![](images/graphics/blank.gif)
Tinh thể Ge
-
Bài viết Mô phỏng kéo màng vật liệu hai chiều hai nguyên tử cấu trúc nếp gấp nghiên cứu cơ tính của 6 vật liệu hai chiều cấu trúc nếp gấp bao gồm: p-SiS, p-SiSe, p-GeS, p-GeSe, p-CSe, và p-CTe. Phương pháp phần tử hữu hạn nguyên tử với hàm thế Stillinger-Webber được sử dụng để mô phỏng tương tác giữa các nguyên tử trong quá trình kéo các màng của 6 vật liệu nêu trên.
13p
viaudi
29-08-2022
8
3
Download
-
Sách Vần Quốc ngữ cũng có nhận xét tinh tế về chữ viết “không viết ge, gê, gi mà phải dùng gh đọc là gờ kép”. Vẫn biết thế là vô lý nhưng “xưa nay viết thế, ta cứ tạm theo” (bài 11) mà sau này, thậm chí hiện nay, nhiều người vẫn muốn “cải tiến chữ Quốc ngữ” ở những cách viết này. Phần ghép vần (chắp vần) được nhất loạt trình bày theo cách chia vần, mỗi tiếng chia thành hai, như am = a-m, tam = ta-am, ách = a-chờ… đọc theo nguyên tắc đọc to, đọc bé (hoặc đọc nhanh, nhẹ) cho dính liền nhau… Mời các bạn cùng tham khảo nội dung phần 2 cuốn sách.
16p
bakerboys09
01-08-2022
14
2
Download
-
Để có được các linh kiện bán dẫn kể trên, người ta phải tạo ra hai loại bán dẫn là bán dẫn loại n và bán dẫn loại p bằng cách pha các nguyên tử tạp chất vào Ge (hay Si). Có nhiều phương pháp pha nguyên tử tạp chất vào vật liệu bán dẫn như phương pháp nuôi đơn tinh thể, phương pháp cấy ion, phương pháp khuếch tán,... So với các phương pháp khác thì phương pháp khuếch tán có nhiều ưu điểm như không làm thay đổi cấu trúc tinh thể, có thể pha tạp với chiều sâu tùy ý, cho phép điều khiển tốt hơn các tính chất của tranzito,...
39p
cucngoainhan2
02-11-2021
20
6
Download
-
Đề tài tập trung giải quyết những vấn đề sau: Tìm hiểu, nghiên cứu cấu trúc tinh thể của bán dẫn có cấu trúc kim cương; tìm hiểu về phương pháp thống kê momen, ứng dụng của phƣơng pháp thống kê momen trong nghiên cứu ảnh hưởng của áp suất lên hằng số mạng của bán dẫn có cấu trúc kim cương; nghiên cứu ảnh hưởng của áp suất lên hằng số mạng của Ge.
34p
cucngoainhan2
02-11-2021
23
5
Download
-
Mục đích nghiên cứu của đề tài là áp dụng phương pháp thống kê mô men để xác định các hằng số mạng của tinh thể Ge ở nhiệt độ T. Từ đó, xác định được thể tích kích hoạt V* của tinh thể Ge ở nhiệt độ T.
40p
cucngoainhan2
02-11-2021
29
6
Download
-
Mục tiêu nghiên cứu của luận văn nhằm đưa ra được quy trình công nghệ chế tạo vật liệu quang điện Si-Ge độ rộng vùng cấm thay đổi và có hiệu suất cao. Tối ưu hóa thành phần và cấu trúc của vật liệu Si-Ge để thu được các tính chất vật lý cho phép ứng dụng trong pin quang điện. Mời các bạn cùng tham khảo!
68p
thewizardofoz
28-08-2021
36
7
Download
-
Bằng cách kết hợp các phép phân tích cấu trúc hiện đại từ nhiễu xạ điện tử phản xạ năng lượng cao (RHEED), Kính hiển vi điện tử truyền qua độ phân giải cao (HR-TEM) và giản đồ nhiễu xạ tia X (X-ray), nhóm nghiên cứu đã xác định được nồng độ carbon tối đa có thể pha tạp vào màng Mn5Ge3 mà không làm thay đổi cấu trúc của chúng là x = 0,6. Vượt quá nồng độ này, các màng sẽ thay đổi hoàn toàn cấu trúc và chuyển sang dạng đa tinh thể hay vô định hình tương ứng với nồng độ carbon x = 0,7 và 0,9.
