Tinh thể Ge

Phần mềm điều khiển máy tiện Emco WinNC GE SERIES FANUC 21 TB là một phần mềm huấn luyện cơ bản của EMCO trên cơ sở máy tính PC. Phần mềm này rèn luyện kĩ năng vận hành và lập trình một số bộ điều khiển máy CNC trên PC. Các gia công phay của dòng máy EMCO và Concept turn có thể điều khiển trực tiếp trên PC bởi phần mềm EMCO WinNC cho máy tiện EMCO.

96p philong9016 14-12-2012 690 205   Download

Thông thường, các màng mỏng để có thể sử dụng đều được chế tạo trên các lớp đế, là các khối vật liệu đơn tinh thể (VD: Si, MgO, Ge, GaAs, thạch anh...). Các kỹ thuật chế tạo màng mỏng bắt đầu được phát triển từ cuối thế kỷ 19, cho đến thời điểm hiện tại, có rất nhiều phương pháp được dùng tùy theo mục đích và điều kiện kinh tế, kỹ thuật: Kỹ thuật mạ điện Kỹ thuật phun tĩnh điện Bốc bay nhiệt trong chân không Phún xạ catốt Epitaxy chùm phân tử (MBE) Lắng đọng hơi...

22p tieulaubau 21-06-2011 817 124   Download

Chất bán dẫn thuần • Xem chất bán dẫn no với số điện tử vòng ngoài cùng 2n2 . • Các nguyên tử Si(14), Ge (32) có 4 điện tử vòng ngoài cùng,nên tương đối bền. • Tinh thể Si ( hoặc Ge) do các nguyên tử gần nhau có liên kết cọng hoá trị, nên mỗi nguyên tử Si xem như có 8 điện tử vòng ngoài cùng nên khá bền, không có trao đổi điện tử với chung quanh, nên xem như không dẫn điện.

45p 124357689 11-06-2012 123 17   Download

Để có được các linh kiện bán dẫn kể trên, người ta phải tạo ra hai loại bán dẫn là bán dẫn loại n và bán dẫn loại p bằng cách pha các nguyên tử tạp chất vào Ge (hay Si). Có nhiều phương pháp pha nguyên tử tạp chất vào vật liệu bán dẫn như phương pháp nuôi đơn tinh thể, phương pháp cấy ion, phương pháp khuếch tán,... So với các phương pháp khác thì phương pháp khuếch tán có nhiều ưu điểm như không làm thay đổi cấu trúc tinh thể, có thể pha tạp với chiều sâu tùy ý, cho phép điều khiển tốt hơn các tính chất của tranzito,...

39p cucngoainhan2 02-11-2021 25 8   Download

Đề tài tập trung giải quyết những vấn đề sau: Tìm hiểu, nghiên cứu cấu trúc tinh thể của bán dẫn có cấu trúc kim cương; tìm hiểu về phương pháp thống kê momen, ứng dụng của phƣơng pháp thống kê momen trong nghiên cứu ảnh hưởng của áp suất lên hằng số mạng của bán dẫn có cấu trúc kim cương; nghiên cứu ảnh hưởng của áp suất lên hằng số mạng của Ge.

34p cucngoainhan2 02-11-2021 26 6   Download

Mục đích nghiên cứu của đề tài là áp dụng phương pháp thống kê mô men để xác định các hằng số mạng của tinh thể Ge ở nhiệt độ T. Từ đó, xác định được thể tích kích hoạt V* của tinh thể Ge ở nhiệt độ T.

40p cucngoainhan2 02-11-2021 34 8   Download

Mục tiêu nghiên cứu của luận văn nhằm đưa ra được quy trình công nghệ chế tạo vật liệu quang điện Si-Ge độ rộng vùng cấm thay đổi và có hiệu suất cao. Tối ưu hóa thành phần và cấu trúc của vật liệu Si-Ge để thu được các tính chất vật lý cho phép ứng dụng trong pin quang điện. Mời các bạn cùng tham khảo!

