Vật liệu Ge

Thông thường, các màng mỏng để có thể sử dụng đều được chế tạo trên các lớp đế, là các khối vật liệu đơn tinh thể (VD: Si, MgO, Ge, GaAs, thạch anh...). Các kỹ thuật chế tạo màng mỏng bắt đầu được phát triển từ cuối thế kỷ 19, cho đến thời điểm hiện tại, có rất nhiều phương pháp được dùng tùy theo mục đích và điều kiện kinh tế, kỹ thuật: Kỹ thuật mạ điện Kỹ thuật phun tĩnh điện Bốc bay nhiệt trong chân không Phún xạ catốt Epitaxy chùm phân tử (MBE) Lắng đọng hơi...

22p tieulaubau 21-06-2011 817 124   Download

Diode là một linh kiện điện tử phi tuyến đơn giản nhất. Các loại diode: Diode chân không, Diode khí, Diode chỉnh lưu kim loại, Diode bán dẫn, ...Các vật liệu bán dẫn thường dùng: Silicon (Si). Phổ biến nhất. Germanium (Ge). Gallium Arsenide (GaAs). Mạch siêu cao tần, phát quang và ứng dụng tần số cao

45p levanhau_01031993 03-10-2013 482 73   Download

Đề tài "Quản lý sản xuất khuôn tại Công ty TNHH Ge-Shen Việt Nam" gồm 3 chương trình bày cơ sở lý luận về quản lý sản xuất của doanh; phân tích thực trạng quản lý sản xuất khuôn tại công ty TNHH Ge-Shen Việt Nam; giải pháp hoàn thiện quản lý sản xuất khuôn tại công ty TNHH Ge-Shen Việt Nam. Mời các bạn cùng tham khảo nội dung chi tiết.

120p myhouse02 23-11-2024 2 0   Download

Mục tiêu của luận án "Nghiên cứu chế tạo và tính chất của một số vật liệu nano trên cơ sở Si và Ge" là chế tạo thành công vật liệu quang tử nano trên cơ sở Si và Ge với hình thái và cấu trúc nano mong muốn (hạt nano và dây nano, thanh nano) bằng các công nghệ khả thi tại trường Đại học Bách khoa Hà Nội; Làm rõ ảnh hưởng của các tham số chế tạo tới cấu trúc và hình thái của vật liệu nano Si, Ge; Làm rõ sự liên hệ giữa cấu trúc vùng năng lượng và tính chất quang của vật liệu nano Si, Ge vơi cấu trúc và hình thái của vật liệu...

25p kimphuong555 08-04-2023 7 4   Download

Mục tiêu của luận án "Nghiên cứu chế tạo và tính chất của một số vật liệu nano trên cơ sở Si và Ge" là chế tạo thành công vật liệu quang tử nano trên cơ sở Si và Ge với hình thái và cấu trúc nano mong muốn (hạt nano và dây nano, thanh nano) bằng các công nghệ khả thi tại trường Đại học Bách khoa Hà Nội; Làm rõ ảnh hưởng của các tham số chế tạo tới cấu trúc và hình thái của vật liệu nano Si, Ge; Làm rõ sự liên hệ giữa cấu trúc vùng năng lượng và tính chất quang của vật liệu nano Si, Ge vơi cấu trúc và hình thái của vật liệu...

144p kimphuong555 08-04-2023 13 4   Download

Để có được các linh kiện bán dẫn kể trên, người ta phải tạo ra hai loại bán dẫn là bán dẫn loại n và bán dẫn loại p bằng cách pha các nguyên tử tạp chất vào Ge (hay Si). Có nhiều phương pháp pha nguyên tử tạp chất vào vật liệu bán dẫn như phương pháp nuôi đơn tinh thể, phương pháp cấy ion, phương pháp khuếch tán,... So với các phương pháp khác thì phương pháp khuếch tán có nhiều ưu điểm như không làm thay đổi cấu trúc tinh thể, có thể pha tạp với chiều sâu tùy ý, cho phép điều khiển tốt hơn các tính chất của tranzito,...

39p cucngoainhan2 02-11-2021 25 8   Download

Mục tiêu nghiên cứu của luận văn nhằm đưa ra được quy trình công nghệ chế tạo vật liệu quang điện Si-Ge độ rộng vùng cấm thay đổi và có hiệu suất cao. Tối ưu hóa thành phần và cấu trúc của vật liệu Si-Ge để thu được các tính chất vật lý cho phép ứng dụng trong pin quang điện. Mời các bạn cùng tham khảo!

68p thewizardofoz 28-08-2021 42 8   Download

Đề tài trình bày về sự tự kt cũng như kt của các tạp chất trong tinh thể Ge; tính số các đại lượng kt của l, Ga và Si trong tinh thể Ge dưới ảnh hưởng của T; so sánh kết quả đã tính với thực nghiệm cũng như lý thuyết khác cho thấy khá tốt. Mời các bạn cùng tham khảo.

46p capheviahe28 01-03-2021 28 5   Download

Đề tài nhằm khảo sát chi tiết ảnh hưởng của độ dày thân linh kiện tới đặc tính hoạt động tắt-mở của transistor hiệu ứng trường xuyên hầm cấu trúc lưỡng cổng. Cụ thể là đưa ra các giải thích vật lý đầy đủ của các ảnh hưởng tìm được, xác định được độ dày tối ưu để nâng cao đặc tính điện của linh kiện khi sử dụng các loại vật liệu bán dẫn có vùng cấm và hằng số điện môi khác nhau như Si, Ge, In0.53Ga0.47As.