8p
trinhthamhodang1219
07-05-2021
45
1
Download
-
Trong khoảng hơn 30 năm trở lại đây, phương pháp thống kê mômen được áp dụng nghiên cứu thành công đối với các tính chất nhiệt động và đàn hồi của các tinh thể phi điều hòa có cấu trúc lập phương tâm diện, lập phương tâm khối, cấu trúc kim cương và cấu trúc zinc blen. Luận văn là sử dụng phương pháp thống kê mômen nghiên cứu sự tự khuếch tán trong Ge.
54p
capheviahe28
01-03-2021
28
3
Download
-
Mục đích của luận văn là sử dụng phương pháp thống kê mômen nghiên cứu ảnh hưởng của biến dạng lên sự tự khuếch tán trong tinh thể Ge. Luận văn đã thu được các kết quả số mô tả sự phụ thuộc độ biến dạng ε của năng lượng kích hoạt Q và hệ số khuếch tán D cho Ge tự khuếch tán ở nhiệt độ T. Các kết quả tính số sẽ được so sánh với thực nghiệm và các tính toán bằng lí thuyết khác.
56p
capheviahe28
01-03-2021
38
2
Download
-
Đề tài trình bày về sự tự kt cũng như kt của các tạp chất trong tinh thể Ge; tính số các đại lượng kt của l, Ga và Si trong tinh thể Ge dưới ảnh hưởng của T; so sánh kết quả đã tính với thực nghiệm cũng như lý thuyết khác cho thấy khá tốt. Mời các bạn cùng tham khảo.
46p
capheviahe28
01-03-2021
23
4
Download
-
Đề tài nhằm khảo sát chi tiết ảnh hưởng của độ dày thân linh kiện tới đặc tính hoạt động tắt-mở của transistor hiệu ứng trường xuyên hầm cấu trúc lưỡng cổng. Cụ thể là đưa ra các giải thích vật lý đầy đủ của các ảnh hưởng tìm được, xác định được độ dày tối ưu để nâng cao đặc tính điện của linh kiện khi sử dụng các loại vật liệu bán dẫn có vùng cấm và hằng số điện môi khác nhau như Si, Ge, In0.53Ga0.47As.
87p
capheviahe27
23-02-2021
23
5
Download
-
Cấu trúc vùng năng lượng của Ge có thể bị thay đổi nếu tạo ra một ứng suất căng và pha tạp điện tử trong màng Ge. Điều này làm cho khả năng phát quang của Ge được cải thiện đáng kể. Bài viết đề xuất một cách tiếp cận mới để tăng nồng độ các nguyên tố pha tạp trong mạng nền Ge bằng kỹ thuật đồng pha tạp từ hai nguồn rắn GaP và Sb.
8p
vimax2711
27-03-2020
37
2
Download
-
Mục tiêu của luận án là nghiên cứu và hiểu được một số hiện tượng, tính chất vật lý của vật liệu nano lai hóa giữa Si và Ge trong nền SiO2 vô định hình. Làm chủ được công nghệ chế tạo và chế tạo thành công hệ vật liệu nano lai hóa giữa Si và Ge có thành phần thay đổi, từ đó nghiên cứu phân tích được ảnh hưởng của các điều kiện chế tạo, thành phần, kích thước lên các tính chất vật lý của chúng.
140p
phongtitriet000
08-08-2019
27
3
Download
-
Mục đích cơ bản của luận án này là nghiên cứu và hiểu được một số hiện tượng, tính chất vật lý của vật liệu nano lai hóa giữa Si và Ge trong nền SiO2 vô định hình. Làm chủ được công nghệ chế tạo và chế tạo thành công hệ vật liệu nano lai hóa giữa Si và Ge có thành phần thay đổi, từ đó nghiên cứu phân tích được ảnh hưởng của các điều kiện chế tạo, thành phần, kích thước lên các tính chất vật lý của chúng.