68p thewizardofoz 28-08-2021 42 8   Download

Trong khoảng hơn 30 năm trở lại đây, phương pháp thống kê mômen được áp dụng nghiên cứu thành công đối với các tính chất nhiệt động và đàn hồi của các tinh thể phi điều hòa có cấu trúc lập phương tâm diện, lập phương tâm khối, cấu trúc kim cương và cấu trúc zinc blen. Luận văn là sử dụng phương pháp thống kê mômen nghiên cứu sự tự khuếch tán trong Ge.

54p capheviahe28 01-03-2021 30 3   Download

Mục đích của luận văn là sử dụng phương pháp thống kê mômen nghiên cứu ảnh hưởng của biến dạng lên sự tự khuếch tán trong tinh thể Ge. Luận văn đã thu được các kết quả số mô tả sự phụ thuộc độ biến dạng ε của năng lượng kích hoạt Q và hệ số khuếch tán D cho Ge tự khuếch tán ở nhiệt độ T. Các kết quả tính số sẽ được so sánh với thực nghiệm và các tính toán bằng lí thuyết khác.

56p capheviahe28 01-03-2021 41 3   Download

Đề tài trình bày về sự tự kt cũng như kt của các tạp chất trong tinh thể Ge; tính số các đại lượng kt của l, Ga và Si trong tinh thể Ge dưới ảnh hưởng của T; so sánh kết quả đã tính với thực nghiệm cũng như lý thuyết khác cho thấy khá tốt. Mời các bạn cùng tham khảo.

46p capheviahe28 01-03-2021 28 5   Download

Đề tài nhằm khảo sát chi tiết ảnh hưởng của độ dày thân linh kiện tới đặc tính hoạt động tắt-mở của transistor hiệu ứng trường xuyên hầm cấu trúc lưỡng cổng. Cụ thể là đưa ra các giải thích vật lý đầy đủ của các ảnh hưởng tìm được, xác định được độ dày tối ưu để nâng cao đặc tính điện của linh kiện khi sử dụng các loại vật liệu bán dẫn có vùng cấm và hằng số điện môi khác nhau như Si, Ge, In0.53Ga0.47As.

87p capheviahe27 23-02-2021 27 6   Download

Mục tiêu của luận án là nghiên cứu và hiểu được một số hiện tượng, tính chất vật lý của vật liệu nano lai hóa giữa Si và Ge trong nền SiO2 vô định hình. Làm chủ được công nghệ chế tạo và chế tạo thành công hệ vật liệu nano lai hóa giữa Si và Ge có thành phần thay đổi, từ đó nghiên cứu phân tích được ảnh hưởng của các điều kiện chế tạo, thành phần, kích thước lên các tính chất vật lý của chúng.

140p phongtitriet000 08-08-2019 29 4   Download

Mục đích cơ bản của luận án này là nghiên cứu và hiểu được một số hiện tượng, tính chất vật lý của vật liệu nano lai hóa giữa Si và Ge trong nền SiO2 vô định hình. Làm chủ được công nghệ chế tạo và chế tạo thành công hệ vật liệu nano lai hóa giữa Si và Ge có thành phần thay đổi, từ đó nghiên cứu phân tích được ảnh hưởng của các điều kiện chế tạo, thành phần, kích thước lên các tính chất vật lý của chúng.

24p phongtitriet000 08-08-2019 31 3   Download

Luận văn được tiến hành dựa trên các phương pháp thực nghiệm sẵn có tại cơ sở nghiên cứu, bao gồm: Chế tạo vật liệu nano tinh thể SixGe1-x với các thành phần Si và Ge khác nhau trên nền vật liệu SiO2 bằng phương pháp phóng xạ catot; các phương pháp nghiên cứu tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể SixGe1-x gồm nhiễu xạ kế tia X (XRD), hiển vi điện tử truyền qua (TEM), hiển vi điện tử quét (SEM), quang phổ kế Raman, hệ hấp thụ quang học.

