt xen kẽ nhau. Để tiện việc phân tích các lớp bán dẫn này người ta đặt là P1, N1, P2, N2 giữa các lớp bán dẫn hình thành các chuyển tiếp lần lượt từ trên xuống dưới là J1, J2, J3.Có thể mô phỏng một thyristor bằng hai transistor Q1, Q2 như hình H.I.Id. transistor Q1 ghép kiểu PNP, còn Q2 kiểu NPN.

    pdf60p gacon89 18-06-2010 254 125   Download

  • Equivalent circuit device models are critical for the accurate design and modelling of RF components including transistors, diodes, resistors, capacitors and inductors. This chapter will begin with the bipolar transistor starting with the basic T and then the π model at low frequencies and then show how this can be extended for use at high frequencies. These models should be as simple as possible to enable a clear understanding of the operation of the circuit and allow easy analysis. They should then be extendible to include the parasitic components to enable accurate optimisation....

    pdf62p doroxon 16-08-2010 188 67   Download

  • Khi muốn CMOS thúc tải có yêu cầu dòng lớn ta dùng Transistor Darlington có hfe tương đương rất lớn thường là trên 1000. Khi tải hoạt động ở thế lớn thì phải thêm Transistor cách ly cao thế khỏi mạch CMOS sau đó ta có thể dùng Transistor Darlington công suất. Khi tải có yêu cầu dòng lớn ta có thể theo hình

    pdf11p bichtram856 15-04-2011 48 21   Download

  • Bài giảng Điện tử tương tự - Chương II: Transistor lưỡng cực, trình bày các nội dung chính: giới thiệu về BJT, MOSFET, cấu trúc của BJT, chế độ hoạt động của BJT, mô hình Ebers-Moll (EM), mô hình E, đặc tính dòng điện – điện áp, hiệu ứng Early, miền tích cực,... Đây là tài liệu học tập và giảng dạy dành cho sinh viên ngành Điện - điện tử.

    pdf21p mnhat91 26-04-2014 79 18   Download

  • Chương 5 BJT (Transistor lưỡng cực), nội dung tìm hiểu chương này gồm: Cấu tạo và ký hiệu của Transistor lưỡng cực trong các sơ đồ mạch; Các cách mắc BJT và các họ đặc tuyến tương ứng; Phân cực cho BJT; Các mô hình tương đương của BJT; Phân loại BJT; Một số ứng dụng của BJT.

    pdf78p canhdangxuan 03-04-2014 52 10   Download

  • Xác định hệ số khuyếch đại vòng hở AC của bộ khuyếch đại emitter-chung Hãy xác định điểm-Q và hệ số khuyếch đại vòng hở AC của mạch khuyếch đại ở hình 3.4, mạch khuyếch đại sử dụng transistor npn 2N5088 khi nguồn điện áp base, VBB = 6 V; VCC = 12 V; RB = 100 k; RC = 0,5 k; RE = 100 = 0,6 V; fe = 350 .

    pdf24p nhi_93 30-03-2013 88 7   Download

  • Trong mô hình các dòng điện chạy trong transistor ta thấy: điểm B’ nằm trong vùng nền được xem như trung tâm giao lưu của các dòng điện. Do nối nền phát phân cực thuận nên giữa B’ và E cũng có một điện trở động re giống như điện trở động rd trong nối P-N khi phân cực thuận nên: re

    pdf5p phuoctam32 28-06-2011 40 4   Download

  • Chúng tôi đã phát triển một mô phỏng cho các thiết bị điện tử nano, NEMO-VN2. Trong cái này công việc, chúng tôi cung cấp tổng quan về transistor hiệu ứng trường quay. Chúng tôi sử dụng trình mô phỏng để khám phá hiệu suất của spin FET. Mô hình của FET spin dựa trên hàm Green không cân bằng và thực hiện bằng cách sử dụng giao diện người dùng đồ họa của Matlab.

    pdf13p thorthor1234 24-05-2018 3 0   Download

  • Mạch động lực Nhóm sử dụng mạch cầu H bằng các MOSFET (IRF540 và IRF9540) để thiết kế mạch động lực nhằm cấp nguồn và điều khiển đảo chiều động cơ.Ngoài ra còn có một MOSFET làm nhiệm vụ cấp PWM để điều khiển tốc độ động cơ.Trong đò án nhóm sư dụng MOSFET loại cảm ứng. 4.1.1 Đặc tính của MOSFET IRF540 (thường đóng) IRF9540 (thường mở) Hình 4.1 MOSFET loại cảm ứng MOSFET hay còn gọi là transistor có cực của cách li, có tác dụng như một khóa K.

    pdf6p kentit 14-08-2010 907 237   Download

  • Bộ nghịch lưu cầu một pha được minh họa hình 9.3.1 các giá trị trong mạch được cho như sau: VS=100V, Le=10mH, RL=5, IGBT SWITCHES các diode được kết nối m=0.4, f=50hz. Ngã ra có 3 xung trong ½ chu kỳ. Điện áp cực cổng 15V. Mạch điều khiển cực cổng được mô phỏng bởi tín hiệu sóng tam giác, một tín hiệu chuẩn và một bộ so sánh tương tự như mạch điều khiển được. Tiến hành mô phỏng SPICE và vẽ đồ thị cho dòng điện nguồn is.

    pdf14p chicominhem21 14-09-2010 201 89   Download

  • Khối khuyếch đại và tạo xung đầu ra có nhiệm vụ tạo ra xung có đủ độ rộng vừa phải khuyếch đại cho xung có đủ biên độ thỏa mãn yêu cầu đối tượng điều khiển. Đầu vào của khối này là tín hiệu của khâu so sánh đầu ra là xung mở Thyristor. Sơ đồ khuếch đại và tạo xung đầu ra điển hình trình bày như hình I-16. Khuyếch đại xung nối với tải qua máy biến áp. Transistor T1, T2 nối tầng để tăng hệ số khuyếch đại công suất Đ1,R1 để bảo vệ T1, T2 khỏi...

    pdf7p chicominhem21 14-09-2010 153 79   Download

  • Khảo sát bộ nghịch lưu nguồn với đầu ra trung tâm có sơ đồ mạch được vẽ như hình 9.2.1. các giá trị trong mạch cho như sau. VS=100V, L2=0, C2=0,R2=2, công tắc SW1 và SW2 (IGBT). (Insullategate Bipolar Transistor không dùng diode. SPWM (điều chỉnh độ rộng xung với tần số sóng mang 800Hz, f=50Hz. Điện áp cổng 12V. Thực hiện chương trình mô phỏng PSPICE dùng IC 555 để vẽ đường điện áp cổng và điện áp tải trong một chu kỳ và vẽ phổ tần số điện áp tải....

    pdf8p chicominhem21 14-09-2010 208 72   Download

  • Hai đặc tính cơ bản của các linh kiện được chế tạo bằng công nghệ CMOS là có độ miễn nhiễu cao và tiêu thụ năng lượng ở trạng thái tĩnh rất thấp. Các vi mạch CMOS chỉ tiêu thụ năng lượng một cách đáng kể khi các transistor bên trong nó chuyển đổi giữa các trạng thái đóng (ON) và mở (OFF).

    pdf9p zues09 07-07-2011 79 25   Download

Đồng bộ tài khoản