87p capheviahe27 23-02-2021 27 6   Download

Mục tiêu của luận án là nghiên cứu và hiểu được một số hiện tượng, tính chất vật lý của vật liệu nano lai hóa giữa Si và Ge trong nền SiO2 vô định hình. Làm chủ được công nghệ chế tạo và chế tạo thành công hệ vật liệu nano lai hóa giữa Si và Ge có thành phần thay đổi, từ đó nghiên cứu phân tích được ảnh hưởng của các điều kiện chế tạo, thành phần, kích thước lên các tính chất vật lý của chúng.

140p phongtitriet000 08-08-2019 29 4   Download

Mục đích cơ bản của luận án này là nghiên cứu và hiểu được một số hiện tượng, tính chất vật lý của vật liệu nano lai hóa giữa Si và Ge trong nền SiO2 vô định hình. Làm chủ được công nghệ chế tạo và chế tạo thành công hệ vật liệu nano lai hóa giữa Si và Ge có thành phần thay đổi, từ đó nghiên cứu phân tích được ảnh hưởng của các điều kiện chế tạo, thành phần, kích thước lên các tính chất vật lý của chúng.

24p phongtitriet000 08-08-2019 31 3   Download

Luận văn được tiến hành dựa trên các phương pháp thực nghiệm sẵn có tại cơ sở nghiên cứu, bao gồm: Chế tạo vật liệu nano tinh thể SixGe1-x với các thành phần Si và Ge khác nhau trên nền vật liệu SiO2 bằng phương pháp phóng xạ catot; các phương pháp nghiên cứu tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể SixGe1-x gồm nhiễu xạ kế tia X (XRD), hiển vi điện tử truyền qua (TEM), hiển vi điện tử quét (SEM), quang phổ kế Raman, hệ hấp thụ quang học.

25p change16 27-07-2016 79 5   Download

Luận văn được tiến hành dựa trên các phương pháp thực nghiệm sẵn có tại cơ sở nghiên cứu, bao gồm: Chế tạo vật liệu nano tinh thể SixGe1-x với các thành phần Si và Ge khác nhau trên nền vật liệu SiO2 bằng phương pháp phóng xạ catot; các phương pháp nghiên cứu tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể SixGe1-x gồm nhiễu xạ kế tia X (XRD), hiển vi điện tử truyền qua (TEM), hiển vi điện tử quét (SEM), quang phổ kế Raman, hệ hấp thụ quang học.

62p change14 07-07-2016 70 7   Download

Trong khóa luận này, tác giả đã sử dụng Ge để thay thế một phần Ni nhằm nghiên cứu hiệu ứng pha tạp và khảo sát cấu trúc tinh thể, tính chất từ, đặc trưng phóng nạp và ảnh hưởng của độ hạt lên phổ tổng trở của vật liệu LaNi5-xGex.Từ đó , rút ra kết luận ảnh hưởng của nguyên tố Ge tới các đặc trưng của pin Ni-MH.

60p change13 07-07-2016 43 4   Download

Gecmani là một nguyên tố hóa học trong bảng tuần hoàn có ký hiệu Ge và số nguyên tử 32. Nó là một á kim màu trắng bạc, cứng, bóng, về mặt hóa học là tương tự như thiếc. Gecmani tạo ra một lượng lớn các hợp chất hữu cơ kim loại và là vật liệu bán dẫn quan trọng được sử dụng để sản xuất transistor. Nó được đặt tên theo tên gọi của Đức trong tiếng La tinh là Germania.

11p nuockhoangthiennhien 20-01-2011 248 38   Download

Chất bán dẫn là những nguyên tố có 4 điện tử ở lớp hoá trị. Bởi vì số lượng các điện tử ở lớp hóa trị của các chất bán dẫn nằm giữa 1 (đối với chất dẫn điện hoàn toàn) và 8 (đối với chất cách điện), nên nguyên tố bán dẫn là chất dẫn điện không tốt và cũng là chất cách điện không tốt. Có 3 vật liệu bán dẫn thường được sử dụng nhất là Silicon (Si), Germanium (Ge) và Carbon (C), các nguyên tố này được trình bày ở hình 1.2. Các chất bán dẫn như Silicon và Germanium thường được...

10p thevan36 12-12-2010 1291 283   Download

Tính toán hệ thống nhiên liệu Diesel 7.1 Tính toán bơm cao áp: 7.1.1. Lượng nhiên liệu cung cấp cho một xylanh trong một chu trình công tác : N e .g e .τ .10−3 Vx = 120n.i.ρ nl (mm3) (7-1) Trong đó : Ne: Công suất có ích động cơ (KW). ge: Suất tiêu hao nhiêu liệu (g/KW.h) n: Số vòng quay của trục khuỷu (v/ph). τ: Số kỳ. ρnl: Khối lượng riêng của nhiên liệu (g/cm3). i: Số xi lanh. Công suất đạt cực đại : Ne max tăng 10% . Ne hay Ne max = 1,1 Ne Suất tiêu hao nhiên liệu lúc...

6p tieutaithan 22-11-2010 699 100   Download

Bán dẫn là chất có cấu trúc nguyên tử tương đối đặc biệt. Các điện tử vành ngoài không dễ dàng tách khỏi hạt nhân như vật liệu dẫn điện nhưng cũng không ràng buộc quá chặt với hạt nhân như vật liệu cách điện. Các loại bán dẫn thông dụng là Ge, Si.

18p tran_nhuhoa2005 08-03-2010 350 122   Download