24p
phongtitriet000
08-08-2019
26
2
Download
-
Trong nghiên cứu này, sự phân bố của các nguyên tử phốt pho pha tạp trong màng Ge được tập trung khảo sát. Vị trí của các nguyên tử P được thiết lập lại nhờ kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử (APT). Màng Ge được xử lý nhiệt sau khi tăng trưởng ở nhiệt độ 700 oC trong thời gian 60 giây để tạo ứng suất và kích hoạt điện tử pha tạp đồng thời cải thiện chất lượng tinh thể.
6p
vimessi2711
02-04-2019
43
1
Download
-
Trong bài báo này, chúng tôi trình bày lý thuyết phiếm hàm mật độ gần đúng gradient tổng quát (DFT-GGA) trong việc tính toán và phân tích sự hình thành cấu trúc tinh thể khối lập phương tâm mặt của hợp kim Si1- xGex (với x = 0.0625; 0.1875; 0.3125; 0.6250 và 0.8125). Kết quả cho thấy sự thay thế của các nguyên tử Ge vào các vị trí của Si là ổn định, đồng thời làm gia tăng hằng số mạng tinh thể.
5p
trangcham1896
10-12-2018
45
1
Download
-
Luận văn được tiến hành dựa trên các phương pháp thực nghiệm sẵn có tại cơ sở nghiên cứu, bao gồm: Chế tạo vật liệu nano tinh thể SixGe1-x với các thành phần Si và Ge khác nhau trên nền vật liệu SiO2 bằng phương pháp phóng xạ catot; các phương pháp nghiên cứu tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể SixGe1-x gồm nhiễu xạ kế tia X (XRD), hiển vi điện tử truyền qua (TEM), hiển vi điện tử quét (SEM), quang phổ kế Raman, hệ hấp thụ quang học.
25p
change16
27-07-2016
78
5
Download
-
Luận văn được tiến hành dựa trên các phương pháp thực nghiệm sẵn có tại cơ sở nghiên cứu, bao gồm: Chế tạo vật liệu nano tinh thể SixGe1-x với các thành phần Si và Ge khác nhau trên nền vật liệu SiO2 bằng phương pháp phóng xạ catot; các phương pháp nghiên cứu tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể SixGe1-x gồm nhiễu xạ kế tia X (XRD), hiển vi điện tử truyền qua (TEM), hiển vi điện tử quét (SEM), quang phổ kế Raman, hệ hấp thụ quang học.
62p
change14
07-07-2016
68
7
Download
-
Trong khóa luận này, tác giả đã sử dụng Ge để thay thế một phần Ni nhằm nghiên cứu hiệu ứng pha tạp và khảo sát cấu trúc tinh thể, tính chất từ, đặc trưng phóng nạp và ảnh hưởng của độ hạt lên phổ tổng trở của vật liệu LaNi5-xGex.Từ đó , rút ra kết luận ảnh hưởng của nguyên tố Ge tới các đặc trưng của pin Ni-MH.
60p
change13
07-07-2016
42
4
Download
-
Vào năm 1886, một nhà hóa học người Đức là Winkler đã tìm thấy một nguyên tốmới đó là nguyên tố gecmani (Ge). Ông đã dự đoán các số liệu thực nghiệm sau đây: 1. 2. 3. 4. 5. 6. loại Ge 7. 8. Ge(OH)2 có tính kiềm yếu GeCl4 là chất lỏng, nhiệt độ sôi t = 83°c, tỉ trọng 1,887, Có điều kỳ lạ là ngay từ năm 1871, lúc còn chưa ai biết đến nguyên tố này, nhà hóa học Nga Mendeleev đã dự đoán hết sức chính xác về tính chất, đặc điểm của nguyên tố...
5p
noel_noel
12-01-2013
57
5
Download
CHỦ ĐỀ BẠN MUỐN TÌM
![](images/graphics/blank.gif)