25p change16 27-07-2016 79 5   Download

Luận văn được tiến hành dựa trên các phương pháp thực nghiệm sẵn có tại cơ sở nghiên cứu, bao gồm: Chế tạo vật liệu nano tinh thể SixGe1-x với các thành phần Si và Ge khác nhau trên nền vật liệu SiO2 bằng phương pháp phóng xạ catot; các phương pháp nghiên cứu tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể SixGe1-x gồm nhiễu xạ kế tia X (XRD), hiển vi điện tử truyền qua (TEM), hiển vi điện tử quét (SEM), quang phổ kế Raman, hệ hấp thụ quang học.

62p change14 07-07-2016 70 7   Download

Trong khóa luận này, tác giả đã sử dụng Ge để thay thế một phần Ni nhằm nghiên cứu hiệu ứng pha tạp và khảo sát cấu trúc tinh thể, tính chất từ, đặc trưng phóng nạp và ảnh hưởng của độ hạt lên phổ tổng trở của vật liệu LaNi5-xGex.Từ đó , rút ra kết luận ảnh hưởng của nguyên tố Ge tới các đặc trưng của pin Ni-MH.

60p change13 07-07-2016 43 4   Download

Vào năm 1886, một nhà hóa học người Đức là Winkler đã tìm thấy một nguyên tốmới đó là nguyên tố gecmani (Ge). Ông đã dự đoán các số liệu thực nghiệm sau đây: 1. 2. 3. 4. 5. 6. loại Ge 7. 8. Ge(OH)2 có tính kiềm yếu GeCl4 là chất lỏng, nhiệt độ sôi t = 83°c, tỉ trọng 1,887, Có điều kỳ lạ là ngay từ năm 1871, lúc còn chưa ai biết đến nguyên tố này, nhà hóa học Nga Mendeleev đã dự đoán hết sức chính xác về tính chất, đặc điểm của nguyên tố...

5p noel_noel 12-01-2013 59 5   Download

Markops là phần mềm mô phỏng tương tác đặc biệt về hoạt động marketing như quản trị thương hiệu, quản trị kênh phân phối, phân khúc thị trường giúp nâng cao kỹ năng ra quyết định trong marketing. Mô hình này ra đời dựa trên những phản hồi của các tập đoàn hàng đầu thế giới như GE, Sprint, L’Oreal. Markops Online mô phỏng các công ty cạnh tranh với nhau và sử dụng các công cụ marketing để lựa chọn sản phẩm có 4 thuộc tính quan trọng nhất; định vị sản phẩm theo 5 phân khúc người tiêu dùng;...

4p bibocumi19 12-12-2012 118 21   Download

Câu 1. Trong các đơn chất được tạo thành bởi các nguyên tố nhóm cacbon. Các kim loại là: a. C và Si b. Sn và Pb c. Si và Ge d. Si và Sn Câu 2. Điều nào sau đây không đúng đối với pảhn ứng giữa cacbon monoxit và oxi: a. Tỏa nhiệt b. Thu nhiệt c. Kèm theo sự giảm thể tích d. Không xảy ra ở nhiệt độ thường. Câu 3. Tính oxi hóa của cacbon thể hiện ở phản ứng nào? a. C + O2 CO2 b. 3C + 4Al Al4¬C3 c. C...

10p hatieuminh 28-08-2012 364 89   Download

Chương 1: Tổng quan về mạch tích hợp TỔNG QUAN VỀ MẠCH TÍNH HỢP 1.1 Khái niệm IC (Intergated-Circuit) là một mạch điện tử mà các thành phần tác động và thụ động đều được chế tạo kết tụ trong hoặc trên một đế (substrate) hay thân hoặc không thể tách rời nhau được. Đế này có thể là một phiến bán dẫn có thể là Si hoặc Ge (hầu hết là Si) hoặc một phiến cách điện. Một IC thường có kích thước dài rộng cỡ vài trăm đến vài ngàn micron, dày cỡ vài trăm micron được đựng trong một...

4p grayswan 27-06-2011 382 103   Download